【課題】入力信号に精度の高い遅延を付加した出力信号を生成することが可能な遅延回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる遅延回路は、第１電流Ｉ０及び第１電流Ｉ０と略同一の第２電流Ｉ０を生成する電流ミラー回路と、ゲートに基準電圧Ｖｒが印加されソース−ドレイン間に第１電流Ｉ０が流れることにより電圧Ｖ０を生成するトランジスタ６０７と、電圧Ｖ０に応じた参照電圧Ｖ１を生成する抵抗素子６０８，６０９と、コンデンサ６１３と、第２電流Ｉ０の電荷をコンデンサ６１３に蓄積し、又は、コンデンサ６１３に蓄積された電荷を放出する充放電部と、充放電部とコンデンサ６１３との間に設けられ、ゲートに基準電圧Ｖｒが印加されソース−ドレイン間に第２電流Ｉ０が流れることにより、比較電圧Ｖ２を生成するトランジスタ６１１と、比較電圧Ｖ２と参照電圧Ｖ１とを比較し比較結果を出力信号Ｖｏｕｔとして出力する電圧比較部６１９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】共通データバスを共有する複数のローカルメモリユニットが重複してデータを転送すること、あるいは、複数のローカルメモリユニットに対して重複してデータを転送することを抑制した半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、複数のメモリセルを含む複数のローカルメモリユニットＬＭＵ＜０＞〜ＬＭＵ＜７＞を備える。共通データバスＤＢは、複数のローカルメモリユニットに共有され、複数のローカルメモリユニットからデータを転送し、あるいは、複数のローカルメモリユニットへデータを転送する。タイミングコントローラＴ／Ｃはローカルメモリユニットの単位で配置するのではなく、インターリーブ動作を行なう単位（ローカルメモリユニットＬＭＵ＜０＞〜ＬＭＵ＜７＞のグループ）に対して1つ配置する。これにより読出しデータまたは書込みデータは、共通データバスＤＢにおいて衝突しない。 （もっと読む）

【課題】多相シリアルデータを多相クロックでサンプリングするオーバーサンプリング回路において、遅延量制御動作に伴う消費電流を低減する。
【解決手段】シリアルデータSDATAは、データ遅延部１０２により多相シリアルデータsdata0〜sdata3とされ、オーバーサンプリング部１０３において、多相クロックck0〜ck3により、オーバーサンプリングされる。データ遅延部１０２のデータ遅延素子１０７の遅延時間は、キャリブレーションデータ発生部１０１で生成されたデータのオーバーサンプリング出力の位相差をオーバーサンプリング位相検出部１０５により検出し、その位相差が所望の値となるように、遅延量制御デジタル信号dd_cntを調整する。遅延量制御デジタル信号dd_cntをデジタルアナログ変換部１０６によりアナログの遅延量発生信号d_cntに変換し、データ遅延素子１０７に供給する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で時間制御を制御することができる可変遅延デバイス、デバイス調整方法、及びポジトロン放出断層撮影システムを提供する。
【解決手段】可変遅延デバイス２４０は、飛行時間ガンマ線検出システムの光センサ１４０に接続され、複数の導電性ピン２１０、２１５が搭載された基板２０５を含む。複数の導電性ピンのうちの第１に接続している第１の端子、及び複数の導電性ピンのうちの第２に接続している第２の端子もまた、基板２０５に搭載されている。ジャンパ２２０は、基板２０５に対して所定の距離で複数の導電性ピンを電気的に接続し、可変遅延デバイス２４０の時間遅延は、複数の導電性ピン２１０、２１５とジャンパ２２０とによって形成される第１及び第２の端子間の電気経路に基づいて決定される。 （もっと読む）

【課題】調整コードの変化に伴うジッタの発生が低減されたＤＬＬ回路を提供する。
【解決手段】内部クロック信号ＥＣＬＫを受けるインバータ回路２１０〜２１７と、内部クロック信号ＯＣＬＫを受けるインバータ回路２２０〜２２７とを有し、調整コードＣ０〜Ｃ７を受けて選択されたインバータ回路の出力を合成することによって、内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を１６段階に調整する。インバータ回路２１０，２２０は内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を１段階変化させる能力を有し、インバータ回路２１１〜２１７，２２１〜２２７は内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を２段階変化させる能力を有する。このように、内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を調整するインバータ回路の最大能力が抑制されていることから、調整コードの変化に伴うジッタの発生が低減される。 （もっと読む）

【課題】擬似ロックを防止するための論理回路の回路規模を低減する。
【解決手段】遅延ロックドループ(ＤＬＬ)は、複数の可変遅延回路ＤＬ０〜８の電圧制御遅延回路１と位相周波数比較器２とチャージポンプ３を具備する。初段の出力ＰＨ［０］と最終段の出力ＰＨ［８］は、比較器２に供給される。比較器２のアップ信号とダウン信号は、チャージポンプ３に供給される。擬似ロック防止回路４は、第Ｍ段の出力ＰＨ［１］と第Ｍ＋１段の出力ＰＨ［２］に応答して、可変遅延リセット信号ＲＳＴ＿ＶＤＬ＿Ｔ、Ｂを生成する。初段の回路ＤＬ０から第Ｍ＋１段の回路ＤＬ２に、クロック入力信号ＣＬＫとクロック反転入力信号がリセット信号ＲＳＴ＿Ｂ、Ｔとして供給される。第Ｍ＋２段の回路ＤＬ３から最終段の回路ＤＬ８に、可変遅延リセット信号ＲＳＴ＿ＶＤＬ＿Ｔ、Ｂがリセット信号ＲＳＴ＿Ｂ、Ｔとして供給される。 （もっと読む）

【課題】外部電圧ＶＤＤの変動に伴うレイテンシカウンタのラッチマージンの低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、外部クロック信号に基づいて生成される内部クロック信号ＬＣＬＫＯＥＦＴと、外部から供給されるリードコマンドに応じて生成される内部リードコマンドＭＤＲＤＴとを受け、内部リードコマンドＤＲＣを生成するレイテンシカウンタ５５を備え、レイテンシカウンタ５５は、出力ゲート信号ＣＯＴ０〜ＣＯＴ７のそれぞれを遅延させることにより入力ゲート信号ＣＩＴ０〜ＣＩＴ７を生成する遅延回路部２００を有し、遅延回路部２００は、外部電圧ＶＤＤで動作する遅延素子と、内部電圧ＶＰＥＲＩで動作する遅延素子とを含む。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が変わっても一定の遅延時間を有する遅延回路を提供する。
【解決手段】遅延回路１０では、第１、第２チャネルの第１、第２絶縁ゲート電界効果トランジスタＰ１１〜Ｐ１ｎ、Ｎ１１〜Ｎ１ｎのゲート電極同士および第１電極同士が接続された相補型電界効果トランジスタは、ゲート電極に入力される入力信号Ｖｉｎを反転した出力信号Ｖｏｕｔを出力する。第１チャネルの第３絶縁ゲート電界効果トランジスタＰ２１〜Ｐ２ｎは第１電源電圧Ｖｃｃが印加される第１電源端子１６と第１絶縁ゲート電界効果トランジスタＰ１１〜Ｐ１ｎの第２電極との間に接続され、第１電源電圧Ｖｃｃをゲート電極に入力される第１制御信号Ｖｃに応じて定まる出力電圧Ｖｃｃｏｕｔに変換して出力する。第１制御信号生成回路１３は、第１電源電圧Ｖｃｃに応じて第１制御信号Ｖｃを生成し第３絶縁ゲート電界効果トランジスタＰ２１〜Ｐ２ｎのゲート電極に出力する。 （もっと読む）

【課題】アナログ電圧を使用することなく、クロック信号を高精度且つ広範囲に遅延させる。
【解決手段】入力ノード１１０ａと出力ノード１１０ｂとの間に直列接続された複数のワンショットパルス生成回路２０１〜２０ｎを備える。ワンショットパルス生成回路２０１〜２０ｎのそれぞれは、入力されたクロック信号の一方のエッジに応答して、ワンショットパルスを生成する。ワンショットパルスのパルス幅は、カウント値ＲＣＮＴに基づいて可変である。これにより、カウント値ＲＣＮＴを変化させることによって、ディレイライン１１０の遅延量を広範囲且つ高精度に変化させることが可能となる。しかも、アナログ電圧を使用しないことから、アナログ電圧の生成回路やその安定化回路などを設ける必要もなくなり、回路設計が容易となる。 （もっと読む）