【課題】回路基板を製造する際の接合を高温で行う場合において、一様に高い接合強度をもった回路基板を低コストで得る。
【解決手段】積層構造体は、セラミックス基板の上下にそれぞれ金属板が積層されて構成される。この積層構造体が、スペーサを挟んで多数積層されて、略矩形体の被加圧体１００とされる。柱状部材５３は、被加圧体１００における積層方向に垂直な断面（矩形）の３辺を取り囲む形態で３本ずつ３列設けられる。被加圧体１００の上辺、左辺においては、被加圧体１００におけるこれらの辺（側面）と接するように、板状の縦方向スペーサ３１、３２がそれぞれ設けられる。被加圧体１００に圧力が印加された後で、縦方向スペーサ３１、３２は抜き取られる。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と金属層との組立作業性を向上させることができ、強固な接合を得ることができるパワーモジュール用基板の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】耐熱シート２０上にセラミックス基板２及び金属板６，７を面方向に進退可能なガイド枠１３により面方向に位置決めしながら積層する積層体積み重ね工程と、セラミックス基板２及び金属板６，７の積層体３０の上に新たな耐熱シート２０を載置する耐熱シート載置工程とを繰り返すことにより、積層体３０を耐熱シート２０を介して複数積み重ね状態とするとともに、積層体積み重ね工程から耐熱シート載置工程までの間は積層体３０が載置される耐熱シート２０の側縁部を上方から押圧し、耐熱シート載置工程後から次の積層体積み重ね工程までの間は最上段の耐熱シート２０を上方から押圧状態とした後、耐熱シート２０の側縁部の押圧を解除してガイド枠１３を退避させる。 （もっと読む）

【課題】軟化温度が高く、耐熱性に優れると共に、高光沢であっても表面の微小キズおよびスジが目立たず、オイルピット以外の凹凸が低減されて表面の均一性に優れた圧延銅箔及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】Ｓが２０ｐｐｍ以下で、表面の圧延平行方向の光沢度（ＪＩＳ Ｚ８７４１準拠）Ｇｓ（６０°）が６００を超え、かつ半軟化温度が１２０℃以上である圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】ディップ式による絶縁層の表面粗化において、Ａ３サイズ以上の大きな面積の基板の両面に形成された絶縁層を、同時に均一に低コストで粗化処理を行うことが可能なビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置を提供する。
【解決手段】エッチング液１を循環させながら粗化処理を行う表面粗化装置であって、第１供給パイプ５１、第１排出パイプ７１、第２供給パイプ５２、第２排出パイプ７２を挿入し、基板３の処理中は該第１供給パイプ５１と該第１排出パイプ７１からなる第１循環路と、該第２供給パイプ５２と該第２排出パイプ７２からなる第２循環路とを交互に使用することによりエッチング液１を循環させ、基板処理後は第２循環路を使用することによりエッチング液１を循環させながら、排出口２１の高さまで液位を上げてオーバーフローさせることを特徴とするビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置である。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板上の金属膜（第１の金属層、第２の金属層）のエッチング工程の歩留まりを向上させることのできるセラミック基板を提供する。
【解決手段】セラミック部２と、セラミック部２の少なくとも１面に、ビスマス（Ｂｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択された少なくとも１つの金属が拡散されためっき抑制層３と、から構成されるセラミック基板としたので、第１の金属層７を形成する際に、これらビスマス（Ｂｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択された少なくとも１つの金属が触媒毒として働き、第１の金属層７の成分がセラミック部２の表面深くから成長するのを抑制できるため、容易に金属膜（特に第１の金属膜７）をエッチングによって除去でき、その結果として、セラミック基板上の金属膜（第１の金属層７、第２の金属層８）のエッチング工程の歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】導体層及び絶縁樹脂層が交互に積層されてなる多層プリント配線板の絶縁樹脂粗化面形成方法において、絶縁樹脂に求められる低粗度且つ均一な粗化面をインプリント法により簡便に形成することを目的とする。
【解決手段】少なくとも（ａ）微細形状を有した面状の金型により前記絶縁樹脂層を上下から挟む工程と、（ｂ）前記絶縁樹脂層を加圧及び硬化させる工程と、（ｃ）前記金型及び前記絶縁樹脂層を引き剥がす工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基材を加熱しながら、基材表面に紫外線照射を行うことにより基材表面の改質を行うことが可能な基材表面の改質装置、およびそれを備えた印刷装置を提供する。
【解決手段】基材表面の改質装置１００は、基材としての半導体装置３の表面を加熱する赤外線照射ユニット１０３と、半導体装置３と相対して設けられ、半導体装置３に紫外線Ｖを照射する紫外線ランプ１０６と、紫外線Ｖを透過し、且つ半導体装置３から放射される熱エネルギーおよび赤外線照射ユニット１０３から照射される加熱エネルギーを遮断するように、半導体装置３および赤外線照射ユニット１０３と紫外線ランプ１０６との間に設けられた遮蔽部としての合成石英ガラス板１０５と、が備えられている。 （もっと読む）

【課題】微細配線形成や電気特性、製造コストの上で有利な配線板を提供するものであり、尚且つ信頼性が高く、高周波特性が良好な配線板を提供する。
【解決手段】表面の十点平均粗さがＲｚ=2.0μｍ以下の金属箔上に，（Ａ）アラルキル型エポキシ樹脂と（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤としてフェノール性水酸基を有するアラルキル型樹脂とを含むエポキシ樹脂組成物からなる厚さ0.1〜10μｍの接着補助剤層を有する接着補助剤付金属箔である。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と導体パターン層との強固な接合性を得ることができ、組立作業性を向上させることができるパワーモジュール用基板用の導体パターン部材を提供する。
【解決手段】導体パターン部材１０は、導体パターン層６とろう材箔９とを積層状態に仮固定してなり、導体パターン層６の表面にろう材箔９を溶接することにより形成された溶接部１２が、導体パターン層６の外縁の少なくとも対向する二辺に沿って又は前記二辺の端部に位置するように複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】セラミック部の表面に形成された金属層の密着強度が向上されたセラミック基盤を提供する。
【解決手段】セラミック部２と、セラミック部２の少なくとも１面に形成された、表面粗さ（Ｒａ）が１ｕｍ以上３０ｕｍ以下である表面処理層３と、表面処理層３の表面に、乾式めっき法によって形成された導電性金属からなる第１の金属層４と、第１の金属層４の表面に、乾式めっき法によって形成された導電性金属からなる第２の金属層５と、第２の金属層５の表面に、湿式めっき法によって形成された導電性金属からなる第３の金属層６と、からなるセラミック基板１とした。 （もっと読む）