【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第１のゲート絶縁膜及び第２のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第１のゲート絶縁膜と第２のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下（好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下）とする。 （もっと読む）

【課題】透光性電極層、複数の散乱層からなる散乱層積層体、透光性基板が積層された電子デバイス用基板であり、基板内での多重反射を抑制し、光取り出し効率を高めることを目的とする
【解決手段】透光性基板と、前記透光性基板上に設けられ、屈折率が異なる複数の散乱層からなる散乱層積層体と、前記散乱層積層体上に設けられる透光性電極層とが積層され、前記透光性電極層、前記散乱層積層体、前記透光性基板の順に屈折率が低くなっており、前記散乱層積層体を構成する複数の散乱層は、透光性電極層側から順に、散乱層毎に屈折率が漸次低減するように構成されていることを特徴とする電子デバイス用基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】表示装置あるいは太陽電池のいずれの半導体素子の製造工程において幅広く利用されている塑型もしくは表面加工工程において、処理工程数が少なく、簡便で選択精度に優れ、製造コストを削減できる塑型もしくは表面加工工程に使用できる水溶性ペーストを提供すること。
【解決手段】（Ａ）水溶性高分子、（Ｂ）界面活性剤並びに（Ｃ）無機物微粒子及び有機物微粒子からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する塑型または表面加工用水溶性ペースト組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられたボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜上に接して設けられる絶縁層、及び／または、ソース電極層及びドレイン電極層の形成後に不純物除去処理を行うことで、エッチングガスに含まれる元素が、酸化物半導体膜表面に不純物として残存することを防止する。酸化物半導体膜の表面における不純物濃度は、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】透光性基板、散乱層、被覆層、透光性電極層が積層された電子デバイス用基板であり、散乱層界面での全反射を抑制することによって、光取り出し効率を高めることを目的とする
【解決手段】透光性基板、散乱層、被覆層、透光性電極層が積層された電子デバイス用基板の製造方法であって、
（ａ）透光性基板上に、散乱層の原料と、前記散乱層の原料の焼成温度で消失する球状樹脂との混合物を配置、焼成して散乱層を形成する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程で形成した前記散乱層上に被覆層の原料を配置、焼成して被覆層を形成する工程、
を有しており、前記透光性基板の屈折率が最も低く、散乱層、被覆層、透光性電極層の順に屈折率が高くなるように各層が構成されていることを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡単なプロセスで製造出来、安定して高い輝度および発光効率が得られる分散型ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】本発明の分散型ＥＬ素子は、電子受容性の蛍光体粒子４Ａを含むｐ型層４−Ｐと、電子供与性の蛍光体粒子４Ｂを含むｎ型層４−Ｎと、が交互に積層された発光層４を備える。 （もっと読む）

【課題】回路を構成するトランジスタのソース−ドレイン耐圧を維持したまま、走査回路の最終段のインバータ回路の入力電圧の振幅を増大させることが可能なレベルシフタ回路を提供する。
【解決手段】第１固定電源側の２つのトランジスタ回路が第１導電型のトランジスタから成り、第２固定電源側の２つのトランジスタ回路が第２導電型のトランジスタから成るとともに、第１固定電源側の２つのトランジスタ回路及び第２固定電源側の２つのトランジスタ回路の少なくとも一方側の２つのトランジスタ回路はダブルゲートトランジスタから成るレベルシフタ回路において、一方の電源側の２つのトランジスタ回路が動作状態のとき、他方の電源側の２つのトランジスタ回路のダブルゲートトランジスタの共通接続ノードに第３固定電源の電圧を与えるスイッチ素子を設ける。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 （もっと読む）