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国際特許分類[H03H5/02]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器 (15,336) | 回路網の部品として受動的電気素子のみを含む一端子対回路網 (107) | 電圧または電流に依存しない素子をもつもの (82)

国際特許分類[H03H5/02]の下位に属する分類

定められた温度係数をもつ素子を少なくとも1個含むもの

国際特許分類[H03H5/02]に分類される特許

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接地電極から所定の距離に配置された、多層積層体のメタライゼーション構造であって、上記メタライゼーション構造は、キャパシタ電極と、コイルとして機能するラインとを有し、上記キャパシタ電極及び上記ラインは、上記接地電極と所定の距離hだけ離れて平行に位置する共通平面内に配置されており、wが上記ラインの幅であるとすると、w/h>3(式(I))であることを特徴とする。
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【課題】簡単にインダクタンス値を微調整できる電子部品を提供すること。
【解決手段】複数枚の基体層1〜6、8〜10を積層して形成された積層体100を有し、積層体100の内部に、基体層6に形成された浮遊電極61と、積層体100の積層方向で隣接する基体層1〜4に配置された導体パターン11、21、31、41を層間で互いに導通させてインダクタンス成分が構成されるコイル導体20と、基体層8、9に形成されてキャパシタンス成分が構成されるコンデンサ導体30とが設けられ、浮遊電極61、コイル導体20及びコンデンサ導体30がこの順で積層されている。 (もっと読む)


【課題】通過帯域周波数の近傍で高減衰量が得られる共振回路及びこれを用いたフィルタ回路、多層基板並びに回路モジュールを提供する。
【解決手段】一端が接地端子106,107に接続された第1キャパシタ101と、第1キャパシタ101の他端に一端が接続された第1インダクタ103と、第1インダクタ103の他端に一端が接続されると共に他端が接地端子106,107に接続された第2キャパシタ102と、第1インダクタ103に並列接続された第3キャパシタ301とから共振回路を構成する。この共振回路300によれば、通過帯域周波数が低周波側の減衰極の近傍に設定され、且つ広い通過帯域幅をもつ。 (もっと読む)


誘導要素と、誘導要素の終端に接続された第1終端と第2終端を有する第1ランドとを含む第1導体パターンを形成するステップと、第2ランド及びリンク要素を含む第2導体パターンを別個に形成するステップと、誘導要素と共に共振回路を形成する、第1のキャパシタンスを有する容量要素のプレートを構築するため、誘電体を介在させて第2ランドが第1ランドの一部分と重なるよう、第2導体パターンを第1導体パターン近傍の第1所定位置へ配置するステップと、共振回路の共振周波数を測定して所定周波数と比較するステップと、共振周波数が所定周波数に合致しないなら、第1ランドの長さに沿って第2ランドが移動するよう、第2導体パターンを動かし、容量要素のキャパシタンスを変更するステップと、最後の2つのステップを合致するまで繰り返すステップと、第1導体パターンへ第2導体パターンを固定するステップとを含む、共振周波数タグの作成方法。
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【課題】 電圧制御発振器の小型・低価格化を図りつつ、優れた発振特性が得られるようにする。
【解決手段】 電界効果型トランジスタT1、T2、可変容量素子P1、P2、バッファB1、B2および定電流源G1を半導体チップK1に形成し、インダクタL1、L2およびキャパシタC1、C2は低温焼成セラミック基板K2に形成し、低温焼成セラミック基板K2上に半導体チップK1をフェースダウン実装することにより、電界効果型トランジスタT1、T2、インダクタL1、L2およびキャパシタC1、C2にてコルビッツ差動型共振器を構成する。 (もっと読む)


【課題】 インダクタを大型化することなくそのQ値を高める。
【解決手段】 積層された複数の絶縁層における所定の層上にコイルパターンが形成されたインダクタであって、少なくとも2つの絶縁層上にコイルパターンが形成されるとともに各コイルパターン同士が電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】静電容量を減少させることなく歩留まりを向上させることができるノイズフィルタを提供することを目的とする。
【解決手段】第1の絶縁層11の上面に設けられた内部導体12と、第1の絶縁層11の下方に設けられた複数の第2の絶縁層13と、前記複数の第2の絶縁層13のそれぞれの同一面に互いに電気的に接続されないように設けられた第1の金属層14および第2の金属層15とを備え、前記第1の金属層14を内部導体12と電気的に接続するとともに、上下方向に隣接する前記第2の絶縁層13に設けられた前記第1の金属層14と前記第2の金属層15とを前記第2の絶縁層13を介して互いに対向させるようにしたものである。 (もっと読む)


Qエンハンスメント回路および方法である。ほとんどの一般的な実施形態において、本発明の回路は寄生抵抗Rを有するコンポーネントにより使用されるように構成され、第1の抵抗R1がこのコンポーネントと直列に配置され、この構成により抵抗R1は負性抵抗になる。示されている実施形態において、第1および第2のインダクタは、Qエンハンスメントが行われるコンポーネントを構成する。抵抗R1は第1のインダクタと直列に配置され、その寄生抵抗RL1と等しい。同様に、第2の抵抗R2は第2のインダクタと直列に配置され、その寄生抵抗RL2と等しい。Qエンハンスメント回路はさらに第1のトランジスタQ1および第2のトランジスタQ2を備えている。 (もっと読む)


本発明は、複数の誘電体層と、それらの間の、導電トラック構造を有する電極層とで構成された基板を含み、その基板内に少なくとも1つの容量性素子と少なくとも1つの誘導性素子とが形成されている高周波構成部品に関し、対向した導電トラック構造のうちの少なくとも1つの構成が提供され、これらによって容量性素子と誘導性素子とが同時に実現され、それによって、対向している導電トラック構造間のコモン・モード・インピーダンスとプッシュプル・インピーダンスとが少なくとも2倍異なるように調整される。
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【課題】上下伝送線路間の結合容量の変動を抑制するとともに、自己共振周波数の劣化を押さえる高周波伝送線路を提供することにある。
【解決手段】伝送線路導体6と、伝送線路導体6と接続され、かつ少なくとも一部が伝送線路導体6に対向した伝送線路導体7とが誘電体層2を介して積層されるとともに、伝送線路導体6と伝送線路導体7とが対向する領域の線路幅が互いに異なっている高周波伝送線路において、線路幅が広い伝送線路導体7の伝送線路導体6と対向する領域に切り欠き部10e〜10gを形成した。 (もっと読む)


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