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国際特許分類[H05B33/14]の内容

電気 (1,674,590) | 他に分類されない電気技術 (122,472) | 電気加熱;他に分類されない電気照明 (50,146) | エレクトロルミネッセンス光源 (27,371) | 実質的に2次元放射面をもつ光源 (12,071) | エレクトロルミネッセンス材料の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの (1,546)

国際特許分類[H05B33/14]に分類される特許

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【課題】簡単なプロセスで製造でき、濃淡に富んだ画像を表示することが可能な分散型EL素子を提供する。
【解決手段】
分散型EL素子の製造工程において、連続的に厚みが変化する凸凹が表面に加工された型押し具Mを、誘電体層3に押し当てることにより、前記凸凹を反転させた形状の凹凸を誘電体層3に転写する。 (もっと読む)


【課題】輝度を落とすことなく表面防汚機能や室内の空気浄化性能が高く、さらに長期保存時にも輝度低下や膜物性が劣化することがないエレクトロルミネッセンス照明装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】エレクトロルミネッセンス素子を用いた照明装置の最表面に、平均深さ5nm〜300nm、平均周期10nm〜300nmの凹凸形状を持つ光触媒層109を設けたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス照明装置。 (もっと読む)


【課題】無機EL素子の寿命の低下および消費電力を抑えつつ、輝度を向上する。
【解決手段】無機EL発光装置1は、一対の電極を有する無機EL素子2と、無機EL素子2の一対の電極に交流電圧を印加する駆動部3とを備え、交流電圧の波形は、半周期期間ごとに、第1の矩形波、および第1の矩形波に対して時間的に離間した第1の矩形波と同極性の第2の矩形波を有する。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第1のゲート絶縁膜及び第2のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第1のゲート絶縁膜と第2のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とする。 (もっと読む)


【課題】透光性電極層、複数の散乱層からなる散乱層積層体、透光性基板が積層された電子デバイス用基板であり、基板内での多重反射を抑制し、光取り出し効率を高めることを目的とする
【解決手段】透光性基板と、前記透光性基板上に設けられ、屈折率が異なる複数の散乱層からなる散乱層積層体と、前記散乱層積層体上に設けられる透光性電極層とが積層され、前記透光性電極層、前記散乱層積層体、前記透光性基板の順に屈折率が低くなっており、前記散乱層積層体を構成する複数の散乱層は、透光性電極層側から順に、散乱層毎に屈折率が漸次低減するように構成されていることを特徴とする電子デバイス用基板を提供する。 (もっと読む)


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