国際特許分類[H05K3/38]の内容

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【課題】接合部にボイドが少なく、かつ、良好な接合状態のアルミニウム合金材とセラミックス材の接合方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム合金材を一方の被接合部材とし、セラミックス材を他方の被接合部材として、前記一方の被接合部材と他方の被接合部材とを接合する方法において、前記一方の被接合部材であるアルミニウム合金材の全質量に対する当該アルミニウム合金材内に生成する液相の質量の比が5〜35%となる温度に加熱して接合することを特徴とするアルミニウム合金材とセラミックス材の接合方法。 (もっと読む)


【課題】環境にやさしく経済的な方法により、基板の粗さを形成することができるだけでなく、ビルドアップ基板材料と金属回路層との密着力強化による高信頼性の微細回路を具現することができるビルドアッププリント回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のビルドアッププリント回路基板の製造方法は、(a)第1樹脂基板を提供する段階と、(b)前記第1樹脂基板の表面にエポキシエマルジョン溶液を塗布して粗さを形成する段階と、(c)前記粗さが形成された第1樹脂基板にコア回路層を形成してコア層を提供する段階と、を含むものである。 (もっと読む)


【課題】銅箔が極めて低い微細な粗化処理表面でも,合成樹脂基板との間が充分な接着力(強度)を有し,エッチング処理において粉末剥落(粉落)がなく、粗化処理用の電解溶液及び電解後の廃水処理等も良く、環境にやさしいプリント電気回路基板用銅箔を提供すること。
【解決手段】硫酸銅からなる酸性洗浄溶液で先に銅箔表面を洗浄し,その後に微量のリンタングステン酸ナトリウムからなる金属イオン化合物を含む酸性硫酸銅電解浴に投入して銅箔表面をめっきし粗化処理層となし,更にこの粗化処理層の上に公知技術の耐熱Zn合金層と防錆層を施し,最後に防錆層上にアルキルシリケート(Alkylsilicate)を塗装してなる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例によると、ベース基板と、ベース基板の上部に形成された内層絶縁層と、内層絶縁層の上部に形成された内層回路層と、内層回路層の上部に形成された内層回路保護層と、内層回路層の上部に形成された外層絶縁層と、外層絶縁層の上部に形成された外層回路層と、を含むプリント回路基板が提供される。 (もっと読む)


【課題】1次コイル及び2次コイルを有する絶縁層であるコイル層の製造工程を単純化し、コイル部品の製造工程性を向上させることができる、導体ライン製造用兼ビア製造用スタンプ及びこれを用いるコイル部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の導体ライン製造用兼ビア製造用スタンプは、プレート形態のインプリント本体部101と、インプリント本体部101の一面から突設され、インプリント本体部101の外郭側から中心側へ螺旋形態に連続したラインインプリント部102と、インプリント本体部101の一面から突設され、インプリント本体部101の中心側に位置したラインインプリント部102の端部から突設されるビアインプリント部103とを含む。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム基板表面を安全性に優れるとともに簡便な方法で、アルミニウム基板と絶縁樹脂層との密着性、半田耐熱性、耐屈曲性に優れるとともに、これを用いた各種装置の歩留まりを向上させることが可能な金属ベース回路基板を得ることができる金属ベース回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム基板12を0.1N−1.0Nの無機酸に0.5分間〜10分間接触させる工程と、処理後の前記アルミニウム基板表面に絶縁樹脂層14を形成し、次いで該絶縁樹脂層上に金属層16を形成する工程とを有することを特徴とする金属ベース回路基板10の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高密着強度をもち、非常に鮮明、かつ、微細な配線を形成し得る組成物、配線支持体、電子デバイス、及び、製造する方法を提供すること。
【解決手段】第1樹脂成分Aと、第2樹脂成分Bと、外部から与えられる熱エネルギーによって金属成分が遊離する金属化合物Cとを含む配線支持体製造用組成物であって、第1樹脂成分Aと、第2樹脂成分Bとは、熱分解温度Tdが互いに異なる。 (もっと読む)


【課題】配線間の絶縁性に優れ信頼性の高い配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スピンコート法により、ベースポリマーがポリイミド樹脂である非感光性樹脂のワニスを塗布後、ベーク、キュアしてポリイミド樹脂を硬化、膜を形成する。これを第1絶縁膜12とする。次いで、めっきシード層18形成、フォトレジスト溝パターン22形成、めっき、フォトレジスト溝パターン22除去、配線下以外のめっきシード層18除去に依り、第1の絶縁膜上に配線26を形成する。そして、第1絶縁膜の表面上にシリカ粒子30を分散し、散したシリカ粒子30をマスクとして、CF4及びO2を混合したガスで、第1絶縁膜12をドライエッチングすることに依り、段差が100nm以上の凹凸32を形成する。最後に前述と同様にして、スピンコート法により、第2絶縁膜としてのポリイミド樹脂膜34を形成する。 (もっと読む)


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