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国際特許分類[H05B33/08]の内容

電気 (1,674,590) | 他に分類されない電気技術 (122,472) | 電気加熱;他に分類されない電気照明 (50,146) | エレクトロルミネッセンス光源 (27,371) | 細部 (7,361) | 特殊な用途に適しない回路装置 (585)

国際特許分類[H05B33/08]に分類される特許

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【課題】表示装置の駆動方式を改善して、ドライブトランジスタのソース/ドレイン間に加わる過大な電圧を抑制する。
【解決手段】駆動部は、ライトスキャナ4と電源スキャナ6と信号セレクタ3とを有し、所定のシーケンスに従って制御信号及び映像信号を供給し且つ給電線VLを高電位Vccと低電位Vss2で切り換えて各画素2を駆動し、ドライブトランジスタTrdの閾電圧のバラツキを補正する閾電圧補正動作、映像信号の信号電位Vsigを保持容量Csに書き込む書込動作及び書き込まれた信号電位に応じて発光素子ELを発光する発光動作を含む一連の動作を行う。電源スキャナ6は、給電線VLに印加する高電位Vccをレベルの異なる第1高電位と第2高電位で切リ替える事により、画素2の一連の動作でドライブトランジスタTrdのソースSとドレインに加わる電圧が絶縁耐圧を越えない様にする。 (もっと読む)


【課題】 高効率発光の銅錯体とそれを用いた有機発光素子を提供する。
【解決手段】 下記一般式(1)で示される銅錯体を提供する。
【化1】
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【課題】エージング時間を短縮しつつ、スループットを向上できる表示装置の提供
【解決手段】表示装置1は、有機EL素子40と、有機EL素子40に電力を供給する電源部10と、有機EL素子40と電源部10との間の電力供給路に設けられ、輝度信号を受け電流を有機EL素子40に流す画素回路30と、画素回路30に輝度信号を出力すると共に、有機EL素子40をエージングするエージングモード、および有機EL素子40を用いた映像表示モードのいずれかで選択的に動作する制御部20とを備える。電源部10が出力する電源電圧は、エージングモードおよび映像表示モードにおいて同一であり、制御部20は、エージングモードでの有機EL素子40の発光輝度が、映像表示モードでの最大発光輝度よりも大きくなるように、エージングモードでの輝度信号に示される発光素子の発光輝度を設定する。 (もっと読む)


【課題】照明上の特殊な演出効果を発揮する有機EL照明装置を得る。
【解決手段】有機EL照明装置は、直流またはパルス状の駆動波形を生成しその駆動波形に応じた駆動電圧を出力する駆動回路と、発光面およびその周縁部側に設けられた複数の給電部を含み、駆動回路から出力された駆動電圧が複数の給電部から供給される有機ELパネルと、を備え、有機ELパネルを点灯させる際、駆動回路は、有機ELパネルを点灯させるための指示信号を受け取った時点(T1)から第1周波数F1を有する駆動電圧を有機ELパネルに所定の時間の間供給することによって、発光面内の周縁部側に比べて発光面内の中央部側の方が遅く明るくなるように有機ELパネルを点灯させ、その後、駆動回路は、第1周波数F1よりも低い第2周波数F2を有する駆動電圧を有機ELパネルに供給することによって、有機ELパネルを点灯状態とさせる。 (もっと読む)


【課題】安定性の高い色可変制御を行うことが可能な発光装置及び有機EL素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】印加する電流値に応じて発光色が変化する有機EL素子10Aと、有機EL素子10Aに駆動波形を供給する駆動回路20と、所望の発光色に応じて駆動回路20における前記駆動波形の電流値及び点灯率の少なくとも一方を可変させ、また、有機EL素子10Aの温度変化に伴う発光色のドリフトに応じて印加する前記駆動波形の電流値及び点灯率の少なくとも一方を補正する補正機能を有する制御手段30と、を備えてなることを特徴とする発光装置である。 (もっと読む)


【課題】安定性の高い色可変制御を行うことが可能な発光装置及び有機EL素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】印加する電流値に応じて発光色が変化する有機EL素子10Aと、有機EL素子10Aに駆動波形を供給する駆動回路20と、所望の発光色に応じて駆動回路20における前記駆動波形の電流値及び点灯率の少なくとも一方を可変させ、また、有機EL素子10Aの温度変化に伴う発光色のドリフトに応じて印加する前記駆動波形の電流値及び点灯率の少なくとも一方を補正する補正機能を有する制御手段30と、を備えてなることを特徴とする発光装置である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制すること。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくともゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが5nm以下の第1の領域は、シリコンの濃度が1.0原子%以下であり、酸化物半導体膜の第1の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第1の領域に含まれるシリコンの濃度より小さくする。 (もっと読む)


【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、発光素子において生じる不具合から受ける影響の少ない発光装置を提
供することを課題とする。また、本発明は、直列接続した構造を有する発光装置を提供す
ることを課題とする。
【解決手段】本発明の発光装置の一は、発光素子とリミッタとを含む一組の回路が並列に
接続されたものである。ここで、発光素子とリミッタとは直列に接続している。また、回
路は少なくとも二以上含まれていればよい。さらに、一組の回路には、少なくとも一の発
光素子が含まれていればよい。 (もっと読む)


【課題】金属酸化物を用いた絶縁膜を低温プロセスで結晶化することが可能で、これによりガラス基板やプラスチック基板上に特性の向上が図られた素子を設けることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に、金属酸化物を用いた絶縁膜と半導体薄膜とが積層形成された半導体装置であって、絶縁膜はゲート絶縁膜として用いられ、ゲート絶縁膜に接する側にゲート電極が積層形成され、絶縁膜および半導体薄膜は結晶化され、かつ、ゲート電極と重なる部分の結晶性が他の部分の結晶性よりも高いものである。 (もっと読む)


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