【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】周波数差が自由に設定でき、より高性能、低コストのバルク音響波共振子を提供する。また、低コストで阻止特性が良いフィルタ、及び安価で感度が良い通信装置を提供する。
【解決手段】 圧電体と、前記圧電体を厚み方向に対して挟持する一対の電極と、を含む共振部と、前記共振部の厚み方向の少なくとも一方に設けられ、概略０．５λ×ｎの厚みを有し、前記共振部の実効電気機械結合係数を所定の目標値に調整する調整膜と、を備えた、バルク音響波共振子である。ただし、λは使用周波数における調整膜中を厚み方向に伝播する音響波の波長であり、ｎは自然数である。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体と半導体基板との間の寄生容量を低減させるＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に絶縁層４０を介して形成された固定電極２０と可動電極２６とを有するＭＥＭＳ構造体３０が備えられたＭＥＭＳデバイスにおいて、固定電極２０の下方の絶縁層４０にＳＯＧ膜１２を備えている。ＳＯＧ膜１２を形成することで容易に厚い絶縁層４０を形成することができ、ＭＥＭＳ構造体３０と半導体基板１０の間の間隔が大きくなるため、この間に生ずる寄生容量を低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板９上に両端部が支持された共振子５と、該共振子５に対向して配置された２つの電極１、２とを具え、一方の電極１と共振子５とが互いに対向して、１或いは複数のギャップ部が形成されると共に、他方の電極２と共振子５とが互いに対向して、１或いは複数のギャップ部が形成されているマイクロメカニカル共振器において、低インピーダンス化を図る。
【解決手段】本発明に係るマイクロメカニカル共振器において、共振子５は、基板９上に、互いに並列の位置関係に配置された複数本の共振ビーム５２、５３、５４を具え、各共振ビームの両端部が基板９上に支持されると共に、隣接する共振ビームどうしが、それぞれの振動の腹の位置若しくはその近傍位置にて互いに連結されている。 （もっと読む）

【課題】共振周波数の微調整を行なうことが可能なマイクロメカニカル共振器を提供する。
【解決手段】本発明に係るマイクロメカニカル共振器は、基板９上に両端部が支持された共振ビーム52と、該共振ビーム52の両端部間の軸部に対向して配置された２つの電極１、２とを具え、共振ビーム52の両端部間にて、一方の電極１と共振ビーム52とが互いに対向して、１或いは複数のギャップ部が形成されると共に、他方の電極２と共振ビーム52とが互いに対向して、１或いは複数のギャップ部が形成される。ここで、共振ビーム52の両端部の内、少なくとも何れか一方の端部は、共振ビーム52の軸方向とは直交する面内での移動が拘束されると共に、共振ビーム52の軸方向の変位は可能に支持されており、該端部と対向してバイアス電極４が配備され、該バイアス電極４に印加すべきバイアス電圧の調整が可能となっている。 （もっと読む）

【課題】基板９上に両端部が支持された共振ビーム52と、該共振ビーム52を挟んで両側に配置された２つの電極とを具え、共振ビーム52の両端部間にて、一方の電極と共振ビーム52とが互いに対向して、１或いは複数のギャップ部が形成されると共に、他方の電極と共振ビーム52とが互いに対向して、１或いは複数のギャップ部が形成されているマイクロメカニカル共振器において、１次の共振モードの振動を抑えて高次の共振モードの振動を増大させる。
【解決手段】本発明に係るマイクロメカニカル共振器においては、共振ビーム52に対して各ギャップ部を介して作用する静電気力の変動幅が、共振ビーム52の中央部近傍のギャップ部で最も小さく且つ両端部近傍のギャップ部で最も大きくなる様に設定されている。 （もっと読む）

【課題】微細化に際しても電極の振動を抑制し、出力特性のばらつきを防ぎ、信頼性の高い振動子、これをもちいた電気機械共振器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】振動子３と、前記振動子３と所定の微小ギャップを隔てて配設された対向電極７Ｔとを備え、前記振動子３と前記対向電極７Ｔとの間の静電容量の変化に基づいて、前記振動子３の機械的振動を電気信号として出力するように構成され、前記対向電極７Ｔが、半導体基板表面に絶縁層５を介して形成された外部接続用の電極端子７Ｐと一体的に形成されており、前記電極端子７Ｐおよび前記電極端子７Ｐと前記対向電極７Ｔとの連結部７Ｓが、その下層の前記絶縁層５を貫通して形成された貫通孔１１に充填された支持部１３によって固定された電気機械共振器を構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値を向上することができる静電振動子を提供する。
【解決手段】機械振動子１０ａ，１０ｂの一方の接続部である端部１０ｃは、振動伝搬部１１を介して振動緩衝部１３に接続されている。一方、機械振動子１０ａ，１０ｂの他方の接続部である端部１０ｄは、振動伝搬部１２を介して振動緩衝部１４に接続されている。振動緩衝部１３は固定部１５に接続され、振動緩衝部１４は固定部１６に接続されている。機械振動子１０から伝搬する振動が振動緩衝部１３，１４で減衰し、固定部１５，１６の振動変位が抑制される。これによって、支持による振動エネルギーの損失が抑制されるので、高いＱ値を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】周波数の温度依存特性を高精度に補正できる小型で安価なMEMS振動子を用いた発振器を提供する。
【解決手段】機械的に振動する出力用振動子と、機械的に振動する温度検出用振動子と、前記温度検出用振動子の共振周波数で発振して温度検出用発振信号を出力する温度検出用発振回路と、前記温度検出用発振信号の周波数に基づく補正信号を出力する温度補償回路と、前記補正信号に応じて前記出力用振動子の共振周波数を変動させる周波数変動手段と、前記出力用振動子の共振周波数で発振して発振信号を出力する出力用発振回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の基本周波数から一つの基本周波数を選択して出力できる小型のMEMS振動子を用いた発振器を提供する。
【解決手段】機械的に振動し得るように設けられた出力用振動子と、前記出力用振動子に直流電圧を印加する直流電圧印加部と、前記出力用振動子の振動の腹部の近傍に配置され、該出力用振動子との間で電界を介して相互に作用する励振用電極と、前記励振用電極に電気的に接続され、前記出力用振動子の共振周波数で発振して発振信号を出力する発振回路とを備える。 （もっと読む）