【課題】薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御するため、薄膜トランジスタのチャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介してゲート電極を設けた際に、プロセス数の増加を招くことなく、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を得る。
【解決手段】酸化物半導体層１３１の上方に設ける第２のゲート電極１３３を形成するとき、酸化物半導体層１３１のパターニングと同時に形成することで、第２のゲート電極１３３の作製に要するプロセス数の増加を削減する。 （もっと読む）

【課題】ＡＭ−ＯＬＥＤ等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにＬＣＤやＰＤＰよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板２の上にＴＦＴ配線部３、パッシベーション膜４、第一蛍光体層６ａ、第一平坦化層７ａを積層し、その上に透明アノード電極１００、発光層１０１、透明カソード電極１０２を順次積層した発光体１０を配設する。発光層１０１はＺｎＯ系またはＧａＮ系等材料で構成し、発光面（上面）の面積に対する側面の総面積の割合を１／１０以上に設定する。これにより表示装置１を得る。 （もっと読む）

【課題】
ホログラムを用いたホログラムシートにおいて、その真正性を高めるために、照明光と同一の波長のホログラム再生像を再生するホログラムとは異なり、照明光とは異なる波長のホログラム再生をする新規なホログラムシートを提供する。
【解決手段】
反射型体積ホログラム形成層上にエレクトロルミネッセンス素子層を設け、所定の電界を印加することで、エレクトロルミネッセンス素子層を発光させ、可視光領域にある、その発光する光の色調による反射型ホログラム再生像を再生させ、目視にて判定可能とし、その偽造防止性を高めたホログラムシートとした。 （もっと読む）

【課題】作製中にＥＳＤにより半導体素子が破壊されることを抑制する駆動回路および当該駆動回路の作製方法を提供する。また、リーク電流の小さい保護回路が設けられた駆動回路および当該駆動回路の作製方法を提供する。
【解決手段】駆動回路中の半導体素子と電気的に接続して、駆動回路中に保護回路を設け、駆動回路中の半導体素子となるトランジスタと駆動回路中の保護回路を形成するトランジスタを同時に形成することにより、駆動回路の作製中にＥＳＤにより半導体素子が破壊されることを抑制する。さらに、駆動回路中の保護回路を形成するトランジスタに酸化物半導体膜を用いることにより、保護回路のリーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを
目的の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層に対して、窒素、または希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）
の不活性気体雰囲気下、或いは減圧下で脱水化、又は脱水素化処理のための加熱処理を行
い、酸素、酸素及び窒素、又は大気（好ましくは露点−４０℃以下、より好ましくは−５
０℃以下）雰囲気下で加酸化処理のための冷却工程を行うことで高純度化及びＩ型化した
酸化物半導体層を形成する。該酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する半導体装
置を作製する。 （もっと読む）

【課題】本明細書では、水分による性能低下の抑制された発光装置を提供する。
【解決手段】各々の発光素子の周囲を多孔質構造の隔壁で囲む構造とした。多孔質構造の隔壁は水分を物理吸着するため、発光装置は、発光素子に極めて近い箇所に吸湿膜として機能する隔壁が存在し、当該吸湿膜により発光装置内部に残留した水分や水蒸気、また、発光装置外部から侵入する水分や水蒸気を効率良く吸着することができるため、水分や水蒸気に起因した発光装置の性能低下を効果的に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】表示装置において、表示素子に電流を供給するトランジスタの特性が画素ごとにばらつくことによって生ずる輝度ムラが、表示装置の画質向上の足かせとなっていた。
【解決手段】ソース信号線より画素に入力される映像信号は、表示素子に電流を供給するためのトランジスタをダイオード接続とし、当該ダイオード接続されたトランジスタのゲートに所望の電位が印加される。ここで、ダイオード接続したトランジスタにおいて、そのソース・ドレイン間には、トランジスタのしきい値電圧に応じた電位差を取得する。その結果、駆動用トランジスタのゲート電極には、映像信号にしきい値電圧に応じた電位差のオフセットをかけた電位を印加することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による
脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素
ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後において
もトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタと
することができる。 （もっと読む）

【課題】 高輝度な分散型無機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 正面電極と背面電極との間に、蛍光体粉末を樹脂に分散させた蛍光体層と絶縁体層の積層体を挟持してなる分散型無機ＥＬ素子において、少なくとも前記蛍光体層と前記正面電極との間に中間層を有し、該中間層の比誘電率（ε_１）と前記蛍光体粉末の比誘電率（ε_２）との比（ε_１／ε_２）が０．２以下であることを特徴とする分散型無機エレクトロルミネッセンス素子。 （もっと読む）

【課題】画像表示フレームにおいて画像にちらつきが生じ難い画像表示装置の駆動方法を提供することにある。
【解決手段】画像表示装置は、第１、第２、第３及び第４副画素から構成された画素が、２次元マトリクス状に配列されて成る画像表示パネルと、信号処理部とを備えており、３原色に第４の色を加えることで拡大されたＨＳＶ色空間における彩度Ｓを変数とした明度の最大値Ｖ_max（Ｓ）が求められており、第ｉ番目のフレームにあっては、信号処理部において、複数の画素における副画素・入力信号値に基づき彩度Ｓ_i及び明度Ｖ_i（Ｓ）を求め、Ｖ_max（Ｓ）／Ｖ_i（Ｓ）の少なくとも１つの値に基づいて伸長係数α_i-0を求め、第（ｉ−ｊ）番目のフレームにおいて既に適用された補正伸長係数α’_(i-j)-0と、第ｉ番目のフレームにおいて求められた伸長係数α_i-0とに基づき、補正伸長係数α’_i-0を決定する。 （もっと読む）