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国際特許分類[H05K3/38]の内容

国際特許分類[H05K3/38]に分類される特許

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【課題】高密着強度をもち、非常に鮮明、かつ、微細な配線を形成し得る組成物、配線支持体、電子デバイス、及び、製造する方法を提供すること。
【解決手段】第1樹脂成分Aと、第2樹脂成分Bと、外部から与えられる熱エネルギーによって金属成分が遊離する金属化合物Cとを含む配線支持体製造用組成物であって、第1樹脂成分Aと、第2樹脂成分Bとは、熱分解温度Tdが互いに異なる。 (もっと読む)


【課題】配線間の絶縁性に優れ信頼性の高い配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スピンコート法により、ベースポリマーがポリイミド樹脂である非感光性樹脂のワニスを塗布後、ベーク、キュアしてポリイミド樹脂を硬化、膜を形成する。これを第1絶縁膜12とする。次いで、めっきシード層18形成、フォトレジスト溝パターン22形成、めっき、フォトレジスト溝パターン22除去、配線下以外のめっきシード層18除去に依り、第1の絶縁膜上に配線26を形成する。そして、第1絶縁膜の表面上にシリカ粒子30を分散し、散したシリカ粒子30をマスクとして、CF4及びO2を混合したガスで、第1絶縁膜12をドライエッチングすることに依り、段差が100nm以上の凹凸32を形成する。最後に前述と同様にして、スピンコート法により、第2絶縁膜としてのポリイミド樹脂膜34を形成する。 (もっと読む)


【課題】微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を十分に低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性を有する半導体チップ搭載用基板を製造可能な方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体チップ搭載用基板製造方法は、基板の表面の導体回路の少なくとも一部を覆うように、電解ニッケルめっきによりニッケル層を形成する工程と、基板に対してデスミア処理を施す工程と、クエン酸を含む溶液に基板を浸漬する工程と、ニッケル層の少なくとも一部を覆うように、無電解めっきによりパラジウム層又は金層を形成する無電解めっき工程とをこの順序で備える。 (もっと読む)


【課題】樹脂基材に貼り付け後の銅箔の変色を生じない耐熱性に優れた粗化箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧延銅箔10に粗化めっき層11を形成し、樹脂基材と貼り合わせる粗化めっき層11と反対側の圧延銅箔10の表面に、ニッケルめっき層又はニッケルとコバルトの合金めっき層14を有する防錆処理層13を施した粗化箔において、防錆処理層13のS含有量が1ppm以上50ppm以下としたものである。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板上に密着力の弱い材料を直接積層することができる基板製造方法、配線基板の製造方法、ガラス基板および配線基板を提供する。
【解決手段】ケイ素酸化物を含むガラス基板2をいて形成されている基板を製造する基板製造方法であって、前記ガラスのケイ素酸化物を選択的にエッチングすることでアンカー部を形成するエッチング工程を備え、ケイ素酸化物を含むガラスを用いて形成されるガラス基板2において、前記ガラスのケイ素酸化物を選択的にエッチングすることで形成されたアンカー部を備える。 (もっと読む)


【課題】銅配線の粗化工程での配線の細りや配線幅のばらつきによる断線や剥がれ、粗化により形成される突起部への電荷の集中による絶縁信頼性の低下や電気信号の伝送損失の問題を、工程数やコストを増やすことなく実現し、微細且つ絶縁信頼性の高い銅配線パターンを有する多層配線基板を提供する。
【解決手段】本発明は、上記に述べた目的を実現するために、電解めっき法で露出した部分に銅めっき被膜を形成した後、フォトレジストを剥離する前に配線の粗化を行い、その後レジストを剥離してソフトエッチングを行うことで、側面は粗化されずに上面のみが粗化された配線を形成する。 (もっと読む)


【課題】繰り返し使用後も搬送される基板と良好な剥離性を示す基板搬送用キャリア基板を生産性よく製造することができる、基板搬送用キャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】支持体14上に配置されたシリコーン樹脂層と、加水分解性基を有する金属化合物とを接触させ、シリコーン樹脂層表面の少なくとも一部を表面修飾する表面修飾工程を備える、支持体14と、支持体14上に配置され、表面修飾されたシリコーン樹脂層12とを有する基板搬送用キャリア10の製造方法。 (もっと読む)


【課題】基材との良好な密着性を示しつつ、高精細な配線パターンを形成することができる貼り付け用銅箔を提供する。
【解決手段】基材に貼り付けるために用いられる貼り付け用銅箔10であって、基材に貼り付ける側の表面の表面粗さ(Rz)が0.500μm以下であり、正方形のボックスの一辺の大きさを1nm〜10nmに設定したボックスカウント法を適用して算出した、銅箔10の断面における基材に貼り付ける側の表面の輪郭線のフラクタル次元が1.020〜1.400である、貼り付け用銅箔10。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板に形成された貫通孔内に金属を充填する際に、当該貫通孔の孔内の底
部形状の影響を排除して、当該貫通孔の孔内におけるボイド発生を防止する。
【解決手段】貫通孔3が形成されたガラス基板2の一面側に第1メッキ層4aを形成して
貫通孔3の開口部を閉塞する第1の工程と、第1メッキ層4aを用いて行う電解メッキに
よりガラス基板2の他面側から第2メッキ層4bを堆積する第2の工程とを備える基板製
造方法において、第2の工程は、貫通孔3の底部の凹状窪みを平坦に均す平坦化段階と、
平坦に均した後の孔内に第2メッキ層4bを堆積させて当該孔内を埋める充填段階とを有
する。そして、少なくとも平坦化段階では、電解メッキとして、正の極性のフォワード電
流と負の極性のリバース電流を交互に与えるパルスメッキを行う。 (もっと読む)


【課題】高温高湿環境下に曝されても基板に対する密着性に優れる金属層を有する積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板10と所定の官能基を有するトリアジン化合物とを接触させ、基板上にトリアジン化合物層12を形成するトリアジン化合物層形成工程と、トリアジン化合物層12に、めっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき触媒またはその前駆体が付与されたトリアジン化合物層12に対してめっき処理を行い、トリアジン化合物層上に金属層14を形成するめっき工程とを備える、金属層を有する積層体16の製造方法。 (もっと読む)


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