【課題】ＭＲＩ配電システムの安定化方法を提供する。
【解決手段】ＭＲＩ配電システムと電気的に連通する安定化モジュールを提供する。この安定化モジュールは、閉ループ制御システムを含む。この閉ループ制御システムは、入力信号の少なくとも１つの特性を修正するために用いられる。修正された入力信号は、ＭＲＩ配電システムに供給される。一実施形態では、安定化モジュールは開ループ制御システムおよび閉ループ制御システムの双方を含む。 （もっと読む）

【課題】電極と化合物半導体層との界面に電極材料が到達することを抑止し、ゲート特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２と、化合物半導体積層構造２上に形成され、貫通口６ａを有するパッシベーション膜６と、貫通口６ａを埋め込むようにパッシベーション膜６上に形成されたゲート電極７とを有しており、ゲート電極７は、相異なる結晶配列の結晶粒界１０１が形成されており、結晶粒界１０１の起点が貫通口６ａから離間したパッシベーション膜６の平坦面上に位置する。 （もっと読む）

【課題】動作電圧の高電圧化を図るも、電極端における電界集中を緩和してデバイス特性の劣化を確実に抑止し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高い化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】ＨＥＭＴは、ＳｉＣ基板１上に、化合物半導体層２と、開口６ｂを有し、化合物半導体層２上を覆う、窒化珪素（ＳｉＮ）の保護膜６と、開口６ｂを埋め込むように化合物半導体層２上に形成されたゲート電極７とを有しており、保護膜６は、その下層部分６ａが開口６ｂの側面から張り出した張出部６ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】多様な構造を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板１と、基板１の上方に形成された化合物半導体層２と、が設けられている。化合物半導体層２には、第１の不純物の活性化により発生した第１導電型のキャリアを含む第１の領域２ａと、第１の不純物と同一種類の第２の不純物の活性化により発生したキャリアを、第１の領域２ａよりも低濃度で含有する第２の領域２ｂと、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基本波周波数の異なる複数の入力信号が入力する場合でも、各基本周波数に応じた高周波処理が行えるようにする。
【解決手段】 基本角周波数の異なる複数の信号をＦ級増幅し、該基本角周波数の信号成分及び、その高調波の信号成分を含んだ信号を出力するＦ級増幅器と、Ｆ級増幅器の後段に設けられて、当該Ｆ級増幅器に寄生する寄生回路のインピーダンスを取り込んで回路設定されることにより、信号の直流成分及び偶数次高調波の信号成分に対しては短絡状態とし、奇数次高調波の信号成分に対しては開放状態となる高調波処理部と、高調波処理部の後段に設けられて、高調波の信号成分に対しては短絡状態にする短絡部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 温度の影響を考慮し、増幅回路の半導体素子に流れる電流が過大であることを検出することができる電流検出回路を提供する。
【解決手段】 電流検出回路１は、温度検出部３による検出結果に応じて、正側閾値電圧を決定する正側閾値電圧生成部５と、温度検出部３による検出結果に応じて、負側閾値電圧を決定する負側閾値電圧生成部６と、正側信号と負側閾値電圧とを比較し、正側信号が負側閾値電圧以上である場合にトランジスタに流れる電流が過大であることを示すハイレベルの信号を出力し、かつ、負側信号と正側閾値電圧とを比較し、負側信号が正側閾値電圧未満である場合にトランジスタに流れる電流が過大であることを示すハイレベルの信号を出力する比較部７とを備える。 （もっと読む）

【課題】コンプリメンタリＳＥＰＰ回路において、出力抵抗を高くすることなくバイアス電流の安定したバイアス回路を提供する。
【解決手段】バイアス電流を検出する差動増幅器と、所定の電圧値と差動増幅器の出力電圧値との差分を増幅する演算増幅器と、演算増幅器の出力信号を絶縁伝達する絶縁伝達器と、絶縁伝達器の出力に応じたバイアス電圧を出力するバイアス電圧源とを備えたコンプリメンタリＳＥＰＰ回路のバイアス回路。差動増幅器、演算増幅器、絶縁伝達器の動作により、バイアス電圧源は、バイアス電流が増加すると出力するバイアス電圧を低下させる。 （もっと読む）

【課題】 デューティ比が変化する入力信号を高効率で増幅することが可能な増幅回路ならびにそれを用いた送信装置および通信装置を提供する。
【解決手段】 デューティ比が変化するパルス波状の第１信号が入力されて、第１信号を増幅した第２信号を出力するトランジスタ回路10と、第２信号が入力されて、第１信号の基本波と周波数が等しい第３信号を出力する出力回路30とを有しており、出力回路30は、第１信号の基本波の周波数を含む通過帯域を有するとともに、第１信号のデューティ比が小さくなるにつれて通過帯域の幅が大きくなる帯域通過フィルタ31と、帯域通過フィルタ31とトランジスタ回路10とのインピーダンスを整合させる整合回路とを有する増幅回路ならびにそれを用いた送信装置および通信装置とする。デューティ比が変化する入力信号を高効率で増幅できる増幅回路ならびに消費電力が小さい送信装置および通信装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電圧固定バイアス制御方式の歪み特性に優れている利点と、オートバイアス制御方式の個体差や温度変化によらずオペレーションのセット電流値を一定にすることが出来る利点を兼ね備えたパワーアンプ装置を提供する。
【解決手段】FETによる初段アンプ、後段アンプを含むパワーアンプと、入力段に第１のモニター抵抗を接続したオートバイアス回路とを備える。前記オートバイアス回路は前記初段アンプにだけオートバイアスを組み込むために、前記初段アンプ、後段アンプにそれぞれ、前記初段アンプのドレイン電流が一定になるようにセットされたゲート電圧がかかるように接続構成すると共に、主電源の電圧から前記初段アンプには前記第１のモニター抵抗を経由してドレイン電圧がかかり、かつ前記後段アンプには前記主電源の電圧を前記第１のモニター抵抗で分圧したドレイン電圧がかかるように接続構成した。 （もっと読む）

【課題】熱時定数による増幅利得の時間的な変化を補償でき、良好な直線性を有するパルス増幅装置を提供する。
【解決手段】パルス電力増幅装置１０は、高周波信号を変調するパルス信号を入力され、前記パルス信号を入力され第１の増幅器の熱時定数に対応する時定数を有する第１の微分回路と、前記パルス信号を入力され第２の増幅器の熱時定数に対応する時定数を有する第２の微分回路と、励振回路及び最終段増幅器の入力側の負バイアス端子に供給される負バイアス電圧を出力する負バイアス電源１８と、この負バイアス電源の出力する負バイアス電圧に前記第１の微分回路の出力を加算して前記第１の増幅器の入力側の負バイアス端子に供給する第１の加算回路と、前記負バイアス電源の出力する負バイアス電圧に前記第２の微分回路の出力を加算して前記第２の増幅器の入力側の負バイアス端子に供給する第２の加算回路と、を有する。 （もっと読む）