【課題】本発明は、低背化を実現しながら、十分な強度を有し、かつ通過帯域内リップルの発生や帯域外減衰量劣化の少ない弾性波装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】圧電基板２１と、この圧電基板２１の主面上に零と異なる同一のパワーフロー角をもたせて配置した第１および第２の弾性波共振器２２、２３とを備え、前記第１および第２の弾性波共振器２２、２３はそれぞれ、一対の反射器と、この一対の反射器の間に設けられたＩＤＴと、このＩＤＴを構成する櫛電極の電極指が交差した交差部とを有し、前記第１の弾性波共振器の交差部を第１の弾性波共振器の位相速度の伝播方向に延長した領域を第１の領域とし、前記第２の弾性波共振器の交差部を第２の弾性波共振器の位相速度の伝播方向に延長した領域を第２の領域としたとき、前記第１の領域と第２の領域の少なくとも一部が重なるように配置したものである。 （もっと読む）

【課題】メアンダ構造のＩＤＴ電極を入力側電極及び出力側電極の少なくとも一方として用いると共に通過域よりも低域側及び高域側に各々減衰域を設けたバンドパス型の弾性波フィルタにおいて、減衰域にて良好な減衰特性を持つフィルタを提供する。
【解決手段】入力側ＩＤＴ電極１２及び出力側ＩＤＴ電極として、入力ポート２１や出力ポートと接地ポート２３との間に複数のＩＤＴブロック１を互いに直列に接続したメアンダ構造の電極を各々配置すると共に、互いに隣接するＩＤＴブロック１、１間において電極指１７を取り除いて、不要な弾性波が励振することを抑える。 （もっと読む）

【課題】製造の容易さを有し、かつ通過周波数帯域での損失が小さいワンチップ漏洩表面弾性波分波器を提供する。
【解決手段】直列腕共振器１０２−７、１０２−８、１０２−９と並列腕共振器１０３−５，１０３−６から成る梯子型バンドパスフィルタ１０７−１、および多重モード型共振器１０４−１、１０４−２，１０４−３、１０４−４から成る多重モード結合型バンドパスフィルタ１０７−２から構成される分波器１０１−１において、直列腕共振器１０２−７、１０２−８、１０２−９のメタライゼーションレシオを多重モード型共振器１０４−１、１０４−２，１０４−３、１０４−４のメタライゼーションレシオまたは並列腕共振器１０３−５，１０３−６のメタライゼーションレシオより大きい値に設定する。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴの電極指の対数が異なる複数の弾性波共振子を直列腕共振子として有するラダー型フィルタにおいて、通過帯域高域側減衰量を大きくすることを可能とするラダー型フィルタを得る。
【解決手段】弾性波共振子Ｓ１〜Ｓ９からなる複数の直列腕共振子と弾性波共振子Ｐ１〜Ｐ６を有する複数の並列腕共振子を有するラダー型フィルタであって、少なくとも１つの弾性波共振子Ｓ５のＩＤＴの電極指の対数及び電極指ピッチが、残りの少なくとも１つの弾性波共振子Ｓ６のＩＤＴの電極指の対数及び電極指ピッチと異なっている、ラダー型フィルタ１。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極を圧電基板上に送信側電極及び受信側電極として弾性波の伝搬方向に並べた弾性波フィルタにおいて、フィルタの寸法を小さく抑えながらも、リプルの発生を抑制すると共に良好な減衰特性を持つ弾性波フィルタを得ること。
【解決手段】２つのフィルタ部１１、１２を送信ポート２１と受信ポート２２との間に並列に接続すると共に、各々のフィルタ部１１、１２で生じるリプル１０の周期Ｔが互いに同じ寸法となるように、これらフィルタ部１１、１２において、中心間距離Ｌが互いに同じ寸法となり、且つ電極指８の対数が送信側電極２、２同士及び受信側電極３、３同士で各々同じ数量となるようにする。そして、各々のフィルタ部１１、１２で生じるリプル１０が相殺されるように、各々の配列周期λ１、λ２を設定する。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性に優れ、さらに電気機械結合係数が高められた弾性表面波共振子を用いて形成されており、温度特性及び周波数特性を改善し得るチューナブルフィルタを提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｐ１〜Ｐ３に可変コンデンサが接続されている回路構成を備え、該弾性表面波共振子が、ＬｉＴａＯ_３またはＬｉＮｂＯ_３からなる圧電基板１１と、該圧電基板の上面１１ａの凹部１１ｂに充填された電極材料からなるＩＤＴ電極１２と、該圧電基板を覆うように設けられたＳｉＯ_２膜１５とを有する、チューナブルフィルタ１。 （もっと読む）

【課題】互いに異なる通過帯域を有する、３つ以上の帯域通過フィルタを備えたマルチプレクサの小型化を図る。
【解決手段】デュプレクサ６と第３の帯域通過フィルタ７とがアンテナ端子２に接続されており、デュプレクサ６と第３の帯域通過フィルタ７とが並列に接続されており、デュプレクサ６は、第１の通過帯域を有する第１の帯域通過フィルタＦ１と、第１の通過帯域と異なる通過帯域である第２の通過帯域を有する第２の帯域通過フィルタＦ２とを有し、第３の帯域通過フィルタ７は、第１及び第２の通過帯域とは異なる第３の通過帯域とを有する、マルチプレクサ１。 （もっと読む）

【課題】特性の劣化を抑制することができる電子部品を提供する。
【解決手段】圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた直列共振子Ｓ１〜Ｓ６及び並列共振子Ｐ１〜Ｐ６と、圧電基板１０上に設けられ、直列共振子Ｓ１〜Ｓ６又は並列共振子Ｐ１〜Ｐ６と接続された信号配線１６及び接地配線１８と、直列共振子Ｓ１〜Ｓ６及び並列共振子Ｐ１〜Ｐ６との間に空洞が形成されるように直列共振子Ｓ１〜Ｓ６及び並列共振子Ｐ１〜Ｐ６上に設けられた金属天井２０と、金属天井２０上に設けられた封止部と、を具備し、少なくとも１つの金属天井は、高周波信号を伝送する信号配線１６と接続されている電子部品である。 （もっと読む）

【課題】圧電基板上にＩＤＴ電極（櫛歯状電極）を配置するにあたり、当該櫛歯状電極の挿入損失が良好に（小さく）なるように、前記櫛歯状電極の電極指の抵抗を抑えること。
【解決手段】補助電極指１４（２４）がバスバー１１（２１）と同電位となり、且つバスバー２１（１１）から電気的に浮いた状態となるように、バスバー１１（２１）の上方側に絶縁膜１２（２２）を形成する。そして、前記補助電極指１４（２４）について、絶縁膜１２（２２）を乗り越えてバスバー１１（２１）から伸びる主電極指１０（２０）に接続されるように各々配置する。 （もっと読む）

【課題】第１、第２伝搬路が形成された領域の両方に対して、同時に、周波数特性の調整手法を実施して、所望の第１、第２伝搬路の周波数特性差を得ることが可能なＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】基板１１の上面１１ａの一部に形成された結晶配向調整膜１３と、基板１１の上面１１ａにおける結晶配向調整膜１３の形成領域上および非形成領域上に同じ材料で形成された圧電薄膜１２と、圧電薄膜１２の上下面の一方の面における異なる位置に形成された第１、第２伝搬路とを備え、圧電薄膜１２のうち、結晶配向調整膜１３の形成領域上に位置する第１領域１２ｃと、結晶配向調整膜１３の非形成領域上に位置する第２領域１２ｄとは、結晶配向が異なっており、第１、第２伝搬路は、それぞれを占める第１、第２領域１２ｃ、１２ｄの面積比が異なる構成とする。 （もっと読む）