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国際特許分類[H05H3/02]の内容

電気 (1,674,590) | 他に分類されない電気技術 (122,472) | プラズマ技術 (5,423) | 中性粒子ビーム,例.分子または原子ビームの発生または加速 (83) | 分子ビームまたは原子ビームの発生,例.共振ビーム発生 (16)

国際特許分類[H05H3/02]に分類される特許

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【課題】 永久磁石で構成された多段六極磁子の焦点距離を、外部操作により変化させる方法を提供する。
【解決手段】 永久磁石で構成された複数の六極磁子により多段六極磁子全体を構成し、一部の六極磁子の位置を移動機構により外部から操作できるようにする。これにより、多段六極磁子全体の構成を変化させ、多段六極磁子の焦点距離調整を可能にする。 (もっと読む)


ハイパーサーマル分子状水素を生成する方法を開示し、且つ他の結合を切断することなくC-H結合又はSi-H結合を選択的に切断するためのその使用を開示する。水素プラズマを維持し、プロトンを電場で抽出して、適切な運動エネルギーに加速させる。プロトンはドリフト領域に入り込んで、気相の分子状水素と衝突する。衝突カスケードによって、水素プラズマから抽出されたプロトンのフラックスより何倍も大きいフラックスを有する、ハイパーサーマル分子状水素の高フラックスが生成される。ハイパーサーマル分子状水素とプロトンとの公称のフラックス比は、ドリフト領域の水素圧力及びドリフト領域の長さによって制御される。プロトンの抽出エネルギーは、これらのハイパーサーマル分子によって共有され、その結果、ハイパーサーマル分子状水素の平均エネルギーは、プロトンの抽出エネルギー及び公称のフラックス比によって制御される。ハイパーサーマル分子状水素プロジェクタイルは、電荷を帯びていないので、ハイパーサーマル水素のフラックスを使用して、電気絶縁性生成物と導電性生成物の両方の表面改質を達成することができる。このハイパーサーマル分子状水素の高フラックスを生成する方法を適用して、基材上の望ましい一つ/複数の化学官能性を有する有機前駆体分子(又はシリコーン又はシラン分子)を衝撃すると、C-H結合又はSi-H結合は、ハイパーサーマル水素プロジェクタイルから前駆体分子の水素原子へのエネルギー付与の運動学的選択性のため優先的に開裂される。誘導された架橋反応によって、制御可能な架橋度を有し、且つ前駆体分子の望ましい一つ/複数の化学官能性を保持している安定な分子層が生成される。 (もっと読む)


デュートリウムプラズマ等の、少なくとも部分的にプラズマ状態の材料を容れるコンテナを含む中性粒子発生器が開示される。ある態様では、コンテナ内に配置され、第1の中性粒子ビームを生成して、自身から放出する第1のカソードを設ける。オプションとして、コンテナ内に配置され、第2の中性粒子ビームを生成して、自身から放出する第2のカソードが設けられてもよく、および/または、コンテナ内に配置されるターゲットが設けられてもよい。ある態様では、第1のカソードおよび第2のカソードは、線上に対向するよう配置されることで、第1の中性粒子ビームを第2の中性粒子ビームと相互作用/衝突させ、該中性粒子の少なくとも一部を融合反応させて、放出される中性子を生成する。 (もっと読む)


単色空間電荷で中性化された中性ビームで活性化される化学プロセスによって基板を処理する化学プロセスシステム及び当該化学プロセスシステムの使用方法が記載されている。当該化学プロセスシステムは、第1プラズマポテンシャルで第1プラズマを生成する第1プラズマチャンバ、及び、前記第1プラズマポテンシャルよりも大きい第2プラズマポテンシャルで第2プラズマを生成する第2プラズマチャンバを有する。前記第2プラズマは前記第1プラズマからの電子束を用いて生成される。さらに当該化学プロセスシステムは、前記第2プラズマチャンバ内に基板を設置するように備えられた基板ホルダを有する。
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負イオンプラズマを生成する処理システムが記載されている。当該処理システムでは、負の電荷を有する静かなプラズマが生成される。当該処理システムは、第1プロセスガスを用いてプラズマを発生させる第1チャンバ領域、及び分離部材によって前記第1チャンバ領域から隔離されている第2チャンバ領域を有する。前記第1チャンバ領域内のプラズマから生じる電子は前記第2チャンバ領域へ輸送されて、第2プロセスガスとの衝突によって静かなプラズマを生成する。前記第2チャンバ領域と結合する圧力制御システムが前記第2チャンバ領域内の圧力を制御するのに利用される。前記第2チャンバ領域内の圧力が制御されることによって、前記第1チャンバ領域から生じた電子は前記第2プロセスガスとの衝突を抑制して、負の電荷を有する前記静かなプラズマを生成するエネルギーの小さな電子を生成する。
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【課題】使用条件が異なる場合に容易に対応できる汎用性をもたせると共に、ビーム照射中に電子ビームの分布を変更することにより、リアルタイムに基板の処理状態を制御可能にする。
【解決手段】陰極としての放電容器1の内部に、陽極となる棒状の電極2を2本配置し、これらの電極2に直流電源6を接続して電圧を印加する。また、2本の電極2の間に1本の棒状の絶縁体3を配置し、かつ、絶縁体3を絶縁体駆動部20により上下左右に移動可能な構造にする。さらに、放電容器1には、容器内でプラズマを発生させるために必要なガスを導入するガス供給口4、および電子ビームを放出する放出部であるビーム放出孔5を設ける。 (もっと読む)


本発明は、ゼーマン減速装置と、このゼーマン減速装置用のコイルと、原子ビームを冷却する方法とに関する。長手軸(L)に沿って広がる内部通路(230)を備える冷却部(212)を有するゼーマン減速器が開示され、内部通路(230)は、長手軸(L)に垂直な断面を有し、内部通路(230)の断面積は、冷却部(212)の少なくとも一部において長手軸(L)に沿って単調増加する。 (もっと読む)


【課題】安価に短時間で所望の単位時間当たりの放出原子密度分布にすることを可能にする。
【解決手段】陽極駆動部31aにより陽極2の中心を回動軸として反復回動可能にすることにより、陽極2と原子放出部との距離を変化させる。制御部32aは、陽極2の変位により所望の原子密度分布を得るように設定された入力データを受けて、陽極2を変位させるための駆動制御信号を前記陽極駆動部31aに出力する。また、制御部32aによって、陽極駆動部31aを駆動中に停止したり、駆動速度を変更したりして、陽極2における各姿勢の滞在時間などを変更することにより、単位時間あたりの原子密度を変化させる。 (もっと読む)


【課題】エッチング時に必要な加速エネルギーを確保することができる、プラズマを分離加速させる中性ビームエッチング装置を提供する。
【解決手段】中性ビームエッチング装置は、一方が第1開口を形成する第1チャンバー110と、一方が第2開口を形成し、プラズマ生成領域が形成されるよう第1チャンバー110の内部に配置される第2チャンバー120と、第1開口およびプラズマ生成領域を連結する第1チャネル130と、第2開口およびプラズマ生成領域を連結する第2チャネル140と、第1チャンバー110の外部表面上に配置し、磁場を形成してプラズマ生成領域でプラズマを生成するコイル160と、第1チャネル130および第2チャネル140に配置し、第1チャネル130および第2チャネル140を介してプラズマを陽イオンと電子とに分離加速させて放出させる加速部170とを含む。 (もっと読む)


【課題】 中性粒子ビームのビーム径を広げ、基板上のより広い面積に粒子の堆積を行う

【解決手段】 中性粒子生成源として不活性ガスを満たしたクラスター生成容器5内で、
間欠的なレーザビームを材料の固体ターゲットに照射し、発生した材料蒸気の分子又は原
子同士の結合によりクラスター群を形成せしめ、形成されたクラスター群を、該クラスタ
ー生成容器5の容器窓7から中性粒子ビームとして流出せしめ、該中性粒子ビームの途中
において該中性粒子に対してビーム中央から外周に向かう力を作用させるガイド11aお
よびガス噴射口12aを設け、中性粒子の流れを変化させる。 (もっと読む)


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