【課題】所望厚さの被膜を形成する。
【解決手段】直流電源装置１がその一次巻線２に接続されるフライバック変圧器と、フライバック変圧器と直流電源装置に接続される第１半導体スイッチング素子４と、二次巻線３に接続されるダイオード５と、ダイオードに接続するコンデンサ６及び第２半導体スイッチング素子７と、第２半導体スイッチング素子に接続され、回転手段９に連結されて回転駆動する被覆材電極１０と、コンデンサの他端に接続され、また被覆材電極に接触することで電気的に導通する被金属加工体１１と、第１半導体スイッチング素子、コンデンサ、第２半導体スイッチング素子に制御パルスを印加する制御装置１２と、を備える。コンデンサの電圧と所定値とを比較して第１半導体スイッチング素子に対してオン・オフ制御を行い、また第２半導体スイッチング素子に対する印加動作制御をパルス信号の印加終了後に行うことで、火花放電被覆を実現する。 （もっと読む）

【課題】補助陰極および主陰極のメンテナンスを容易にできるプラズマガンを提供する。
【解決手段】円筒状容器17の一端の開口縁部を中間電極1bに固定し、他端の開口縁部にテーパ状フランジ部46を形成する。円筒状容器17の内部に、陰極取付基体11に対して着脱自在に取り付けた円筒状の保護部材15を配置し、この保護部材15の内部に陰極取付基体11および保護部材15に対して着脱自在に取り付けた補助陰極14および主陰極16を配置する。円筒状容器17のテーパ状フランジ部46にシール部材47を介して陰極取付基体11のテーパ状フランジ部48を対称に突き合わせ配置し、テーパ状フランジ部46，48にまたがって外周側から固定手段61の凹溝62を被嵌する。固定手段61は、複数のブロック63をリンク64によりチェン状に連結するとともにそのチェン状に連結した環状体の一端および他端に位置するブロックを１本のネジ式操作杆により接近する方向に締め付け可能である。 （もっと読む）

【課題】絶縁性薄膜を成膜した場合であっても、アノードの機能を長時間維持できる圧力勾配型プラズマガンを提供する。
【解決手段】軸１０１に沿って順に配置された、カソード１と、第１および第２中間電極２，３と、アノード４とを有する。第１および第２中間電極２，３とアノード４はそれぞれ、プラズマを通過させるための所定の大きさの貫通孔２ａ、３ａ、４ａを軸１０１を中心として備えている。アノード４には、第２中間電極３とは逆側の側面の少なくとも一部を覆うアノードカバー３０が着脱可能に固定されている。アノードカバー３０は、貫通孔４ａの中心に向かって突出するつば部３３を有する。 （もっと読む）

【課題】被処理物の対象領域をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、狭い空間の区画面であってもプラズマ処理可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】放電プラズマPを生じさせるための電力を供給する電力供給部１２と、電力供給部１２によって電力が与えられると両者の間に放電プラズマPが生成される一対の電極１６、１６とを備え、一対の電極１６、１６は、放電プラズマPが対象領域２を横断して対象領域２に接触するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】 表面処理中のパーティクルを計測し、パーティクルの粒度分布、荷電状態を測定し、その発生源を特定することにより、重点的・効率的なメンテナンスが可能な方法及び装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ６を用いた真空チャンバ１内に１個以上のパーティクル計測用基材４を配置し、前記パーティクル計測用基材４にプラズマ電位より高い電位、略同一の電位、低い電位のうち少なくとも１つの電圧を前記基材４に個別に印加して所定の表面処理を実施した後前記基材に付着した前記パーティクルの粒度分布を計測し、該計測結果から所定の算出式により前記パーティクルの粒度別帯電状態の分布を算出する。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には安価に済むプラズマ電位計測方法及びそれを利用した装置を提供する
【課題を解決するための手段】
真空チャンバ１内の測定対象プラズマ２のプラズマ電位計測方法であって、該真空チャンバ１内に質量分析器３を配置し、前記プラズマ２と前記質量分析器３との間にバイアス電圧を印加して質量分析を実施し、イオンが検出された条件において、前記質量分析器３内のサプレッサー電圧を変化させていき、イオン電流が検出されなくなるサプレッサー電圧と前記バイアス電圧との関係からプラズマ電位を算出するプラズマ電位計測方法及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ銃電極間のエレクトロマイグレーションを防止するためのシステム、方法、および装置の提供。
【解決手段】プラズマプルームを発生するように構成されたプラズマ銃４１２と、電気エネルギーを蓄積するように構成されたキャパシタ２１０、２１２と、プラズマ銃４１２およびキャパシタ２１０、２１２に通信結合されたトリガ回路３０４とを含む回路保護デバイスである。トリガ回路３０４は、キャパシタ２１０、２１２に第１の信号を伝送して、キャパシタ２１０、２１２に、電気エネルギーの第１の部分をプラズマ銃４１２へ伝送させるように構成される。トリガ回路３０４は、プラズマ銃４１２に第２の信号を伝送して、プラズマ銃４１２に、電気エネルギーの第１の部分を用いてプラズマプルームを発生させるようにも構成される。 （もっと読む）

【課題】滑走型電気アーク装置用セラミック電極、その製造方法および滑走型電気アーク装置の提供。
【解決手段】滑走型電気アーク装置用セラミック電極１２２に関し、セラミック電極１２２は、背部２０２とヒール部２０６と先端部２０８とで規定されセラミック羽根２００を有し、セラミック羽根２００の放電端部２０４は、セラミック羽根２００のほぼヒール部２０６から先端部２０８にかけて発散形状で規定され、セラミック羽根２００に接続した台座表面２１０は、滑走型電気アーク装置内にセラミック羽根２００を容易に取付けられるように構成。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理にあたって、安価でコンパクトなプラズマ電位やイオン速度等のプラズマ状態の計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマと該分析器の間に印加した電圧と質量分析器において同一イオンが検出された条件との関係からイオン速度とプラズマ電位との関係を算出し、さらに該質量分析器をシングルプローブに見立てて、質量分析器とプラズマ間に連続的あるいは断続的に負から正の電圧を印加し、これらの関係からプラズマ電位を算出し、前記イオン速度とプラズマ電位との関係と算出したプラズマ電位との関係からプラズマ中のイオン速度を算出する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの輸送効率及びドロップレットの除去効率が高く、比較的安価に製造することができるプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】本発明はカソードターゲット３からプラズマを発生させるプラズマ発生部２と、前記プラズマが進行する第１プラズマ進行路７と第２プラズマ進行路９を有するプラズマ進行路４から構成され、ドロップレット３０を付着する遮蔽板１２が内壁に複数設けられるプラズマ生成装置１において、前記第１プラズマ進行路７の終端にその直進方向に対向する終端反射壁３１が設けられ、前記終端反射壁３１に沿って前記第２プラズマ進行路９が前記第１プラズマ進行路７に対し屈曲して接続され、前記終端反射壁３１に前記遮蔽板を複数配設して前記ドロップレットを反射及び／又は吸着させるプラズマ生成装置１である。 （もっと読む）