接続不良が少なく、接続密度が高く、接続信頼性の高い多層配線基板と半導体チップの接続方法を提供すること。
【構成】 配線層を形成した基板上に、配線層を介してビアポストを形成した後、絶縁層によりビアポストを覆う。配線層およびビアポストの表面上には接着層である酸化銅（ＣｕＯ）の針状結晶が形成されている。次に、ビアポストの頭だしを行い、かつ絶縁層とビアポストの上端面とにより平坦面を形成する。さらに、同様な工程を繰り返して、多層配線基板を形成する。その後、絶縁層のエッチングを行うとともに、エッチングにより露出した部分の酸化銅（ＣｕＯ）の針状結晶が除去される。このため、ビアポストの一部が、露出する。この露出部がバンプ２９として機能する。そして、半導体チップと多層配線基板との接続を、半導体チップ３３上に形成されているパッドとバンプとを接続することにより行う。 （もっと読む）

【構成】 絶縁フィルム上に形成された導体回路の接続用導体部とＩＴＯ電極を有する基板とを接続する接着剤において、一般式Ａｇ_X Ｃｕ_1ーX （０．００８≦ｘ≦０．４、ｘは原子比）で表され、かつ粒子表面の銀濃度が平均の銀濃度より高く、平均粒子径が３〜２３μｍでかつ平均粒子径±２μｍの存在割合が８０％以上である球状の導電粉末１重量部、有機バインダー０．５〜１００重量部を含有することを特徴とする異方性導電性組成物。
【効果】 金などを用いないためコスト削減になるのみならず、電極間でのショートがなく、導電粉末の多少の変形することで接合接点を充分に確保でき、ＩＴＯ電極と絶縁フィルム上の接続用導体部間の導通にも優れ、耐環境性にも優れた導電異方性電極接続用組成物及びその硬化膜を提供するものである。 （もっと読む）

【目的】 既存フレームの流用率を高め、フレームの開発量を削減する。
【構成】 既存フレームに合わせて、パッドのボンディング点の位置を決定できるようにするため、まず、ボンディング可能領域表示部１１でパッドのボンディング点が配置できる領域を示し、パッド編集部１２でその領域内にパッドのボンディング点を配置できるように、パッドの移動、複写、消去を可能とした。
【効果】 既存フレームの流用率を高め、フレームの開発量を削減する。 （もっと読む）

本発明は、金属マトリックス複合材料（ＭＭＣ）から形成される成形体（１）、特にヒートシンクまたは銅から形成される成形体（１）をセラミック成形体（２）、特にセラミックプリント基板と結合する方法に関する。本発明により、ＭＭＣ成形体（１）または銅成形体（１）に隣接するセラミック成形体（２）の表面に第１金属（４）が被覆され、これによりセラミック成形体（２）をＭＭＣ成形体または銅成形体（１）に載置する。更に２つの成形体（１、２）をＭＭＣ成形体（１）のマトリックス金属または銅成形体（１）の銅またはセラミック成形体（１）の表面に被覆された第１金属（４）から形成される系の共融温度より高い温度に加熱し、引き続き室温に冷却させる。 （もっと読む）