【課題】ＥＬ素子の色のバランスが良く、なおかつ発光輝度のバランスが良い、色鮮やか
な画像を表示することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】ＥＬ素子に流す電流を大きくしたい画素ほど、該画素のＥＬ素子に電圧また
は電流を供給する引き回し配線の幅を大きくした。これによって、ＥＬ素子に流す電流を
大きくしたい画素ほど、該画素のＥＬ素子に電圧または電流を供給する引き回し配線の配
線抵抗が小さくなる。配線抵抗が小さくなると、引き回し配線における電位降下が小さく
なり、ＥＬ素子に流す電流を大きくすることが可能になる。なお実際のパネルでは、引き
回し配線を配置するスペースは限られているので、各色における引き回し配線の幅の比を
変えることで、各色のＥＬ素子に流れる電流の大きさのバランスを取ることが可能である
。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）

【課題】 量子ドット層製造方法及び量子ドット層を含む量子ドット光電子素子を提供する。
【解決手段】 ソース基板上に自己組織化単層、犠牲層及び量子ドット層を順次に積層し、量子ドット層上にスタンプを位置させてスタンプで犠牲層及び量子ドット層をピックアップし、犠牲層を溶解させる液体で、前記量子ドット層から前記犠牲層を除去する量子ドット層製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機バインダーの使用なしで実用上十分な機械的強さを有し、無機ＥＬ素子として有用な発光性遷移金属含有アルミナ自立薄膜の提供。
【解決手段】前記発光性自立薄膜は、ゾルゲル法により製造され、３０〜５０００のアスペクト比と、１０nm以下のナノオーダーファイバー幅を有するファイバー状アルミナナノ粒子からなる自立薄膜形成成分と、この自立膜形成成分により担持されている発光性遷移金属（例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｓｍなど）を含有する発光源成分とを含み、前記発光源成分に含まれる遷移金属の、前記自立薄膜成形成分に含まれるアルミニウムに対するモル比は１／０．００１〜１／１の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体層を酸化物半導体層とする逆スタガ型薄膜トランジスタを含む半導体
装置において、酸化物半導体層上にバッファ層を有する。バッファ層は、半導体層のチャ
ネル形成領域と、ソース電極層及びドレイン電極層とに接する。バッファ層は膜内に抵抗
分布を有し、半導体層のチャネル形成領域上に設けられる領域の電気伝導度は半導体層の
チャネル形成領域の電気伝導度より低く、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域
の電気伝導度は半導体層のチャネル形成領域の電気伝導度より高い。 （もっと読む）

【課題】高輝度の赤色乃至橙色発光が可能な新規なダブルぺロブスカイト系の無機蛍光材料を提供する。
【解決手段】ダブルぺロブスカイト型構造である母材に希土類元素をドープしてなる無機蛍光材料。母材の組成が、Ｂａ_２Ｒ（III）Ｍ(Ｖ)Ｏ_６（但し、Ｒ（III）：Ｅｕを除くＹ又はＬｎ、Ｍ(V)：Ｎｂ、Ｔａ又はＳｂ）である。ドープ金属をＥｕ(III)とする。本無機蛍光材料は、励起波長(常温)２５０ｎｍの場合の光ルミネセンス（ＰＬ）スペクトルが、中心波長５８０〜６００ｎｍである山部を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板にＯＬＥＤのような発光素子を含む画素回路を形成する。
【解決手段】画素回路１１０は、駆動トランジスター１２５、スイッチングトランジスター１２２、発光素子１３０を含み、これらの素子が半導体基板に形成されている。スイッチングトランジスター１２２には、第１基板電位Ｖ4が供給され、駆動トランジスター１２５には、第１基板電位Ｖ4とは異なる第２基板電位Ｖ3が供給される。 （もっと読む）

【課題】周期的パターンを有する光学フィルタと組み合わせても、モアレが生じず且つ表示画像の明暗ムラも生じない画像表示パネルと、これを用いた画像表示装置を提供する。
【解決手段】多数の画素３が配置されてなる画像表示パネル１０は、ガラス基板１ｆ，１ｒ間を放電セル３ｃに仕切る隔壁２などとして画素を区画する区画パターン２Ｐが、二つの分岐点Ｂの間を延びて画素を画成する多数の境界線分Ｌから構成され、一つの分岐点から延びる境界線分の数の平均値Ｎが、３．０≦Ｎ＜４．０であり、且つ、画素の配置に繰返周期を持つ方向が存在しない領域を含んでなるパターンとする。さらに、メッシュパターンの電磁波遮蔽フィルタ、コントラスト向上フィルタや覗き見防止フィルタとなるマイクロルーバーフィルタなど周期的パターンを有する光学フィルタを備えても良い。画像表示装置はこの画像表示パネルを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図る。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層１０４ａ、１０４ｂを薄いインジウム層または薄いインジウム合金層とする。なお、酸化物半導体層１０３は、インジウムを含む。二層目以降のソース電極層１０５ａまたはドレイン電極層１０５ｂの材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす、適切な構成を備えた保護回路等を提供する。
【解決手段】ゲート電極１０１を被覆するゲート絶縁層１０２と、ゲート絶縁層１０２上においてゲート電極１０１と重畳する第１酸化物半導体層１０３と、第１酸化物半導体層１０３上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層１０５ａと第２酸化物半導体層１０４ａが積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９とを有する非線形素子１７０ａを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層１０２上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子１７０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）