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国際特許分類[H03H9/02]の内容

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【課題】圧電振動子とICチップ搭載実装基板との半田接合状態を均一にして、圧電振動子の端子とICチップ搭載実装基板の接続端子との間に正常な半田フィレットを形成させ、近接するIC実装用の電極パッドとの干渉を防止しつつ、当該接合部分の強度を向上した圧電発振器を提供する。
【解決手段】圧電振動子2の端子27と、圧電振動子2と共に発振回路を構成するICチップ33を搭載した実装基板3の接続端子36の間に配置する半田ボール4が溶融した際に、その流動を規制して半田を所定の領域に留置する中間層5を設けた。中間層5は、近接して配置されている配線パターンや電極35に半田ボールの溶融半田が流れないようにする、所謂ソルダレジストとしての機能も有する。 (もっと読む)


【課題】温度係数が逆符号のXカット水晶板とYカット水晶板とを直接接合して零温度係数をもつ水晶振動子を構成し、温度依存性が小さく、かつ、電気機械結合係数が大な、さらに周波数温度特性の良い水晶振動子を得る。
【解決手段】プラスの温度係数を有するXカット水晶板10とマイナスの温度係数を有するYカット水晶板11の対向する主面を適宜の接合方法により直接接合するとともに、他の対向する露出した主面に電極12をそれぞれ形成して零温度係数を有する水晶振動子を構成する。 (もっと読む)


【課題】周波数の温度係数および/または導波路特性に関して改良された、導波路層およびこれに隣接する外套層を有するマイクロ音響デバイスを提供する。
【解決手段】第1の音響波速度VLをもつ導波路層WLと、該導波路層に直接隣接し、第2の音響波速度VM1を有する第1の外套層M1とを有しており、導波路で音響波を励起するために電極E1を備えており、波速度について式VL<VM1が成り立っており、導波路層は異常熱機械挙動をもつ成分を含むガラスであり、導波路層WLは二酸化ゲルマニウム、カルコゲナイドガラス、またはメタリン酸亜鉛を成分として有している。 (もっと読む)


【課題】セラミックパッケージを不要にするとともに、既成の集積回路部を用いて極めて安価に、かつ、小型化・低背化した圧電発振器を得る。
【解決手段】シリコン半導体基板の上面部2aに集積回路部4を形成した回路基板2と該回路基板2に接合・積層したカバー5とからなる圧電発振器において、前記回路基板2の側面に前記回路基板の上面部2aと前記回路基板の下面部2bとを電気的に接続する電気的導通部22を設ける。また、集積回路部4の寸法よりも大きく回路基板2を形成して、集積回路部4とその周縁部間にスペースを形成したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】複数の出力端子からの信号の出力状態を制御した場合であっても、所望の出力特性を得ることができる圧電発振器および電子機器を提供すること。
【解決手段】実施形態の圧電発振器によれば、圧電振動素子と、回路素子と、素子搭載部材とを備える。回路素子は、圧電振動素子に接続され、圧電振動素子の振動に応じた出力信号を生成する発振回路と、複数の出力端子と、複数の出力端子からの出力信号の出力状態を制御する制御回路とを有する。素子搭載部材は、複数の外部接続用端子が形成されると共に、圧電振動素子と回路素子とを電気的に接続する第1の導電路と、出力端子と外部接続用端子とを電気的に接続する第2の導電路とを含む多層の配線領域が形成される。第1の導電路と第2の導電路とは、配線領域の積層方向において交差しない。 (もっと読む)


【課題】圧電振動素子を絶縁容器内にシリコーン接着剤により保持した状態で気密封止した構造の圧電デバイスにおいて、シリコーン接着剤から放出されるシリコーン蒸気成分が圧電振動素子の金属膜上に付着堆積することによって共振周波数が経時的に最終目標周波数よりも低下する不具合を解決することができる圧電振動素子、圧電振動子、圧電発振器、及び周波数安定化方法を提供する。
【解決手段】厚み滑り系の圧電材料から成る圧電基板20と、該圧電基板面に形成した金属膜21とを備えた圧電振動素子を導電性接合部材により容器内に保持した圧電振動子において、雰囲気中に露出している金属膜表面が、非結合電子対をもった物質との化学吸着によって形成された膜30によって覆われている。 (もっと読む)


【課題】生産性低下の原因となるカバー板を用いることなく、簡易な手法によって封止部材が封止孔から排出されるガスによって飛散することを確実に防止する電子デバイス用パッケージを提供する。
【解決手段】内部に空所を有すると共に該空所を外部と連通させる封止孔を有した容器2と、溶融した後で固化することにより前記封止孔を封止する封止部材38と、を有した電子デバイス用パッケージであって、封止孔の外周縁の面上、及び内壁には全周に渡って第1の金属膜45が形成されると共に、封止孔の外周縁の面37a’上の少なくとも一部には第2の金属膜45が形成され、第2の金属膜の融点は第1の金属膜の融点よりも低い。 (もっと読む)


【課題】簡易な手法によって封止部材が封止孔から排出されるガスによって飛散することを確実に防止することができる電子デバイスの製造方法、及び封止部材の脱落防止部材を提供する。
【解決手段】封止孔37を有した容器2と、封止部材38と、容器内に気密封止された電子部品30と、を有した電子デバイスの製造方法であって、封止部材を封止孔上に配置する工程と、下部開口73aの径が封止部材の直径Dよりも大きく、上方へ向かう程内径が漸増する逆円錐状の内壁73bを有したすり鉢状の脱落防止穴73を有した脱落防止部材70を、下部開口の内側に封止部材が位置するように配置する工程と、減圧工程と、加熱工程と、封止部材を溶融させる溶融工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】急峻かつ温度安定性に優れたガードバンド側のスカート特性を有し、更に広帯域化が可能なデュプレクサを提供する。
【解決手段】通過帯域の異なる送信フィルタ及び受信フィルタを有するデュプレクサにおいて、フィルタを構成する複数の直列共振子S1〜S8及び複数の並列共振子P1〜P6のうち、ガードバンド側のスカート特性を形成する第1共振子S1〜S4、P4〜P6は、温度補償型のTC−FBARまたはラブ波利用の弾性表面波共振子とし、ガードバンドと反対側のスカート特性を形成する第2共振子P1〜P3、S5〜S8は、非温度補償型のFBARまたは弾性表面波共振子とする。第2共振子の弾性表面波共振子には、LT基板またはLTとSaの貼り合わせ基板を用いた弾性表面波共振子の他、ラブ波利用の弾性表面波共振子を用いることができる。 (もっと読む)


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