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国際特許分類[H05B33/14]の内容

電気 (1,674,590) | 他に分類されない電気技術 (122,472) | 電気加熱;他に分類されない電気照明 (50,146) | エレクトロルミネッセンス光源 (27,371) | 実質的に2次元放射面をもつ光源 (12,071) | エレクトロルミネッセンス材料の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの (1,546)

国際特許分類[H05B33/14]に分類される特許

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【課題】単位レンズを小型化した場合でも輝度上昇率が低下せず、見る角度による色度の変化も目立たないレンズシート及びこのレンズシートを使用したEL発光装置を提供する。
【解決手段】凸レンズ状の単位レンズ2を六方充填配置状に配列したレンズアレイが表面側に設けられており、レンズアレイを各単位レンズ2に区切る六角格子3の最長の対角線4の長さL1に対する、該最長の対角線4が単位レンズ2と重複する部分の長さL2の割合L2/L1が87〜93%であるレンズシート及びこれを貼着したEL発光装置である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する第1のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第1のゲート絶縁膜上に積層する第2のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成する。 (もっと読む)


【課題】EL層の劣化を抑制し、陽極などの電極のエッジ部における電界集中の影響を抑制させた軽量な発光装置。
【解決手段】基板上に薄膜トランジスタを有し、薄膜トランジスタ上に絶縁膜を有する。絶縁膜はコンタクトホールを有し、コンタクトホールを介して、陽極が薄膜トランジスタと電気的に接続されている。当該コンタクトホール内には、陽極及び別の絶縁膜を有し、当該陽極はコンタクトホール内で凹形状となる。別の絶縁膜は、樹脂を有することができ、凹形状を埋めることができる。 (もっと読む)


【課題】高い耐久性を有し、吸収した波長を変換して高強度の蛍光を放射する球状蛍光体、波長変換フィルタ及びこれを用いた色変換発光デバイスを提供する。
【解決手段】蛍光色素を少なくとも一種含有する透明材料が、球状である球状蛍光体。蛍光色素が、有機蛍光体又は希土類金属錯体である前記の球状蛍光体。透明材料が、透明樹脂である前記の球状蛍光体。また、これらの球状蛍光体を含む波長変換フィルタ及びこの波長変換フィルタを備えた色変換発光デバイス。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、保護膜と、を有し、該保護膜は金属酸化膜を有し、該金属酸化膜は、膜密度が3.2g/cm以上である。 (もっと読む)


【課題】青色発光半導体ナノクリスタル物質を提供する。
【解決手段】半導体ナノクリスタルは、第一半導体物質含有コア、及び第二半導体物質含有オーバーコーティングを含む。該ナノクリスタルの単分散集団は、高い量子効率で、波長範囲の狭い青色光を発する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜と、窒化酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 (もっと読む)


【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子354に適用される酸化物半導体層905上にシラン(SiH)及びアンモニア(NH)などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマCVD法によって形成された窒化シリコン層910が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ355に適用される酸化物半導体層906には、バリア層として機能する酸化シリコン層909を介して、窒化シリコン層910が設けられる。そのため、酸化物半導体層905には、酸化物半導体層906よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子354に適用される酸化物半導体層905の抵抗値が、薄膜トランジスタ355に適用される酸化物半導体層906の抵抗値よりも低くなる。 (もっと読む)


【課題】ポリマー及び該ポリマーを含んだ有機発光素子を提供する。
【解決手段】m個の反復単位を含み、m個の反復単位のうちn番目反復単位が、下記化学式1で表示される第1反復単位であり、n番目の反復単位のA環と、n−1番目の反復単位の第1芳香族環との間の第1上反角、及びn番目の反復単位のA環と、n+1番目の反復単位の第2芳香族環との間の第2上反角のうちの一つ以上が、下記数式1のχ50%以上の角度を有するポリマー:


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【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。 (もっと読む)


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