良溶解性イリジウム錯体及び有機ＥＬ素子
【課題】塗布法によるコーティングが容易で、高い発光効率及び低電圧化を実現可能な有機化合物、及び当該有機化合物を用いた高い発光効率を有する有機エレクトロルミネッセンス素子のための材料、並びにそれを用いた発光素子を提供する。
【解決手段】式（１）で表わされるイリジウム錯体を含有してなる有機ＥＬ素子用ホスト材料。
【解決手段】式（１）で表わされるイリジウム錯体を含有してなる有機ＥＬ素子用ホスト材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶剤への溶解性が良好な有機エレクトロルミネッセンス素子用ホスト材料及びゲスト材料、並びにこれらを含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「エレクトロルミネッセンス」を「ＥＬ」と略すことがある。）に関するものである。また、本発明は、これらの溶剤への溶解性が良好な材料を用いた湿式製膜法で製造された発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略す。）は、低電圧で高輝度の発光を得ることが出来る為、有望な次世代の表示素子として注目を集めている。
有機ＥＬ素子は、印加電圧が低く消費電力が小さく、小型化が可能であり、面発光であり、三原色発光もできることから、このような有機ＥＬ素子をマルチカラーディスプレイや照明器具などへ適用する動きが盛んに検討されている。しかし、高機能なマルチカラーディスプレイを開発する為には、光の三原色である赤色、緑色及び青色のそれぞれ各色の発光素子特性及びその効率を向上させる必要があり、また照明器具とするためにも発光効率の改善が求められている。
【０００３】
有機ＥＬ素子の発光素子特性向上の手段として、有機ＥＬ素子の発光層に燐光発光材料を利用することが提案されている。電子と正孔の再結合による電流励起においては、スピン統計則により、三重項の固有状態の３個と一重項の固有状態の１個の合計４種の固有状態が再結合により等確率で起こるために、一重項励起子と三重項励起子が１：３の確率で起こる。このように、電流励起による有機ＥＬ素子において、燐光性発光材料が特に注目されている理由は、原理的に高発光効率が期待できるからである。これまでの有機ＥＬ素子は、一重項励起子から基底状態に遷移する際の蛍光を発光として取り出していたが、原理的にその発光収率は生成された励起子数に対して、２５％でありこれが原理的上限であった。しかし、三重項から発生する励起子からの燐光を用いれば、原理的に少なくとも３倍の収率が期待され、さらに、エネルギー的に高い一重項からの三重項への項間交差による転移を考え合わせれば、原理的には４倍の１００％の発光収率が期待できる。
事実、燐光性発光材料を使用することにより、一重項励起による外部量子効率の限界である５％を超える材料が見出されてきている。燐光性発光材料を用いることにより赤色や青色では６〜７％の外部量子効率が達成され、緑色では外部量子効率が十数％に達するものまで開発されてきている。
【０００４】
このような燐光性発光材料として、次式で示されるビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウムアセチルアセトナート（Ｉｒ(ｐｐｙ)２（ａｃａｃ））や、次式で示されるトリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）イリジウムをはじめとしたオルソメタル化イリジウム錯体が広く知られている。
【０００５】
【化３】
【０００６】
燐光性発光材料（燐光ドーパント）の発光はホスト材料に依存するが、そのホスト材料に必要とされる基本性能としては、正孔輸送性および電子輸送性を有すること、ホスト材料の三重項状態のエネルギーレベルが燐光ドーパントの３重項エネルギーよりも大きいことなどが挙げられ、一般には低分子材料であるＣＢＰ（４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル）が好適に用いられている。
ＣＢＰ中でのＩｒ（ｐｐｙ）３の最大効率は１９％であったことが報告され（非特許文献１参照）、次式で示されるＢｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）
【０００７】
【化４】
【０００８】
では最大効率が７％であったことが報告され（非特許文献２参照）、また、次式で示されるＦＩｒｐｉｃ
【０００９】
【化５】
【００１０】
では最大効率が５．７％であったことが報告されている（非特許文献３参照）。このＦＩｒｐｉｃをＣＢＰではなく、ＣＤＢＰ中で使用した場合には最大効率が１０．４％になることも報告されている（非特許文献４参照）。
このような燐光性発光材料としては、白金錯体についても検討されてきており、例えば、次式で示されるＰｔＯＥＰ
【００１１】
【化６】
【００１２】
では、ＣＢＰ中で最大効率が６％であったことが報告されている（非特許文献５及び６参照）。さらに、本発明者らも、次式
【００１３】
【化７】
【００１４】
（式中、環Ａ及び環Ｂは、夫々独立して、置換基を有してもよい芳香環または芳香族複素環を表し、Ｘは酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、夫々独立して、水素原子または置換基を表す。但し、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４はそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。）
で表される２〜４環性の配位子を有する白金錯体（特許文献１参照）や、次式、
【００１５】
【化８】
【００１６】
【化９】
【００１７】
（式中、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは、夫々独立して、置換基を有してもよい芳香環または置換基を有していてもよい芳香族複素環を表し、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ１及びＲ２は夫々独立して水素原子または置換基を表す。但し、Ｒ１と環Ｂ、Ｒ２と環Ｂはそれぞれ結合して縮合環を形成してもよい。但し、Ｘがともに酸素原子で、Ｒ１及びＲ２が同時に水素原子で、かつ環Ａ、環Ｂ及び環Ｃが同時にベンゼン環となる場合を除く。
また、式中、環Ｄ及び環Ｇは、夫々独立して置換基を有してもよい芳香環または置換基を有していてもよい芳香族複素環を表し、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表し、環Ｅ及び環Ｆは夫々独立して置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環を表す。但し、環Ｅと環Ｆとが互いに結合して縮合環を形成してもよい。）
で表される２〜４環性の白金錯体（特許文献２参照）などを用いた燐光性発光材料を開発してきた。
さらに、近年では、これらの燐光性発光材料を単独ではなく、組み合わせて使用する方法も開発されてきている（特許文献３参照）。
【００１８】
このような低分子材料を用いた燐光素子は、層構成の最適化を容易に行うことができるため、高効率化や長寿命化が期待できるが、一方で経時的に有機層の結晶化や凝集が起こり素子が劣化して、素子寿命に多大な影響を与えるといった問題がある。さらに、蒸着プロセスにより素子を作製しなければならず、大掛かりな蒸着装置が必要でコストが高いという問題があり、さらに、基材の大面積化が困難という問題がある。真空蒸着法に比べてコストが安価で、大面積ディスプレイの製造が可能な方法としては、溶媒を用いて基材に塗布する塗布法がある。しかしながら、従来の低分子材料を溶剤に溶解又は分散させて塗工液を調製しようとしても溶解性、分散性が悪いため、均一で安定な塗工液が得られず、成膜できても膜安定性が悪いため、従来の低分子材料を塗布法により利用することは困難であった。
しかし、有機ＥＬ素子を照明装置や大面積ディスプレイとして応用してゆくためには、安定した層を容易に形成することができる塗布法による製造方法の開発が求められており、近年塗布法により成膜可能な燐光性発光材料が開発されている。このための方法としては、高分子材料を使用する使用する方法が開発されてきており、例えば、ＰＶＣｚ（ポリビニルカルバゾール）などの高分子ホストとＩｒ（ｐｐｙ）３（トリス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）錯体）などの低分子燐光ゲストとの混合溶液を塗布する方法（特許文献４参照）や、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）とオルトメタル化白金錯体との混合物の溶液を塗布する方法（特許文献５参照）などがあり、ホスト分子とゲスト分子のモノマーを共重合させて、全体を高分子化した高分子の溶液を塗布する方法（非特許文献７及び８参照）などがある。また、高分子材料としてデンドリマーを使用して、共役系デンドリマーの中心に低分子燐光ゲストを配し、低分子ホストとの混合溶液を塗布する方法（非特許文献９参照）等も報告されている。
また、燐光発光性化合物（ＥＭ）と電荷輸送性化合物（ＣＴＭ）を連結基（Ｘ）で結合させて、ＥＭ−Ｘ−ＣＴＭの形の化合物として溶媒への溶解性を改善させる方法（特許文献６、７又は８参照）などがある。このような連結基としては、ＥＭの末端とＣＴＭの末端が、０．３ｎｍ以上離れていることが必要とされている（特許文献７参照）。
さらに、酸素や水に対する安定性を高めた有機ＥＬ素子についても報告されている（特許文献９参照）。
しかしながら、これらの従来法では、溶液をスピン塗布して容易に成膜することができたとしても、得られた発光層の発光特性や素子寿命などは必ずしも十分ではなく、発光特性や素子の寿命がより改善された材料の開発が望まれている。
【００１９】
【特許文献１】特開２００４−３３５１２２号公報
【特許文献２】特開２００４−３３１５０８号公報
【特許文献３】特開２００３−７７６７４号公報
【特許文献４】特開２００１−２５７０７６号公報
【特許文献５】特開２００１−１８１６１７号公報
【特許文献６】特開２００４−１８５９６７号公報
【特許文献７】特開２００４−２９２４３６号公報
【特許文献８】特開２００４−２３４４号公報
【特許文献９】特表２００２−５４３５７０号公報
【非特許文献１】Adachi, et al., Appl. Phys. Lett., 77, 904 (2000)
【非特許文献２】Adachi, et al., Appl. Phys. Lett., 78, 1622 (2001)
【非特許文献３】Adachi, et al., Appl. Phys. Lett., 79, 2082 (2001)
【非特許文献４】Tokito, et al., Appl. Phys. Lett., 83, 569 (2003)
【非特許文献５】Baldo, et al., Nature, 395, 151 (1997)
【非特許文献６】O'Brien, et al., Appl. Phys. Lett., 74, 442 (1999)
【非特許文献７】J.-S.Lee et.al., Polymer Preprints 2001, 42(2), p.448-449(2001)
【非特許文献８】鈴木充典、時任静士, ＮＨＫ技研 Ｒ＆Ｄ, No.77, p.34-41(2003)
【非特許文献９】S.-C.Lo et.al., Adv.Mater., vol.14, No.13-14, p.975-979(2002)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、塗布法によるコーティングが容易で、高い発光効率を実現可能な有機化合物、並びに当該有機化合物を用いた高い発光効率を有する有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）及びその材料を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明者らは、塗布法によるコーティングが容易であり、高い発光効率を有する有機ＥＬ素子の研究を行っている過程で、一般式（１）で表されるイリジウム錯体が優れた溶媒溶解性や溶媒分散性を有することを見出した。また、一般式（２）で表される燐光発光性白金錯体も同様な溶媒溶解性や溶媒分散性を有することを見出した。さらに、本発明者らは、一般式（１）で表されるイリジウム錯体をホスト材料に用い、一般式（２）で表される燐光発光性白金錯体をゲスト材料として組み合わせて用いることにより、塗布の容易性と均一分散性を向上させるだけでなく、従来の塗布法による燐光性発光素子に比べ、発光効率を大幅に向上して素子の低電圧化を実現できることができることを見出し、本発明を完成させた。
従来、燐光発光材料であるイリジウム錯体は、イリジウム錯体分子同士が近接する凝集状態では、それぞれの分子の三重項状態同士でエネルギー交換を起こすため、リン光発光が消失する。この為、リン光発光化合物であるイリジウム錯体を凝集させることは適していなかった。しかし、下記一般式（１）で示されるイリジウム化合物をホスト材料に使用することによって、溶媒溶解性が改善されるだけでなく、高効率及び低電圧駆動が可能であることがわかった。さらに、一般式（２）で表される燐光発光性白金錯体を組み合わせて用いることにより、両者の溶媒溶解性や溶媒分散性が損なわれることなく、低電圧で高い発光効率を達成することができることを見出した。
本発明の有機ＥＬ素子は、少なくとも一対の対向電極と当該電極間に挟持される単層または多層の有機化合物層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を含有してなる発光素子において、前記有機化合物層のうち発光層が、下記一般式（１）で表される化合物をホスト材料として含有し、かつ下記一般式（２）で表される化合物をゲスト材料として含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
本発明に係るイリジウム錯体は良好な溶媒溶解性又は溶媒分散性を有し、溶媒中に均一に溶解又は分散し易い状態となっている。そのため、このイリジウム錯体を含む塗液を用いて被塗布材上に塗布することにより、本発明のイリジウム錯体化合物は塗膜中に凝集することなく均一に分散することが可能となるので、被塗布材上の各部において均一な発光特性をもたらすことができる。さらに、より高い発光効率を達成できるだけでなく、従来に比べて低電圧化駆動を可能とする。
上記組合せにより単分散に近い状態で均一に分散させることができる。化合物が膜中に均一に分散することは、注入された電荷に基づく発光が面内で均一に生じることとなるので、発光効率の向上にも寄与できることになる。
以下、本明細書では、有機エレクトロルミネッセンス素子を「有機ＥＬ素子」又は単に「ＯＬＥＤ（Organic Light-Emitting Diode.又はOrganic Light-Emitting Device.）」と省略して記述することがある。
【００２２】
すなわち、本発明は、燐光発光性のイリジウム錯体、好ましくはイリジウム−アセチルアセトナート又はアセトアセテート錯体における、有機配位子部分、好ましくはアセチルアセトナート配位子部分に少なくとも１つの置換基−Ｒｓ又は置換基−Ｏ−Ｒｓ（式中、Ｒｓは炭素数５以上、好ましくは炭素数５〜１５の炭化水素基を示す。）が導入された燐光発光性イリジウム錯体を提供することを第一の特徴とするものである。
本発明は、次の一般式（Ａ）
（Ｌ１）ｎ−Ｉｒ−（Ｌ２）ｎ１ （Ａ）
（式中、Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立してイリジウムの配位子を示し、配位子Ｌ１及びＬ２は少なくとも１つの−Ｒｓ基又は−Ｏ−Ｒｓ基（式中、Ｒｓは、炭素数５以上の炭化水素基を示す。）を有し、ｎ及びｎ１はそれぞれ０〜３の整数であって、ｎとｎ１の和は３である。）
で表される溶媒溶解性又は溶媒分散性に優れた燐光発光性イリジウム錯体に関する。より詳細には、本発明は、次の一般式（１）
【００２３】
【化１０】
【００２４】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アラルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基を示しており、それぞれの置換基が他の置換基と結合しても良い。Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン化アルキル基を表し、Ｒ１１は水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又はハロゲン化アルキル基を表す。また、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は重合性基又は該重合性基が重合した基を示してもよい。ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１の中の少なくとも一つは、炭素数５以上のアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数７以上のアラルキル基を表す。ｎは１又は２の整数を示し、ｎ１は１又は２の整数を示すが、ｎとｎ１の和は３である。）
で表されるイリジウム錯体に関する。
【００２５】
本発明の第二の特徴は、特異な形状を有する平面状の有機配位子を有する溶媒溶解性又は溶媒分散性に優れた白金錯体を提供することである。このような平面状の有機配位子としては、互いに直接又は１個の原子を介して連結された４個の芳香環からなり、各環と環との４カ所の連結部のうちの一端が開放されていることを特徴とするものである。
本発明は、次の一般式（Ｂ）又は一般式（Ｃ）
Ｋ１−Ｋ２−Ｚ１−Ｋ３−Ｋ４ （Ｂ）
Ｋ１−Ｚ２−Ｋ２−Ｋ３−Ｚ３−Ｋ４ （Ｃ）
（式中、Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、及びＫ４は、それぞれ独立して白金に共有結合又は配位結合をすることができる原子を有する芳香環を示し、Ｚ１、Ｚ２、及びＺ３はそれぞれ独立して環と環を結合する二価の原子を示す。）
で表される平面構造が可能な化合物を配位子として有する白金錯体に関する。より詳細には、本発明は、次の一般式（２）
【００２６】
【化１１】
【００２７】
（式中、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、この中の何れか２つの環が置換基を有していてもよい含窒素複素環を示し、残りの２つの環が置換基を有していてもよいアリール環又はヘテロアリール環を示し、環Ａと環Ｂ、環Ａと環Ｃ又は／及び環Ｂと環Ｄとで縮合環を形成してもよく、また、それぞれの環と前記置換基とで縮合環を形成していてもよい。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、この中のいずれか２つが白金原子に配位結合する窒素原子を示し、残りの２つは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｑ１、Ｑ２及びＱ３は、それぞれ独立して、二価の原子（団）又は結合手を示すが、Ｑ１、Ｑ２及びＱ３が同時に結合手を表すことは無い。）
で表される白金錯体に関する。
【００２８】
本発明の第三の特徴は、前記した本発明のイリジウム錯体の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料としての使用を提供することである。即ち、本発明は、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料に関する。また、本発明は、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体を素子材料として含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関する。
本発明の第四の特徴は、前記した本発明の白金錯体の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料としての使用を提供することである。即ち、本発明は、前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料に関する。また、本発明は、前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体を素子材料として含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関する。
【００２９】
本発明の第五の特徴は、前記した本発明のイリジウム錯体と白金錯体とを組み合わせてなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料としての使用を提供することである。即ち、本発明は、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表される本発明のイリジウム錯体、及び前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料に関する。また、本発明は、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体及び前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体を素子材料として含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関する。
本発明の第六の特徴は、前記した本発明のイリジウム錯体の、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）用のホスト材料としての使用を提供することである。即ち、本発明は、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体からなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）用ホスト材料に関する。また、本発明は、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）用のホスト材料としての使用に関する。また、本発明は、本発明の一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体をホスト材料として含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関する。より詳細には、本発明は、下記一般式（１）
【００３０】
【化１２】
【００３１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アラルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基を示しており、それぞれの置換基が他の置換基と結合しても良い。Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン化アルキル基を表し、Ｒ１１は水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又はハロゲン化アルキル基を表す。また、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は重合性基又は該重合性基が重合した基を示してもよい。ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１の中の少なくとも一つは、炭素数５以上のアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数７以上のアラルキル基を表す。ｎは１又は２の整数を示し、ｎ１は１又は２の整数を示すが、ｎとｎ１の和は３である。）
で表されるイリジウム錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子用ホスト材料に関する。また、本発明は、前記した一般式（１）で表されるイリジウム錯体を有機ＥＬ素子用のホスト材料として含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。より詳細には、本発明は、少なくとも一対の対向電極と当該電極間に挟持される発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層に前記した一般式（１）で表されるホスト材料を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。これらの本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、更にゲスト材料を含有させることができる。即ち本発明は、前記した本発明のホスト材料を含有してなる有機ＥＬ素子の発光層にさらにゲスト材料を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【００３２】
本発明の第七の特徴は、前記した本発明の白金錯体の、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料用のゲスト材料としての使用を提供することである。即ち、本発明は、前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体からなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）用のゲスト材料に関する。また、本発明は、前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体の、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）用のゲスト材料としての使用に関する。また、本発明は、前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体を有機ＥＬ素子のゲスト材料として含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関する。より詳細には、本発明は、ゲスト材料が下記一般式（２）
【００３３】
【化１３】
【００３４】
（式中、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、この中の何れか２つの環が置換基を有していてもよい含窒素複素環を示し、残りの２つの環が置換基を有していてもよいアリール環又はヘテロアリール環を示し、環Ａと環Ｂ、環Ａと環Ｃ又は／及び環Ｂと環Ｄとで縮合環を形成してもよく、また、それぞれの環と前記置換基とで縮合環を形成していてもよい。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、この中のいずれか２つが白金原子に配位結合する窒素原子を示し、残りの２つは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｑ１、Ｑ２及びＱ３は、それぞれ独立して、二価の原子（団）又は結合手を示すが、Ｑ１、Ｑ２及びＱ３が同時に結合手を表すことは無い。）
で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。また、本発明は、前記した一般式（２）で表される白金錯体を有機ＥＬ素子用のゲスト材料として含有してなる有機ＥＬ素子に関する。ここにおける有機ＥＬ素子は、ホスト材料をさらに含有してなるものであり、好ましいホスト材料としては、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体が挙げられる。
【００３５】
本発明の第八の特徴は、有機ＥＬ素子の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）を提供するものである。即ち、本発明は、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）に関する。また、本発明は、前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）に関する。さらに、本発明は、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体及び前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）に関する。
本発明の第九の特徴は、前記した本発明の塗布用の溶液又は分散液（塗液）を用いて有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造する方法を提供するものである。即ち本発明は、前記した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）を塗布して有機ＥＬ素子材料を含有する発光層を製造する方法に関する。また、本発明は、前記した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）を塗布して発光層を形成させることからなる有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
さらに、本発明の第十の特徴は、発光層が湿式製膜法で作成されたものであることを特徴とする発光素子を提供することである。即ち本発明は、前記した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）を塗布して発光層を形成させたことを特徴とする発光素子、より詳細には、有機ＥＬ素子に関する。
【００３６】
本発明は、照明用の素子や、大画面ディスプレーのような大型の有機ＥＬ素子材料の製造を容易にするための湿式製膜法の有機ＥＬ素子材料を提供するものであり、溶媒に対する溶解性又は分散性に優れ、かつ発光特性や素子の寿命が改善された有機ＥＬ素子材料を提供するものである。本発明者らは、このためにイリジウム錯体について検討してきたところ、燐光発光性のイリジウム錯体における有機配位子部分の有機残基に少なくとも１つの置換基−Ｒｓ又は置換基−Ｏ−Ｒｓ（式中、Ｒｓは炭素数５以上、好ましくは炭素数５〜３０、又は炭素数５〜１５の炭化水素基を示す。）を導入することにより、燐光発光性イリジウム錯体の溶媒溶解性又は溶媒分散性を顕著に改善することができることを見出した。このような比較的小さな有機基の導入により錯体の溶媒溶解性や溶媒分散性を顕著に改善できることは驚くべきことである。
即ち、本発明は、燐光発光性のイリジウム錯体において、有機配位子の有機残基部分に置換基として置換基−Ｒｓ又は置換基−Ｏ−Ｒｓ（式中、Ｒｓは炭素数５以上、好ましくは炭素数５〜３０、又は炭素数５〜１５の炭化水素基を示す。）が少なくとも１個、好ましくは１〜５個、より好ましくは１〜３個が導入されたイリジウム錯体を提供するものである。
本発明の置換基−Ｒｓ又は置換基−Ｏ−ＲｓにおけるＲｓとしては、炭素数５以上、好ましくは炭素数５〜３０、又は炭素数５〜１５の炭化水素基であり、当該炭化水素基としては、炭素数５以上、好ましくは炭素数５〜３０、より好ましくは炭素数５〜１５の直鎖状、分枝状、環状の飽和又は不飽和、好ましくは飽和の脂肪族炭化水素基、炭素数６〜３０、好ましくは炭素数６〜１４の単環式、多環式、又は縮合環式の炭素環式芳香族基、前記した炭素環式芳香族基に炭素数１〜１０、好ましくは炭素数１〜５のアルキル基が置換した置換芳香族基、炭素数１〜５の直鎖状、又は分枝状のアルキル基に前記した炭素環式芳香族基が置換した炭素数７以上、好ましくは炭素数７〜３０のアラルキル基などが挙げられる。好ましい炭化水素基としては、炭素数５以上、好ましくは炭素数５〜３０、より好ましくは炭素数５〜１５の直鎖状又は分枝状のアルキル基；炭素数５以上、好ましくは炭素数５〜３０、より好ましくは５〜１５の単環式、多環式、又は架橋式のシクロアルキル基；前記したアルキル基で置換されているシクロアルキル基；炭素数７以上、好ましくは炭素数７〜３０のアラルキル基などが挙げられる。
置換基−Ｏ−Ｒｓは、前記してきたＲｓに酸素原子がさらに結合したものであり、前記してきた炭化水素基のオキシ基に相当するものである。好ましいオキシ基としては、前記したアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基から誘導されるアルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基などが挙げられる。
【００３７】
本発明のイリジウム錯体としては、次の一般式（Ａ）
（Ｌ１）ｎ−Ｉｒ−（Ｌ２）ｎ１ （Ａ）
（式中、Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立してイリジウムの配位子を示し、配位子Ｌ１及びＬ２は少なくとも１つの−Ｒｓ基又は−Ｏ−Ｒｓ基（式中、Ｒｓは、炭素数５以上の炭化水素基を示す。）を有し、ｎ及びｎ１はそれぞれ０〜３の整数であって、ｎとｎ１の和は３である。）
で表される溶媒溶解性又は溶媒分散性に優れた燐光発光性イリジウム錯体が挙げられる。 好ましい配位子Ｌ１の例としては、置換又は非置換の２−フェニルピリジン類が挙げられるが、これに限定されるものではない。また、好ましい配位子Ｌ２としては、アセチルアセトンや、アセト酢酸又はそのエステルが挙げられるが、これに限定されるものではない。前記したように、本発明の燐光発光性のイリジウム錯体は、配位子部分に置換基として１つ以上の置換基−Ｒｓ又は置換基−Ｏ−Ｒｓ（式中、Ｒｓは炭素数５以上、好ましくは炭素数５〜１５の炭化水素基を示す。）を有するイリジウム錯体である。
より好ましい本発明のイリジウム錯体としては、下記の一般式（１）
【００３８】
【化１４】
【００３９】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アラルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基を示しており、それぞれの置換基が他の置換基と結合しても良い。Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン化アルキル基を表し、Ｒ１１は水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又はハロゲン化アルキル基を表す。また、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は重合性基又は該重合性基が重合した基を示してもよい。ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１の中の少なくとも一つは、炭素数５以上のアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数７以上のアラルキル基を表す。ｎは１又は２の整数を示し、ｎ１は１又は２の整数を示すが、ｎとｎ１の和は３である。）
で表されるイリジウム錯体が挙げられる。
【００４０】
以下に一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、及びＲ１１で示される基の説明をする。
アルキル基としては、例えば、炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０の直鎖状、又は分枝状の鎖状のアルキル基や、炭素数３〜３０、好ましくは炭素数３〜２０、より好ましくは炭素数３〜１０の単環式、多環式、又は架橋式のシクロアルキル基が挙げられ、具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、２−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられるが、フッ素原子が好ましい。
アルコキシ基としては、前記したアルキル基に酸素原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基などが挙げられる。
ハロゲン化アルキル基としては、前記したアルキル基の１個以上の水素原子がフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子により置換された基が挙げられ、具体的には、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等のパーフルオロアルキル基等が挙げられる。
ジアルキルアミノ基としては、アミノ基の２個の水素原子が、それぞれ独立して前記したアルキル基で置換されたものが挙げられ、具体例としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ（ｎ−プロピル）アミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジ（ｎ−ブチル）アミノ基、ジ（ｎ−ヘキシル）アミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基などが挙げられる。
アリール基としては、炭素数６〜３０、好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１２の単環式、多環式、又は縮合環式の炭素環式アリール基が挙げられ、具体例としては、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントラニル基などが挙げられる。これらのアリール基は、前記したアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。
アラルキル基としては、炭素数１〜５の直鎖状、又は分枝状のアルキル基に前記したアリール基が置換した炭素数７以上、好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜１５のアリールアルキル基が挙げられ、具体例としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、１−フェニルエチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基などが挙げられる。これらのアラルキル基は、前記したアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。
ジアリールアミノ基としては、アミノ基の２個の水素原子が、それぞれ独立して前記したアリール基で置換されたものが挙げられ、具体例としては、例えば、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基などが挙げられる。
また、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６、Ｒ６とＲ７、及びＲ７とＲ８のそれぞれ隣接する基、又はＲ４とＲ５のように相互にオルト位に位置する基は、それぞれ一緒になって隣接する炭素原子と共に環を形成する場合には、形成される環は飽和又は不飽和の単環でも多環でもよく、５員環又は６員環が好ましい。また、同様にＲ９とＲ１１又はＲ１０とＲ１１がそれぞれ一緒になって隣接する炭素原子と共に環を形成する場合には、形成される環は飽和又は不飽和の単環でも多環でもよく、５員環又は６員環が好ましい。このようにして形成される好ましい環としては、ベンゼン環、ナフタレン環等の炭素環式芳香環、ピリジン環、ピラジン環等の芳香族複素環等が挙げられる。
本発明の一般式（１）で表されるイリジウム錯体における、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１の中の少なくとも１つの基が、炭素数５〜３０のアルキル基又はアルコキシ基であるもの、又はＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の中の少なくとも２つ以上の基が、炭素数５〜３０のアルキル基又はアルコキシ基であるものが好ましい。
以下、本発明に用いられるホスト材料である溶解性の高いイリジウム金属錯体のより好ましい具体的な構造式を以下に示す。但し、代表例を例示しただけで、本発明はこれらに限定されるものではない。
以下に例示する化合物中、Ｐｈはフェニル基を、Ｃｙはシクロヘキシル基を表す。
【００４１】
【化１５】
【００４２】
【化１６】
【００４３】
【化１７】
【００４４】
【化１８】
【００４５】
これらの本発明のイリジウム錯体は、それ自体で有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料として使用することができる。また、好ましくは、これらの本発明のイリジウム錯体は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）用のホスト材料として使用することができる。
次に本発明のイリジウム錯体の製造方法について詳細に説明する。本発明のイリジウム錯体、より詳細には本発明の前記一般式（１）で表される化合物は、種々の手法で合成することができ、例えばInorg.Chem.1991年,30号,1685頁.,同1988,27号,3464頁.,同1994年,33号,545頁., Inorg.Chem.Acta 1991年，181号,245頁., J.Organomet.Chem. 1987年，335号，293頁., J.Am.Chem.Soc.1985年,107号,1431頁等、公知の手法で合成することができる。すなわち、種々の配位子またはその遊離体とイリジウム化合物とを、溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、水などが挙げられる）の存在下又は溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）又は塩基非存在下、室温以下又は加熱して（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）、合成することができる。
本発明のイリジウム錯体を製造する際の出発原料としてのイリジウム化合物としては、例えば、（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー、イリジウムクロライド（III）水和物、６ハロゲン化イリジウム（III）化合物、例えば、カリウムヘキサクロロイリデート（III）、６ハロゲン化イリジウム（IV）化合物、例えばカリウムヘキサクロロイリデート（IV）及びその類縁体を用いることができる。
化学量論量の配位子と上記イリジウム化合物から三価六配位オルソメタル化イリジウム複核錯体の合成を行い、次いで塩基の存在下、又は非存在下に配位子を反応させて一般式（１）の化合物を合成する。必要であれば、トリフルオロメタンスルホン酸銀等を用いても良い。
【００４６】
溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、アセトニトリル等のニトリル類、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−プロパンジオール、グリセリン等の多価アルコール類、水等が挙げられる。これら溶媒は、夫々単独で用いても２種以上適宜組み合わせて用いても良い。これら溶媒は、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−プロパンジオール、グリセリン等の多価アルコール類及び水を単独で或いは２種以上を併用することが好ましい。
使用する溶媒の量としては、反応が十分に進行できる量であれば特に制限はないが、好ましくはイリジウム出発原料に対して通常１〜２００倍量、好ましくは約５〜５０倍量程度がよい。
【００４７】
この反応は不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。不活性ガスとしては、窒素ガス、アルゴンガス等が挙げられる。また、上記製造方法は、超音波発生装置を併用して行うことができる。
反応温度は、通常２５℃〜３００℃、好ましくは６０℃〜２００℃、より好ましくは８０℃〜１５０℃の範囲から適宜選択される。
反応時間は、通常１０分〜７２時間、好ましくは３０分〜４８時間、より好ましくは１時間〜６時間の範囲から適宜選択される。
この製造方法は、塩基の存在下で行うことが好ましい。塩基としては、無機塩基、有機塩基等が挙げられる。無機塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等が挙げられる。有機塩基としては、カリウムメトキシド、ナトリウムメトキシド、リチウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルカリ金属アルコキシド類、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ピペリジン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン、トリ−ｎ−ブチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン等の有機アミン類、水素化ナトリウム等の金属水素化物類等が挙げられる。
塩基の使用量は、一般式（１）で表される化合物に対して通常０．５〜１０当量、好ましくは０．８〜２当量、より好ましくは１〜１．２当量の範囲から適宜選択される。
また、銀塩を添加して反応を行っても良い。銀塩としては、例えば、硝酸銀、酢酸銀、トリフルオロ酢酸銀、メタンスルホン酸銀、トリフルオロメタンスルホン酸銀等が挙げられ、中でもトリフルオロ酢酸銀及びトリフルオロメタンスルホン酸銀が好ましい。
銀塩の使用量は、一般式（１）で表される化合物に対して通常１〜２０当量、好ましくは１．５〜１０当量、より好ましくは２〜３当量の範囲から適宜選択される。
本反応は、必要に応じて後処理、単離及び精製を行い多段階で反応を行なうこともでき、または、一切の後処理を行うことなくワンポットで反応を行なうことも可能である。後処理の方法としては、例えば反応物の抽出、沈殿物の濾過、溶媒の添加による晶析、溶媒の留去などが挙げられ、これらを単独もしくは併用して行うことができる。精製の方法としては、例えばカラムクロマトグラフィー、再結晶、昇華などが挙げられ、これらを単独あるいは併用して行うことができる。
【００４８】
本発明の良溶解性イリジウム錯体としては、溶剤におけるヒルデブランド（Ｈｉｌｄｅｂｒａｎｄ）の溶解度パラメータ（δ＝（Ｅ／Ｖ）１／２ （式中、Ｅはモル凝集エネルギーを表し、Ｖは分子の容積を表す。）を基準として、溶解度パラメータδの値が、６〜１１、好ましくは７〜１０の範囲にある溶剤に、０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、又は１．０質量％以上溶解することができるものが好ましい。このような溶剤としては、具体的には、例えば、ペンタン、ヘキサン、オクタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素、エチルエーテル、プロピルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン類、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、酢酸エチル等のエステル類などが挙げられる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）としては、前記した溶媒に本発明のイリジウム錯体が、０．１質量％以上、好ましくは０．１〜１５質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、又は１．０〜１５質量％程度溶解又は均一に分散しているものが挙げられる。
【００４９】
次に、本発明の白金錯体について説明する。本発明の白金錯体は、特異な形状を有する平面状の有機配位子を有する溶媒溶解性又は溶媒分散性に優れていることを特徴とするものである。このような平面状の有機配位子としては、互いに直接又は１個の原子を介して連結された４個の芳香環からなり、各環と環との４カ所の連結部のうちの一端が開放されていることを特徴とするものである。このような有機配位子としては、次の一般式（Ｂ）又は一般式（Ｃ）
Ｋ１−Ｋ２−Ｚ１−Ｋ３−Ｋ４ （Ｂ）
Ｋ１−Ｚ２−Ｋ２−Ｋ３−Ｚ３−Ｋ４ （Ｃ）
（式中、Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、及びＫ４は、それぞれ独立して白金に共有結合又は配位結合をすることができる原子を有する芳香環を示し、Ｚ１、Ｚ２、及びＺ３はそれぞれ独立して環と環を結合する二価の原子を示す。）
で表される平面構造が可能な化合物を配位子が挙げられる。
これらの配位子の特徴は、芳香環Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、及びＫ４の４カ所の金属に結合可能なサイト（共有結合が可能なサイト、又は配位結合が可能なサイト）を有すること、これらの４カ所の結合サイトが平面状に存在して各芳香環のπ電子が非局在化できること、Ｚ１、Ｚ２、又はＺ３の結合原子により４個の環が直線上ではなく中心金属を取り囲むように配置されること、及びＺ１、Ｚ２、及びＺ３の結合原子がπ電子の非局在化に必要なπ軌道を有していることである。これらの条件を満たすならば、芳香環Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、及びＫ４並びに結合原子Ｚ１、Ｚ２、及びＺ３は任意の置換基を有することができる。
芳香環Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、及びＫ４としては、芳香族であって、これらの４つの環のうちの少なくとも２個が中心金属に配位結合可能な孤立電子対を有する異種原子を含有する芳香複素環であればよいが、好ましい環としてはベンゼン環のような６員の炭素環式芳香環、ピリジン環のような窒素原子を含有する芳香複素環が挙げられる。結合原子としてのＺ１、Ｚ２、及びＺ３としては、２価以上の原子価を有する原子であって、π軌道を有する原子であれば特に制限はなく、例えば、窒素原子、酸素原子、ホウ素原子、ケイ素原子、硫黄原子、カルボニル基などのｓｐ２混成軌道の炭素原子などが挙げられる。
より詳細には、本発明の白金錯体としては、次の一般式（２）
【００５０】
【化１９】
【００５１】
（式中、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、この中の何れか２つの環が置換基を有していてもよい含窒素複素環を示し、残りの２つの環が置換基を有していてもよいアリール環又はヘテロアリール環を示し、環Ａと環Ｂ、環Ａと環Ｃ又は／及び環Ｂと環Ｄとで縮合環を形成してもよい。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、この中のいずれか２つが白金原子に配位結合する窒素原子を示し、残りの２つは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｑ１、Ｑ２及びＱ３は、それぞれ独立して、二価の原子（団）又は結合手を示すが、Ｑ１、Ｑ２及びＱ３が同時に結合手を表すことは無い。）
本発明の一般式（２）で表される化合物において、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄにおける置換基を有していてもよい含窒素複素環としては、少なくとも１個の窒素原子を異種原子として有する複素環であり、更に１個〜３個の例えば窒素原子、酸素原子又は硫黄原子からなる異種原子を含有していてもよい５〜８員、好ましくは５又は６員の単環式、多環式又は縮合環式の複素環が挙げられる。当該含窒素複素環の窒素原子は白金原子に配位することができるものである。多環式基や縮合環式基を形成する他の環としては前記した複素環式基や炭素環式基などが挙げられる。
好ましい当該含窒素複素環としては、例えば、ピリジン環、ジアジン環、トリアジン環、ピロール環、ジアゾール環、トリアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、ベンゾピリジン環、ベンゾジアジン環、ベンゾピロール環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、シンノリン環、ピラゾール環、２Ｈ−ピロール環などが挙げられる。
一般式（２）で表される化合物の環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄにおける含窒素複素環上の１個以上の水素原子は、置換基で置換されていてもよい。このような置換基としては、発光特性に悪影響を与えない基であれば特に制限はないが、好ましくは後述する一般式（３）で表される化合物におけるＲ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７で説明される基を挙げることができる。
本発明の一般式（２）で表される化合物において、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄが置換基を有していてもよいアリール環又はヘテロアリール環である場合の当該アリール環としては、炭素数６〜４０、好ましくは炭素数６〜３０、更に好ましくは６〜２０の単環式、多環式又は縮合環式の炭素環式芳香族基が挙げられる。また、当該ヘテロアリール環としては、１個〜３個の例えば窒素原子、酸素原子又は硫黄原子からなる異種原子を含有する、５〜８員、好ましくは５又は６員の単環式、多環式又は縮合環式の複素環式芳香族基が挙げられる。
好ましいアリール環及びヘテロアリール環としては、例えば、ベンゼン環、ピリジン環、ジアジン環、トリアジン環、ピロール環、ジアゾール環、フラン環、チオフェン環、ナフタレン環、ピリミジン環、ピリダジン環、キノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、ピラゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環などが挙げられる。
続いて、一般式（２）において、Ｑ１、Ｑ２及びＱ３で示される二価の原子（団）について説明する。
本発明においてＱ１、Ｑ２及びＱ３で示される二価の原子（団）は、４個の環基をつなぐスペーサーとして存在し、その具体例としては、例えば、−（ＣＲ１６Ｒ１７）ｎ２−、−Ｏ（ＣＲ１６Ｒ１７）ｎ２Ｏ−、−（Ｏ）ｎ３Ｃ（＝Ｏ）（Ｏ）ｎ４−、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ１８−、−ＢＲ１９−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−ＳＯ２−、−Ｏ（ＳＯ２）Ｏ−、−Ｓｉ（Ｒ２０Ｒ２１）−、−ＯＳｉ（Ｒ２０Ｒ２１）Ｏ−、−Ｃ（＝ＣＲ２２Ｒ２３）−等が挙げられる。また、Ｒ１６とＲ１７、Ｒ２０とＲ２１、Ｒ２２とＲ２３とが互いに結合して各々が置換している原子と共に環を形成してもよい。ｎ２は１〜３の整数を表し、ｎ３及びｎ４はそれぞれ０又は１を表す。これらのなかでも好ましくは、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ１８−、−Ｃ（＝ＣＲ２２Ｒ２３）−、−Ｓｉ（Ｒ２０Ｒ２１）−が挙げられる。
−（ＣＲ１６Ｒ１７）ｎ２−及び−Ｏ（ＣＲ１６Ｒ１７）ｎ２Ｏ−におけるＲ１６及びＲ１７としては、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アラルキル基又はアリール基が挙げられ、ＮＲ１８におけるＲ１８としては、アルキル基、アラルキル基又はアリール基が挙げられ、ＢＲ１９におけるＲ１９としては、アルキル基、アラルキル基及びアリール基が挙げられ、ＳｉＲ２０Ｒ２１及び−Ｏ（ＳｉＲ２０Ｒ２１）Ｏ−におけるＲ２０及びＲ２１としては、それぞれ独立して、アルキル基、アラルキル基又はアリール基が挙げられ、−Ｃ（＝ＣＲ２２Ｒ２３）−におけるＲ２２及びＲ２３としては、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基又はシアノ基が挙げられ、これらＲ１６、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２及びＲ２３で示されるアルキル基、アラルキル基及びアリール基の具体例等は、後述する一般式（３）で表される化合物におけるアルキル基、アラルキル基及びアリール基が挙げられ、アリール基又はアラルキル基の場合は、芳香環上にアルキル基のような置換基を少なくとも一つ有することが好ましい。また、Ｒ１６とＲ１７、Ｒ２０とＲ２１、Ｒ２２とＲ２３とが互いに結合して各々が置換している原子と共に形成される環としては、ヘテロ原子を含んでもよい５又は６員環が挙げられる。
具体的な環としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、テトラヒドロフラン環、テトラヒドロピラン環、ジオキソラン環、ジオキサン環、フラン環、ピラン環、チオフェン環、ベンゼン環、テトラヒドロシロール環及びシロール環等が挙げられる。また、これらの環は同一原子からの二価基のスピロ環、異なる原子からの二価基の飽和環、芳香族環等も含むものである。
本発明の一般式（２）で表される白金錯体における、Ｘ３及びＸ４が窒素原子であり、Ｘ１及びＸ２が炭素原子であるもの、環Ｃ及び環Ｄがピリジン環であり、環Ａ及び環Ｂがベンゼン環であるもの、又はＱ２及びＱ３が結合手で、Ｑ１が置換基を有してもよいフェニル基が置換した窒素原子であるものが好ましい。
本発明の白金錯体のより好ましい形態としては、例えば、下記一般式（３）で表される白金錯体が挙げられる。
【００５２】
【化２０】
【００５３】
（式中、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７は、それぞれ独立して、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アラルキル基、アリール基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、複素環基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基を表し、Ｒ２４基同士、Ｒ２５基同士、Ｒ２６基同士、Ｒ２７基同士、Ｒ２４とＲ２５、Ｒ２４とＲ２６、Ｒ２５とＲ２７とが一緒になって縮合環構造を形成してもよい。又はそれぞれの基とＱとで縮合環を形成してもよい。ｍ１、ｍ２、ｍ３及びｍ４は０〜３の整数を表す。また、ｍ１、ｍ２、ｍ３及びｍ４が２以上の整数の場合は、複数のＲ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７は異なっていてもよい。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４は前記と同じ意味を表し、Ｑは二価の原子（団）又は結合手を示す。）
一般式（３）において、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７で示されるアルキル基としては、例えば、炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０の直鎖状、又は分枝状の鎖状のアルキル基や、炭素数３〜３０、好ましくは炭素数３〜２０、より好ましくは炭素数３〜１０の単環式、多環式、又は架橋式のシクロアルキル基が挙げられ、具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
ハロゲン化アルキル基としては、前記したアルキル基の１個以上の水素原子がフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子によりハロゲン置換された基が挙げられ、具体的には、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等のパーフルオロアルキル基等が挙げられる。
アリール基としては、炭素数６〜３０、好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１２のアリール基が挙げられ、具体例としては、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントラニル基などが挙げられる。当該アリール基は、前記したアルキル基、後述するアルコキシ基、ハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。
アラルキル基としては、前記したアルキル基の１個以上の水素原子が前記したアリール基（当該アリール基は、前記したアルキル基、後述するアルコキシル基、ハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。）で置換された基が挙げられる。好ましいアラルキル基としては、置換基を有していてもよい、炭素数７〜３０、好ましくは７〜２０、より好ましくは７〜１５のアリールアルキル基が挙げられ、具体例としては、例えば、ベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、１−フェネチル基などが挙げられる。
【００５４】
ジアルキルアミノ基としては、前記したようなアルキル基により、２個の水素原子が置換されたアミノ基が挙げられ、具体例としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基などが挙げられる。
ジアラルキルアミノ基としては、前記したようなアラルキル基により、２個の水素原子が置換されたアミノ基が挙げられ、具体例としては、例えば、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。
ジアリールアミノ基としては、前記したようなアリール基により、２個の水素原子が置換されたアミノ基が挙げられ、具体例としては、例えば、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基などが挙げられる。
アルコキシ基としては、前記したようなアルキル基に酸素原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基などが挙げられる。
アラルキルオキシ基としては、前記したようなアラルキル基に酸素原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、ベンジルオキシ基、１−フェネチルオキシ基などが挙げられる。
アリールオキシ基としては、前記したようなアリール基に酸素原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフチルオキシ基などが挙げられる。
複素環基としては、例えば、イミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、チエニル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンズオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。
ヘテロアリールオキシ基としては、前記したような複素環基に酸素原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、２−ピリジルオキシ基、２−ピラジルオキシ基、２−ピリミジルオキシ基、２−キノリルオキシ基などが挙げられる。
アシル基としては、直鎖状でも分岐状でもよい、例えば、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等のカルボン酸由来の炭素数１〜１８のアシル基が挙げられ、具体例としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ピバロイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、ラウロイル基、ステアロイル基、ベンゾイル基、アクリロイル基等が挙げられる。
【００５５】
アルコキシカルボニル基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数２〜１９のアルコキシカルボニル基が挙げられ、具体例としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、２−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ラウリルオキシカルボニル基、ステアリルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
アシルオキシ基としては、カルボン酸由来の例えば炭素数２〜１８のアシルオキシ基が挙げられ、具体例としては、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ペンタノイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ラウロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、アクリロイルオキシ基等が挙げられる。
カルバモイル基としては、無置換のカルバモイル基又は窒素原子上の少なくとも１つの水素原子が前記したようなアルキル基、アリール基又はアラルキル基などで置換されたモノ又はジ置換カルバモイル基が挙げられ、例えば、カルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
トリアルキルシリル基としては、前記したようなアルキル基で置換されたシリル基が挙げられ、具体例としては、例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基などが挙げられる。
トリアリールシリル基としては、前記したアリール基で置換されたシリル基が挙げられ、具体例としては、例えば、トリフェニルシリル基などが挙げられる。
また、Ｒ２４基同士、Ｒ２５基同士、Ｒ２６基同士、Ｒ２７基同士が一緒になって縮合環構造を形成してもよく、更には、Ｒ２４とＲ２５、Ｒ２４とＲ２６又は／及びＲ２５とＲ２７とが一緒になって縮合環構造を形成していてもよい。該縮合環の具体例としては、例えばフェナンスレン環、フルオレン−９−オン環、１，１０−フェナンスロリン環、４，５−ジアザフルオレン−９−オン環等が挙げられる。
【００５６】
これらの白金錯体としては、前述のイリジウム錯体において説明した溶剤と同様の溶剤に、０．０１質量％以上溶解する、好ましくは０．１質量％以上溶解する、又は０．５質量％以上溶解するものが好ましい。このような白金錯体を溶解する溶剤としては、材料を溶解することが出来ればいずれの有機溶剤でも使用可能であり、少なくとも白金錯体を溶剤に対して０．０１ｗｔ％以上溶解する溶剤が好ましい。具体的な溶剤としては、ペンタン、ヘキサン、オクタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素、エチルエーテル、プロピルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン類、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、酢酸エチル等のエステル類などが挙げられる。好ましい溶剤としては、脂肪族炭化水素又は芳香族炭化水素が挙げられる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）としては、前記した溶媒に本発明の白金錯体が、０．０１ｗｔ％以上、好ましくは０．０１〜１５質量％、より好ましくは０．１〜１５質量％、又は０．５〜１５質量％溶解又は均一に分散しているものが挙げられる。
このような溶媒に溶解する白金錯体としては、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄ及びＱ上に低極性の基（例えばアルキル基、アラルキル基、アリール基等の炭化水素基）を有するものが好ましく、具体的な化合物としては以下のようなものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００５７】
【化２１】
【００５８】
【化２２】
【００５９】
発光素子の有機層（有機化合物層）の製膜方法は、特に限定されないが、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法などの方法が好ましい。更に好ましくは、構成材料等の有機溶剤溶液を調整し、スプレイコーティング、スピンコーティング、ディップコーティングなどのコーティング法、グラビア印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷等の印刷法、またはインクジェット法等によって印刷またはコーティングを行い、乾燥して製膜する。乾燥方法も特に制限はない。また、各種材料の粘度を調整するため、高分子材料を含有させても良い。このとき混合する高分子材料は、素子の性能を落とさないように、電子又は正孔輸送層を有するものが好ましい。例えば、溶剤に可溶としたポリフェニレン、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリビニルカルバゾール、ポリピロール、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリオキサジアゾール等が挙げられる。特に溶剤に可溶としたポリパラフェニレン、ポリビニルカルバゾールが好ましい。また、電子輸送を補助する材料を加えることも好ましい態様のひとつである。このような電子輸送を補助する材料としての具体例としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、多環系化合物、バソクプロイン等のヘテロ多環系化合物、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、アントラキノンジメタン誘導体、アントロン誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸又はペリレンテトラカルボン酸等の芳香環テトラカルボン酸の酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、イリジウム錯体等が挙げられる。
【００６０】
本発明の有機ＥＬ素子の発光層に含有される発光材料としては、本発明のイリジウム錯体や、白金錯体を単独で使用することも可能ではあるが、発光効率などの観点から、本発明のイリジウム錯体の少なくとも１種と、本発明の白金錯体の少なくとも１種を組み合わせて使用するのが好ましい。本発明のイリジウム錯体は、発光層におけるホスト材料としての機能を有するものであり、また、本発明の白金錯体は発光層におけるゲスト材料として機能するものであることから、両者の組み合わせはホスト−ゲストの組み合わせとなり、発光層の発光材料として好ましい組み合わせとなる。
発光層におけるホスト材料とゲスト材料の混合比は、発光層中の白金原子濃度が少なくとも０．２％以上となるようにする。具体的には、ホスト材料とゲスト材料の混合比が、０．５：９９．５〜９９．５：０．５の範囲が好ましい。発光層の膜厚は特に限定はないが、乾燥後１ｎｍ〜１μｍとした場合に、高い発光効率が得られ、１０ｎｍ〜５００ｎｍとなるように作製することが好ましい。
本発明の発光材料を塗布する際の溶媒としては、材料を溶解することが出来ればいずれの有機溶剤でも使用できる。例えばシクロヘキサノン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、クロロホルム、ジクロロメタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、テトラリン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ブチルカルビトール、Ｎ−メチルピロリドン、酢酸、メタノール、エタノール、フェノール、ブタノール、水等をあげることが出来る。溶剤の揮発速度が速いと溶液の粘度上昇が起こることや、使用する印刷版に材料が固着しやすくなることから、２５℃における蒸気圧が０．０１〜３．０ｋＰａ（０．１２〜２．５ｍｍＨｇ）の範囲内であって沸点が常圧で１００〜３００℃の範囲内であることが好ましい。このような溶剤の例として、トルエン、キシレン、シクロヘキサノン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、テトラリン、１，１，２−トリクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ブチルカルビトール、Ｎ−メチルピロリドン、酢酸、フェノール、ブタノール、水等が挙げられる。これらの溶剤は、単独で使用してもよく、混合して使用することもできる。
ゲスト及びホスト化合物の溶液の濃度は、印刷法やコーティング方法により異なるが、０．１質量％〜１５質量％の範囲であることが好ましい。ゲスト及びホスト化合物の濃度が０．１質量％未満であると、印刷又はコーティングした乾燥後の膜厚が薄くなり過ぎる為有機EL素子のショートを引き起こす恐れがある。一方、ゲスト及びホスト化合物の濃度が１５質量％を越えると、印刷又はコーティングした乾燥後の膜厚が厚くなり、発光させる為の必要な電圧が高くなる、或いは発光輝度が低くなることになる。得られる有機EL素子の性能から、材料の溶液中での濃度は０．５質量％〜１０質量％の範囲にあることが特に好ましい。材料の溶液中での濃度がこの範囲内であれば乾燥後の発光層の膜厚を１ｎｍ〜１μｍとなるように制御しやすい。
【００６１】
前記発光層上に電子輸送層等の異なる層を設ける場合、湿式製膜法又は真空蒸着法によって前記発光層上に設ける。好ましくはインクジェット法、印刷法やコーティング法などの湿式製膜法が好ましい。湿式製膜法により材料を溶剤に溶解又は分散させて得た溶液を、公知のコーティング法、インクジェット法、印刷法等によって塗布後乾燥させる。乾燥方法に特に制限はない。このとき使用する溶剤は、発光層が溶解することのないような溶剤が好ましい。このとき溶剤中の化合物濃度が０．１〜１０質量％となるように調整すると、乾燥後の電子輸送層の膜厚を１ｎｍ〜２００ｎｍとなるように制御しやすい。
発光素子は陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した素子であり、発光層の他、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有しても良く、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えた物であっても良い。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることが出来る。
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（以下、ＩＴＯという。）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性などの点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、たとえばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法など）、ＩＴＯ分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げ、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【００６２】
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いる事ができ、具体例としてはリチウム、ナトリウム、カリウムといったアルカリ金属およびその弗化物、マグネシウム、カルシウムといったアルカリ土類金属及びその弗化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。
陰極は、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることも出来る。陰極の膜厚は材料により適時選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法等の方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することも出来る。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金で極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させても良い。陰極及び陽極のシート抵抗は低い方が好ましい。
【００６３】
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール） 誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、イリジウム錯体等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の一種または二種以上から成る単層構造であっても良いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。正孔注入層、正孔輸送層の作製方法は、真空蒸着法やＬＢ法、前記の正孔注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法等）、インクジェット法等の方法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することが出来、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。陽極から注入された正孔を障壁する機能を有する正孔ブロッキング層のイオン化ポテンシャルは、発光層のイオン化ポテンシャルよりも大きいものを選択する。
具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、多環系化合物、バソクプロイン等のヘテロ多環系化合物、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、アントラキノンジメタン誘導体、アントロン誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸又はペリレンテトラカルボン酸等の芳香環テトラカルボン酸の酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、イリジウム錯体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の一種または二種以上から成る単層構造であっても良いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記の正孔注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法等）、インクジェット法等の方法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することが出来、樹脂成分としては正孔注入層及び正孔輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【００６４】
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであれば良い。具体例としては、インジウム、錫、鉛、金、銀、銅、アルミニウム、チタン、ニッケル等の金属、酸化マグネシウム、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ゲルマニウム、酸化ニッケル、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化鉄、酸化イッテルビウム、酸化チタンなどの金属酸化物、弗化マグネシウム、弗化リチウム、弗化アルミニウム、弗化カルシウムの金属弗化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも一種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法を適用できる。
【００６５】
本発明のイリジウム錯体や白金錯体を用いた高効率な発光素子は、省エネルギーや高輝度が必要な製品に応用が可能である。応用例としては表示装置、照明装置やプリンターの光源、液晶表示装置のバックライトなどが考えられる。表示装置としては、省エネルギーや高視認性・軽量なフラットパネルディスプレイが可能となる。また、プリンターの光源としては、現在広く用いられているレーザビームプリンタのレーザー光源部を、本発明の発光素子に置き換えることができる。独立にアドレスできる素子をアレイ上に配置し、感光ドラムに所望の露光を行うことで、画像形成する。本発明の素子を用いることで、装置体積を大幅に減少することができる。照明装置やバックライトに関しては、本発明による省エネルギー効果が期待できる。ディスプレイへの応用では、単純マトリックス方式及びアクティブマトリクス方式であるＴＦＴ駆動回路を用いて駆動する方式が考えられる。上記ＩＴＯ電極の上に多層あるいは単層の有機ＥＬ層／陰極層を順次積層し有機ＥＬ表示パネルを得ることができる。本発明の発光層を用いた表示パネルを駆動することにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。
【発明の効果】
【００６６】
本発明に係るイリジウム錯体及び白金錯体（以下、本発明の錯体とする）は、溶媒溶解性に優れるため、当該化合物を含む塗液を用いて成膜することが可能であり、有機発光素子、特に燐光有機発光素子をコーティング成膜によって作製することが可能である。
また本発明の錯体は塗膜中に凝集することなく均一に分散するので、有機ＥＬ素子に用いられた場合に被塗布材上の各部において均一な発光特性をもたらし、その結果、注入された電荷に基づく発光が面内で均一に生じることとなり、発光効率が向上する。
本発明の錯体は、これまでの塗布型発光・燐光材料に比べて効率が高く、かつ発光材料自身の凝集を抑制できるため、低電圧駆動も可能である。また、本発明の有機化合物は熱的安定性が高く、寿命向上に有利である。
従って本発明の錯体は、これまでの塗布型発光・燐光材料が抱える種々の問題を解決し、高効率的発光により長寿命な有機ＥＬ素子の実現を可能にする。
本発明に係る有機ＥＬ素子は、上記効果を有する本発明の錯体を含有する層が設けられているため、従来に比べて塗布により容易に該材料の分散性が高い層が得られ、更に高い発光効率を得ることができ、長寿命素子の実現が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６７】
以下に実施例等を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６８】
（合成例1）
化合物（１−１）（ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）２,４−トリデカンジオナート）の製造
化合物（１−１）を次に示す反応式にしたがって製造した。
【００６９】
【化２３】
【００７０】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー（５．０ｇ、７．４４ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中に２−エトキシエタノール（５０ｍＬ）、２−フェニルピリジン（４．８５２g、３．１３ｍｍｏｌ、４．２当量）を順次加え、１３５℃にて３時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温にまで冷却し、中間体のビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）クロライド ダイマーを懸濁液として得た。この懸濁液に、２,４−トリデカンジオン（４.７６ｇ、２２．３ｍｍｏｌ、３．０当量）及び炭酸ナトリウム（２.３７g、２２．３ｍｍｏｌ、３．０当量）を順次加え、１３５℃でさらに２時間攪拌し山吹色の懸濁液を得た。反応液から溶媒を減圧留去して、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタン）にて精製した。カラムの分画を濃縮した後、ヘキサン／ジクロロメタンから再結晶を行い、標題の化合物（１−１）を山吹色の粉末として４．７７ｇ得た。収率８９．９％。さらに減圧下、昇華精製を行った。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２): δ
0.89(t, J=7.2Hz, 3H), 0.91-1.38(m,14H),
1.97(t, J=7.4Hz, 2H), 5.19(s, 1H)
ＭＳ（Ｃ３５Ｈ３９Ｎ２Ｏ２Ｉｒ：M.W.712.26)：実測値：712.0,501.1
【００７１】
（合成例２）
化合物（１−２）（ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）１０，１２−ヘンイコサンジオナート）の製造
化合物（１−２）を次に示す反応式にしたがって製造した。
【００７２】
【化２４】
【００７３】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに、合成例１と同様にして得られたビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）クロライド ダイマー（１．５ｇ、１．４ｍｍｏｌ、１当量）を取り、この中に１−ブタノール（３０ｍＬ）及び１０，１２−ヘンイコサンジオン（１．２g、３．６８ｍｍｏｌ、１．３当量）を順次加えた。さらにナトリウムターシャリーブトキシド（０．３７ｇ、３．１２mmol、１．１当量）を徐々に加え、１３５℃にて３時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温にまで冷却し、ろ過した。ろ過物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン）にて精製した。カラムの分画を濃縮した後、ヘプタンから再結晶を行い、標題の化合物（１−２）を山吹色の粉末として０．７４３ｇ（０．９０mmol）得た。収率３２．０％。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）：δ
0.88(t, J=7.3Hz, 6H), 0.95−1.35(m、28H), 1.99(td, 4H), 5.18(s, 1H),
6.32(d, J=7.6Hz,2H), 6.68(dd, J=7.6, 7.7Hz, 2H),
6.81(dd, J=7.6, 7.7Hz, 2H), 7.08(dd, J=5.8, 8.1Hz, 2H),
7.55(d, J=7.7Hz, 2H), 7.70(dd, J=5.8, 8.1Hz, 2H), 7.83(d, J=8.1Hz, 2H),
8.49(d, J=5.8Hz, 2H)
ＭＳ（Ｃ４３Ｈ５５Ｎ２Ｏ２Ｉｒ：M.W.824.22)：実測値：824.3,501.2
【００７４】
（合成例３）
化合物（１−３）（ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）３−ドデシル−２．４−ペンタジオナート）の製造
化合物（１−３）を次に示す反応式にしたがって製造した。
【００７５】
【化２５】
【００７６】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに、（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー（２．０ｇ、２．９８ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中に２−エトキシエタノール（３０ｍＬ）、２−フェニルピリジン（１．８５g、１１．９ｍｍｏｌ、２当量）を順次加え、１３５℃にて３時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温にまで冷却した後、３−ドデシル−２．４−ペンタジオン（２．０４ｇ、7.74mmol、１．３当量）を加え、さらにナトリウムターシャリーブトキシド（０．６０１ｇ、６．２５mmol、１．０５当量）を徐々に加えた後、室温にて１０時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温にまで冷却後、ろ過し、ろ過物をトルエンに溶解して、トルエン溶液を水洗した。さらに飽和食塩水で２回洗浄した後、乾燥して溶媒を留去した。得られた粗生成物は、塩化メチレン／ヘプタンで再結晶を行い、化合物（１−３）を山吹色の粉末として３．２３ｇ（５．２６mmol）得た。収率８８.３％。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）：δ
0.88(t, J=7.1Hz, 3H), 1.20-1.31(m, 20H), 1.57(d, J=7.0Hz, 2H),
2.01(s, 3H), 2.33(s, 3H), 6.08(d, J=7.8Hz, 2H),
6.63(dd, J=7.5Hz, 7.8Hz, 2H), 6.78(dd, J=7.5Hz, 7.8Hz, 2H),
7.27(dd, J=8.0Hz, 5.5Hz, 2H), 7.51(d, J=7.8Hz, 2H),
7.80(dd, J=8.0Hz, 5.5Hz, 2H), 7.87(d, J=8.0Hz, 2H), 8.87(d, J=5.5Hz, 2H)
ＭＳ（Ｃ３９Ｈ４７Ｎ２Ｏ２Ｉｒ：M.W.768.32）;実測値：768.2,501.2
【００７７】
（合成例４）
化合物（１−４）（ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）ドデシル−３−オキソブタノエート）の製造
化合物（１−４）を次に示す反応式にしたがって製造した。
【００７８】
【化２６】
【００７９】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）クロライド ダイマー（１．８３ｇ、１．７１ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中にアセトン１００ｍLを加えた。さらにトリフルオロメタンスルホン酸銀（１．７５６g、６．８３ｍｍｏｌ、２当量）を添加して、還流下にて３時間攪拌した。室温まで冷却した後、析出した塩化銀をろ過した。得られたろ液を還流管を取り付けたシュレンクフラスコに窒素下で加えて、さらにドデシル−３−オキソブタノエート（２．３４０９ｇ、８．７２mmol、２．５５当量）及びトリエチルアミン１．５ｍLを添加して、還流下にて５時間攪拌後、室温まで冷却した。反応溶液をろ過した後、ろ液を減圧留去した。得られた粗生成物を塩化メチレンに溶解した後、セライトろ過を行い、ろ液を溶媒留去した後、ヘプタン再結晶を３回繰り返して、化合物（１−４）を山吹色の粉末として０．６０２ｇ（０．７８４mmol）得た。収率２２．９％。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２）：δ
0.89(t, J=7.1Hz, 3H), 1.01-1.36(m, 16H), 3.08(s, 3H), 3.76(m, 2H),
4.69(s, 1H), 6.23(d, J=7.6Hz, 1H), 6.27(d, J=7.6Hz, 1H), 6.67(m, 2H),
6.79(m, 2H), 7.13(m, 2H), 7.52(d, J=7.8Hz, 2H), 7.54(d, J=7.54, 2H),
7.72(dd, 2H), 7.82(d, J=8.0Hz, 1H), 7.82(d, J=8.0Hz, 1H),
8.54(d, J=7.7Hz, 1H), 8.62(d, J=7.7Hz, 1H)
ＭＳ（Ｃ３８Ｈ４５Ｎ２Ｏ２Ｉｒ：M.W.770.30): 実測値：770.0, 501.1, 154.0
【００８０】
（合成例５）
化合物（１−５）（ビス（２−（４−デシルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート）の製造
化合物（１−５）を次に示す反応式にしたがって製造した。
【００８１】
【化２７】
【００８２】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに、（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー（０．５ｇ、０．７４４ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中に２−エトキシエタノール（３０ｍＬ）、２−（４−デシルフェニル）ピリジン（０．８８g、純度９０％、５．１０ｍｍｏｌ、３．４当量）を順次加え、１３５℃にて４時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温まで冷却した後、カリウムアセチルアセトナート水和物（０．２９ｇ、純度９７％、１．９１ｍｍｏｌ、２．６当量）を加え、還流下にてさらに２時間攪拌し山吹色の懸濁液を得た。反応液から溶媒を減圧留去して、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタン）にて精製した。カラムの分画を濃縮した後、ヘプタン／ジクロロメタンから再結晶を行い、標題の化合物（１−５）を山吹色の粉末として０.５１５４ｇ（０．５８５mmol）得た。収率３９.３％。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）： δ
0.883(t, J=7.1Hz, 6H), 1.04-1.42(m, 32H), 1.77(s, 6H),
2.27(d, J=7.7Hz, 4H), 5.19(s, 1H), 6.02(s, 2H), 6.61(d, J=7.9Hz, 2H),
7.08(dd, J=5.7, 8.0Hz, 2H), 7.43(d, J=8.0Hz, 2H),
7.68(dd, J=5.7, 8.0Hz, 2H), 7.79(d, J=8.0Hz, 2H), 8.48(d, J=5.7Hz, 2H)
ＭＳ（Ｃ４７Ｈ６３Ｎ２Ｏ２Ｉｒ:M.W.880.45): 実測値：880.2, 781.3
【００８３】
（合成例６）
化合物（１−６）（ビス（２−（３−ヘキシルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）アセチルアセトナート）の製造
化合物（１−６）を次に示す反応式にしたがって製造した。
【００８４】
【化２８】
【００８５】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに、（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー（１．０ｇ、１．４４ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中に２−エトキシエタノール（６０ｍＬ）、２−（３−ヘキシルフェニル）ピリジン（１．４２５g、５.９５ｍｍｏｌ、２当量）を順次加え、１３５℃にて４時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温まで冷却した後、カリウムアセチルアセトナート水和物（０．５７ｇ、純度９７％、３．７６ｍｍｏｌ、１．３当量）を加え、還流下にてさらに２時間攪拌し山吹色の懸濁液を得た。反応液から溶媒を減圧留去して、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタン）にて精製した。カラムの分画を濃縮した後、ヘプタン／ジクロロメタンから再結晶を行い、標題の化合物（１−６）を山吹色の粉末として０.８８９８ｇ（１．１６mmol）得た。収率３８．９％。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）： δ
0.86(t, J=7.1Hz, 6H), 1.21-1.32(m, 12H), 1.51-1.58(m, 4H),
2.43(t, J=7.7Hz, 4H), 5.19(s, 1H), 6.16(d, J=7.8Hz, 2H),
6.54(d, J=7.8Hz, 2H), 7.09(dd, J=8.1Hz, 6.3Hz, 2H), 7.35(s, 1H),
7.69(dd, J=8.1Hz, 6.3Hz, 2H), 7.83(d, J=8.1Hz, 2H), 8.59(d, J=6.3Hz, 2H)
ＭＳ（Ｃ３９Ｈ４７Ｎ２Ｏ２Ｉｒ:768.32): 実測値：768.0, 669.1
【００８６】
（合成例７）
化合物（１−７）（ビス（２−フェニル（４−ペンチル−ピリジナト）−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）２、４−ペンタジオナート）の製造
化合物（１−７）を次に示す反応式にしたがって製造した。
【００８７】
【化２９】
【００８８】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに、（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー（０．２ｇ、０．２９８ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中に２−エトキシエタノール（２５ｍＬ）、２−フェニル−４−ペンチルピリジン（０.３５２g、１.０７ｍｍｏｌ、３．６当量）を順次加え、１３５℃にて４時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温まで冷却した後、カリウムアセチルアセトナート水和物（０.１５２ｇ、純度９７％、１.０７ｍｍｏｌ、３.４当量）を加え、還流下にてさらに２時間攪拌し山吹色の懸濁液を得た。反応液から溶媒を減圧留去して、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン/酢酸エチル）にて精製した。カラムの分画を濃縮した後、トルエン／ヘプタンから再結晶を行い、標題の化合物（１−７）を山吹色の粉末として０.２１６ｇ（０.２９mmol）得た。収率４９.１％。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２）: δ
0.95(t, J=7.1Hz, 6H), 1.42(m, 8H), 1.77(m, 4H), 1.78(s, 6H),
2.80(t, J=7.9Hz, 4H), 5.19(s, 1H), 6.25(d, J=7.6Hz, 2H),
6.66(dd, J=7.6Hz, 7.8Hz, 2H), 6.78(dd, J=7.6Hz, 7.8Hz, 2H),
6.97(d, J=5.9Hz, 2H), 7.52(d, J=7.8Hz, 2H), 7.64(s, 2H),
8.36(d, J=5.9Hz, 2H)
ＭＳ（Ｃ３７Ｈ４８Ｎ２Ｏ２Ｉｒ:740.04): 実測値：741.4, 692.3, 673.4, 641.4
【００８９】
（合成例８）
化合物（２−１）の合成
次の式に示される化合物（２−１）を、次に示される反応式にしたがって製造した。
【００９０】
【化３０】
【００９１】
アルゴン雰囲気下、Ｎ，Ｎ−ビス［３−（２−ピリジル）フェニル］−３，５−ジ（ｔ−ブチル）アニリン（２４８ｍｇ）及びテトラクロロ白金酸カリウム(II)（３０６ｍｇ）を混合し、酢酸を加えて１４０℃にて３日間撹拌した。加水後、塩化メチレンで抽出を行い、溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（２−１）を赤色結晶として得た（１２４ｍｇ）。
【００９２】
（合成例９）
化合物（２−２）の合成
次の式で示される化合物（２−２）を、次に示される反応式にしたがって製造した。
【００９３】
【化３１】
【００９４】
ベンゾニトリル中に塩化白金（II）（２１２ｍｇ）及びＮ，Ｎ−ビス［３−（２−ピリジル）フェニル］−４−ｎ−オクチルアニリン（４０９ｍｇ）を加え、還流下で５時間撹拌を行った。放冷後、ベンゾニトリルを留去し、加水後、塩化メチレンで抽出した。抽出液を濃縮して塩化メチレンを留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（２−２）を赤色結晶として得た（３２８ｍｇ）。
【００９５】
（合成例１０）
化合物（２−３）の合成
次の式で示される化合物（２−３）を、次に示される反応式にしたがって製造した。
【００９６】
【化３２】
【００９７】
ベンゾニトリル中に塩化白金（II）（１７９ｍｇ）及びＮ，Ｎ−ビス［３−（４−ｔ−ブチルピリジン−２−イル）フェニル］アニリン（３４４ｍｇ）を加え、還流下で５時間撹拌を行った。放冷後、ベンゾニトリルを留去し、加水後、塩化メチレンで抽出した。抽出液を濃縮して塩化メチレンを留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（２−３）を赤色結晶として得た（３２５ｍｇ）。
【００９８】
（合成例１１）
化合物（２−４）の合成
次の式で示される化合物（２−４）を、次に示される反応式にしたがって製造した。
【００９９】
【化３３】
【０１００】
ベンゾニトリル中にジクロロビスベンゾニトリル白金（II）（３１８ｍｇ）及びＮ，Ｎ−ビス［３−（２−ピリジル）フェニル］−４−［３，６−ジ（２，４，４−トリメチルペンタン−２−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］アニリン（５３１ｍｇ）を加え、還流下で５時間撹拌を行った。放冷後、ベンゾニトリルを留去し、加水後、塩化メチレンで抽出した。抽出液を濃縮して塩化メチレンを留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（２−４）を赤色結晶として得た（６６２ｍｇ）。
【実施例１】
【０１０１】
図１の素子構造１の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。なお、ＰＥＤＴはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を示し、ＰＳＳはポリスルホスチレンを示す（以下、同じ）。さらに、その上に、発光層として、合成例１で製造した化合物（１−１）をホスト材料として、合成例８で製造した化合物（２−１）をゲスト材料として、さらに、次式
【０１０２】
【化３４】
【０１０３】
で示される化合物ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、１，２−ジクロロエタンに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。その上に背面電極としてＢａを３０ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍ蒸着した。この素子に電流を流したところ、６．８Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【実施例２】
【０１０４】
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに、その上に、発光層として、合成例１で製造した化合物（１−１）をホスト材料として、及び合成例８で製造した化合物（２−１）をゲスト材料として、１，２−ジクロロエタンに溶解したもの（ホスト：ゲスト＝９４：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次に、正孔阻止層としてバトクプロイン（ＢＣＰ：２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）を蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に，電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）を蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、５．３Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【実施例３】
【０１０５】
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに，その上に，発光層としては，合成例１で製造した化合物（１−１）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、さらに合成例８で製造した化合物（２−１）をゲスト材料として、１，２−ジクロロエタンに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次に正孔阻止層としてＢＣＰを蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に，電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ，ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、４．３Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【実施例４】
【０１０６】
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに、その上に、発光層としては、合成例１で製造した化合物（１−１）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、さらに合成例９で製造した化合物（２−２）をゲスト材料として、ＴＨＦに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次に正孔阻止層としてＢＣＰを蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に、電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、５．４Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【実施例５】
【０１０７】
図１の素子構造２の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに、その上に、発光層としては、合成例２で製造した化合物（１−２）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、さらに合成例９で製造した化合物（２−２）をゲスト材料として、１,２−ジクロロエタンに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、５．４Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【実施例６】
【０１０８】
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに、その上に、発光層としては、合成例４で製造された化合物（１−４）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、さらに合成例９で製造された化合物（２−２）をゲスト材料として、ＴＨＦに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次に正孔阻止層としてＢＣＰを蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に、電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、６.６Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【実施例７】
【０１０９】
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに、その上に、発光層としては、合成例５で製造された化合物（１−５）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、さらに合成例９で製造された化合物（２−２）をゲスト材料として、ＴＨＦに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次に正孔阻止層としてＢＣＰを蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に、電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、５．８Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【実施例８】
【０１１０】
図１の素子構造１の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに、その上に、発光層として、合成例６で製造された化合物（１−６）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、さらに合成例８で製造された化合物（２−１）をゲスト材料として、１，２−ジクロロエタンに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。その上に背面電極としてＢａを３０ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍ蒸着した。この素子に電流を流したところ、７．２Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【実施例９】
【０１１１】
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに、その上に、発光層としては、合成例６で製造された化合物（１−６）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、さらに合成例９で製造された化合物（２−２）をゲスト材料として、ＴＨＦに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次に正孔阻止層としてＢＣＰを蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に、電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、５．３Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【０１１２】
実施例１〜９で製造した各有機ＥＬ素子の特性をまとめて次の表１に示す。
【表１】
【０１１３】
（溶解度試験）
次の化学式で示される比較化合物Ｙ（Ｉｒ（ｐｐｙ）２ａｃａｃ）のトルエンに対する溶解度を室温（２５℃）で試験した。比較化合物Ｙ（Ｉｒ（ｐｐｙ）２ａｃａｃ）３２．５ｍｇに対してトルエン溶媒が４１．７２８ｇで完全に溶解した（溶解度０．０８wｔ％）。
【０１１４】
【化３５】
【０１１５】
続いて、同様にして、合成例１で得られた化合物（１−１）をトルエンに溶解させたところ、化合物（１−１）２９．１mgに対してトルエン溶媒０．９５５ｇを要した（溶解度３．０ｗｔ％）。同様に合成例２〜６で得られた化合物（１−２）〜（１−６）に対してもトルエンによる溶解度テストを行った。この結果をまとめて次の表２に各化合物の溶解度として示す。
【０１１６】
【表２】
【０１１７】
この結果、有機配位子が無置換である比較化合物Ｙに比べて、炭素鎖が炭素数で８個伸びた化合物（１−１）は、３７．５倍（３．０／０．０８）も溶解度が増加し、アセチルアセトナートの１個のメチル基がアルコキシ基に代えられた化合物（１−４）では、実に２３３．７５倍（１８．７／０．０８）も増加することがわかった。このように、有機配位子部分にアルキル鎖やアルコキシ鎖が導入された本発明のイリジウム錯体が、無置換の比較例化合物Ｙに比べて著しく溶解度が改善されていることがわかる。
【０１１８】
白金錯体の溶解度試験
発光特性を有する代表的な白金錯体として知られている次式
【０１１９】
【化３６】
【０１２０】
で示される比較化合物Ｚ（白金オクタエチルポルフィリン（II）錯体）のトルエンに対する溶解度を前記の溶解度試験と同様に行った。この結果、比較化合物Ｚの溶解度は、０．０１ｗｔ％以下であった。
続いて、同様にして、合成例８で得られた化合物（２−１）をトルエンに溶解させたところ、化合物（２−１）１５mgに対してトルエン溶媒１．１３１ｇを要した（溶解度１．３３ｗｔ％）。同様に合成例９〜１１で得られた化合物（２−２）〜（２−４）に対してもトルエンによる溶解度テストを行った。この結果をまとめて次の表３に各化合物の溶解度として示す。
【０１２１】
【表３】
【０１２２】
この結果、４個の環が相互に結合している比較化合物Ｚに比べて、その一端が開放されている本発明の白金錯体は、少なくとも６０倍（０．６０／０．１未満）（試験した本発明の白金錯体の中でもっとも低い溶解度を示した化合物（２−１）の場合）以上の溶解度の増加がみられることがわかった。このように、本発明の白金錯体は、公知の白金錯体である比較例化合物Ｚに比べて著しく溶解度が改善されていることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造することが可能となる溶解性や分散性に優れた燐光発光性材料を提供するものであり、しかも本発明の材料を使用することにより、発光層を湿式製膜法で製造しても発光効率や素子寿命に優れ、本発明は簡便で極めて有効な有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の製造材料、その製造方法、及びその方法で製造された有機ＥＬ素子を提供するものであり、産業上極めて有用なものである。
また、本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の材料として有用な新規なイリジウム錯体及び白金錯体を提供するものであり、本発明のこれらの錯体も同様に産業上有用なものである。
したがって、本発明は、産業上の利用性可能性を有しているものである。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】図１は、実施例中の素子構造１、素子構造２及び素子構造３の構成を示す図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶剤への溶解性が良好な有機エレクトロルミネッセンス素子用ホスト材料及びゲスト材料、並びにこれらを含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「エレクトロルミネッセンス」を「ＥＬ」と略すことがある。）に関するものである。また、本発明は、これらの溶剤への溶解性が良好な材料を用いた湿式製膜法で製造された発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略す。）は、低電圧で高輝度の発光を得ることが出来る為、有望な次世代の表示素子として注目を集めている。
有機ＥＬ素子は、印加電圧が低く消費電力が小さく、小型化が可能であり、面発光であり、三原色発光もできることから、このような有機ＥＬ素子をマルチカラーディスプレイや照明器具などへ適用する動きが盛んに検討されている。しかし、高機能なマルチカラーディスプレイを開発する為には、光の三原色である赤色、緑色及び青色のそれぞれ各色の発光素子特性及びその効率を向上させる必要があり、また照明器具とするためにも発光効率の改善が求められている。
【０００３】
有機ＥＬ素子の発光素子特性向上の手段として、有機ＥＬ素子の発光層に燐光発光材料を利用することが提案されている。電子と正孔の再結合による電流励起においては、スピン統計則により、三重項の固有状態の３個と一重項の固有状態の１個の合計４種の固有状態が再結合により等確率で起こるために、一重項励起子と三重項励起子が１：３の確率で起こる。このように、電流励起による有機ＥＬ素子において、燐光性発光材料が特に注目されている理由は、原理的に高発光効率が期待できるからである。これまでの有機ＥＬ素子は、一重項励起子から基底状態に遷移する際の蛍光を発光として取り出していたが、原理的にその発光収率は生成された励起子数に対して、２５％でありこれが原理的上限であった。しかし、三重項から発生する励起子からの燐光を用いれば、原理的に少なくとも３倍の収率が期待され、さらに、エネルギー的に高い一重項からの三重項への項間交差による転移を考え合わせれば、原理的には４倍の１００％の発光収率が期待できる。
事実、燐光性発光材料を使用することにより、一重項励起による外部量子効率の限界である５％を超える材料が見出されてきている。燐光性発光材料を用いることにより赤色や青色では６〜７％の外部量子効率が達成され、緑色では外部量子効率が十数％に達するものまで開発されてきている。
【０００４】
このような燐光性発光材料として、次式で示されるビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウムアセチルアセトナート（Ｉｒ(ｐｐｙ)２（ａｃａｃ））や、次式で示されるトリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）イリジウムをはじめとしたオルソメタル化イリジウム錯体が広く知られている。
【０００５】
【化３】
【０００６】
燐光性発光材料（燐光ドーパント）の発光はホスト材料に依存するが、そのホスト材料に必要とされる基本性能としては、正孔輸送性および電子輸送性を有すること、ホスト材料の三重項状態のエネルギーレベルが燐光ドーパントの３重項エネルギーよりも大きいことなどが挙げられ、一般には低分子材料であるＣＢＰ（４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル）が好適に用いられている。
ＣＢＰ中でのＩｒ（ｐｐｙ）３の最大効率は１９％であったことが報告され（非特許文献１参照）、次式で示されるＢｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）
【０００７】
【化４】
【０００８】
では最大効率が７％であったことが報告され（非特許文献２参照）、また、次式で示されるＦＩｒｐｉｃ
【０００９】
【化５】
【００１０】
では最大効率が５．７％であったことが報告されている（非特許文献３参照）。このＦＩｒｐｉｃをＣＢＰではなく、ＣＤＢＰ中で使用した場合には最大効率が１０．４％になることも報告されている（非特許文献４参照）。
このような燐光性発光材料としては、白金錯体についても検討されてきており、例えば、次式で示されるＰｔＯＥＰ
【００１１】
【化６】
【００１２】
では、ＣＢＰ中で最大効率が６％であったことが報告されている（非特許文献５及び６参照）。さらに、本発明者らも、次式
【００１３】
【化７】
【００１４】
（式中、環Ａ及び環Ｂは、夫々独立して、置換基を有してもよい芳香環または芳香族複素環を表し、Ｘは酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、夫々独立して、水素原子または置換基を表す。但し、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４はそれぞれ結合して環を形成してもよく、該環はさらに結合して縮合環を形成してもよい。）
で表される２〜４環性の配位子を有する白金錯体（特許文献１参照）や、次式、
【００１５】
【化８】
【００１６】
【化９】
【００１７】
（式中、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは、夫々独立して、置換基を有してもよい芳香環または置換基を有していてもよい芳香族複素環を表し、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ１及びＲ２は夫々独立して水素原子または置換基を表す。但し、Ｒ１と環Ｂ、Ｒ２と環Ｂはそれぞれ結合して縮合環を形成してもよい。但し、Ｘがともに酸素原子で、Ｒ１及びＲ２が同時に水素原子で、かつ環Ａ、環Ｂ及び環Ｃが同時にベンゼン環となる場合を除く。
また、式中、環Ｄ及び環Ｇは、夫々独立して置換基を有してもよい芳香環または置換基を有していてもよい芳香族複素環を表し、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表し、環Ｅ及び環Ｆは夫々独立して置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環を表す。但し、環Ｅと環Ｆとが互いに結合して縮合環を形成してもよい。）
で表される２〜４環性の白金錯体（特許文献２参照）などを用いた燐光性発光材料を開発してきた。
さらに、近年では、これらの燐光性発光材料を単独ではなく、組み合わせて使用する方法も開発されてきている（特許文献３参照）。
【００１８】
このような低分子材料を用いた燐光素子は、層構成の最適化を容易に行うことができるため、高効率化や長寿命化が期待できるが、一方で経時的に有機層の結晶化や凝集が起こり素子が劣化して、素子寿命に多大な影響を与えるといった問題がある。さらに、蒸着プロセスにより素子を作製しなければならず、大掛かりな蒸着装置が必要でコストが高いという問題があり、さらに、基材の大面積化が困難という問題がある。真空蒸着法に比べてコストが安価で、大面積ディスプレイの製造が可能な方法としては、溶媒を用いて基材に塗布する塗布法がある。しかしながら、従来の低分子材料を溶剤に溶解又は分散させて塗工液を調製しようとしても溶解性、分散性が悪いため、均一で安定な塗工液が得られず、成膜できても膜安定性が悪いため、従来の低分子材料を塗布法により利用することは困難であった。
しかし、有機ＥＬ素子を照明装置や大面積ディスプレイとして応用してゆくためには、安定した層を容易に形成することができる塗布法による製造方法の開発が求められており、近年塗布法により成膜可能な燐光性発光材料が開発されている。このための方法としては、高分子材料を使用する使用する方法が開発されてきており、例えば、ＰＶＣｚ（ポリビニルカルバゾール）などの高分子ホストとＩｒ（ｐｐｙ）３（トリス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）錯体）などの低分子燐光ゲストとの混合溶液を塗布する方法（特許文献４参照）や、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）とオルトメタル化白金錯体との混合物の溶液を塗布する方法（特許文献５参照）などがあり、ホスト分子とゲスト分子のモノマーを共重合させて、全体を高分子化した高分子の溶液を塗布する方法（非特許文献７及び８参照）などがある。また、高分子材料としてデンドリマーを使用して、共役系デンドリマーの中心に低分子燐光ゲストを配し、低分子ホストとの混合溶液を塗布する方法（非特許文献９参照）等も報告されている。
また、燐光発光性化合物（ＥＭ）と電荷輸送性化合物（ＣＴＭ）を連結基（Ｘ）で結合させて、ＥＭ−Ｘ−ＣＴＭの形の化合物として溶媒への溶解性を改善させる方法（特許文献６、７又は８参照）などがある。このような連結基としては、ＥＭの末端とＣＴＭの末端が、０．３ｎｍ以上離れていることが必要とされている（特許文献７参照）。
さらに、酸素や水に対する安定性を高めた有機ＥＬ素子についても報告されている（特許文献９参照）。
しかしながら、これらの従来法では、溶液をスピン塗布して容易に成膜することができたとしても、得られた発光層の発光特性や素子寿命などは必ずしも十分ではなく、発光特性や素子の寿命がより改善された材料の開発が望まれている。
【００１９】
【特許文献１】特開２００４−３３５１２２号公報
【特許文献２】特開２００４−３３１５０８号公報
【特許文献３】特開２００３−７７６７４号公報
【特許文献４】特開２００１−２５７０７６号公報
【特許文献５】特開２００１−１８１６１７号公報
【特許文献６】特開２００４−１８５９６７号公報
【特許文献７】特開２００４−２９２４３６号公報
【特許文献８】特開２００４−２３４４号公報
【特許文献９】特表２００２−５４３５７０号公報
【非特許文献１】Adachi, et al., Appl. Phys. Lett., 77, 904 (2000)
【非特許文献２】Adachi, et al., Appl. Phys. Lett., 78, 1622 (2001)
【非特許文献３】Adachi, et al., Appl. Phys. Lett., 79, 2082 (2001)
【非特許文献４】Tokito, et al., Appl. Phys. Lett., 83, 569 (2003)
【非特許文献５】Baldo, et al., Nature, 395, 151 (1997)
【非特許文献６】O'Brien, et al., Appl. Phys. Lett., 74, 442 (1999)
【非特許文献７】J.-S.Lee et.al., Polymer Preprints 2001, 42(2), p.448-449(2001)
【非特許文献８】鈴木充典、時任静士, ＮＨＫ技研 Ｒ＆Ｄ, No.77, p.34-41(2003)
【非特許文献９】S.-C.Lo et.al., Adv.Mater., vol.14, No.13-14, p.975-979(2002)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、塗布法によるコーティングが容易で、高い発光効率を実現可能な有機化合物、並びに当該有機化合物を用いた高い発光効率を有する有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）及びその材料を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明者らは、塗布法によるコーティングが容易であり、高い発光効率を有する有機ＥＬ素子の研究を行っている過程で、一般式（１）で表されるイリジウム錯体が優れた溶媒溶解性や溶媒分散性を有することを見出した。また、一般式（２）で表される燐光発光性白金錯体も同様な溶媒溶解性や溶媒分散性を有することを見出した。さらに、本発明者らは、一般式（１）で表されるイリジウム錯体をホスト材料に用い、一般式（２）で表される燐光発光性白金錯体をゲスト材料として組み合わせて用いることにより、塗布の容易性と均一分散性を向上させるだけでなく、従来の塗布法による燐光性発光素子に比べ、発光効率を大幅に向上して素子の低電圧化を実現できることができることを見出し、本発明を完成させた。
従来、燐光発光材料であるイリジウム錯体は、イリジウム錯体分子同士が近接する凝集状態では、それぞれの分子の三重項状態同士でエネルギー交換を起こすため、リン光発光が消失する。この為、リン光発光化合物であるイリジウム錯体を凝集させることは適していなかった。しかし、下記一般式（１）で示されるイリジウム化合物をホスト材料に使用することによって、溶媒溶解性が改善されるだけでなく、高効率及び低電圧駆動が可能であることがわかった。さらに、一般式（２）で表される燐光発光性白金錯体を組み合わせて用いることにより、両者の溶媒溶解性や溶媒分散性が損なわれることなく、低電圧で高い発光効率を達成することができることを見出した。
本発明の有機ＥＬ素子は、少なくとも一対の対向電極と当該電極間に挟持される単層または多層の有機化合物層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を含有してなる発光素子において、前記有機化合物層のうち発光層が、下記一般式（１）で表される化合物をホスト材料として含有し、かつ下記一般式（２）で表される化合物をゲスト材料として含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
本発明に係るイリジウム錯体は良好な溶媒溶解性又は溶媒分散性を有し、溶媒中に均一に溶解又は分散し易い状態となっている。そのため、このイリジウム錯体を含む塗液を用いて被塗布材上に塗布することにより、本発明のイリジウム錯体化合物は塗膜中に凝集することなく均一に分散することが可能となるので、被塗布材上の各部において均一な発光特性をもたらすことができる。さらに、より高い発光効率を達成できるだけでなく、従来に比べて低電圧化駆動を可能とする。
上記組合せにより単分散に近い状態で均一に分散させることができる。化合物が膜中に均一に分散することは、注入された電荷に基づく発光が面内で均一に生じることとなるので、発光効率の向上にも寄与できることになる。
以下、本明細書では、有機エレクトロルミネッセンス素子を「有機ＥＬ素子」又は単に「ＯＬＥＤ（Organic Light-Emitting Diode.又はOrganic Light-Emitting Device.）」と省略して記述することがある。
【００２２】
すなわち、本発明は、燐光発光性のイリジウム錯体、好ましくはイリジウム−アセチルアセトナート又はアセトアセテート錯体における、有機配位子部分、好ましくはアセチルアセトナート配位子部分に少なくとも１つの置換基−Ｒｓ又は置換基−Ｏ−Ｒｓ（式中、Ｒｓは炭素数５以上、好ましくは炭素数５〜１５の炭化水素基を示す。）が導入された燐光発光性イリジウム錯体を提供することを第一の特徴とするものである。
本発明は、次の一般式（Ａ）
（Ｌ１）ｎ−Ｉｒ−（Ｌ２）ｎ１ （Ａ）
（式中、Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立してイリジウムの配位子を示し、配位子Ｌ１及びＬ２は少なくとも１つの−Ｒｓ基又は−Ｏ−Ｒｓ基（式中、Ｒｓは、炭素数５以上の炭化水素基を示す。）を有し、ｎ及びｎ１はそれぞれ０〜３の整数であって、ｎとｎ１の和は３である。）
で表される溶媒溶解性又は溶媒分散性に優れた燐光発光性イリジウム錯体に関する。より詳細には、本発明は、次の一般式（１）
【００２３】
【化１０】
【００２４】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アラルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基を示しており、それぞれの置換基が他の置換基と結合しても良い。Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン化アルキル基を表し、Ｒ１１は水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又はハロゲン化アルキル基を表す。また、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は重合性基又は該重合性基が重合した基を示してもよい。ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１の中の少なくとも一つは、炭素数５以上のアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数７以上のアラルキル基を表す。ｎは１又は２の整数を示し、ｎ１は１又は２の整数を示すが、ｎとｎ１の和は３である。）
で表されるイリジウム錯体に関する。
【００２５】
本発明の第二の特徴は、特異な形状を有する平面状の有機配位子を有する溶媒溶解性又は溶媒分散性に優れた白金錯体を提供することである。このような平面状の有機配位子としては、互いに直接又は１個の原子を介して連結された４個の芳香環からなり、各環と環との４カ所の連結部のうちの一端が開放されていることを特徴とするものである。
本発明は、次の一般式（Ｂ）又は一般式（Ｃ）
Ｋ１−Ｋ２−Ｚ１−Ｋ３−Ｋ４ （Ｂ）
Ｋ１−Ｚ２−Ｋ２−Ｋ３−Ｚ３−Ｋ４ （Ｃ）
（式中、Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、及びＫ４は、それぞれ独立して白金に共有結合又は配位結合をすることができる原子を有する芳香環を示し、Ｚ１、Ｚ２、及びＺ３はそれぞれ独立して環と環を結合する二価の原子を示す。）
で表される平面構造が可能な化合物を配位子として有する白金錯体に関する。より詳細には、本発明は、次の一般式（２）
【００２６】
【化１１】
【００２７】
（式中、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、この中の何れか２つの環が置換基を有していてもよい含窒素複素環を示し、残りの２つの環が置換基を有していてもよいアリール環又はヘテロアリール環を示し、環Ａと環Ｂ、環Ａと環Ｃ又は／及び環Ｂと環Ｄとで縮合環を形成してもよく、また、それぞれの環と前記置換基とで縮合環を形成していてもよい。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、この中のいずれか２つが白金原子に配位結合する窒素原子を示し、残りの２つは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｑ１、Ｑ２及びＱ３は、それぞれ独立して、二価の原子（団）又は結合手を示すが、Ｑ１、Ｑ２及びＱ３が同時に結合手を表すことは無い。）
で表される白金錯体に関する。
【００２８】
本発明の第三の特徴は、前記した本発明のイリジウム錯体の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料としての使用を提供することである。即ち、本発明は、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料に関する。また、本発明は、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体を素子材料として含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関する。
本発明の第四の特徴は、前記した本発明の白金錯体の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料としての使用を提供することである。即ち、本発明は、前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料に関する。また、本発明は、前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体を素子材料として含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関する。
【００２９】
本発明の第五の特徴は、前記した本発明のイリジウム錯体と白金錯体とを組み合わせてなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料としての使用を提供することである。即ち、本発明は、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表される本発明のイリジウム錯体、及び前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料に関する。また、本発明は、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体及び前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体を素子材料として含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関する。
本発明の第六の特徴は、前記した本発明のイリジウム錯体の、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）用のホスト材料としての使用を提供することである。即ち、本発明は、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体からなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）用ホスト材料に関する。また、本発明は、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）用のホスト材料としての使用に関する。また、本発明は、本発明の一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体をホスト材料として含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関する。より詳細には、本発明は、下記一般式（１）
【００３０】
【化１２】
【００３１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アラルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基を示しており、それぞれの置換基が他の置換基と結合しても良い。Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン化アルキル基を表し、Ｒ１１は水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又はハロゲン化アルキル基を表す。また、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は重合性基又は該重合性基が重合した基を示してもよい。ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１の中の少なくとも一つは、炭素数５以上のアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数７以上のアラルキル基を表す。ｎは１又は２の整数を示し、ｎ１は１又は２の整数を示すが、ｎとｎ１の和は３である。）
で表されるイリジウム錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子用ホスト材料に関する。また、本発明は、前記した一般式（１）で表されるイリジウム錯体を有機ＥＬ素子用のホスト材料として含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。より詳細には、本発明は、少なくとも一対の対向電極と当該電極間に挟持される発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層に前記した一般式（１）で表されるホスト材料を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。これらの本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、更にゲスト材料を含有させることができる。即ち本発明は、前記した本発明のホスト材料を含有してなる有機ＥＬ素子の発光層にさらにゲスト材料を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【００３２】
本発明の第七の特徴は、前記した本発明の白金錯体の、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料用のゲスト材料としての使用を提供することである。即ち、本発明は、前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体からなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）用のゲスト材料に関する。また、本発明は、前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体の、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）用のゲスト材料としての使用に関する。また、本発明は、前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体を有機ＥＬ素子のゲスト材料として含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関する。より詳細には、本発明は、ゲスト材料が下記一般式（２）
【００３３】
【化１３】
【００３４】
（式中、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、この中の何れか２つの環が置換基を有していてもよい含窒素複素環を示し、残りの２つの環が置換基を有していてもよいアリール環又はヘテロアリール環を示し、環Ａと環Ｂ、環Ａと環Ｃ又は／及び環Ｂと環Ｄとで縮合環を形成してもよく、また、それぞれの環と前記置換基とで縮合環を形成していてもよい。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、この中のいずれか２つが白金原子に配位結合する窒素原子を示し、残りの２つは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｑ１、Ｑ２及びＱ３は、それぞれ独立して、二価の原子（団）又は結合手を示すが、Ｑ１、Ｑ２及びＱ３が同時に結合手を表すことは無い。）
で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。また、本発明は、前記した一般式（２）で表される白金錯体を有機ＥＬ素子用のゲスト材料として含有してなる有機ＥＬ素子に関する。ここにおける有機ＥＬ素子は、ホスト材料をさらに含有してなるものであり、好ましいホスト材料としては、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体が挙げられる。
【００３５】
本発明の第八の特徴は、有機ＥＬ素子の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）を提供するものである。即ち、本発明は、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）に関する。また、本発明は、前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）に関する。さらに、本発明は、前記した一般式（Ａ）又は一般式（１）で表されるイリジウム錯体及び前記した一般式（Ｂ）若しくは一般式（Ｃ ）で表される配位子を有する白金錯体又は一般式（２）で表される白金錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）に関する。
本発明の第九の特徴は、前記した本発明の塗布用の溶液又は分散液（塗液）を用いて有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造する方法を提供するものである。即ち本発明は、前記した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）を塗布して有機ＥＬ素子材料を含有する発光層を製造する方法に関する。また、本発明は、前記した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）を塗布して発光層を形成させることからなる有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
さらに、本発明の第十の特徴は、発光層が湿式製膜法で作成されたものであることを特徴とする発光素子を提供することである。即ち本発明は、前記した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）を塗布して発光層を形成させたことを特徴とする発光素子、より詳細には、有機ＥＬ素子に関する。
【００３６】
本発明は、照明用の素子や、大画面ディスプレーのような大型の有機ＥＬ素子材料の製造を容易にするための湿式製膜法の有機ＥＬ素子材料を提供するものであり、溶媒に対する溶解性又は分散性に優れ、かつ発光特性や素子の寿命が改善された有機ＥＬ素子材料を提供するものである。本発明者らは、このためにイリジウム錯体について検討してきたところ、燐光発光性のイリジウム錯体における有機配位子部分の有機残基に少なくとも１つの置換基−Ｒｓ又は置換基−Ｏ−Ｒｓ（式中、Ｒｓは炭素数５以上、好ましくは炭素数５〜３０、又は炭素数５〜１５の炭化水素基を示す。）を導入することにより、燐光発光性イリジウム錯体の溶媒溶解性又は溶媒分散性を顕著に改善することができることを見出した。このような比較的小さな有機基の導入により錯体の溶媒溶解性や溶媒分散性を顕著に改善できることは驚くべきことである。
即ち、本発明は、燐光発光性のイリジウム錯体において、有機配位子の有機残基部分に置換基として置換基−Ｒｓ又は置換基−Ｏ−Ｒｓ（式中、Ｒｓは炭素数５以上、好ましくは炭素数５〜３０、又は炭素数５〜１５の炭化水素基を示す。）が少なくとも１個、好ましくは１〜５個、より好ましくは１〜３個が導入されたイリジウム錯体を提供するものである。
本発明の置換基−Ｒｓ又は置換基−Ｏ−ＲｓにおけるＲｓとしては、炭素数５以上、好ましくは炭素数５〜３０、又は炭素数５〜１５の炭化水素基であり、当該炭化水素基としては、炭素数５以上、好ましくは炭素数５〜３０、より好ましくは炭素数５〜１５の直鎖状、分枝状、環状の飽和又は不飽和、好ましくは飽和の脂肪族炭化水素基、炭素数６〜３０、好ましくは炭素数６〜１４の単環式、多環式、又は縮合環式の炭素環式芳香族基、前記した炭素環式芳香族基に炭素数１〜１０、好ましくは炭素数１〜５のアルキル基が置換した置換芳香族基、炭素数１〜５の直鎖状、又は分枝状のアルキル基に前記した炭素環式芳香族基が置換した炭素数７以上、好ましくは炭素数７〜３０のアラルキル基などが挙げられる。好ましい炭化水素基としては、炭素数５以上、好ましくは炭素数５〜３０、より好ましくは炭素数５〜１５の直鎖状又は分枝状のアルキル基；炭素数５以上、好ましくは炭素数５〜３０、より好ましくは５〜１５の単環式、多環式、又は架橋式のシクロアルキル基；前記したアルキル基で置換されているシクロアルキル基；炭素数７以上、好ましくは炭素数７〜３０のアラルキル基などが挙げられる。
置換基−Ｏ−Ｒｓは、前記してきたＲｓに酸素原子がさらに結合したものであり、前記してきた炭化水素基のオキシ基に相当するものである。好ましいオキシ基としては、前記したアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基から誘導されるアルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基などが挙げられる。
【００３７】
本発明のイリジウム錯体としては、次の一般式（Ａ）
（Ｌ１）ｎ−Ｉｒ−（Ｌ２）ｎ１ （Ａ）
（式中、Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立してイリジウムの配位子を示し、配位子Ｌ１及びＬ２は少なくとも１つの−Ｒｓ基又は−Ｏ−Ｒｓ基（式中、Ｒｓは、炭素数５以上の炭化水素基を示す。）を有し、ｎ及びｎ１はそれぞれ０〜３の整数であって、ｎとｎ１の和は３である。）
で表される溶媒溶解性又は溶媒分散性に優れた燐光発光性イリジウム錯体が挙げられる。 好ましい配位子Ｌ１の例としては、置換又は非置換の２−フェニルピリジン類が挙げられるが、これに限定されるものではない。また、好ましい配位子Ｌ２としては、アセチルアセトンや、アセト酢酸又はそのエステルが挙げられるが、これに限定されるものではない。前記したように、本発明の燐光発光性のイリジウム錯体は、配位子部分に置換基として１つ以上の置換基−Ｒｓ又は置換基−Ｏ−Ｒｓ（式中、Ｒｓは炭素数５以上、好ましくは炭素数５〜１５の炭化水素基を示す。）を有するイリジウム錯体である。
より好ましい本発明のイリジウム錯体としては、下記の一般式（１）
【００３８】
【化１４】
【００３９】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アラルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基を示しており、それぞれの置換基が他の置換基と結合しても良い。Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン化アルキル基を表し、Ｒ１１は水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又はハロゲン化アルキル基を表す。また、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は重合性基又は該重合性基が重合した基を示してもよい。ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１の中の少なくとも一つは、炭素数５以上のアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数７以上のアラルキル基を表す。ｎは１又は２の整数を示し、ｎ１は１又は２の整数を示すが、ｎとｎ１の和は３である。）
で表されるイリジウム錯体が挙げられる。
【００４０】
以下に一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、及びＲ１１で示される基の説明をする。
アルキル基としては、例えば、炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０の直鎖状、又は分枝状の鎖状のアルキル基や、炭素数３〜３０、好ましくは炭素数３〜２０、より好ましくは炭素数３〜１０の単環式、多環式、又は架橋式のシクロアルキル基が挙げられ、具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、２−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられるが、フッ素原子が好ましい。
アルコキシ基としては、前記したアルキル基に酸素原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基などが挙げられる。
ハロゲン化アルキル基としては、前記したアルキル基の１個以上の水素原子がフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子により置換された基が挙げられ、具体的には、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等のパーフルオロアルキル基等が挙げられる。
ジアルキルアミノ基としては、アミノ基の２個の水素原子が、それぞれ独立して前記したアルキル基で置換されたものが挙げられ、具体例としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ（ｎ−プロピル）アミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジ（ｎ−ブチル）アミノ基、ジ（ｎ−ヘキシル）アミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基などが挙げられる。
アリール基としては、炭素数６〜３０、好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１２の単環式、多環式、又は縮合環式の炭素環式アリール基が挙げられ、具体例としては、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントラニル基などが挙げられる。これらのアリール基は、前記したアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。
アラルキル基としては、炭素数１〜５の直鎖状、又は分枝状のアルキル基に前記したアリール基が置換した炭素数７以上、好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜１５のアリールアルキル基が挙げられ、具体例としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、１−フェニルエチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基などが挙げられる。これらのアラルキル基は、前記したアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。
ジアリールアミノ基としては、アミノ基の２個の水素原子が、それぞれ独立して前記したアリール基で置換されたものが挙げられ、具体例としては、例えば、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基などが挙げられる。
また、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６、Ｒ６とＲ７、及びＲ７とＲ８のそれぞれ隣接する基、又はＲ４とＲ５のように相互にオルト位に位置する基は、それぞれ一緒になって隣接する炭素原子と共に環を形成する場合には、形成される環は飽和又は不飽和の単環でも多環でもよく、５員環又は６員環が好ましい。また、同様にＲ９とＲ１１又はＲ１０とＲ１１がそれぞれ一緒になって隣接する炭素原子と共に環を形成する場合には、形成される環は飽和又は不飽和の単環でも多環でもよく、５員環又は６員環が好ましい。このようにして形成される好ましい環としては、ベンゼン環、ナフタレン環等の炭素環式芳香環、ピリジン環、ピラジン環等の芳香族複素環等が挙げられる。
本発明の一般式（１）で表されるイリジウム錯体における、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１の中の少なくとも１つの基が、炭素数５〜３０のアルキル基又はアルコキシ基であるもの、又はＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の中の少なくとも２つ以上の基が、炭素数５〜３０のアルキル基又はアルコキシ基であるものが好ましい。
以下、本発明に用いられるホスト材料である溶解性の高いイリジウム金属錯体のより好ましい具体的な構造式を以下に示す。但し、代表例を例示しただけで、本発明はこれらに限定されるものではない。
以下に例示する化合物中、Ｐｈはフェニル基を、Ｃｙはシクロヘキシル基を表す。
【００４１】
【化１５】
【００４２】
【化１６】
【００４３】
【化１７】
【００４４】
【化１８】
【００４５】
これらの本発明のイリジウム錯体は、それ自体で有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料として使用することができる。また、好ましくは、これらの本発明のイリジウム錯体は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）用のホスト材料として使用することができる。
次に本発明のイリジウム錯体の製造方法について詳細に説明する。本発明のイリジウム錯体、より詳細には本発明の前記一般式（１）で表される化合物は、種々の手法で合成することができ、例えばInorg.Chem.1991年,30号,1685頁.,同1988,27号,3464頁.,同1994年,33号,545頁., Inorg.Chem.Acta 1991年，181号,245頁., J.Organomet.Chem. 1987年，335号，293頁., J.Am.Chem.Soc.1985年,107号,1431頁等、公知の手法で合成することができる。すなわち、種々の配位子またはその遊離体とイリジウム化合物とを、溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、水などが挙げられる）の存在下又は溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）又は塩基非存在下、室温以下又は加熱して（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）、合成することができる。
本発明のイリジウム錯体を製造する際の出発原料としてのイリジウム化合物としては、例えば、（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー、イリジウムクロライド（III）水和物、６ハロゲン化イリジウム（III）化合物、例えば、カリウムヘキサクロロイリデート（III）、６ハロゲン化イリジウム（IV）化合物、例えばカリウムヘキサクロロイリデート（IV）及びその類縁体を用いることができる。
化学量論量の配位子と上記イリジウム化合物から三価六配位オルソメタル化イリジウム複核錯体の合成を行い、次いで塩基の存在下、又は非存在下に配位子を反応させて一般式（１）の化合物を合成する。必要であれば、トリフルオロメタンスルホン酸銀等を用いても良い。
【００４６】
溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、アセトニトリル等のニトリル類、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−プロパンジオール、グリセリン等の多価アルコール類、水等が挙げられる。これら溶媒は、夫々単独で用いても２種以上適宜組み合わせて用いても良い。これら溶媒は、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−プロパンジオール、グリセリン等の多価アルコール類及び水を単独で或いは２種以上を併用することが好ましい。
使用する溶媒の量としては、反応が十分に進行できる量であれば特に制限はないが、好ましくはイリジウム出発原料に対して通常１〜２００倍量、好ましくは約５〜５０倍量程度がよい。
【００４７】
この反応は不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。不活性ガスとしては、窒素ガス、アルゴンガス等が挙げられる。また、上記製造方法は、超音波発生装置を併用して行うことができる。
反応温度は、通常２５℃〜３００℃、好ましくは６０℃〜２００℃、より好ましくは８０℃〜１５０℃の範囲から適宜選択される。
反応時間は、通常１０分〜７２時間、好ましくは３０分〜４８時間、より好ましくは１時間〜６時間の範囲から適宜選択される。
この製造方法は、塩基の存在下で行うことが好ましい。塩基としては、無機塩基、有機塩基等が挙げられる。無機塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等が挙げられる。有機塩基としては、カリウムメトキシド、ナトリウムメトキシド、リチウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルカリ金属アルコキシド類、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ピペリジン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン、トリ−ｎ−ブチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン等の有機アミン類、水素化ナトリウム等の金属水素化物類等が挙げられる。
塩基の使用量は、一般式（１）で表される化合物に対して通常０．５〜１０当量、好ましくは０．８〜２当量、より好ましくは１〜１．２当量の範囲から適宜選択される。
また、銀塩を添加して反応を行っても良い。銀塩としては、例えば、硝酸銀、酢酸銀、トリフルオロ酢酸銀、メタンスルホン酸銀、トリフルオロメタンスルホン酸銀等が挙げられ、中でもトリフルオロ酢酸銀及びトリフルオロメタンスルホン酸銀が好ましい。
銀塩の使用量は、一般式（１）で表される化合物に対して通常１〜２０当量、好ましくは１．５〜１０当量、より好ましくは２〜３当量の範囲から適宜選択される。
本反応は、必要に応じて後処理、単離及び精製を行い多段階で反応を行なうこともでき、または、一切の後処理を行うことなくワンポットで反応を行なうことも可能である。後処理の方法としては、例えば反応物の抽出、沈殿物の濾過、溶媒の添加による晶析、溶媒の留去などが挙げられ、これらを単独もしくは併用して行うことができる。精製の方法としては、例えばカラムクロマトグラフィー、再結晶、昇華などが挙げられ、これらを単独あるいは併用して行うことができる。
【００４８】
本発明の良溶解性イリジウム錯体としては、溶剤におけるヒルデブランド（Ｈｉｌｄｅｂｒａｎｄ）の溶解度パラメータ（δ＝（Ｅ／Ｖ）１／２ （式中、Ｅはモル凝集エネルギーを表し、Ｖは分子の容積を表す。）を基準として、溶解度パラメータδの値が、６〜１１、好ましくは７〜１０の範囲にある溶剤に、０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、又は１．０質量％以上溶解することができるものが好ましい。このような溶剤としては、具体的には、例えば、ペンタン、ヘキサン、オクタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素、エチルエーテル、プロピルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン類、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、酢酸エチル等のエステル類などが挙げられる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）としては、前記した溶媒に本発明のイリジウム錯体が、０．１質量％以上、好ましくは０．１〜１５質量％、より好ましくは０．５〜１５質量％、又は１．０〜１５質量％程度溶解又は均一に分散しているものが挙げられる。
【００４９】
次に、本発明の白金錯体について説明する。本発明の白金錯体は、特異な形状を有する平面状の有機配位子を有する溶媒溶解性又は溶媒分散性に優れていることを特徴とするものである。このような平面状の有機配位子としては、互いに直接又は１個の原子を介して連結された４個の芳香環からなり、各環と環との４カ所の連結部のうちの一端が開放されていることを特徴とするものである。このような有機配位子としては、次の一般式（Ｂ）又は一般式（Ｃ）
Ｋ１−Ｋ２−Ｚ１−Ｋ３−Ｋ４ （Ｂ）
Ｋ１−Ｚ２−Ｋ２−Ｋ３−Ｚ３−Ｋ４ （Ｃ）
（式中、Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、及びＫ４は、それぞれ独立して白金に共有結合又は配位結合をすることができる原子を有する芳香環を示し、Ｚ１、Ｚ２、及びＺ３はそれぞれ独立して環と環を結合する二価の原子を示す。）
で表される平面構造が可能な化合物を配位子が挙げられる。
これらの配位子の特徴は、芳香環Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、及びＫ４の４カ所の金属に結合可能なサイト（共有結合が可能なサイト、又は配位結合が可能なサイト）を有すること、これらの４カ所の結合サイトが平面状に存在して各芳香環のπ電子が非局在化できること、Ｚ１、Ｚ２、又はＺ３の結合原子により４個の環が直線上ではなく中心金属を取り囲むように配置されること、及びＺ１、Ｚ２、及びＺ３の結合原子がπ電子の非局在化に必要なπ軌道を有していることである。これらの条件を満たすならば、芳香環Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、及びＫ４並びに結合原子Ｚ１、Ｚ２、及びＺ３は任意の置換基を有することができる。
芳香環Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、及びＫ４としては、芳香族であって、これらの４つの環のうちの少なくとも２個が中心金属に配位結合可能な孤立電子対を有する異種原子を含有する芳香複素環であればよいが、好ましい環としてはベンゼン環のような６員の炭素環式芳香環、ピリジン環のような窒素原子を含有する芳香複素環が挙げられる。結合原子としてのＺ１、Ｚ２、及びＺ３としては、２価以上の原子価を有する原子であって、π軌道を有する原子であれば特に制限はなく、例えば、窒素原子、酸素原子、ホウ素原子、ケイ素原子、硫黄原子、カルボニル基などのｓｐ２混成軌道の炭素原子などが挙げられる。
より詳細には、本発明の白金錯体としては、次の一般式（２）
【００５０】
【化１９】
【００５１】
（式中、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、この中の何れか２つの環が置換基を有していてもよい含窒素複素環を示し、残りの２つの環が置換基を有していてもよいアリール環又はヘテロアリール環を示し、環Ａと環Ｂ、環Ａと環Ｃ又は／及び環Ｂと環Ｄとで縮合環を形成してもよい。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、この中のいずれか２つが白金原子に配位結合する窒素原子を示し、残りの２つは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｑ１、Ｑ２及びＱ３は、それぞれ独立して、二価の原子（団）又は結合手を示すが、Ｑ１、Ｑ２及びＱ３が同時に結合手を表すことは無い。）
本発明の一般式（２）で表される化合物において、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄにおける置換基を有していてもよい含窒素複素環としては、少なくとも１個の窒素原子を異種原子として有する複素環であり、更に１個〜３個の例えば窒素原子、酸素原子又は硫黄原子からなる異種原子を含有していてもよい５〜８員、好ましくは５又は６員の単環式、多環式又は縮合環式の複素環が挙げられる。当該含窒素複素環の窒素原子は白金原子に配位することができるものである。多環式基や縮合環式基を形成する他の環としては前記した複素環式基や炭素環式基などが挙げられる。
好ましい当該含窒素複素環としては、例えば、ピリジン環、ジアジン環、トリアジン環、ピロール環、ジアゾール環、トリアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、ベンゾピリジン環、ベンゾジアジン環、ベンゾピロール環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、シンノリン環、ピラゾール環、２Ｈ−ピロール環などが挙げられる。
一般式（２）で表される化合物の環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄにおける含窒素複素環上の１個以上の水素原子は、置換基で置換されていてもよい。このような置換基としては、発光特性に悪影響を与えない基であれば特に制限はないが、好ましくは後述する一般式（３）で表される化合物におけるＲ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７で説明される基を挙げることができる。
本発明の一般式（２）で表される化合物において、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄが置換基を有していてもよいアリール環又はヘテロアリール環である場合の当該アリール環としては、炭素数６〜４０、好ましくは炭素数６〜３０、更に好ましくは６〜２０の単環式、多環式又は縮合環式の炭素環式芳香族基が挙げられる。また、当該ヘテロアリール環としては、１個〜３個の例えば窒素原子、酸素原子又は硫黄原子からなる異種原子を含有する、５〜８員、好ましくは５又は６員の単環式、多環式又は縮合環式の複素環式芳香族基が挙げられる。
好ましいアリール環及びヘテロアリール環としては、例えば、ベンゼン環、ピリジン環、ジアジン環、トリアジン環、ピロール環、ジアゾール環、フラン環、チオフェン環、ナフタレン環、ピリミジン環、ピリダジン環、キノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、ピラゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環などが挙げられる。
続いて、一般式（２）において、Ｑ１、Ｑ２及びＱ３で示される二価の原子（団）について説明する。
本発明においてＱ１、Ｑ２及びＱ３で示される二価の原子（団）は、４個の環基をつなぐスペーサーとして存在し、その具体例としては、例えば、−（ＣＲ１６Ｒ１７）ｎ２−、−Ｏ（ＣＲ１６Ｒ１７）ｎ２Ｏ−、−（Ｏ）ｎ３Ｃ（＝Ｏ）（Ｏ）ｎ４−、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ１８−、−ＢＲ１９−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−ＳＯ２−、−Ｏ（ＳＯ２）Ｏ−、−Ｓｉ（Ｒ２０Ｒ２１）−、−ＯＳｉ（Ｒ２０Ｒ２１）Ｏ−、−Ｃ（＝ＣＲ２２Ｒ２３）−等が挙げられる。また、Ｒ１６とＲ１７、Ｒ２０とＲ２１、Ｒ２２とＲ２３とが互いに結合して各々が置換している原子と共に環を形成してもよい。ｎ２は１〜３の整数を表し、ｎ３及びｎ４はそれぞれ０又は１を表す。これらのなかでも好ましくは、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ１８−、−Ｃ（＝ＣＲ２２Ｒ２３）−、−Ｓｉ（Ｒ２０Ｒ２１）−が挙げられる。
−（ＣＲ１６Ｒ１７）ｎ２−及び−Ｏ（ＣＲ１６Ｒ１７）ｎ２Ｏ−におけるＲ１６及びＲ１７としては、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アラルキル基又はアリール基が挙げられ、ＮＲ１８におけるＲ１８としては、アルキル基、アラルキル基又はアリール基が挙げられ、ＢＲ１９におけるＲ１９としては、アルキル基、アラルキル基及びアリール基が挙げられ、ＳｉＲ２０Ｒ２１及び−Ｏ（ＳｉＲ２０Ｒ２１）Ｏ−におけるＲ２０及びＲ２１としては、それぞれ独立して、アルキル基、アラルキル基又はアリール基が挙げられ、−Ｃ（＝ＣＲ２２Ｒ２３）−におけるＲ２２及びＲ２３としては、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基又はシアノ基が挙げられ、これらＲ１６、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２及びＲ２３で示されるアルキル基、アラルキル基及びアリール基の具体例等は、後述する一般式（３）で表される化合物におけるアルキル基、アラルキル基及びアリール基が挙げられ、アリール基又はアラルキル基の場合は、芳香環上にアルキル基のような置換基を少なくとも一つ有することが好ましい。また、Ｒ１６とＲ１７、Ｒ２０とＲ２１、Ｒ２２とＲ２３とが互いに結合して各々が置換している原子と共に形成される環としては、ヘテロ原子を含んでもよい５又は６員環が挙げられる。
具体的な環としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、テトラヒドロフラン環、テトラヒドロピラン環、ジオキソラン環、ジオキサン環、フラン環、ピラン環、チオフェン環、ベンゼン環、テトラヒドロシロール環及びシロール環等が挙げられる。また、これらの環は同一原子からの二価基のスピロ環、異なる原子からの二価基の飽和環、芳香族環等も含むものである。
本発明の一般式（２）で表される白金錯体における、Ｘ３及びＸ４が窒素原子であり、Ｘ１及びＸ２が炭素原子であるもの、環Ｃ及び環Ｄがピリジン環であり、環Ａ及び環Ｂがベンゼン環であるもの、又はＱ２及びＱ３が結合手で、Ｑ１が置換基を有してもよいフェニル基が置換した窒素原子であるものが好ましい。
本発明の白金錯体のより好ましい形態としては、例えば、下記一般式（３）で表される白金錯体が挙げられる。
【００５２】
【化２０】
【００５３】
（式中、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７は、それぞれ独立して、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アラルキル基、アリール基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、複素環基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基を表し、Ｒ２４基同士、Ｒ２５基同士、Ｒ２６基同士、Ｒ２７基同士、Ｒ２４とＲ２５、Ｒ２４とＲ２６、Ｒ２５とＲ２７とが一緒になって縮合環構造を形成してもよい。又はそれぞれの基とＱとで縮合環を形成してもよい。ｍ１、ｍ２、ｍ３及びｍ４は０〜３の整数を表す。また、ｍ１、ｍ２、ｍ３及びｍ４が２以上の整数の場合は、複数のＲ２４、Ｒ２５、Ｒ２６及びＲ２７は異なっていてもよい。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４は前記と同じ意味を表し、Ｑは二価の原子（団）又は結合手を示す。）
一般式（３）において、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７で示されるアルキル基としては、例えば、炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０の直鎖状、又は分枝状の鎖状のアルキル基や、炭素数３〜３０、好ましくは炭素数３〜２０、より好ましくは炭素数３〜１０の単環式、多環式、又は架橋式のシクロアルキル基が挙げられ、具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
ハロゲン化アルキル基としては、前記したアルキル基の１個以上の水素原子がフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子によりハロゲン置換された基が挙げられ、具体的には、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等のパーフルオロアルキル基等が挙げられる。
アリール基としては、炭素数６〜３０、好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１２のアリール基が挙げられ、具体例としては、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントラニル基などが挙げられる。当該アリール基は、前記したアルキル基、後述するアルコキシ基、ハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。
アラルキル基としては、前記したアルキル基の１個以上の水素原子が前記したアリール基（当該アリール基は、前記したアルキル基、後述するアルコキシル基、ハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。）で置換された基が挙げられる。好ましいアラルキル基としては、置換基を有していてもよい、炭素数７〜３０、好ましくは７〜２０、より好ましくは７〜１５のアリールアルキル基が挙げられ、具体例としては、例えば、ベンジル基、４−メチルベンジル基、４−メトキシベンジル基、１−フェネチル基などが挙げられる。
【００５４】
ジアルキルアミノ基としては、前記したようなアルキル基により、２個の水素原子が置換されたアミノ基が挙げられ、具体例としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基などが挙げられる。
ジアラルキルアミノ基としては、前記したようなアラルキル基により、２個の水素原子が置換されたアミノ基が挙げられ、具体例としては、例えば、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。
ジアリールアミノ基としては、前記したようなアリール基により、２個の水素原子が置換されたアミノ基が挙げられ、具体例としては、例えば、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基などが挙げられる。
アルコキシ基としては、前記したようなアルキル基に酸素原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基などが挙げられる。
アラルキルオキシ基としては、前記したようなアラルキル基に酸素原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、ベンジルオキシ基、１−フェネチルオキシ基などが挙げられる。
アリールオキシ基としては、前記したようなアリール基に酸素原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフチルオキシ基などが挙げられる。
複素環基としては、例えば、イミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、チエニル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンズオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。
ヘテロアリールオキシ基としては、前記したような複素環基に酸素原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、２−ピリジルオキシ基、２−ピラジルオキシ基、２−ピリミジルオキシ基、２−キノリルオキシ基などが挙げられる。
アシル基としては、直鎖状でも分岐状でもよい、例えば、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等のカルボン酸由来の炭素数１〜１８のアシル基が挙げられ、具体例としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ピバロイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、ラウロイル基、ステアロイル基、ベンゾイル基、アクリロイル基等が挙げられる。
【００５５】
アルコキシカルボニル基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数２〜１９のアルコキシカルボニル基が挙げられ、具体例としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、２−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ラウリルオキシカルボニル基、ステアリルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
アシルオキシ基としては、カルボン酸由来の例えば炭素数２〜１８のアシルオキシ基が挙げられ、具体例としては、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ペンタノイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ラウロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、アクリロイルオキシ基等が挙げられる。
カルバモイル基としては、無置換のカルバモイル基又は窒素原子上の少なくとも１つの水素原子が前記したようなアルキル基、アリール基又はアラルキル基などで置換されたモノ又はジ置換カルバモイル基が挙げられ、例えば、カルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
トリアルキルシリル基としては、前記したようなアルキル基で置換されたシリル基が挙げられ、具体例としては、例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基などが挙げられる。
トリアリールシリル基としては、前記したアリール基で置換されたシリル基が挙げられ、具体例としては、例えば、トリフェニルシリル基などが挙げられる。
また、Ｒ２４基同士、Ｒ２５基同士、Ｒ２６基同士、Ｒ２７基同士が一緒になって縮合環構造を形成してもよく、更には、Ｒ２４とＲ２５、Ｒ２４とＲ２６又は／及びＲ２５とＲ２７とが一緒になって縮合環構造を形成していてもよい。該縮合環の具体例としては、例えばフェナンスレン環、フルオレン−９−オン環、１，１０−フェナンスロリン環、４，５−ジアザフルオレン−９−オン環等が挙げられる。
【００５６】
これらの白金錯体としては、前述のイリジウム錯体において説明した溶剤と同様の溶剤に、０．０１質量％以上溶解する、好ましくは０．１質量％以上溶解する、又は０．５質量％以上溶解するものが好ましい。このような白金錯体を溶解する溶剤としては、材料を溶解することが出来ればいずれの有機溶剤でも使用可能であり、少なくとも白金錯体を溶剤に対して０．０１ｗｔ％以上溶解する溶剤が好ましい。具体的な溶剤としては、ペンタン、ヘキサン、オクタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素、エチルエーテル、プロピルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン類、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、酢酸エチル等のエステル類などが挙げられる。好ましい溶剤としては、脂肪族炭化水素又は芳香族炭化水素が挙げられる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造するための塗布用の溶液又は分散液（塗液）としては、前記した溶媒に本発明の白金錯体が、０．０１ｗｔ％以上、好ましくは０．０１〜１５質量％、より好ましくは０．１〜１５質量％、又は０．５〜１５質量％溶解又は均一に分散しているものが挙げられる。
このような溶媒に溶解する白金錯体としては、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄ及びＱ上に低極性の基（例えばアルキル基、アラルキル基、アリール基等の炭化水素基）を有するものが好ましく、具体的な化合物としては以下のようなものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００５７】
【化２１】
【００５８】
【化２２】
【００５９】
発光素子の有機層（有機化合物層）の製膜方法は、特に限定されないが、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法などの方法が好ましい。更に好ましくは、構成材料等の有機溶剤溶液を調整し、スプレイコーティング、スピンコーティング、ディップコーティングなどのコーティング法、グラビア印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷等の印刷法、またはインクジェット法等によって印刷またはコーティングを行い、乾燥して製膜する。乾燥方法も特に制限はない。また、各種材料の粘度を調整するため、高分子材料を含有させても良い。このとき混合する高分子材料は、素子の性能を落とさないように、電子又は正孔輸送層を有するものが好ましい。例えば、溶剤に可溶としたポリフェニレン、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリビニルカルバゾール、ポリピロール、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリオキサジアゾール等が挙げられる。特に溶剤に可溶としたポリパラフェニレン、ポリビニルカルバゾールが好ましい。また、電子輸送を補助する材料を加えることも好ましい態様のひとつである。このような電子輸送を補助する材料としての具体例としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、多環系化合物、バソクプロイン等のヘテロ多環系化合物、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、アントラキノンジメタン誘導体、アントロン誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸又はペリレンテトラカルボン酸等の芳香環テトラカルボン酸の酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、イリジウム錯体等が挙げられる。
【００６０】
本発明の有機ＥＬ素子の発光層に含有される発光材料としては、本発明のイリジウム錯体や、白金錯体を単独で使用することも可能ではあるが、発光効率などの観点から、本発明のイリジウム錯体の少なくとも１種と、本発明の白金錯体の少なくとも１種を組み合わせて使用するのが好ましい。本発明のイリジウム錯体は、発光層におけるホスト材料としての機能を有するものであり、また、本発明の白金錯体は発光層におけるゲスト材料として機能するものであることから、両者の組み合わせはホスト−ゲストの組み合わせとなり、発光層の発光材料として好ましい組み合わせとなる。
発光層におけるホスト材料とゲスト材料の混合比は、発光層中の白金原子濃度が少なくとも０．２％以上となるようにする。具体的には、ホスト材料とゲスト材料の混合比が、０．５：９９．５〜９９．５：０．５の範囲が好ましい。発光層の膜厚は特に限定はないが、乾燥後１ｎｍ〜１μｍとした場合に、高い発光効率が得られ、１０ｎｍ〜５００ｎｍとなるように作製することが好ましい。
本発明の発光材料を塗布する際の溶媒としては、材料を溶解することが出来ればいずれの有機溶剤でも使用できる。例えばシクロヘキサノン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、クロロホルム、ジクロロメタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、テトラリン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ブチルカルビトール、Ｎ−メチルピロリドン、酢酸、メタノール、エタノール、フェノール、ブタノール、水等をあげることが出来る。溶剤の揮発速度が速いと溶液の粘度上昇が起こることや、使用する印刷版に材料が固着しやすくなることから、２５℃における蒸気圧が０．０１〜３．０ｋＰａ（０．１２〜２．５ｍｍＨｇ）の範囲内であって沸点が常圧で１００〜３００℃の範囲内であることが好ましい。このような溶剤の例として、トルエン、キシレン、シクロヘキサノン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、テトラリン、１，１，２−トリクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ブチルカルビトール、Ｎ−メチルピロリドン、酢酸、フェノール、ブタノール、水等が挙げられる。これらの溶剤は、単独で使用してもよく、混合して使用することもできる。
ゲスト及びホスト化合物の溶液の濃度は、印刷法やコーティング方法により異なるが、０．１質量％〜１５質量％の範囲であることが好ましい。ゲスト及びホスト化合物の濃度が０．１質量％未満であると、印刷又はコーティングした乾燥後の膜厚が薄くなり過ぎる為有機EL素子のショートを引き起こす恐れがある。一方、ゲスト及びホスト化合物の濃度が１５質量％を越えると、印刷又はコーティングした乾燥後の膜厚が厚くなり、発光させる為の必要な電圧が高くなる、或いは発光輝度が低くなることになる。得られる有機EL素子の性能から、材料の溶液中での濃度は０．５質量％〜１０質量％の範囲にあることが特に好ましい。材料の溶液中での濃度がこの範囲内であれば乾燥後の発光層の膜厚を１ｎｍ〜１μｍとなるように制御しやすい。
【００６１】
前記発光層上に電子輸送層等の異なる層を設ける場合、湿式製膜法又は真空蒸着法によって前記発光層上に設ける。好ましくはインクジェット法、印刷法やコーティング法などの湿式製膜法が好ましい。湿式製膜法により材料を溶剤に溶解又は分散させて得た溶液を、公知のコーティング法、インクジェット法、印刷法等によって塗布後乾燥させる。乾燥方法に特に制限はない。このとき使用する溶剤は、発光層が溶解することのないような溶剤が好ましい。このとき溶剤中の化合物濃度が０．１〜１０質量％となるように調整すると、乾燥後の電子輸送層の膜厚を１ｎｍ〜２００ｎｍとなるように制御しやすい。
発光素子は陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した素子であり、発光層の他、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有しても良く、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えた物であっても良い。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることが出来る。
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（以下、ＩＴＯという。）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性などの点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、たとえばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法など）、ＩＴＯ分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げ、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【００６２】
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いる事ができ、具体例としてはリチウム、ナトリウム、カリウムといったアルカリ金属およびその弗化物、マグネシウム、カルシウムといったアルカリ土類金属及びその弗化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。
陰極は、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることも出来る。陰極の膜厚は材料により適時選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法等の方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することも出来る。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金で極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させても良い。陰極及び陽極のシート抵抗は低い方が好ましい。
【００６３】
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール） 誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、イリジウム錯体等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の一種または二種以上から成る単層構造であっても良いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。正孔注入層、正孔輸送層の作製方法は、真空蒸着法やＬＢ法、前記の正孔注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法等）、インクジェット法等の方法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することが出来、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。陽極から注入された正孔を障壁する機能を有する正孔ブロッキング層のイオン化ポテンシャルは、発光層のイオン化ポテンシャルよりも大きいものを選択する。
具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、多環系化合物、バソクプロイン等のヘテロ多環系化合物、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、アントラキノンジメタン誘導体、アントロン誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸又はペリレンテトラカルボン酸等の芳香環テトラカルボン酸の酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、イリジウム錯体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の一種または二種以上から成る単層構造であっても良いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記の正孔注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法等）、インクジェット法等の方法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することが出来、樹脂成分としては正孔注入層及び正孔輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【００６４】
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであれば良い。具体例としては、インジウム、錫、鉛、金、銀、銅、アルミニウム、チタン、ニッケル等の金属、酸化マグネシウム、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ゲルマニウム、酸化ニッケル、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化鉄、酸化イッテルビウム、酸化チタンなどの金属酸化物、弗化マグネシウム、弗化リチウム、弗化アルミニウム、弗化カルシウムの金属弗化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも一種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法を適用できる。
【００６５】
本発明のイリジウム錯体や白金錯体を用いた高効率な発光素子は、省エネルギーや高輝度が必要な製品に応用が可能である。応用例としては表示装置、照明装置やプリンターの光源、液晶表示装置のバックライトなどが考えられる。表示装置としては、省エネルギーや高視認性・軽量なフラットパネルディスプレイが可能となる。また、プリンターの光源としては、現在広く用いられているレーザビームプリンタのレーザー光源部を、本発明の発光素子に置き換えることができる。独立にアドレスできる素子をアレイ上に配置し、感光ドラムに所望の露光を行うことで、画像形成する。本発明の素子を用いることで、装置体積を大幅に減少することができる。照明装置やバックライトに関しては、本発明による省エネルギー効果が期待できる。ディスプレイへの応用では、単純マトリックス方式及びアクティブマトリクス方式であるＴＦＴ駆動回路を用いて駆動する方式が考えられる。上記ＩＴＯ電極の上に多層あるいは単層の有機ＥＬ層／陰極層を順次積層し有機ＥＬ表示パネルを得ることができる。本発明の発光層を用いた表示パネルを駆動することにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。
【発明の効果】
【００６６】
本発明に係るイリジウム錯体及び白金錯体（以下、本発明の錯体とする）は、溶媒溶解性に優れるため、当該化合物を含む塗液を用いて成膜することが可能であり、有機発光素子、特に燐光有機発光素子をコーティング成膜によって作製することが可能である。
また本発明の錯体は塗膜中に凝集することなく均一に分散するので、有機ＥＬ素子に用いられた場合に被塗布材上の各部において均一な発光特性をもたらし、その結果、注入された電荷に基づく発光が面内で均一に生じることとなり、発光効率が向上する。
本発明の錯体は、これまでの塗布型発光・燐光材料に比べて効率が高く、かつ発光材料自身の凝集を抑制できるため、低電圧駆動も可能である。また、本発明の有機化合物は熱的安定性が高く、寿命向上に有利である。
従って本発明の錯体は、これまでの塗布型発光・燐光材料が抱える種々の問題を解決し、高効率的発光により長寿命な有機ＥＬ素子の実現を可能にする。
本発明に係る有機ＥＬ素子は、上記効果を有する本発明の錯体を含有する層が設けられているため、従来に比べて塗布により容易に該材料の分散性が高い層が得られ、更に高い発光効率を得ることができ、長寿命素子の実現が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６７】
以下に実施例等を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６８】
（合成例1）
化合物（１−１）（ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）２,４−トリデカンジオナート）の製造
化合物（１−１）を次に示す反応式にしたがって製造した。
【００６９】
【化２３】
【００７０】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー（５．０ｇ、７．４４ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中に２−エトキシエタノール（５０ｍＬ）、２−フェニルピリジン（４．８５２g、３．１３ｍｍｏｌ、４．２当量）を順次加え、１３５℃にて３時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温にまで冷却し、中間体のビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）クロライド ダイマーを懸濁液として得た。この懸濁液に、２,４−トリデカンジオン（４.７６ｇ、２２．３ｍｍｏｌ、３．０当量）及び炭酸ナトリウム（２.３７g、２２．３ｍｍｏｌ、３．０当量）を順次加え、１３５℃でさらに２時間攪拌し山吹色の懸濁液を得た。反応液から溶媒を減圧留去して、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタン）にて精製した。カラムの分画を濃縮した後、ヘキサン／ジクロロメタンから再結晶を行い、標題の化合物（１−１）を山吹色の粉末として４．７７ｇ得た。収率８９．９％。さらに減圧下、昇華精製を行った。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２): δ
0.89(t, J=7.2Hz, 3H), 0.91-1.38(m,14H),
1.97(t, J=7.4Hz, 2H), 5.19(s, 1H)
ＭＳ（Ｃ３５Ｈ３９Ｎ２Ｏ２Ｉｒ：M.W.712.26)：実測値：712.0,501.1
【００７１】
（合成例２）
化合物（１−２）（ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）１０，１２−ヘンイコサンジオナート）の製造
化合物（１−２）を次に示す反応式にしたがって製造した。
【００７２】
【化２４】
【００７３】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに、合成例１と同様にして得られたビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）クロライド ダイマー（１．５ｇ、１．４ｍｍｏｌ、１当量）を取り、この中に１−ブタノール（３０ｍＬ）及び１０，１２−ヘンイコサンジオン（１．２g、３．６８ｍｍｏｌ、１．３当量）を順次加えた。さらにナトリウムターシャリーブトキシド（０．３７ｇ、３．１２mmol、１．１当量）を徐々に加え、１３５℃にて３時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温にまで冷却し、ろ過した。ろ過物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン）にて精製した。カラムの分画を濃縮した後、ヘプタンから再結晶を行い、標題の化合物（１−２）を山吹色の粉末として０．７４３ｇ（０．９０mmol）得た。収率３２．０％。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）：δ
0.88(t, J=7.3Hz, 6H), 0.95−1.35(m、28H), 1.99(td, 4H), 5.18(s, 1H),
6.32(d, J=7.6Hz,2H), 6.68(dd, J=7.6, 7.7Hz, 2H),
6.81(dd, J=7.6, 7.7Hz, 2H), 7.08(dd, J=5.8, 8.1Hz, 2H),
7.55(d, J=7.7Hz, 2H), 7.70(dd, J=5.8, 8.1Hz, 2H), 7.83(d, J=8.1Hz, 2H),
8.49(d, J=5.8Hz, 2H)
ＭＳ（Ｃ４３Ｈ５５Ｎ２Ｏ２Ｉｒ：M.W.824.22)：実測値：824.3,501.2
【００７４】
（合成例３）
化合物（１−３）（ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）３−ドデシル−２．４−ペンタジオナート）の製造
化合物（１−３）を次に示す反応式にしたがって製造した。
【００７５】
【化２５】
【００７６】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに、（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー（２．０ｇ、２．９８ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中に２−エトキシエタノール（３０ｍＬ）、２−フェニルピリジン（１．８５g、１１．９ｍｍｏｌ、２当量）を順次加え、１３５℃にて３時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温にまで冷却した後、３−ドデシル−２．４−ペンタジオン（２．０４ｇ、7.74mmol、１．３当量）を加え、さらにナトリウムターシャリーブトキシド（０．６０１ｇ、６．２５mmol、１．０５当量）を徐々に加えた後、室温にて１０時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温にまで冷却後、ろ過し、ろ過物をトルエンに溶解して、トルエン溶液を水洗した。さらに飽和食塩水で２回洗浄した後、乾燥して溶媒を留去した。得られた粗生成物は、塩化メチレン／ヘプタンで再結晶を行い、化合物（１−３）を山吹色の粉末として３．２３ｇ（５．２６mmol）得た。収率８８.３％。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）：δ
0.88(t, J=7.1Hz, 3H), 1.20-1.31(m, 20H), 1.57(d, J=7.0Hz, 2H),
2.01(s, 3H), 2.33(s, 3H), 6.08(d, J=7.8Hz, 2H),
6.63(dd, J=7.5Hz, 7.8Hz, 2H), 6.78(dd, J=7.5Hz, 7.8Hz, 2H),
7.27(dd, J=8.0Hz, 5.5Hz, 2H), 7.51(d, J=7.8Hz, 2H),
7.80(dd, J=8.0Hz, 5.5Hz, 2H), 7.87(d, J=8.0Hz, 2H), 8.87(d, J=5.5Hz, 2H)
ＭＳ（Ｃ３９Ｈ４７Ｎ２Ｏ２Ｉｒ：M.W.768.32）;実測値：768.2,501.2
【００７７】
（合成例４）
化合物（１−４）（ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）ドデシル−３−オキソブタノエート）の製造
化合物（１−４）を次に示す反応式にしたがって製造した。
【００７８】
【化２６】
【００７９】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）クロライド ダイマー（１．８３ｇ、１．７１ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中にアセトン１００ｍLを加えた。さらにトリフルオロメタンスルホン酸銀（１．７５６g、６．８３ｍｍｏｌ、２当量）を添加して、還流下にて３時間攪拌した。室温まで冷却した後、析出した塩化銀をろ過した。得られたろ液を還流管を取り付けたシュレンクフラスコに窒素下で加えて、さらにドデシル−３−オキソブタノエート（２．３４０９ｇ、８．７２mmol、２．５５当量）及びトリエチルアミン１．５ｍLを添加して、還流下にて５時間攪拌後、室温まで冷却した。反応溶液をろ過した後、ろ液を減圧留去した。得られた粗生成物を塩化メチレンに溶解した後、セライトろ過を行い、ろ液を溶媒留去した後、ヘプタン再結晶を３回繰り返して、化合物（１−４）を山吹色の粉末として０．６０２ｇ（０．７８４mmol）得た。収率２２．９％。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２）：δ
0.89(t, J=7.1Hz, 3H), 1.01-1.36(m, 16H), 3.08(s, 3H), 3.76(m, 2H),
4.69(s, 1H), 6.23(d, J=7.6Hz, 1H), 6.27(d, J=7.6Hz, 1H), 6.67(m, 2H),
6.79(m, 2H), 7.13(m, 2H), 7.52(d, J=7.8Hz, 2H), 7.54(d, J=7.54, 2H),
7.72(dd, 2H), 7.82(d, J=8.0Hz, 1H), 7.82(d, J=8.0Hz, 1H),
8.54(d, J=7.7Hz, 1H), 8.62(d, J=7.7Hz, 1H)
ＭＳ（Ｃ３８Ｈ４５Ｎ２Ｏ２Ｉｒ：M.W.770.30): 実測値：770.0, 501.1, 154.0
【００８０】
（合成例５）
化合物（１−５）（ビス（２−（４−デシルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート）の製造
化合物（１−５）を次に示す反応式にしたがって製造した。
【００８１】
【化２７】
【００８２】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに、（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー（０．５ｇ、０．７４４ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中に２−エトキシエタノール（３０ｍＬ）、２−（４−デシルフェニル）ピリジン（０．８８g、純度９０％、５．１０ｍｍｏｌ、３．４当量）を順次加え、１３５℃にて４時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温まで冷却した後、カリウムアセチルアセトナート水和物（０．２９ｇ、純度９７％、１．９１ｍｍｏｌ、２．６当量）を加え、還流下にてさらに２時間攪拌し山吹色の懸濁液を得た。反応液から溶媒を減圧留去して、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタン）にて精製した。カラムの分画を濃縮した後、ヘプタン／ジクロロメタンから再結晶を行い、標題の化合物（１−５）を山吹色の粉末として０.５１５４ｇ（０．５８５mmol）得た。収率３９.３％。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）： δ
0.883(t, J=7.1Hz, 6H), 1.04-1.42(m, 32H), 1.77(s, 6H),
2.27(d, J=7.7Hz, 4H), 5.19(s, 1H), 6.02(s, 2H), 6.61(d, J=7.9Hz, 2H),
7.08(dd, J=5.7, 8.0Hz, 2H), 7.43(d, J=8.0Hz, 2H),
7.68(dd, J=5.7, 8.0Hz, 2H), 7.79(d, J=8.0Hz, 2H), 8.48(d, J=5.7Hz, 2H)
ＭＳ（Ｃ４７Ｈ６３Ｎ２Ｏ２Ｉｒ:M.W.880.45): 実測値：880.2, 781.3
【００８３】
（合成例６）
化合物（１−６）（ビス（２−（３−ヘキシルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）アセチルアセトナート）の製造
化合物（１−６）を次に示す反応式にしたがって製造した。
【００８４】
【化２８】
【００８５】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに、（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー（１．０ｇ、１．４４ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中に２−エトキシエタノール（６０ｍＬ）、２−（３−ヘキシルフェニル）ピリジン（１．４２５g、５.９５ｍｍｏｌ、２当量）を順次加え、１３５℃にて４時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温まで冷却した後、カリウムアセチルアセトナート水和物（０．５７ｇ、純度９７％、３．７６ｍｍｏｌ、１．３当量）を加え、還流下にてさらに２時間攪拌し山吹色の懸濁液を得た。反応液から溶媒を減圧留去して、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタン）にて精製した。カラムの分画を濃縮した後、ヘプタン／ジクロロメタンから再結晶を行い、標題の化合物（１−６）を山吹色の粉末として０.８８９８ｇ（１．１６mmol）得た。収率３８．９％。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）： δ
0.86(t, J=7.1Hz, 6H), 1.21-1.32(m, 12H), 1.51-1.58(m, 4H),
2.43(t, J=7.7Hz, 4H), 5.19(s, 1H), 6.16(d, J=7.8Hz, 2H),
6.54(d, J=7.8Hz, 2H), 7.09(dd, J=8.1Hz, 6.3Hz, 2H), 7.35(s, 1H),
7.69(dd, J=8.1Hz, 6.3Hz, 2H), 7.83(d, J=8.1Hz, 2H), 8.59(d, J=6.3Hz, 2H)
ＭＳ（Ｃ３９Ｈ４７Ｎ２Ｏ２Ｉｒ:768.32): 実測値：768.0, 669.1
【００８６】
（合成例７）
化合物（１−７）（ビス（２−フェニル（４−ペンチル−ピリジナト）−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）２、４−ペンタジオナート）の製造
化合物（１−７）を次に示す反応式にしたがって製造した。
【００８７】
【化２９】
【００８８】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに、（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー（０．２ｇ、０．２９８ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中に２−エトキシエタノール（２５ｍＬ）、２−フェニル−４−ペンチルピリジン（０.３５２g、１.０７ｍｍｏｌ、３．６当量）を順次加え、１３５℃にて４時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温まで冷却した後、カリウムアセチルアセトナート水和物（０.１５２ｇ、純度９７％、１.０７ｍｍｏｌ、３.４当量）を加え、還流下にてさらに２時間攪拌し山吹色の懸濁液を得た。反応液から溶媒を減圧留去して、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン/酢酸エチル）にて精製した。カラムの分画を濃縮した後、トルエン／ヘプタンから再結晶を行い、標題の化合物（１−７）を山吹色の粉末として０.２１６ｇ（０.２９mmol）得た。収率４９.１％。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤ２Ｃｌ２）: δ
0.95(t, J=7.1Hz, 6H), 1.42(m, 8H), 1.77(m, 4H), 1.78(s, 6H),
2.80(t, J=7.9Hz, 4H), 5.19(s, 1H), 6.25(d, J=7.6Hz, 2H),
6.66(dd, J=7.6Hz, 7.8Hz, 2H), 6.78(dd, J=7.6Hz, 7.8Hz, 2H),
6.97(d, J=5.9Hz, 2H), 7.52(d, J=7.8Hz, 2H), 7.64(s, 2H),
8.36(d, J=5.9Hz, 2H)
ＭＳ（Ｃ３７Ｈ４８Ｎ２Ｏ２Ｉｒ:740.04): 実測値：741.4, 692.3, 673.4, 641.4
【００８９】
（合成例８）
化合物（２−１）の合成
次の式に示される化合物（２−１）を、次に示される反応式にしたがって製造した。
【００９０】
【化３０】
【００９１】
アルゴン雰囲気下、Ｎ，Ｎ−ビス［３−（２−ピリジル）フェニル］−３，５−ジ（ｔ−ブチル）アニリン（２４８ｍｇ）及びテトラクロロ白金酸カリウム(II)（３０６ｍｇ）を混合し、酢酸を加えて１４０℃にて３日間撹拌した。加水後、塩化メチレンで抽出を行い、溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（２−１）を赤色結晶として得た（１２４ｍｇ）。
【００９２】
（合成例９）
化合物（２−２）の合成
次の式で示される化合物（２−２）を、次に示される反応式にしたがって製造した。
【００９３】
【化３１】
【００９４】
ベンゾニトリル中に塩化白金（II）（２１２ｍｇ）及びＮ，Ｎ−ビス［３−（２−ピリジル）フェニル］−４−ｎ−オクチルアニリン（４０９ｍｇ）を加え、還流下で５時間撹拌を行った。放冷後、ベンゾニトリルを留去し、加水後、塩化メチレンで抽出した。抽出液を濃縮して塩化メチレンを留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（２−２）を赤色結晶として得た（３２８ｍｇ）。
【００９５】
（合成例１０）
化合物（２−３）の合成
次の式で示される化合物（２−３）を、次に示される反応式にしたがって製造した。
【００９６】
【化３２】
【００９７】
ベンゾニトリル中に塩化白金（II）（１７９ｍｇ）及びＮ，Ｎ−ビス［３−（４−ｔ−ブチルピリジン−２−イル）フェニル］アニリン（３４４ｍｇ）を加え、還流下で５時間撹拌を行った。放冷後、ベンゾニトリルを留去し、加水後、塩化メチレンで抽出した。抽出液を濃縮して塩化メチレンを留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（２−３）を赤色結晶として得た（３２５ｍｇ）。
【００９８】
（合成例１１）
化合物（２−４）の合成
次の式で示される化合物（２−４）を、次に示される反応式にしたがって製造した。
【００９９】
【化３３】
【０１００】
ベンゾニトリル中にジクロロビスベンゾニトリル白金（II）（３１８ｍｇ）及びＮ，Ｎ−ビス［３−（２−ピリジル）フェニル］−４−［３，６−ジ（２，４，４−トリメチルペンタン−２−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］アニリン（５３１ｍｇ）を加え、還流下で５時間撹拌を行った。放冷後、ベンゾニトリルを留去し、加水後、塩化メチレンで抽出した。抽出液を濃縮して塩化メチレンを留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（２−４）を赤色結晶として得た（６６２ｍｇ）。
【実施例１】
【０１０１】
図１の素子構造１の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。なお、ＰＥＤＴはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を示し、ＰＳＳはポリスルホスチレンを示す（以下、同じ）。さらに、その上に、発光層として、合成例１で製造した化合物（１−１）をホスト材料として、合成例８で製造した化合物（２−１）をゲスト材料として、さらに、次式
【０１０２】
【化３４】
【０１０３】
で示される化合物ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、１，２−ジクロロエタンに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。その上に背面電極としてＢａを３０ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍ蒸着した。この素子に電流を流したところ、６．８Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【実施例２】
【０１０４】
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに、その上に、発光層として、合成例１で製造した化合物（１−１）をホスト材料として、及び合成例８で製造した化合物（２−１）をゲスト材料として、１，２−ジクロロエタンに溶解したもの（ホスト：ゲスト＝９４：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次に、正孔阻止層としてバトクプロイン（ＢＣＰ：２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）を蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に，電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）を蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、５．３Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【実施例３】
【０１０５】
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに，その上に，発光層としては，合成例１で製造した化合物（１−１）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、さらに合成例８で製造した化合物（２−１）をゲスト材料として、１，２−ジクロロエタンに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次に正孔阻止層としてＢＣＰを蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に，電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ，ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、４．３Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【実施例４】
【０１０６】
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに、その上に、発光層としては、合成例１で製造した化合物（１−１）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、さらに合成例９で製造した化合物（２−２）をゲスト材料として、ＴＨＦに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次に正孔阻止層としてＢＣＰを蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に、電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、５．４Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【実施例５】
【０１０７】
図１の素子構造２の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに、その上に、発光層としては、合成例２で製造した化合物（１−２）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、さらに合成例９で製造した化合物（２−２）をゲスト材料として、１,２−ジクロロエタンに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、５．４Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【実施例６】
【０１０８】
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに、その上に、発光層としては、合成例４で製造された化合物（１−４）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、さらに合成例９で製造された化合物（２−２）をゲスト材料として、ＴＨＦに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次に正孔阻止層としてＢＣＰを蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に、電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、６.６Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【実施例７】
【０１０９】
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに、その上に、発光層としては、合成例５で製造された化合物（１−５）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、さらに合成例９で製造された化合物（２−２）をゲスト材料として、ＴＨＦに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次に正孔阻止層としてＢＣＰを蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に、電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、５．８Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【実施例８】
【０１１０】
図１の素子構造１の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに、その上に、発光層として、合成例６で製造された化合物（１−６）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、さらに合成例８で製造された化合物（２−１）をゲスト材料として、１，２−ジクロロエタンに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。その上に背面電極としてＢａを３０ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍ蒸着した。この素子に電流を流したところ、７．２Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【実施例９】
【０１１１】
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し、PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに、その上に、発光層としては、合成例６で製造された化合物（１−６）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、さらに合成例９で製造された化合物（２−２）をゲスト材料として、ＴＨＦに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次に正孔阻止層としてＢＣＰを蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に、電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、５．３Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【０１１２】
実施例１〜９で製造した各有機ＥＬ素子の特性をまとめて次の表１に示す。
【表１】
【０１１３】
（溶解度試験）
次の化学式で示される比較化合物Ｙ（Ｉｒ（ｐｐｙ）２ａｃａｃ）のトルエンに対する溶解度を室温（２５℃）で試験した。比較化合物Ｙ（Ｉｒ（ｐｐｙ）２ａｃａｃ）３２．５ｍｇに対してトルエン溶媒が４１．７２８ｇで完全に溶解した（溶解度０．０８wｔ％）。
【０１１４】
【化３５】
【０１１５】
続いて、同様にして、合成例１で得られた化合物（１−１）をトルエンに溶解させたところ、化合物（１−１）２９．１mgに対してトルエン溶媒０．９５５ｇを要した（溶解度３．０ｗｔ％）。同様に合成例２〜６で得られた化合物（１−２）〜（１−６）に対してもトルエンによる溶解度テストを行った。この結果をまとめて次の表２に各化合物の溶解度として示す。
【０１１６】
【表２】
【０１１７】
この結果、有機配位子が無置換である比較化合物Ｙに比べて、炭素鎖が炭素数で８個伸びた化合物（１−１）は、３７．５倍（３．０／０．０８）も溶解度が増加し、アセチルアセトナートの１個のメチル基がアルコキシ基に代えられた化合物（１−４）では、実に２３３．７５倍（１８．７／０．０８）も増加することがわかった。このように、有機配位子部分にアルキル鎖やアルコキシ鎖が導入された本発明のイリジウム錯体が、無置換の比較例化合物Ｙに比べて著しく溶解度が改善されていることがわかる。
【０１１８】
白金錯体の溶解度試験
発光特性を有する代表的な白金錯体として知られている次式
【０１１９】
【化３６】
【０１２０】
で示される比較化合物Ｚ（白金オクタエチルポルフィリン（II）錯体）のトルエンに対する溶解度を前記の溶解度試験と同様に行った。この結果、比較化合物Ｚの溶解度は、０．０１ｗｔ％以下であった。
続いて、同様にして、合成例８で得られた化合物（２−１）をトルエンに溶解させたところ、化合物（２−１）１５mgに対してトルエン溶媒１．１３１ｇを要した（溶解度１．３３ｗｔ％）。同様に合成例９〜１１で得られた化合物（２−２）〜（２−４）に対してもトルエンによる溶解度テストを行った。この結果をまとめて次の表３に各化合物の溶解度として示す。
【０１２１】
【表３】
【０１２２】
この結果、４個の環が相互に結合している比較化合物Ｚに比べて、その一端が開放されている本発明の白金錯体は、少なくとも６０倍（０．６０／０．１未満）（試験した本発明の白金錯体の中でもっとも低い溶解度を示した化合物（２−１）の場合）以上の溶解度の増加がみられることがわかった。このように、本発明の白金錯体は、公知の白金錯体である比較例化合物Ｚに比べて著しく溶解度が改善されていることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造することが可能となる溶解性や分散性に優れた燐光発光性材料を提供するものであり、しかも本発明の材料を使用することにより、発光層を湿式製膜法で製造しても発光効率や素子寿命に優れ、本発明は簡便で極めて有効な有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の製造材料、その製造方法、及びその方法で製造された有機ＥＬ素子を提供するものであり、産業上極めて有用なものである。
また、本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の材料として有用な新規なイリジウム錯体及び白金錯体を提供するものであり、本発明のこれらの錯体も同様に産業上有用なものである。
したがって、本発明は、産業上の利用性可能性を有しているものである。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】図１は、実施例中の素子構造１、素子構造２及び素子構造３の構成を示す図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アラルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基を示しており、それぞれの置換基が他の置換基と結合しても良い。Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン化アルキル基を表し、Ｒ１１は水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又はハロゲン化アルキル基を表す。また、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は重合性基又は該重合性基が重合した基を示してもよい。ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１の中の少なくとも一つは、炭素数５以上のアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数７以上のアラルキル基を表す。ｎは１又は２の整数を示し、ｎ１は１又は２の整数を示すが、ｎとｎ１の和は３である。）
で表されるイリジウム錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子用ホスト材料。
【請求項２】
一般式（１）における、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１の中の少なくとも１つの基が、炭素数５〜３０のアルキル基又はアルコキシ基である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ホスト材料。
【請求項３】
一般式（１）における、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の中の少なくとも２つ以上の基が、炭素数５〜３０のアルキル基又はアルコキシ基である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ホスト材料。
【請求項４】
下記一般式（２）
【化２】
（式中、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、この中の何れか２つの環が置換基を有していてもよい含窒素複素環を示し、残りの２つの環が置換基を有していてもよいアリール環又はヘテロアリール環を示し、環Ａと環Ｂ、環Ａと環Ｃ又は／及び環Ｂと環Ｄとで縮合環を形成してもよく、また、それぞれの環と前記置換基とで縮合環を形成していてもよい。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、この中のいずれか２つが白金原子に配位結合する窒素原子を示し、残りの２つは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｑ１、Ｑ２及びＱ３は、それぞれ独立して、二価の原子（団）又は結合手を示すが、Ｑ１、Ｑ２及びＱ３が同時に結合手を表すことは無い。）
で表される白金錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子用ゲスト材料。
【請求項５】
一般式（２）におけるＸ３及びＸ４が窒素原子であり、Ｘ１及びＸ２が炭素原子である請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ゲスト材料。
【請求項６】
一般式（２）における、環Ｃ及び環Ｄがピリジン環であり、環Ａ及び環Ｂがベンゼン環である請求項４又は５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ゲスト材料。
【請求項７】
一般式（２）における、Ｑ２及びＱ３が結合手で、Ｑ１が置換基を有してもよいフェニル基が置換した窒素原子である請求項４〜６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ゲスト材料。
【請求項８】
請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ホスト材料の１種又は２種以上を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
請求項４〜７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ゲスト材料の１種又は２種以上を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
少なくとも一対の対向電極と当該電極間に挟持される発光層を有する発光素子において、発光層に請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ホスト材料の１種又は２種以上を含有していることを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
発光層が、更に有機エレクトロルミネッセンス素子用ゲスト材料を含有することを特徴とする請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
発光層が、湿式製膜法で作成されたものであることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の発光素子。
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アラルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基を示しており、それぞれの置換基が他の置換基と結合しても良い。Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン化アルキル基を表し、Ｒ１１は水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又はハロゲン化アルキル基を表す。また、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は重合性基又は該重合性基が重合した基を示してもよい。ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１の中の少なくとも一つは、炭素数５以上のアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数７以上のアラルキル基を表す。ｎは１又は２の整数を示し、ｎ１は１又は２の整数を示すが、ｎとｎ１の和は３である。）
で表されるイリジウム錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子用ホスト材料。
【請求項２】
一般式（１）における、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１の中の少なくとも１つの基が、炭素数５〜３０のアルキル基又はアルコキシ基である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ホスト材料。
【請求項３】
一般式（１）における、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８の中の少なくとも２つ以上の基が、炭素数５〜３０のアルキル基又はアルコキシ基である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ホスト材料。
【請求項４】
下記一般式（２）
【化２】
（式中、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは、この中の何れか２つの環が置換基を有していてもよい含窒素複素環を示し、残りの２つの環が置換基を有していてもよいアリール環又はヘテロアリール環を示し、環Ａと環Ｂ、環Ａと環Ｃ又は／及び環Ｂと環Ｄとで縮合環を形成してもよく、また、それぞれの環と前記置換基とで縮合環を形成していてもよい。Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は、この中のいずれか２つが白金原子に配位結合する窒素原子を示し、残りの２つは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｑ１、Ｑ２及びＱ３は、それぞれ独立して、二価の原子（団）又は結合手を示すが、Ｑ１、Ｑ２及びＱ３が同時に結合手を表すことは無い。）
で表される白金錯体を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子用ゲスト材料。
【請求項５】
一般式（２）におけるＸ３及びＸ４が窒素原子であり、Ｘ１及びＸ２が炭素原子である請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ゲスト材料。
【請求項６】
一般式（２）における、環Ｃ及び環Ｄがピリジン環であり、環Ａ及び環Ｂがベンゼン環である請求項４又は５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ゲスト材料。
【請求項７】
一般式（２）における、Ｑ２及びＱ３が結合手で、Ｑ１が置換基を有してもよいフェニル基が置換した窒素原子である請求項４〜６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ゲスト材料。
【請求項８】
請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ホスト材料の１種又は２種以上を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
請求項４〜７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ゲスト材料の１種又は２種以上を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
少なくとも一対の対向電極と当該電極間に挟持される発光層を有する発光素子において、発光層に請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ホスト材料の１種又は２種以上を含有していることを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
発光層が、更に有機エレクトロルミネッセンス素子用ゲスト材料を含有することを特徴とする請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
発光層が、湿式製膜法で作成されたものであることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の発光素子。
【図１】
【公開番号】特開２００６−２９０９８８（Ｐ２００６−２９０９８８Ａ）
【公開日】平成１８年１０月２６日（２００６．１０．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１１１９１１（Ｐ２００５−１１１９１１）
【出願日】平成１７年４月８日（２００５．４．８）
【出願人】（０００１６９４６６）高砂香料工業株式会社 (194)
【出願人】（０００００４３５２）日本放送協会 (2,206)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月２６日（２００６．１０．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年４月８日（２００５．４．８）
【出願人】（０００１６９４６６）高砂香料工業株式会社 (194)
【出願人】（０００００４３５２）日本放送協会 (2,206)
【Ｆターム（参考）】
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