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国際特許分類[H03H9/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器 (15,336) | 電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器 (8,923)

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【課題】低損失、低インピーダンス、インピーダンス整合が容易、超小型かつ周波数選択性に優れた電気機械フィルタを実現すること。
【解決手段】エネルギー変換部1(例えば、導電性のカーボンコイル)は、入力信号によるローレンツ力によって自身が振動し、電気エネルギーを、機械的な振動エネルギーに変換する。その振動エネルギーが微小構造の振動子3に伝達され、振動子3が励振される。振動子3はバイアス部4によって直流バイアスされており、したがって、振動検出部5は、振動子3の振動による寄生容量(C1)の変化に応じた電流信号を、取り出すことができる。 (もっと読む)


【課題】 強度低下を来たすことなく、小型化・薄型化を実現する。
【解決手段】 蓋部材6とベース部材7とが厚さ方向に重ね合わされた密閉容器2と、密閉容器内に基端部を蓋部材に片持ち支持された水晶振動片3と、蓋部材及びベース部材の内面であって、圧電振動片の先端部に対応する箇所にそれぞれ設けられた欠け防止用凹部8,10と、水晶振動片の先端部に設けられた周波数調整用の重り5とを備える水晶振動子1において、周波数調整用の重り5が、水晶振動片の先端部であって蓋部材とベース部材と対向する両面の内蓋部材と対向する面にのみに設けられ、水晶振動片の先端部の周波数調整用の重りが設けられない側であるベース部材の欠け防止用凹部の圧電振動片への接触縁部10bが、水晶電振動片の先端部の周波数調整用の重りが設けられた側である蓋部材の欠け防止用凹部の水晶振動片への接触縁部8bよりも水晶電振動片の先端側へずらして設けられている。 (もっと読む)


【課題】高周波機械振動子の振動を効率よく増幅する。
【解決手段】例えば振動子を梁構造とし、梁側面に空隙を介して電極を近接させ配置する。両者間に交流電圧を加えて静電力で振動子を励振する一方で、交流信号周波数と同一または2倍の周波数の信号を利用して振動子のばね性に変調を加え、パラメトリック共振の原理により振動を増幅する。励振力とばね性の変調の位相を最適にすることで効率よく振動子の振幅を増幅することができる。 (もっと読む)


【課題】出力共振信号電流が増大する振動子およびその振動子の製作方法を提供する。
【解決手段】振動子が、2つの容量結合した電極(1、2)から成る。一方の電極を、p型ドープ半導体材料で作成し、他方の電極をn型ドープ半導体材料で作成する。本発明はまた、振動子からの出力信号電流を増強するために、このようなドーピングの特定選択を使用する方法を含む。 (もっと読む)


【課題】マイクロフラップMEMS振動子は機械的摩擦による支持部の減衰効果の為、Qファクタが比較的低いので、出力共振信号を増強させる必要がある。
【解決手段】第1電極1、および隣接する第1電極の端部から誘導体部3によって離間された支持部分221を含む第2電極と、ビーム部21から成り、ビーム部21は、前記支持部分221から、第1電極1の表面の少なくとも一部の上に延び、それによってビーム部21と第1電極1表面の間には間隙があり、第1電極1および第2電極の配置は、電気信号が電極に印加されると、ビーム部21が振動し、ビーム部21と第1電極1の間で変化する電気容量を生成するようになされている。支持部221は、ビーム部21の幅より小さい有効幅を有する。 (もっと読む)


従来技術の不利な点を取り除き、特性(1)高い長期安定性、(2)低位相雑音、(3)高耐熱性、(4)その基準発振器の周波数についての正確な値、を改善したMEMS基準発振器を提供することが、本発明の目的である。
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RF−MEMSデバイスは、操作又は刺激に応じて動くように構成された1つ又はそれ以上の自立性薄膜を有し、上記1つ又はそれ以上の薄膜はアルミニウムとマグネシウムとの合金及び自由選択の1つ又はそれ以上の他の物質を有する。得られる薄膜は、従来の薄膜と比較して改善された硬度及び低減されたクリープを有する。
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【課題】MEMS共振器を提供する。
【解決手段】MEMS共振器は、内側半径および外側半径によって定義される環状共振器体、内側半径内に配置され、共振器体から間隔を置かれた第1電極、および環状共振器体の周りに配置され、外側半径から間隔を置かれた第2電極を含む。第1電極および前記第2電極は、共振器体の駆動および検出を提供する。ピエゾ抵抗検出およびピエゾ電気駆動/検出技術も利用されえる。全体の面積は1cm2よりも小さく、複数のアンカーによって支持基板上に配置される。基板は、駆動電極および検出電極を集積回路に接続するアンカーを持つRFトランシーバ集積回路を備えうる。共振器は、従来の半導体集積回路製造技術を用いて容易に製造される。 (もっと読む)


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