【課題】安定で新規なベンゾ［ａ］ナフト［２，１−ｃ］テトラセン化合物とそれを有する有機発光素子を提供する。
【解決手段】下記構造式を含む有機化合物。
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【課題】無機ＥＬ素子の寿命の低下および消費電力を抑えつつ、輝度を向上する。
【解決手段】無機ＥＬ発光装置１は、一対の電極を有する無機ＥＬ素子２と、無機ＥＬ素子２の一対の電極に交流電圧を印加する駆動部３とを備え、交流電圧の波形は、半周期期間ごとに、第１の矩形波、および第１の矩形波に対して時間的に離間した第１の矩形波と同極性の第２の矩形波を有する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子を光源とする有機ＥＬ照明モジュールにおいて、ノイズ電圧が重畳された場合でも、発光パネルの動作を安定化する。
【解決手段】有機ＥＬ照明モジュール１は、有機ＥＬ素子を光源とする発光パネル２と、発光パネル２を支持する支持部材３、４と、を備える。支持部材３は導電性部材として機能し、支持部材３と発光パネル２の負電極２５との間に容量成分Ｃ１が設けられる。有機ＥＬ照明モジュール１に交流電源にコモンモードのノイズ電圧が重畳された場合等でも、そのノイズ電圧によるパルス電流が容量成分Ｃ１により吸収されるので、発光パネル２の動作を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】バースト調光を行う発光素子点灯回路において、発光素子からの可聴音の発生を抑えた発光素子点灯回路を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子点灯回路は、調光レベルを設定するコントローラから入力される調光信号に応じたデューティ比のＰＷＭ調光信号によって発光素子を調光する発光素子点灯回路であって、基本周波数と該基本周波数の整数倍の周波数とを用いてそれぞれ表される交流波信号の総和演算によって前記ＰＷＭ調光信号を生成するＰＷＭ調光信号生成部（２４）を備え、前記ＰＷＭ調光信号生成部は、前記発光素子入力される交流波信号の周波数と前記発光素子から発せられる音圧レベルとの相関スペクトルにおいて可聴域で音圧レベルが最大となる時の周波数以上の周波数を前記基本周波数として用いる。該構成を採用することで、発光素子から発生する可聴音圧レベルを低くできる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられたボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜上に接して設けられる絶縁層、及び／または、ソース電極層及びドレイン電極層の形成後に不純物除去処理を行うことで、エッチングガスに含まれる元素が、酸化物半導体膜表面に不純物として残存することを防止する。酸化物半導体膜の表面における不純物濃度は、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子の半壊による異常を検知して、発光素子及び周辺回路を保護する保護手段を有する発光素子点灯装置を提供する。
【解決手段】本発明は、有機ＥＬ発光素子を用いる発光素子点灯装置（９ａ）において、発光素子に流れる電流を一定に制御する電流制御部（１２、１３ａ）と、発光素子の両端電圧の検出部（１３ｂ）と、を備える。電流制御部は、検出された電圧の時間当たりの電圧変化量を求め、求めた変化量が定格範囲内での動作時に検出される値よりも大きな値の閾値を越えた場合に、前記電源部が発光素子に供給する電流量を低減又は停止する。前記構成を採用することで、有機ＥＬ発光素子が使用中に半壊して変形した場合に、発光素子へ供給される電流を低減又は停止して発光素子及び周辺回路を保護する。 （もっと読む）

【課題】表示装置の駆動方式を改善して、ドライブトランジスタのソース／ドレイン間に加わる過大な電圧を抑制する。
【解決手段】駆動部は、ライトスキャナ４と電源スキャナ６と信号セレクタ３とを有し、所定のシーケンスに従って制御信号及び映像信号を供給し且つ給電線ＶＬを高電位Ｖｃｃと低電位Ｖｓｓ２で切り換えて各画素２を駆動し、ドライブトランジスタＴｒｄの閾電圧のバラツキを補正する閾電圧補正動作、映像信号の信号電位Ｖｓｉｇを保持容量Ｃｓに書き込む書込動作及び書き込まれた信号電位に応じて発光素子ＥＬを発光する発光動作を含む一連の動作を行う。電源スキャナ６は、給電線ＶＬに印加する高電位Ｖｃｃをレベルの異なる第１高電位と第２高電位で切リ替える事により、画素２の一連の動作でドライブトランジスタＴｒｄのソースＳとドレインに加わる電圧が絶縁耐圧を越えない様にする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 （もっと読む）