めっき装置
【課題】めっき処理室に被めっき物およびめっき液を投入し、めっき処理室を回転させながらめっきを行う回転式のめっき装置において、被めっき物に形成されるめっき膜の膜厚のばらつきを低減して、被めっき物に膜厚の均一なめっき膜を形成することを可能にする。
【解決手段】被めっき物２は通過させず、めっき液３は通過させるように構成された案内壁２０（２０ａ，２０ｂ）をめっき処理室１内に配設し、陰極電極１２の、被めっき物２が接触しうる領域のうち、めっき処理に悪影響を与えるような電流密度差がある領域（陰極電極の上端部１２ａと下端部１２ｂ）には被めっき物２が接触せず、電流密度がほぼ均一な中央領域１２ｃにのみ被めっき物２が接触するように被めっき物２を案内して、被めっき物２への通電を均一化し、安定しためっき処理を可能にする。
【解決手段】被めっき物２は通過させず、めっき液３は通過させるように構成された案内壁２０（２０ａ，２０ｂ）をめっき処理室１内に配設し、陰極電極１２の、被めっき物２が接触しうる領域のうち、めっき処理に悪影響を与えるような電流密度差がある領域（陰極電極の上端部１２ａと下端部１２ｂ）には被めっき物２が接触せず、電流密度がほぼ均一な中央領域１２ｃにのみ被めっき物２が接触するように被めっき物２を案内して、被めっき物２への通電を均一化し、安定しためっき処理を可能にする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき装置に関し、詳しくは、チップ型の積層セラミックコンデンサのような小型の電子部品（被めっき物）にめっきを施すための回転式のめっき装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップ型の積層セラミックコンデンサのような小型の電子部品（被めっき物）にめっきを施すのに用いられるめっき装置としては、例えば、図７に模式的に示すように、回転可能で、内部空間が略円板状のめっき処理室５１に被めっき物５２およびめっき液５３を投入し、めっき処理室５１を回転させながら被めっき物５２にめっきを施すようにした回転式のめっき装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このめっき装置においては、めっき処理室５１の周壁が環状の陰極電極５４と、めっき液５３を通過させる環状の部材からなる液抜き部５５から形成されている。そして、液抜き部５５から抜き出されためっき液５３は容器５６により受けられ、循環路５８を経て、めっき処理室５１の上部中央に配設された開口部５７からめっき処理室５１内に戻るように構成されている。また、陽極電極５９は、めっき処理室５１の上部中央の開口部５７からめっき処理室５１内に挿入され、めっき液５３に浸漬されている。
【０００４】
このめっき装置を用いて被めっき物５２にめっきを行う場合、被めっき物５２をめっき液５３とともにめっき処理室５１内に投入し、めっき処理室５１を回転させながら、陽極電極５９と陰極電極５４の間に通電することにより、被めっき物５２にめっきを施す。
このとき、めっき処理室５１の回転により発生する遠心力で被めっき物５２が陰極電極５４に効率よく接触するとともに、めっき処理室５１の正転、減速（停止）、反転が繰り返して行われることにより、被めっき物５２の撹拌と、陰極電極５４との接触、すなわち被めっき物５２への通電が繰り返して行われ、被めっき物にめっきが施される。
【０００５】
しかしながら、上記従来のめっき装置を用いてめっきを行う場合、電気力線の回り込みにより、陰極電極の端部（例えば上端部など）では、電気力線が集中して電流密度が高くなり、めっき処理室の正転、減速（停止）、反転などを繰り返して行いながらめっきを行った場合にも、めっき膜厚にばらつきが生じるという問題点がある。
【特許文献１】特開平７−１１８８９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記問題点を解決するものであり、めっき処理室に被めっき物およびめっき液を投入し、めっき処理室を回転させながらめっきを行う回転式のめっき装置において、被めっき物に形成されるめっき膜の膜厚のばらつきを低減して、被めっき物に膜厚の均一なめっき膜を形成することが可能なめっき装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明（請求項１）のめっき装置は、
回転可能で、被めっき物およびめっき液が収容される内部空間が略円板状のめっき処理室と、
前記めっき処理室内のめっき液に浸るように配設された陽極電極と、
前記めっき処理室の周壁を形成するように配設された環状の陰極電極と、
前記めっき処理室の周壁を形成するように配設され、前記めっき処理室の周囲から、被めっき物を通過させることなく、めっき液を外部に抜き出すことができるように構成されためっき液抜き出し部と、
前記めっき液抜き出し部から抜き出されためっき液を前記めっき処理室に戻す循環路と、
前記めっき処理室内に配設され、被めっき物は通過せず、めっき液は通過するように構成され、前記めっき処理室の周壁を形成する前記陰極電極の、被めっき物が接触しうる領域のうち、めっき処理に悪影響を与えるような電流密度差がある領域には被めっき物が接触せず、電流密度がほぼ均一な領域に被めっき物が接触するように被めっき物を案内する案内壁と
を具備することを特徴としている。
【０００８】
また、請求項２のめっき装置は、前記案内壁が前記陰極電極の上端部を覆い、被めっき物が前記陰極電極の上端部に接触しないような態様で配設されていることを特徴としている。
【０００９】
また、請求項３のめっき装置は、前記案内壁が前記陰極電極の下端部を覆い、被めっき物が前記陰極電極の下端部に接触しないような態様で配設されていることを特徴としている。
【００１０】
また、請求項４のめっき装置は、前記案内壁がメッシュ状材料から形成されたものであることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明（請求項１）のめっき装置は、上述のように、内部空間が略円板状のめっき処理室と、陽極電極と、めっき処理室の周壁を形成するように配設された環状の陰極電極と、めっき処理室の周壁を形成するように配設され、めっき処理室の周囲から、被めっき物を通過させることなくめっき液を外部に抜き出すめっき液抜き出し部と、抜き出されためっき液をめっき処理室に循環する循環路と、めっき処理室の内周壁を形成する陰極電極の、被めっき物が接触しうる領域のうち、めっき処理に悪影響を与えるような電流密度差がある領域には被めっき物が接触せず、電流密度がほぼ均一な領域に被めっき物が接触するように被めっき物を案内する案内壁とを備えているので、被めっき物に均一な通電を行うことが可能になり、被めっき物に形成されるめっき膜の膜厚のばらつきを低減して、被めっき物に均一な膜厚を有するめっき膜を形成することが可能になる。
【００１２】
すなわち、本発明のめっき装置においては、被めっき物は通過させず、めっき液は通過させるように構成された案内壁が、陰極電極の、被めっき物が接触しうる領域のうち、めっき処理に悪影響を与えるような電流密度差がある領域には被めっき物を接触させず、電流密度がほぼ均一な領域にのみ被めっき物が接触するように被めっき物を案内するため、陰極電極の電流密度が均一な領域に被めっき物を確実に接触させて、被めっき物への通電を均一化し、被めっき物に均一なめっきを施すことが可能になる。
【００１３】
なお、本発明のめっき装置は、めっき処理室を単に回転させる（一定方向に一定速度で連続的に回転させる）場合だけではなく、めっき処理室を、回転方向を変えながら（すなわち反転させながら）連続的に回転させる場合、回転状態と回転停止状態が繰り返されるように断続的、あるいは間欠的に回転させる場合、一方向に回転させる一方向回転と、他の方向に回転させる他方向回転を、間に回転停止状態を挟んで繰り返して行う場合など種々の態様でめっき処理室を回転させる場合に広く適用することが可能である。
【００１４】
また、本願請求項１の発明のめっき装置において、めっき処理室の周壁を形成するように配設された環状の陰極電極と、めっき処理室の周壁を形成するように配設され、前記めっき処理室の周囲から、被めっき物を通過させることなく、めっき液を外部に抜き出すことができるように構成されためっき液抜き出し部とを備えた構成を実現するにあたっては、例えば、環状の陰極電極上に略同一の平面形状を有する環状の多孔質材料からなるめっき液抜き出し部を積み重ねて配設する方法などが示される。
【００１５】
また、請求項２のめっき装置のように、案内壁を、陰極電極の上端部を覆うように配設した場合、電気力線が集中して電流密度が高くなりやすい陰極電極の上端部に被めっき物が接触することを防止して、より確実に被めっき物に均一なめっきを施すことが可能になる。
【００１６】
陰極電極の電流密度のばらつきは、陽極電極から陰極電極への電気力線の集中の程度に左右される。そして、回転式のめっき装置の場合、通常、めっき処理室の内部空間は、陰極電極の上端部よりも上方にまで形成されており、電気力線は、陽極電極から陰極電極に向かって放物線を描くような経路で進むことから、陰極電極の上端部に電気力線が集中しやすい。それゆえ、案内壁を、陰極電極の上端部を覆うように配設することにより、被めっき物が陰極電極の電流密度が高くなる上端部に接触することを防止して、より確実に被めっき物に均一なめっきを施すことが可能になる。
【００１７】
また、陰極電極の下端よりもさらに下側にめっき処理室の内部空間が存在すると、陰極電極の下端部にも電気力線の集中が生じる。それゆえ、そのような場合には、請求項３のように、案内壁を、陰極電極の下端部を覆うように配設することにより、被めっき物が陰極電極の電流密度が高くなる下端部に接触することを防止して、被めっき物に均一なめっきを施すことが可能になる。
ただし、めっき処理室の底面と同じ高さに陰極の下端が位置している場合は、陰極電極の下端部への電気力線の回り込みは特になく、電流密度が高くなることはないので、そのような場合には、通常、陰極電極の下端部を案内壁で覆う必要はない。
【００１８】
また、請求項４のめっき装置のように、案内壁をメッシュ状材料から形成するようにした場合、めっき処理室内のめっき液の流動を妨げることなく、被めっき物を電流密度がほぼ均一な領域に案内することが可能になり、効率よく安定しためっき処理を行うことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に本発明の実施例を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【実施例】
【００２０】
図１は本発明の一実施例にかかるめっき装置の構成を示す図、図２は図１のめっき装置の要部を拡大して示す図、図３は本発明の一実施例にかかるめっき装置を構成する陰極電極への電気力線の集中の状態を説明する図、図４は実施例にかかるめっき装置によりめっきが施される積層セラミックコンデンサ（被めっき物）を示す斜視図である。
【００２１】
この実施例では、図４に示すように、セラミック層と内部電極層が積層された構造を有する積層セラミック素子（電子部品素子）４１の両端部に外部電極４２ａ，４２ｂが配設された、厚み（Ｔ）０．３mm、幅（Ｗ）０．３mm、長さ（Ｌ）０．６mmの積層セラミックコンデンサを被めっき物２とし、その外部電極４２ａ，４２ｂの表面にＮｉめっきなどのめっきを施す場合に用いられるめっき装置を例にとって説明する。
【００２２】
このめっき装置は、図１に示すように、回転可能で、被めっき物２およびめっき液３が収容される略円板状の内部空間１ａを有するめっき処理室１を備えている。そして、めっき処理室１は、底部を構成するベース部材１１と、めっき処理室１の周壁１ｂを形成する環状の陰極電極１２と、上記環状の陰極電極１２上に積み重ねるように配設され、陰極電極１２とともにめっき処理室１の周壁１ｂを構成する、多孔質材料からなる環状のめっき液抜き出し部１３と、めっき処理室１の上部を覆うように配設された中央に開口部１５を有する蓋部材１６と、該蓋部材１６の開口部１５から、めっき処理室１の略中央部に挿入され、めっき液３に浸漬された陽極電極１７を備えている。
【００２３】
なお、多孔質材料からなる環状のめっき液抜き出し部１３は、めっき処理室１の周囲から、被めっき物２を通過させることなくめっき液３を外部に抜き出すことができるように構成されており、このめっき液抜き出し部１３から抜き出されためっき液３は、容器１９により受けられ、循環路１８を経て、めっき処理室１内に循環されるように構成されている。また、このこの実施例のめっき装置では、めっき処理室１が回転と停止を所定のピッチで繰り返しながらめっき処理を行うことができるように構成されている。
【００２４】
また、この実施例のめっき装置においては、蓋部材１６は中央側が高くなるように傾斜した形状を有しており、めっき処理室１の厚みが、その中央部に向かって厚くなるように構成されているとともに、めっき処理室１の底部を構成するベース部材１１の上面側にはくぼみ１１ａが形成されており、陰極電極１２の下端よりもさらに下側にめっき処理室１の内部空間１ａが存在するように構成されており、陰極電極１２の上端部１２ａと下端部１２ｂでは、電気力線が集中して電流密度が高くなるような構成となっている。
【００２５】
そして、このめっき装置においては、めっき処理室１内に、陰極電極１２の電流密度が均一な領域にだけ被めっき物２を接触させることができるように、被めっき物２を案内する案内壁２０（上部案内壁２０ａ，下部案内壁２０ｂ）が配設されている。
すなわち、この実施例のめっき装置においては、案内壁２０として、図２および図３に示すように、電気力線の集中により電流密度が高くなる陰極電極１２の上端部１２ａを覆い、被めっき物２が陰極電極１２の上端部１２ａに接触しないようにする上部案内壁２０ａと、電気力線の集中により電流密度が高くなる陰極電極１２の下端部１２ｂを覆い、被めっき物２が陰極電極１２の下端部１２ｂに接触しないように配設された下部案内壁２０ｂがめっき処理室１の内部空間１ａ内に配設されている。なお、上部案内壁２０ａと下部案内壁２０ｂはいずれもステンレス製のメッシュ状材料（金網）から形成されている。
【００２６】
上述のように構成されたこの実施例のめっき装置によれば、案内壁２０（上部案内壁２０ａ，下部案内壁２０ｂ）の機能により、被めっき物２が、陰極電極１２の電流密度の高い上端部１２ａおよび下端部１２ｂに接触することなく、電流密度がほぼ均一な中央領域１２ｃにのみ接触することになるため、被めっき物２への通電を均一化することが可能になり、めっき膜厚にばらつきの生じない、均一なめっき処理を施すことが可能になる。
【００２７】
なお、上述のように構成された、案内壁２０（上部案内壁２０ａ，下部案内壁２０ｂ）を有する実施例のめっき装置を用いてめっきを行った場合と、案内壁を備えていない従来のめっき装置を用いてめっきを行った場合の、めっき膜の平均膜厚と、膜厚のばらつきを表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】
表１に示すように、従来のめっき装置を用いてめっきを行った場合、めっき膜の膜厚のばらつきは大きかったが、本発明の実施例にかかるめっき装置を用いることにより、めっき膜の膜厚のばらつきを大幅に低減できることが確認された。
【００３０】
なお、上記実施例では、陰極電極１２の下端部１２ｂより下方にめっき処理室１の内部空間１ａが存在していること、すなわち、陰極電極１２の下端部１２ｂにも電気力線の集中が生じて電流密度が高くなることを考慮して、陰極電極１２の下端部１２ｂを覆うように下部案内壁２０ｂを配設するようにしているが、例えば、図５に示すように、めっき処理室１の内部空間の下面が平坦で、陰極電極１２の下端部１２ｂに電気力線の集中がないような場合には、図６に示すように、上部案内壁２０ａのみを設け、下部案内壁を設けないような構成とすることも可能である。
【００３１】
なお、上記実施例では、めっき処理室１内に被めっき物２と、めっき液３を投入してめっきを行うようにしているが、めっき処理室１内に、さらに導電用の媒体（導電メディア）を添加して、より確実なめっき処理を行うことができるように構成することも可能である。
【００３２】
また、上記実施例では、案内壁２０（上部案内壁２０ａ，下部案内壁２０ｂ）がステンレス製のメッシュ状材料（金網）から形成されている場合を例にとって説明したが、案内壁の具体的な構成や、その構成材料に特別の制約はなく、例えば多数の貫通孔が形成された板状部材を用いることも可能である。
【００３３】
また、上記実施例では、めっき液抜き出し部１３が、多孔質材料から形成されている場合を例にとって説明したが、本発明において、めっき液抜き出し部１３の具体的な構成や、その構成材料などに特別の制約はなく、被めっき物２を通過させることなくめっき液３を外部に抜き出すことが可能な種々の材料を用いることが可能である。
【００３４】
また、上記実施例では、めっき液抜き出し部１３を陰極電極１２上に積み重ねるように配設した場合、すなわち、陰極電極１２よりも上側にめっき液抜き出し部１３が配設されている場合を例にとって説明したが、めっき液抜き出し部１３を陰極電極１２の下側に配設するように構成することも可能であり、場合によっては、めっき液抜き出し部１３を陰極電極１２の上下両面側に配設することも可能であり、陰極電極１２とめっき液抜き出し部１３の組み合わせ態様に特別の制約はない。
【００３５】
また、上記実施例では、積層セラミック素子を被めっき物２とし、その外部電極４２ａ，４２ｂの表面にめっきを施す場合を例にとって説明したが、本発明において、被めっき物の種類に特別の制約はなく、種々の被めっき物にめっきを施す場合に広く適用することが可能である。
ただし、本発明は、寸法の小さい小型の被めっき物にめっきを施す場合に特に有意義である。
【００３６】
本発明は、さらにその他の構成に関しても上記実施例に限定されるものではなく、めっき処理室の具体的な形状、構造、陽極電極の具体的な構成や形状、陰極電極およびめっき液抜き出し部の形状や配設態様、めっき液抜き出し部から抜き出されためっき液をめっき処理室に戻すための循環路の構成や具体的な経路などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
上述のように、本発明のめっき装置は、陰極電極の、被めっき物が接触しうる領域のうち、めっき処理に悪影響を与えるような電流密度差がある領域には被めっき物を接触させず、電流密度がほぼ均一な領域にのみ被めっき物を接触させるように被めっき物を案内する案内壁を設けるようにしているので、陰極電極の電流密度が均一な領域に被めっき物を確実に接触させることが可能になり、被めっき物への通電を均一化して、めっき膜厚にばらつきの生じない、安定しためっき処理を施すことが可能になる。
したがって、本発明は、例えば、めっき膜を備えた外部電極を有する小型の電子部品の製造工程などに広く用いることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施例にかかるめっき装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１に示した本発明の一実施例にかかるめっき装置の要部を拡大して示す図である。
【図３】本発明の一実施例にかかるめっき装置を構成する陰極電極への、電気力線の集中の状態を説明する図である。
【図４】本発明の実施例にかかるめっき装置によりめっきが施される積層セラミック素子（被めっき物）を示す斜視図である。
【図５】めっき処理室の内部空間の下面側が平坦な構造を有するめっき装置を示す図である。
【図６】本発明のめっき装置の変形例を示す図である。
【図７】従来のめっき装置を示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１ めっき処理室
１ａ 内部空間
１ｂ めっき処理室の周壁
２ 被めっき物
３ めっき液
１１ ベース部材
１１ａ くぼみ
１２ 陰極電極
１２ａ 陰極電極の上端部
１２ｂ 陰極電極の下端部
１２ｃ 陰極電極の中央領域
１３ めっき液抜き出し部
１５ 開口部
１６ 蓋部材
１７ 陽極電極
１８ 循環路
１９ 容器
２０ 案内壁
２０ａ 上部案内壁
２０ｂ 下部案内壁
４１ 積層セラミック素子（電子部品素子）
４２ａ，４２ｂ 外部電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき装置に関し、詳しくは、チップ型の積層セラミックコンデンサのような小型の電子部品（被めっき物）にめっきを施すための回転式のめっき装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップ型の積層セラミックコンデンサのような小型の電子部品（被めっき物）にめっきを施すのに用いられるめっき装置としては、例えば、図７に模式的に示すように、回転可能で、内部空間が略円板状のめっき処理室５１に被めっき物５２およびめっき液５３を投入し、めっき処理室５１を回転させながら被めっき物５２にめっきを施すようにした回転式のめっき装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このめっき装置においては、めっき処理室５１の周壁が環状の陰極電極５４と、めっき液５３を通過させる環状の部材からなる液抜き部５５から形成されている。そして、液抜き部５５から抜き出されためっき液５３は容器５６により受けられ、循環路５８を経て、めっき処理室５１の上部中央に配設された開口部５７からめっき処理室５１内に戻るように構成されている。また、陽極電極５９は、めっき処理室５１の上部中央の開口部５７からめっき処理室５１内に挿入され、めっき液５３に浸漬されている。
【０００４】
このめっき装置を用いて被めっき物５２にめっきを行う場合、被めっき物５２をめっき液５３とともにめっき処理室５１内に投入し、めっき処理室５１を回転させながら、陽極電極５９と陰極電極５４の間に通電することにより、被めっき物５２にめっきを施す。
このとき、めっき処理室５１の回転により発生する遠心力で被めっき物５２が陰極電極５４に効率よく接触するとともに、めっき処理室５１の正転、減速（停止）、反転が繰り返して行われることにより、被めっき物５２の撹拌と、陰極電極５４との接触、すなわち被めっき物５２への通電が繰り返して行われ、被めっき物にめっきが施される。
【０００５】
しかしながら、上記従来のめっき装置を用いてめっきを行う場合、電気力線の回り込みにより、陰極電極の端部（例えば上端部など）では、電気力線が集中して電流密度が高くなり、めっき処理室の正転、減速（停止）、反転などを繰り返して行いながらめっきを行った場合にも、めっき膜厚にばらつきが生じるという問題点がある。
【特許文献１】特開平７−１１８８９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記問題点を解決するものであり、めっき処理室に被めっき物およびめっき液を投入し、めっき処理室を回転させながらめっきを行う回転式のめっき装置において、被めっき物に形成されるめっき膜の膜厚のばらつきを低減して、被めっき物に膜厚の均一なめっき膜を形成することが可能なめっき装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明（請求項１）のめっき装置は、
回転可能で、被めっき物およびめっき液が収容される内部空間が略円板状のめっき処理室と、
前記めっき処理室内のめっき液に浸るように配設された陽極電極と、
前記めっき処理室の周壁を形成するように配設された環状の陰極電極と、
前記めっき処理室の周壁を形成するように配設され、前記めっき処理室の周囲から、被めっき物を通過させることなく、めっき液を外部に抜き出すことができるように構成されためっき液抜き出し部と、
前記めっき液抜き出し部から抜き出されためっき液を前記めっき処理室に戻す循環路と、
前記めっき処理室内に配設され、被めっき物は通過せず、めっき液は通過するように構成され、前記めっき処理室の周壁を形成する前記陰極電極の、被めっき物が接触しうる領域のうち、めっき処理に悪影響を与えるような電流密度差がある領域には被めっき物が接触せず、電流密度がほぼ均一な領域に被めっき物が接触するように被めっき物を案内する案内壁と
を具備することを特徴としている。
【０００８】
また、請求項２のめっき装置は、前記案内壁が前記陰極電極の上端部を覆い、被めっき物が前記陰極電極の上端部に接触しないような態様で配設されていることを特徴としている。
【０００９】
また、請求項３のめっき装置は、前記案内壁が前記陰極電極の下端部を覆い、被めっき物が前記陰極電極の下端部に接触しないような態様で配設されていることを特徴としている。
【００１０】
また、請求項４のめっき装置は、前記案内壁がメッシュ状材料から形成されたものであることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明（請求項１）のめっき装置は、上述のように、内部空間が略円板状のめっき処理室と、陽極電極と、めっき処理室の周壁を形成するように配設された環状の陰極電極と、めっき処理室の周壁を形成するように配設され、めっき処理室の周囲から、被めっき物を通過させることなくめっき液を外部に抜き出すめっき液抜き出し部と、抜き出されためっき液をめっき処理室に循環する循環路と、めっき処理室の内周壁を形成する陰極電極の、被めっき物が接触しうる領域のうち、めっき処理に悪影響を与えるような電流密度差がある領域には被めっき物が接触せず、電流密度がほぼ均一な領域に被めっき物が接触するように被めっき物を案内する案内壁とを備えているので、被めっき物に均一な通電を行うことが可能になり、被めっき物に形成されるめっき膜の膜厚のばらつきを低減して、被めっき物に均一な膜厚を有するめっき膜を形成することが可能になる。
【００１２】
すなわち、本発明のめっき装置においては、被めっき物は通過させず、めっき液は通過させるように構成された案内壁が、陰極電極の、被めっき物が接触しうる領域のうち、めっき処理に悪影響を与えるような電流密度差がある領域には被めっき物を接触させず、電流密度がほぼ均一な領域にのみ被めっき物が接触するように被めっき物を案内するため、陰極電極の電流密度が均一な領域に被めっき物を確実に接触させて、被めっき物への通電を均一化し、被めっき物に均一なめっきを施すことが可能になる。
【００１３】
なお、本発明のめっき装置は、めっき処理室を単に回転させる（一定方向に一定速度で連続的に回転させる）場合だけではなく、めっき処理室を、回転方向を変えながら（すなわち反転させながら）連続的に回転させる場合、回転状態と回転停止状態が繰り返されるように断続的、あるいは間欠的に回転させる場合、一方向に回転させる一方向回転と、他の方向に回転させる他方向回転を、間に回転停止状態を挟んで繰り返して行う場合など種々の態様でめっき処理室を回転させる場合に広く適用することが可能である。
【００１４】
また、本願請求項１の発明のめっき装置において、めっき処理室の周壁を形成するように配設された環状の陰極電極と、めっき処理室の周壁を形成するように配設され、前記めっき処理室の周囲から、被めっき物を通過させることなく、めっき液を外部に抜き出すことができるように構成されためっき液抜き出し部とを備えた構成を実現するにあたっては、例えば、環状の陰極電極上に略同一の平面形状を有する環状の多孔質材料からなるめっき液抜き出し部を積み重ねて配設する方法などが示される。
【００１５】
また、請求項２のめっき装置のように、案内壁を、陰極電極の上端部を覆うように配設した場合、電気力線が集中して電流密度が高くなりやすい陰極電極の上端部に被めっき物が接触することを防止して、より確実に被めっき物に均一なめっきを施すことが可能になる。
【００１６】
陰極電極の電流密度のばらつきは、陽極電極から陰極電極への電気力線の集中の程度に左右される。そして、回転式のめっき装置の場合、通常、めっき処理室の内部空間は、陰極電極の上端部よりも上方にまで形成されており、電気力線は、陽極電極から陰極電極に向かって放物線を描くような経路で進むことから、陰極電極の上端部に電気力線が集中しやすい。それゆえ、案内壁を、陰極電極の上端部を覆うように配設することにより、被めっき物が陰極電極の電流密度が高くなる上端部に接触することを防止して、より確実に被めっき物に均一なめっきを施すことが可能になる。
【００１７】
また、陰極電極の下端よりもさらに下側にめっき処理室の内部空間が存在すると、陰極電極の下端部にも電気力線の集中が生じる。それゆえ、そのような場合には、請求項３のように、案内壁を、陰極電極の下端部を覆うように配設することにより、被めっき物が陰極電極の電流密度が高くなる下端部に接触することを防止して、被めっき物に均一なめっきを施すことが可能になる。
ただし、めっき処理室の底面と同じ高さに陰極の下端が位置している場合は、陰極電極の下端部への電気力線の回り込みは特になく、電流密度が高くなることはないので、そのような場合には、通常、陰極電極の下端部を案内壁で覆う必要はない。
【００１８】
また、請求項４のめっき装置のように、案内壁をメッシュ状材料から形成するようにした場合、めっき処理室内のめっき液の流動を妨げることなく、被めっき物を電流密度がほぼ均一な領域に案内することが可能になり、効率よく安定しためっき処理を行うことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に本発明の実施例を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【実施例】
【００２０】
図１は本発明の一実施例にかかるめっき装置の構成を示す図、図２は図１のめっき装置の要部を拡大して示す図、図３は本発明の一実施例にかかるめっき装置を構成する陰極電極への電気力線の集中の状態を説明する図、図４は実施例にかかるめっき装置によりめっきが施される積層セラミックコンデンサ（被めっき物）を示す斜視図である。
【００２１】
この実施例では、図４に示すように、セラミック層と内部電極層が積層された構造を有する積層セラミック素子（電子部品素子）４１の両端部に外部電極４２ａ，４２ｂが配設された、厚み（Ｔ）０．３mm、幅（Ｗ）０．３mm、長さ（Ｌ）０．６mmの積層セラミックコンデンサを被めっき物２とし、その外部電極４２ａ，４２ｂの表面にＮｉめっきなどのめっきを施す場合に用いられるめっき装置を例にとって説明する。
【００２２】
このめっき装置は、図１に示すように、回転可能で、被めっき物２およびめっき液３が収容される略円板状の内部空間１ａを有するめっき処理室１を備えている。そして、めっき処理室１は、底部を構成するベース部材１１と、めっき処理室１の周壁１ｂを形成する環状の陰極電極１２と、上記環状の陰極電極１２上に積み重ねるように配設され、陰極電極１２とともにめっき処理室１の周壁１ｂを構成する、多孔質材料からなる環状のめっき液抜き出し部１３と、めっき処理室１の上部を覆うように配設された中央に開口部１５を有する蓋部材１６と、該蓋部材１６の開口部１５から、めっき処理室１の略中央部に挿入され、めっき液３に浸漬された陽極電極１７を備えている。
【００２３】
なお、多孔質材料からなる環状のめっき液抜き出し部１３は、めっき処理室１の周囲から、被めっき物２を通過させることなくめっき液３を外部に抜き出すことができるように構成されており、このめっき液抜き出し部１３から抜き出されためっき液３は、容器１９により受けられ、循環路１８を経て、めっき処理室１内に循環されるように構成されている。また、このこの実施例のめっき装置では、めっき処理室１が回転と停止を所定のピッチで繰り返しながらめっき処理を行うことができるように構成されている。
【００２４】
また、この実施例のめっき装置においては、蓋部材１６は中央側が高くなるように傾斜した形状を有しており、めっき処理室１の厚みが、その中央部に向かって厚くなるように構成されているとともに、めっき処理室１の底部を構成するベース部材１１の上面側にはくぼみ１１ａが形成されており、陰極電極１２の下端よりもさらに下側にめっき処理室１の内部空間１ａが存在するように構成されており、陰極電極１２の上端部１２ａと下端部１２ｂでは、電気力線が集中して電流密度が高くなるような構成となっている。
【００２５】
そして、このめっき装置においては、めっき処理室１内に、陰極電極１２の電流密度が均一な領域にだけ被めっき物２を接触させることができるように、被めっき物２を案内する案内壁２０（上部案内壁２０ａ，下部案内壁２０ｂ）が配設されている。
すなわち、この実施例のめっき装置においては、案内壁２０として、図２および図３に示すように、電気力線の集中により電流密度が高くなる陰極電極１２の上端部１２ａを覆い、被めっき物２が陰極電極１２の上端部１２ａに接触しないようにする上部案内壁２０ａと、電気力線の集中により電流密度が高くなる陰極電極１２の下端部１２ｂを覆い、被めっき物２が陰極電極１２の下端部１２ｂに接触しないように配設された下部案内壁２０ｂがめっき処理室１の内部空間１ａ内に配設されている。なお、上部案内壁２０ａと下部案内壁２０ｂはいずれもステンレス製のメッシュ状材料（金網）から形成されている。
【００２６】
上述のように構成されたこの実施例のめっき装置によれば、案内壁２０（上部案内壁２０ａ，下部案内壁２０ｂ）の機能により、被めっき物２が、陰極電極１２の電流密度の高い上端部１２ａおよび下端部１２ｂに接触することなく、電流密度がほぼ均一な中央領域１２ｃにのみ接触することになるため、被めっき物２への通電を均一化することが可能になり、めっき膜厚にばらつきの生じない、均一なめっき処理を施すことが可能になる。
【００２７】
なお、上述のように構成された、案内壁２０（上部案内壁２０ａ，下部案内壁２０ｂ）を有する実施例のめっき装置を用いてめっきを行った場合と、案内壁を備えていない従来のめっき装置を用いてめっきを行った場合の、めっき膜の平均膜厚と、膜厚のばらつきを表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】
表１に示すように、従来のめっき装置を用いてめっきを行った場合、めっき膜の膜厚のばらつきは大きかったが、本発明の実施例にかかるめっき装置を用いることにより、めっき膜の膜厚のばらつきを大幅に低減できることが確認された。
【００３０】
なお、上記実施例では、陰極電極１２の下端部１２ｂより下方にめっき処理室１の内部空間１ａが存在していること、すなわち、陰極電極１２の下端部１２ｂにも電気力線の集中が生じて電流密度が高くなることを考慮して、陰極電極１２の下端部１２ｂを覆うように下部案内壁２０ｂを配設するようにしているが、例えば、図５に示すように、めっき処理室１の内部空間の下面が平坦で、陰極電極１２の下端部１２ｂに電気力線の集中がないような場合には、図６に示すように、上部案内壁２０ａのみを設け、下部案内壁を設けないような構成とすることも可能である。
【００３１】
なお、上記実施例では、めっき処理室１内に被めっき物２と、めっき液３を投入してめっきを行うようにしているが、めっき処理室１内に、さらに導電用の媒体（導電メディア）を添加して、より確実なめっき処理を行うことができるように構成することも可能である。
【００３２】
また、上記実施例では、案内壁２０（上部案内壁２０ａ，下部案内壁２０ｂ）がステンレス製のメッシュ状材料（金網）から形成されている場合を例にとって説明したが、案内壁の具体的な構成や、その構成材料に特別の制約はなく、例えば多数の貫通孔が形成された板状部材を用いることも可能である。
【００３３】
また、上記実施例では、めっき液抜き出し部１３が、多孔質材料から形成されている場合を例にとって説明したが、本発明において、めっき液抜き出し部１３の具体的な構成や、その構成材料などに特別の制約はなく、被めっき物２を通過させることなくめっき液３を外部に抜き出すことが可能な種々の材料を用いることが可能である。
【００３４】
また、上記実施例では、めっき液抜き出し部１３を陰極電極１２上に積み重ねるように配設した場合、すなわち、陰極電極１２よりも上側にめっき液抜き出し部１３が配設されている場合を例にとって説明したが、めっき液抜き出し部１３を陰極電極１２の下側に配設するように構成することも可能であり、場合によっては、めっき液抜き出し部１３を陰極電極１２の上下両面側に配設することも可能であり、陰極電極１２とめっき液抜き出し部１３の組み合わせ態様に特別の制約はない。
【００３５】
また、上記実施例では、積層セラミック素子を被めっき物２とし、その外部電極４２ａ，４２ｂの表面にめっきを施す場合を例にとって説明したが、本発明において、被めっき物の種類に特別の制約はなく、種々の被めっき物にめっきを施す場合に広く適用することが可能である。
ただし、本発明は、寸法の小さい小型の被めっき物にめっきを施す場合に特に有意義である。
【００３６】
本発明は、さらにその他の構成に関しても上記実施例に限定されるものではなく、めっき処理室の具体的な形状、構造、陽極電極の具体的な構成や形状、陰極電極およびめっき液抜き出し部の形状や配設態様、めっき液抜き出し部から抜き出されためっき液をめっき処理室に戻すための循環路の構成や具体的な経路などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
上述のように、本発明のめっき装置は、陰極電極の、被めっき物が接触しうる領域のうち、めっき処理に悪影響を与えるような電流密度差がある領域には被めっき物を接触させず、電流密度がほぼ均一な領域にのみ被めっき物を接触させるように被めっき物を案内する案内壁を設けるようにしているので、陰極電極の電流密度が均一な領域に被めっき物を確実に接触させることが可能になり、被めっき物への通電を均一化して、めっき膜厚にばらつきの生じない、安定しためっき処理を施すことが可能になる。
したがって、本発明は、例えば、めっき膜を備えた外部電極を有する小型の電子部品の製造工程などに広く用いることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施例にかかるめっき装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１に示した本発明の一実施例にかかるめっき装置の要部を拡大して示す図である。
【図３】本発明の一実施例にかかるめっき装置を構成する陰極電極への、電気力線の集中の状態を説明する図である。
【図４】本発明の実施例にかかるめっき装置によりめっきが施される積層セラミック素子（被めっき物）を示す斜視図である。
【図５】めっき処理室の内部空間の下面側が平坦な構造を有するめっき装置を示す図である。
【図６】本発明のめっき装置の変形例を示す図である。
【図７】従来のめっき装置を示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１ めっき処理室
１ａ 内部空間
１ｂ めっき処理室の周壁
２ 被めっき物
３ めっき液
１１ ベース部材
１１ａ くぼみ
１２ 陰極電極
１２ａ 陰極電極の上端部
１２ｂ 陰極電極の下端部
１２ｃ 陰極電極の中央領域
１３ めっき液抜き出し部
１５ 開口部
１６ 蓋部材
１７ 陽極電極
１８ 循環路
１９ 容器
２０ 案内壁
２０ａ 上部案内壁
２０ｂ 下部案内壁
４１ 積層セラミック素子（電子部品素子）
４２ａ，４２ｂ 外部電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転可能で、被めっき物およびめっき液が収容される内部空間が略円板状のめっき処理室と、
前記めっき処理室内のめっき液に浸るように配設された陽極電極と、
前記めっき処理室の周壁を形成するように配設された環状の陰極電極と、
前記めっき処理室の周壁を形成するように配設され、前記めっき処理室の周囲から、被めっき物を通過させることなく、めっき液を外部に抜き出すことができるように構成されためっき液抜き出し部と、
前記めっき液抜き出し部から抜き出されためっき液を前記めっき処理室に戻す循環路と、
前記めっき処理室内に配設され、被めっき物は通過せず、めっき液は通過するように構成され、前記めっき処理室の周壁を形成する前記陰極電極の、被めっき物が接触しうる領域のうち、めっき処理に悪影響を与えるような電流密度差がある領域には被めっき物が接触せず、電流密度がほぼ均一な領域に被めっき物が接触するように被めっき物を案内する案内壁と
を具備することを特徴とするめっき装置。
【請求項２】
前記案内壁が前記陰極電極の上端部を覆い、被めっき物が前記陰極電極の上端部に接触しないような態様で配設されていることを特徴とする請求項１記載のめっき装置。
【請求項３】
前記案内壁が前記陰極電極の下端部を覆い、被めっき物が前記陰極電極の下端部に接触しないような態様で配設されていることを特徴とする請求項１または２記載のめっき装置。
【請求項４】
前記案内壁がメッシュ状材料から形成されたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１】
回転可能で、被めっき物およびめっき液が収容される内部空間が略円板状のめっき処理室と、
前記めっき処理室内のめっき液に浸るように配設された陽極電極と、
前記めっき処理室の周壁を形成するように配設された環状の陰極電極と、
前記めっき処理室の周壁を形成するように配設され、前記めっき処理室の周囲から、被めっき物を通過させることなく、めっき液を外部に抜き出すことができるように構成されためっき液抜き出し部と、
前記めっき液抜き出し部から抜き出されためっき液を前記めっき処理室に戻す循環路と、
前記めっき処理室内に配設され、被めっき物は通過せず、めっき液は通過するように構成され、前記めっき処理室の周壁を形成する前記陰極電極の、被めっき物が接触しうる領域のうち、めっき処理に悪影響を与えるような電流密度差がある領域には被めっき物が接触せず、電流密度がほぼ均一な領域に被めっき物が接触するように被めっき物を案内する案内壁と
を具備することを特徴とするめっき装置。
【請求項２】
前記案内壁が前記陰極電極の上端部を覆い、被めっき物が前記陰極電極の上端部に接触しないような態様で配設されていることを特徴とする請求項１記載のめっき装置。
【請求項３】
前記案内壁が前記陰極電極の下端部を覆い、被めっき物が前記陰極電極の下端部に接触しないような態様で配設されていることを特徴とする請求項１または２記載のめっき装置。
【請求項４】
前記案内壁がメッシュ状材料から形成されたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のめっき装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００６−３７１８４（Ｐ２００６−３７１８４Ａ）
【公開日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２２０７２２（Ｐ２００４−２２０７２２）
【出願日】平成１６年７月２８日（２００４．７．２８）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【公開日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年７月２８日（２００４．７．２８）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
[ Back to top ]