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国際特許分類[H05H3/00]の内容

電気 (1,674,590) | 他に分類されない電気技術 (122,472) | プラズマ技術 (5,423) | 中性粒子ビーム,例.分子または原子ビームの発生または加速 (83)

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本発明は、切り換え可能な疑中性ビームシステムを用いてリアルタイムで基板を処理して、フォトレジスト層のエッチング耐性を改善する装置及び方法を供してよい。それに加えて、前記の改善されたフォトレジスト層は、エッチング処理において、ゲート及び/又はスペーサの限界寸法(CD)のより正確な制御、ゲート及び/又はスペーサのCD均一性の正確な制御、並びに、ライン端部粗さ(LER)及びライン幅粗さ(LWR)の除去に用いられてよい。
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【課題】中性粒子ビームが照射される被処理体の加工状態を把握するため、被処理体と同じ位置において中性粒子ビームの諸特性(全エネルギーフラックス、残留イオン、光エネルギーフラックス)を観測することが可能な測定ユニットを提供する。
【解決手段】測定ユニット12は、真空処理空間内にあって、中性粒子ビームが照射される被処理体11と同じ領域内に収容可能なチップ状の基材と、該基材に配された全エネルギーフラックスの測定部および残留イオンの測定部と、を少なくとも備える。 (もっと読む)


【課題】放電管の内部表面でのプラズマ損失を低減できるプラズマ源,それを用いた高周波イオン源,負イオン源,イオンビーム処理装置,核融合用中性粒子ビーム入射装置を提供することにある。
【解決手段】絶縁物で構成された放電管5と、放電管5の周囲に配置されたコイル3とを有する。コイル3に高周波を印加することで、放電管5の内部にプラズマを生成する。導体であるファラデーシールド4は、放電管5とコイル3の間に設置されるとともに、複数のスリット4Sを有する。複数の永久磁石6は、複数のスリットの間であって、ファラデーシールド4の外側に設置され、放電管5の内部に多極磁場Bを生成する。 (もっと読む)


【課題】安価且つコンパクトな構成で大口径のビームを被処理物に照射することができると共に高い中性化率を得ることができ、チャージフリー且つダメージフリーな中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の中性粒子ビーム処理装置は、被処理物Xを保持する保持部20と、高周波電圧の印加と印加の停止とを交互に繰り返すことにより、真空チャンバ3内に正イオンと負イオンとを含むプラズマを生成するプラズマ生成部と、真空チャンバ内であって、プラズマ生成部と被処理物との間に配置され、プラズマから放出される紫外線を遮蔽するオリフィス電極4と、真空チャンバ内にオリフィス電極に対して上流側に配置されたグリッド電極5と、オリフィス電極とグリッド電極との間に電圧を印加することで、プラズマ生成部により生成されたプラズマから正イオンと負イオンとを交互に引き出すバイポーラ電源102とを備える。 (もっと読む)


【課題】 中性粒子ビームによる被処理物の加工中に中性粒子ビーム中の残留イオンによる被処理物のチャージアップを避けることができる中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】 中性粒子ビーム処理装置10は、イオン生成室14の内部にイオン70を生成するイオン生成手段と、イオン生成室14の内部のイオン70を引き出す引出手段と、引き出されたイオン70を中性化して中性粒子ビーム72を生成する中性化手段と、中性粒子ビーム72が照射される被処理物18を保持する保持台48とを備えている。中性粒子ビーム処理装置10は、被処理物18に帯電した電荷と反対の極性を持つ荷電粒子76を被処理物18に照射して、被処理物18に帯電した電荷を中和する荷電粒子源60を備えている。 (もっと読む)


【課題】セラミック部材に強固にネジ止めしてもセラミック部材を破損させることがなく、セラミック部材にネジにより強固に固定できる絶縁支柱を提供すること。
【解決手段】 絶縁支柱は、両端面にメタライズ層が形成されたセラミックスから成る絶縁柱1と、絶縁柱1の両端面にロウ付けされた、平板状でロウ付け面と反対側の他端面に突出させて形成されたネジ受け部3aを有する金属接合部材3と、両主面間を貫通し、ネジ受け部3aが嵌挿されるネジ挿通用の貫通孔2aが形成されるとともに、一主面が金属接合部材3の他端面に当接されるようにネジ4を介して金属接合部材3に固定された電極部材2を具備する。 (もっと読む)


【課題】 高密度の中性粒子ビームを被処理物に照射することができ、被処理物の加工速度を向上させることができる中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】 中性粒子ビーム処理装置10は、イオン生成室14の内部にイオンを生成するイオン生成手段と、イオン生成室14の内部のイオンを中性化室16に引き出す引出手段と、引き出されたイオンを中性化して中性粒子ビームを生成する中性化手段とを備える。中性粒子ビーム処理装置10は、中性粒子ビーム中に残留する荷電粒子を除去する荷電粒子除去手段と、中性粒子ビームが照射される被処理物18を保持する保持台48とを備えている。荷電粒子除去手段は、ビームの進行方向に垂直な方向に磁界を形成して荷電粒子の軌道を曲げる磁界形成手段と、軌道が曲げられた荷電粒子を捕捉する捕捉板66とを有している。 (もっと読む)


本発明は、中性粒子ビーム処理装置に関するものである。より詳細には、本発明はプラズマ放電を通じて処理ガスをプラズマに転換させるプラズマ放電空間、プラズマイオンと衝突して前記プラズマイオンを中性粒子に変換させる重金属板、プラズマイオン及び電子の通過は妨害して前記重金属板と前記プラズマイオンの衝突によって生成された中性粒子は通過させるプラズマリミッター及び表面処理を要する基板を収納する処理室含む。ここで、前記プラズマ放電空間は前記重金属板と前記プラズマリミッターの間にサンドイッチされたことを特徴とする中性粒子ビーム処理装置に関するものである。
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