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国際特許分類[H05B33/08]の内容

電気 (1,674,590) | 他に分類されない電気技術 (122,472) | 電気加熱;他に分類されない電気照明 (50,146) | エレクトロルミネッセンス光源 (27,371) | 細部 (7,361) | 特殊な用途に適しない回路装置 (585)

国際特許分類[H05B33/08]に分類される特許

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【課題】本発明は、画素回路のバックボード上に集積できるとともに、電流を安定で快速に駆動する駆動装置を提供する。前記駆動装置で駆動されるOLEDパネル及びOLEDパネルの駆動方法も提供する。
【解決手段】前記駆動装置は、受信したクロック信号によって電圧信号を選択するスイッチングモジュールと、受信した電圧信号を電流信号に転換する転換モジュールと、画素回路アレイを駆動するように電圧信号または転換後の電流信号を出力する出力モジュールと、を備え、前記スイッチングモジュールが前記転換モジュール及び前記出力モジュールに接続され、前記転換モジュールが前記スイッチングモジュール及び前記出力モジュールに接続される。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】照明システムにおいて、配線スペースを少なくし、施工及び光源の交換が容易なものとする。
【解決手段】照明システム1は、発光部20を有するELユニット2と、ELユニット2を保持する保持枠3と、ELユニット2を点灯制御する制御ユニット4と、を備え、保持枠3は、レール状の導電部材30を備え、導電部材30を通して制御ユニット4とELユニット2との間で電力及び通信信号が伝達される。この構成によれば、制御ユニット4とELユニット2との接続が、ELユニット2を保持する保持枠3に設けられた導電部材30によって成されるので、居住空間における配線のためのスペースを小さくすることができる。また、保持枠3を施工面に設けて、この保持枠3にELユニット2及び制御ユニット4を連結するだけでそれらの接続が成されるので、特殊な技能等を要さず、居住者が適宜に照明システム1を施工することができ、ELユニット2の交換も容易に行なうことができる。 (もっと読む)


【課題】白色の有機EL素子と共振構造を組み合わせたトップエミッション方式の発光装置の製造方法において、製造工程を簡略することができ、かつ、低コストで光取り出し効率を高める。
【解決手段】基板10に回路素子薄膜11を形成し、例えば、ダマシン法により赤色発光素子U1の反射層兼画素電極12、緑色発光素子U2と青色発光素子U3の反射層兼画素電極13を同一工程により形成する。さらにOLED16層と対向電極30を形成する。画素電極12、13と対向電極30の間の光路長をD、画素電極12、13上での反射における位相シフトをφ、対向電極30での反射における位相シフトをφ、画素電極12、13と対向電極30の間に発生する定在波のピーク波長をλ、2以下の整数をmとしたとき、D={(2πm+φ+φ)/4π}λを満たすように光路長Dを設定する。画素電極12と画素電極13は異種の金属材料を用いて形成する。 (もっと読む)


【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生
産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向か
って結晶成長する第1の酸化物結晶部材を形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化
物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第1の酸化物結晶部
材と第2の酸化物結晶部材がc軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の
同軸(アキシャル)成長をさせていることである。 (もっと読む)


【課題】優れた発光効率を示すエレクトロルミネッセンス素子の発光制御を効率よく行うことが可能な発光制御器を提供する。
【解決手段】順方向バイアス電圧に基づいて発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れかの層の表面形状及び/又はドーパント分布を変化させることを繰り返し、近接場光が発生した箇所では反転分布に基づき非断熱過程により複数段階で誘導放出させることが可能なエレクトロルミネッセンス素子を、より大きい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第1の駆動回路4と、より小さい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第2の駆動回路5とに接続し、第1の駆動回路4及び第2の駆動回路5による順方向バイアス電圧印加をONすることにより、素子を発光させ、次に第1の駆動回路4による順方向バイアス電圧印加をOFFし、更に第2の駆動回路5による順方向バイアス電圧印加をOFFすることにより素子を消光させる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 (もっと読む)


【課題】リーク電流による不良の発生を抑止し、そのような不良によって装置寿命が損なわれることのない発光装置、表示装置、及び有機電界発光素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】 実施形態によれば、第1の電極と、前記第1の電極上に配置された発光層と、前記発光層上に配置された第2の電極とを具備する有機電界発光素子と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に駆動電流を供給することにより前記有機電界発光素子を駆動する駆動回路と、前記駆動電流の値が所定値を下回ったら前記有機電界発光素子の駆動を停止する駆動停止手段と、を具備する発光装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装
置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第1の導電層、及び
有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第2の導電
層を形成して素子形成層を形成し、第2の導電層上に第1の可撓性を有する基板を貼りあ
わせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験(BT試験)前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 (もっと読む)


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