【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。また、暗所でも長時間の利用が可能な、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高純度化された酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで回路を構成し、画素が一定の状態（映像信号が書き込まれた状態）を保持することを可能とする。その結果、静止画を表示する場合にも安定した動作が容易になる。また、駆動回路の動作間隔を長くできるため、表示装置の消費電力を低減できる。また、自発光型の表示装置の画素部に蓄光材料を適用し、発光素子の光を蓄えれば、暗所でも長時間の利用が可能になる。 （もっと読む）

【課題】量子収率の比較的低い量子ドット発光材料を用いる場合であっても、発光増強性能の高い新規なプラズモン材料による発光増強により、高い発光効率を示すことができる量子ドット発光素子を提供する。
【解決手段】量子ドット発光材料５５を含む発光層５０と、３０個以上の金属系粒子２０が互いに離間して二次元的に配置されてなる粒子集合体からなる層であって、金属系粒子２０は、その平均粒径が２００〜１６００ｎｍの範囲内、平均高さが５５〜５００ｎｍの範囲内、アスペクト比が１〜８の範囲内にあり、隣り合う金属系粒子との平均距離が１〜１５０ｎｍの範囲内となるように金属系粒子２０を配置した金属系粒子集合体層とを備える量子ドット発光素子である。 （もっと読む）

【課題】行方向の制御配線の数を低減し、高精細化した場合においても消費電力の増加を抑制できる表示装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置１の発光画素１０Ａ及び１０Ｂは、それぞれ、有機ＥＬ素子１５Ａ及び１５Ｂと、コンデンサ１３Ａ及び１３Ｂと、駆動トランジスタ１４Ａ及び１４Ｂと、信号線１６とコンデンサ１３Ａ及び１３Ｂとを導通させるスイッチトランジスタ１２Ａ及び１２Ｂと、駆動トランジスタ１４Ａ及び１４Ｂのソースとコンデンサ１３Ａ及び１３Ｂとを導通させるスイッチトランジスタ１９Ａ及び１９Ｂと、スイッチトランジスタ１２Ａ及び１２Ｂのゲートと走査線１７とを導通させるスイッチトランジスタ２３Ａ及び２３Ｂとを備え、スイッチトランジスタ１９Ａ及び２３Ｂのゲートは制御線１８Ａに接続され、スイッチトランジスタ２３Ａ及び１９Ｂのゲートは制御線１８Ｂに接続されている。 （もっと読む）

【課題】ラインバンク方式のような画素規定層を設けることなく、有機発光層の膜厚を均一化することができる表示パネルの製造方法等を提供する。
【解決手段】平坦化膜１０３上に２次元配置された複数の画素領域に、有機発光材料を含むインクを滴下して有機層を形成してなる表示パネルの製造方法は、平坦化膜１０３の上方に、画素領域と画素領域との間を第１の方向に延伸する第１隔壁１１１と、画素領域と画素領域との間を第１の方向と交差する第２の方向に延伸し且つ第１隔壁１１１の上端部よりも低い位置で第１の方向へのインクの流動を許容する流路を構成する第２隔壁１２１とを形成する隔壁形成工程と、滴下されたインクの上面が流路よりも高くなるように、第２の方向に隣り合う一組の第１隔壁１１１の間にインクを第１の方向に沿って間欠的に滴下する滴下工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制すること。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくともゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域は、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さくする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物の濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜における、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域において、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さく、少なくとも第１の領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】厚膜誘電体ａｃ電子発光ディスプレイに使用される蛍光体の動作安定性を改善するために、新規かつ改良された複合厚膜誘電体構造が提供される。
【解決手段】この新規な構造が、複合厚膜誘電体層とこれらのディスプレイの蛍光体層の底部との間に配置された１つ又はそれ以上のアルミニウム酸化物層を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用ＴＦＴと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタにおいて、高いゲート電圧がゲート電極層に印加される場合、ドレイン電極層の端部近傍（及びソース電極層の端部近傍）に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑え、信頼性が向上された構造を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状を、テーパ形状とし、チャネル形成領域上に重なる絶縁層の膜厚は、０．３μｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上０．１μｍ以下とする。チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状の下端部のテーパ角θを６０°以下、好ましくは４５°以下、さらに好ましくは３０°以下とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、インジウムを含む酸化物半導体膜、ゲート電極層と重畳する酸化物半導体膜上に接する絶縁層が順に積層され、酸化物半導体膜及び絶縁層に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、絶縁層表面における塩素濃度を１×１０^１９／ｃｍ^３以下とし、かつインジウム濃度を２×１０^１９／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）