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国際特許分類[H05B33/14]の内容

電気 (1,674,590) | 他に分類されない電気技術 (122,472) | 電気加熱;他に分類されない電気照明 (50,146) | エレクトロルミネッセンス光源 (27,371) | 実質的に2次元放射面をもつ光源 (12,071) | エレクトロルミネッセンス材料の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの (1,546)

国際特許分類[H05B33/14]に分類される特許

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【課題】発光素子を用いた発光装置において、外部より侵入する水の影響を抑制し、十分
な信頼性を有する封止構造を提供する。
【解決手段】発光装置は隔壁を有し、隔壁には発光素子が設けられる第1の開口部と、第
2の開口部が設けられ、第2の開口部は画素部の外周を囲んでいる。第2の開口部では、
隔壁が厚さ方向に貫通し、第2の開口部には発光素子の陰極が設けられ、さらには第2の
開口部の底部では、陰極と接する導電膜が設けられている。このような構成により、外部
より侵入してきた水が画素部の発光素子へ到達する経路を遮断し、その影響を抑えること
ができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第1の絶
縁膜に酸素原子を供給し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに
、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半
導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された
酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳す
る領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。半導体装置に設けられる該薄膜トランジスタは多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いて作製する。 (もっと読む)


【課題】映像信号の輝度制御に関して、1フレーム相当の時間よりも短い周期での制御を可能にした映像信号処理回路、映像信号処理方法、当該映像信号処理回路を備える表示装置、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】入力される映像信号に基づいて輝度積算値を算出し、この算出した輝度積算値に基づいて前記映像信号の輝度制御を行う映像信号処理回路において、1フレーム相当の時間よりも短い周期で輝度積算値の算出を行うようにする。 (もっと読む)


【課題】ソース線へのデータ書き込み期間を確保して、ICチップの使用数を削減する。
【解決手段】n個の映像データ(例えば、RGBの3つの映像データ)が1つの入力端子に順次入力される。入力端子にはそれぞれ、3つのスイッチ、3つの第1メモリ素子、3つの転送用スイッチ、3つの第2メモリ素子および3つのバッファが並列に接続されている。3つのスイッチは異なるタイミングでオン状態になり、RGBの映像データはそれぞれ3つの第1メモリ素子に蓄積される。第m−1行のゲート線選択期間では、第1メモリ素子には第m行の映像データが書き込まれる。そして、第m行のゲート線選択期間で3つの転送用スイッチがオン状態なると、第1メモリ素子で保持されている第m行の映像データが第2メモリ素子に転送され、保持される。そして、第2メモリ素子に保持されている映像データはバッファを介してソース線に出力される。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
る。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて
、酸化物半導体膜と接する第1のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法によりフッ化珪素及
び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第1のゲート絶縁膜上に積層
する第2のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガス
を用いた酸化シリコン膜で形成する。 (もっと読む)


【課題】画素部と同じ絶縁基板上において、大きな電流供給能力が得られるトランジスタで構成される電源線駆動回路を備えたEL表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に複数の画素と複数の信号線、複数の走査線、及び複数の電源線を有するアクティブマトリクス型表示装置において、前記絶縁基板上に電界効果移動度が少なくとも80cm/Vs以上、好ましくは120cm/Vs以上を有する酸化物半導体のトランジスタを有し、トランジスタを1つの構成要素とする電源線駆動回路を有するEL表示装置である。 (もっと読む)


【課題】簡便なプロセスで合成が可能であり、かつ高い量子収率で紫外発光を示す蛍光体を提供する。
【解決手段】ドデシル硫酸アニオン層がCe(OH)層の間に挿入された層状有機無機ハイブリッド蛍光体、及びドデシル硫酸アニオン層がCeO2−y層の間に挿入された層状有機無機ハイブリッド蛍光体。 (もっと読む)


【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、外光のノイズを軽減し、且つトランジスタのオフ電流によるリークが原因となるノイズも低減する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数のフォトセンサを有する。複数のフォトセンサはそれぞれ、光電変換素子と増幅回路とを有する。バックライトを点灯して被検出物に光を照射して第p行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行った後、バックライトを非点灯として第(p+1)行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行い、その後全行のフォトセンサの選択動作を順次行う。隣接する行のフォトセンサで得られた出力信号の差分を取得し、差分を用いて被検出物の撮像画像の生成や被検出物の存在する領域の検出を行う。増幅回路は蓄積された電荷を保持するトランジスタを有し、当該トランジスタはチャネルが酸化物半導体層に形成される。 (もっと読む)


【課題】暗所から強い外光下においてもその表示が認識できる表示装置を提供することを目的する。
【解決手段】外光強度に応じて階調数を変えて表示を行うものであり、画面に表示する内容に応じて表示モードを切り替えることのできる表示装置である。表示内容としては、文字や記号などを中心として表示を行うテキスト表示モード、いわゆる漫画など色数の少ない画像の表示を行うピクチャー表示モード、写真や動画など色数の多い自然画の表示を行う映像モードなどが含まれる。これらの表示モードに応じて階調数を適宜切り替えることで、暗所若しくは屋内の蛍光灯下から屋外の太陽光下まで広い範囲において視認性を確保することができる。例えば、テキスト表示モードでは、2乃至8階調、ピクチャー表示モードでは、4乃至16階調、映像モードでは64乃至1024階調の表示を行うように切り替える。 (もっと読む)


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