【課題】回路保護装置を提供する。
【解決手段】回路保護装置（１００）は、所与の軸に沿って融蝕性プラズマ（５３２）を放出するように構成されたプラズマ銃（５００）と、複数の電極（２５８）とを含み、各々の電極（２５８）は回路のそれぞれ導体に電気結合され、また各々の電極（２５８）は、該電極が前記軸からほぼ等距離に位置決めされるように前記軸に対してほぼ垂直な平面に沿って配列される。 （もっと読む）

【課題】複数の処理条件が切り替わる際における、インピーダンス整合が取れるとともにプラズマが安定化するまでに要する時間を短縮することに適した電源制御装置を提供する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生部を有するプラズマ処理装置の電源制御装置であって、前記プラズマ発生部に電力を供給するための高周波電源と、第１の処理条件のプロセス情報に対応した第１の整合値と第２の処理条件のプロセス情報に対応した第２の整合値と前記第１の処理条件から前記第２の処理条件へ切り替わる過渡状態のプロセス情報に対応した第３の整合値とを含む整合情報を記憶する記憶部と、前記整合情報に基づきインピーダンス整合を行う整合回路とを備えたことを特徴とする電源制御装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】監視したり人手を要したりすることなく、容易にかつ確実にプラズマを点火した
り再点火したりすることが可能なプラズマ点火技術を提供する。
【解決手段】所定の高周波信号ＨＳを発生しプラズマ発生させるための負荷電極１１４に
供給する高周波電源装置１０１、高周波電源装置側と負荷電極側とのインピーダンスを整
合させる整合装置１０５、高周波信号ＨＳの進行波および反射波を検出する進行波・反射
波検出装置１０２、所定の高電圧ＨＶを発生する高電圧発生装置１０３、反射波の進行波
に対する比率が第１のしきい値より大きい場合に高電圧ＨＶを高周波信号ＨＳに重畳する
制御装置１００を備える。 （もっと読む）

【課題】 高価な測定装置を用いることなく、小型で、簡便な方法によりプラズマの電子密度及び電子温度の測定が可能な測定プローブ及び測定装置を実現する。
【解決手段】 測定プローブ１０は、長さが異なる金属線からなる２本のアンテナ１２、１３を備えており、それぞれ矩形の平面領域Ａ内に、平行な２本の金属線を屈曲して配置し、一端でＵ字型に接続した形状に形成されている。アンテナ１２、１３は、厚さが異なる絶縁層１４、１５によりそれぞれ挟み込まれ、各アンテナに対応する共振周波数のシース厚依存性が異なるように構成されている。これにより、プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eを算出することができる。 （もっと読む）

【課題】精度よく、被処理物品のプラズマ処理に悪影響を与えないでプラズマ中の荷電粒子の密度や荷電粒子の電位分布を簡易に求めることができる荷電粒子電流計測装置及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子を捕捉する第１電極部４１及び第１電極部４１の前方に配置され、第１電極部へ向かうべき荷電粒子を通過させるための孔４２ｈを有する第２電極部４２を含むファラデーカップ部４０と、第１電極部４１に直流電圧を印加するための出力電圧可変の第１直流電源と、第２電極部４２に第１電極部４１に印加される直流電圧とは逆極性の直流電圧を印加するための出力電圧可変の第２直流電源と、第１電極部４１に流れる電流を計測する電流測定器Ａとを含む荷電粒子電流計測装置。ファラデーカップ部４０において第２電極部４２前方には接地電極部４３が配置される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置と半導体装置の製造方法において異常放電の有無を判断すること。
【解決手段】チャンバ１１内のステージ１２上にシリコン基板１１を載置するステップP1と、第１のステップの後、チャンバ１２内にプラズマ２２を発生させるステップP2と、プラズマ２２が発生している状態で、ステージ１２の電位V_sとプラズマ２２の発光強度Iとが同時に変動したときに、チャンバ１１内で異常放電が発生していたと判断するステップP5とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】大面積基板上に均一なプラズマを励起することが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、内部に基板Ｇを載置する載置台１１５と載置台上方においてプラズマが発生されるプラズマ空間とを有する真空容器１００と、真空容器１００の内部にプラズマを励起するための高周波を供給する第１の同軸管２２５と、第１の同軸管２２５に接続され、プラズマ空間に向けてスリット状に開口する導波路２０５と、導波路２０５を前記スリット状の開口の長手方向に伝搬する高周波の波長を調整する調整手段とを有する。前記調整手段により導波路２０５を伝搬する高周波の波長を十分に長くすることにより、前記スリット状の開口に長手方向に沿って均一な高周波電界を印加することができる。 （もっと読む）

【課題】電極に形成された導波路を伝搬する高周波を制御可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部に、基板Ｇを載置する載置台１１５と該載置台上方においてプラズマが発生されるプラズマ空間とを有する真空容器１００と、第１の電極部２００ａと第２の電極部２００ｂとの２つの電極部に分離され、真空容器の内部に間隔を開けて配列された複数の電極対２００と、２つの電極部を横断するように設けられ、真空容器の内部にプラズマを励起するための高周波を供給する複数の同軸管２２５とを備え、複数の同軸管の内部導体は２つの電極部の一方、外部導体は他方に接続され、複数の同軸管から供給された高周波が２つの電極部間に形成された導波路２０５を伝搬した後、導波路に設けられた誘電体板２１０のプラズマ露出面から真空容器に放出してプラズマを励起するプラズマ処理装置１０が提供される。 （もっと読む）

【課題】異常放電を検出するセンサを、改造を行うことなく容易に取り付けることが可能なプラズマ処理装置と、それを用いた半導体装置の製造方法とを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１のチャンバー２の側壁部８には、チャンバー２を接地電位に固定するアース線９が取り付けられている。アース線９が接続されている側壁部８の部分の近傍には、チャンバー２内に生成されるプラズマから接地電位へ向かって流れるリターン電流を測定する電流センサ１０が取り付けられている。電流センサ１０には異常放電検知部１４が電気的に接続されて、測定されたリターン電流に基づいて異常放電が発生したか否かが判定される。 （もっと読む）

【課題】単一の電源及び単一のマッチングボックスにより、各被エッチング物の最適な周波数を用いてエッチングする。
【解決手段】被エッチング材が載置されるステージを内部に有する真空容器と、前記真空容器内にプロセスガスを供給するプロセスガス供給手段と、前記真空容器内にプラズマを生成させるためのプラズマ生成手段と、前記プラズマ生成手段の電極にプラズマ生成用高周波電力を供給するプラズマ生成用電源と、前記ステージの自己バイアス電位を制御するための単一のバイアス電源であって、出力周波数を変更可能なバイアス電源と、前記ステージと前記バイアス電源との間に電気的に接続された単一の整合器であって、前記バイアス電源の負荷と前記バイアス電源とのインピーダンス整合をとる整合器と、前記バイアス電源の出力周波数を設定する周波数設定手段と、前記バイアス電源の出力周波数に応じて前記整合器のインピーダンスを制御する制御手段とを備えたドライエッチング装置によって上記課題を解決する。 （もっと読む）