エレクトロクロミック素子
【目的】 交換作業中または上部電極蒸着のための再排気の際に、エレクトロクロミック薄膜層の最外膜にクラックが生じることがないエレクトロクロミック素子を得ることを目的とする。
【構成】 エレクトロクロミック薄膜層と第２の電極膜の間に前記エレクトロクロミック薄膜層と同一パターンで成膜された電極薄膜層を備えたものであるため、エレクトロクロミック薄膜層の最外の薄膜の膨脹又は収縮による応力が抑えられ、最外膜のクラック発生を防止することができる。
【構成】 エレクトロクロミック薄膜層と第２の電極膜の間に前記エレクトロクロミック薄膜層と同一パターンで成膜された電極薄膜層を備えたものであるため、エレクトロクロミック薄膜層の最外の薄膜の膨脹又は収縮による応力が抑えられ、最外膜のクラック発生を防止することができる。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば酸化タングステン膜のようなエレクトロクロミック薄膜層の最外膜のクラック発生を防止する構造を付与したエレクトロクロミック素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電圧を印加すると可逆的に電解酸化又は還元反応が起こり、可逆的に着色する現象をエレクトロクロミズムという。このような現象を示すエレクトロクロミック（以下、ＥＣと記す）物質の電気化学的酸化還元反応に伴う物質の色調変化を利用したエレクトロクロミック素子（以下、ＥＣＤと記す）は、外部電圧による光学濃度の制御が可能であることから光変調素子としても用いられる。例えば、ガラス基板上に透明電極膜、ＥＣ物質からなるＥＣ薄膜層、電極膜を順次積層してなるＥＣＤが一般的である。
【０００３】尚、本明細書中でエレクトロクミック薄膜層又はＥＣ薄膜層と記すものは、ＥＣ物質の単層、ＥＣ物質の単層とイオン導電層との２層、還元発色性ＥＣ物質の単層と電解酸化性薄膜（場合により、酸化発色性ＥＣ物質の単層である）との２層、還元発色性ＥＣ物質の単層とイオン導電層と電解酸化（発色）性薄膜との３層のいずれかを指す。
【０００４】透明電極膜としては、例えば、SnO2，In2O3 ，ITO(SnO2とIn2O3 との混合物）などが使用される。不透明な電極膜は、反射層と兼用してもよく、例えば、金、銀、アルミニウム、クロム、スズ、亜鉛、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、ステンレス等の金属が使用される。
【０００５】イオン導電層としては、例えば、酸化ケイ素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、フッ化マグネシウムなどが使用される。還元発色性ＥＣ物質としては、一般にWO3 ，MoO3などが使用される。
【０００６】電界酸化（発色）性薄膜としては、例えば、酸化ないし水酸化イリジウム、同じくニッケル、同じくクロム、同じくバナジウム、同じくルテニウム、同じくロジウムなどが使用される。また、この中に、導電性物質、例えば、SnO2とIn2O3などが混ざっていてもよい。
【０００７】図２は従来の全固体薄膜型ＥＣＤの構成を示す模式断面図である。図に示す通り、基板１上に下部電極膜２及び下部電極膜２に隔てて上部電極接点３が蒸着されている。下部電極膜２の上部には、エレクトロクロミック薄膜層（以下、ＥＣ薄膜層と記す）として、酸化発色層である酸化イリジウム膜４と、プロトン伝導性の電解質として作用するイオン導電層である酸化タンタル膜５と、還元発色層である酸化タングステン膜６との３層が順に蒸着されている。ＥＣ薄膜層の上部には、上部電極接点３と導通するように上部電極膜７が蒸着されている。
【０００８】このような全固体薄膜型ＥＣＤは電極膜、及びＥＣ薄膜層の全てを真空蒸着・イオンプレーティング・スパッタリングなどの真空薄膜形成技術により連続して成膜・積層できるという特徴をもつが、同一の蒸着マスクを用いて積層するとマスクエッジにおいて上下の電極が接触してしまい、素子が短絡状態となって動作しなくなるという問題が生じる。
【０００９】従って、ＥＣＤの成膜工程では、両極が短絡しないような形状に下部電極膜、ＥＣ薄膜層、上部電極膜のそれぞれを設計することが必要となり、実際には各層成膜終了後に真空槽を大気開放して基板を取出し、次の層に適合した蒸着マスクに交換して再排気・成膜を行なうことになる。
【００１０】成膜工程の一例を次に示す。先ず、ガラス基板を用意し、常法により洗浄後、下部電極膜の形状に加工された蒸着マスクに密着させ真空蒸着装置の真空槽中にセットする。減圧排気を開始し、所定の真空度に達したところで下部電極膜の蒸着を行なう。
【００１１】下部電極膜蒸着終了後、真空槽を大気圧にし、基板を取出してＥＣ薄膜層の形状に加工された蒸着マスクに交換して、再度減圧排気する。所定の真空度に到達後、上述の酸化イリジウム、酸化タンタル、酸化タングステンの３層を同一マスクで連続して蒸着する。
【００１２】ＥＣ薄膜層を蒸着した後、再び大気圧にして取り出して、上部電極膜用蒸着マスクに交換、上部電極膜を蒸着する。一般には耐久性向上のため膜面の封止が行われＥＣＤが完成する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】以上に述べたように、ＥＣＤの製造においてはＥＣ薄膜層成膜終了後に蒸着マスク交換を行う必要があるが、交換作業中または上部電極蒸着のための再排気の際に、酸化タングステン膜にクラックが生じやすいという問題点があり、マスク交換時の大気中放置時間が長くなるにつれてクラック発生率が高くなるため、クラックを避けるために生産量を抑えざるを得ないという問題があった。
【００１４】クラックの発生及び発生率は酸化タングステン薄膜の成膜条件や膜厚によっても異なるが、通常、ＥＣＤに実用的な着色濃度を持たせるために必要な成膜条件・膜厚ではクラックが発生しやすい。
【００１５】本発明は、交換作業中または上部電極蒸着のための再排気の際に、ＥＣ薄膜層の最外膜にクラックが生じることがないエレクトロクロミック素子を得ることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るエレクトロクロミック素子では、基板表面上に第１の電極膜とエレクトロクロミック薄膜層と第２の電極膜とを順に備えたエレクトロクロミック素子において、前記エレクトロクロミック薄膜層と第２の電極膜の間に前記エレクトロクロミック薄膜層と同一パターンで成膜された電極薄膜層を備えたものである。
【００１７】また、好ましい電極薄膜層の厚さが２００〜１０００Åであるものを開示するものである。
【００１８】
【作用】ＥＣ薄膜においては、成膜直後から常に膜自身が膨脹又は収縮しようとする方向に内部応力が働いている。そのため積層の最外表面がＥＣ薄膜とした状態で放置すると、ＥＣ薄膜の膨脹又は収縮によってクラックが生じると考えられている。また、成膜後長時間大気中に放置した後で真空に再度減圧排気した場合には、膜中に吸着した水分の脱着が起こることにより更に大きな応力が働き、クラックが発生しやすくなる。
【００１９】そこで、本発明では、ＥＣ薄膜層と第２の電極膜の間に前記ＥＣ薄膜層と同一パターンで成膜された電極薄膜層を備えたものであるため、ＥＣ薄膜層のうち最外のＥＣ薄膜の膨脹又は収縮による応力が抑えられ、クラックの発生を防止する。
【００２０】即ち、ＥＣ薄膜層が酸化イリジウム、酸化タンタル、酸化タングステンの３層の場合には、酸化タングステン膜上に電極薄膜層としてＩＴＯ膜を連続して蒸着した後で、大気中に開放しても、酸化タングステン膜の両面が酸化タンタル膜とＩＴＯ膜で狭まれた構造となっているため、放置あるいは再排気時の酸化タングステン膜の膨脹又は収縮が抑えられ、酸化タングステン膜のクラックの発生を防ぐことができる。
【００２１】また、電極薄膜層としては、ＥＣ薄膜に電流を供給することのできる導電性のある膜で、ＥＣＤに使用可能なもので、ＥＣ薄膜層及び上部電極膜と親和性のあるものであればよく、ＩＴＯ，ＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，極薄の金等のように、上部電極膜に使用できるものや上部電極膜と同じ物質を使用することができ、ＥＣ薄膜層最外膜の膨脹又は収縮による内部応力に耐えられる膜であればよい。
【００２２】尚、電極薄膜層の強度が、ＥＣ薄膜層最外膜の膨脹又は収縮による内部応力に耐えられる範囲であればクラックの発生を防ぐことができる。具体的に、ＥＣ薄膜層最外膜が酸化タンタル膜であり、電極薄膜層がＩＴＯ膜の場合には、クラック防止効果のある透明電極の強度を得るには、最低限２００Åの膜厚が好ましかった。また、他のＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ等の電極薄膜も、ＩＴＯ膜と同等の強度を有しているので、同様に最低限２００Åの膜厚が好ましいと思われる。
【００２３】また、電極薄膜層は、ＥＣ薄膜層の真空度を変更せずに連続して積層しなければならないことから、必然的にＥＣ薄膜層と同じ蒸着用マスクを使用することになる。
【００２４】一方、酸化タングステン膜上に連続して積層する電極薄膜層を必要以上に厚くすると次のような問題が生じる。即ち、一般に使用される蒸着用マスクは燐青銅やステンレス薄板等で構成されているが、このような蒸着用マスクではマスクエッジ部での基板との密着が完全でなく、ある程度マスク外側へ蒸着物質の回り込みを生じることが避けられず、その回り込みの度合いは膜厚が厚くなるに従って大きくなる。
【００２５】従って、酸化タングステン膜上に同一蒸着マスクを使用して電極薄膜層を蒸着する場合、膜厚を厚くし過ぎると回り込のために下部電極膜と接触し、素子が短絡してメモリー性が著しく低下するという問題を生じる。このため、電極薄膜層の膜厚は１０００Å以下であるのが好ましい。
【００２６】
【実施例】図１は本発明の一実施例のＥＣＤの構成を示す模式断面図である。図に示す通り、基板１１上に下部電極膜１２及び下部電極膜１２に隔てて上部電極接点１３が蒸着されている。下部電極膜１２の上部には、ＥＣ薄膜層として、酸化発色層である酸化イリジウム膜１４と、イオン導電層である酸化タンタル膜１５と、還元発色層である酸化タングステン膜１６との３層が順に蒸着されている。ＥＣ薄膜層の上部には、ＥＣ薄膜層と同一パターンでＩＴＯ膜の電極薄膜層１８が形成されている。更に、電極薄膜層１８の上部には上部電極接点３と導通するように上部電極膜１７が蒸着されている。あるいは、上部電極接点１３と上部電極膜１７を分割せずに、電極薄膜層１８形成後に、同時に蒸着してもよい。
【００２７】ガラス基板１１を洗浄し、下部電極用蒸着マスクにセットして基板温度３００℃に加熱しＲＦイオンプレーティングによりＩＴＯ膜を２０００Å蒸着して、下部電極膜１２及び上部電極接点１３を形成した。尚、この時の下部電極膜の面抵抗は１０Ω／□、可視光透過率は８０％であった。
【００２８】冷却後、蒸着した基板１１を大気中に取り出し、ＥＣ薄膜用蒸着マスクに交換して再び蒸着装置にセットし、ＲＦイオンプレーティングにより酸化イリジウム層１４を１５００Å、酸化タンタル層１５を５０００Å、真空蒸着により酸化タングステン層１６を６０００Å蒸着してＥＣ薄膜層を形成し、更に連続して再びＲＦイオンプレーティングによりＩＴＯ膜を２００Å蒸着して、電極薄膜層１８を形成した。
【００２９】ここで蒸着された基板１１を取出して上部電極用蒸着マスクに交換した後、基板温度２００℃でＩＴＯ膜を２０００Å蒸着し、上部電極膜１７を上部電極接点１３と導通して形成した。これを冷却後、蒸着装置から取り出し、エポキシ樹脂により膜面を封止してＥＣＤとした。完成したＥＣＤには酸化タングステン膜のクラックは認められず、ます上下電極間のリーク電流は１００μＡ以下で実用上充分なメモリー性が得られた。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、ＥＣ薄膜層と第２の電極膜の間に前記ＥＣ薄膜層と同一パターンで成膜された電極薄膜層を備えたものであるため、ＥＣ薄膜層最外の薄膜の膨脹又は収縮による応力が抑えられ、クラックの発生を防止することができ、着色濃度の高いＥＣＤを安定して作製できる。またクラック防止効果により蒸着マスク交換時間の制限がなくなり、ＥＣＤの大量生産に対応できる等の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のＥＣＤの構成を示す模式断面図である。
【図２】従来の全固体薄膜型ＥＣＤの構成を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１１ 基板
１２ 下部電極膜
１３ 上部電極接点
１４ 酸化イリジウム膜
１５ 酸化タンタル膜
１６ 酸化タングステン膜
１７ 電極薄膜層
１８ 上部電極膜
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば酸化タングステン膜のようなエレクトロクロミック薄膜層の最外膜のクラック発生を防止する構造を付与したエレクトロクロミック素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電圧を印加すると可逆的に電解酸化又は還元反応が起こり、可逆的に着色する現象をエレクトロクロミズムという。このような現象を示すエレクトロクロミック（以下、ＥＣと記す）物質の電気化学的酸化還元反応に伴う物質の色調変化を利用したエレクトロクロミック素子（以下、ＥＣＤと記す）は、外部電圧による光学濃度の制御が可能であることから光変調素子としても用いられる。例えば、ガラス基板上に透明電極膜、ＥＣ物質からなるＥＣ薄膜層、電極膜を順次積層してなるＥＣＤが一般的である。
【０００３】尚、本明細書中でエレクトロクミック薄膜層又はＥＣ薄膜層と記すものは、ＥＣ物質の単層、ＥＣ物質の単層とイオン導電層との２層、還元発色性ＥＣ物質の単層と電解酸化性薄膜（場合により、酸化発色性ＥＣ物質の単層である）との２層、還元発色性ＥＣ物質の単層とイオン導電層と電解酸化（発色）性薄膜との３層のいずれかを指す。
【０００４】透明電極膜としては、例えば、SnO2，In2O3 ，ITO(SnO2とIn2O3 との混合物）などが使用される。不透明な電極膜は、反射層と兼用してもよく、例えば、金、銀、アルミニウム、クロム、スズ、亜鉛、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、ステンレス等の金属が使用される。
【０００５】イオン導電層としては、例えば、酸化ケイ素、酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、フッ化マグネシウムなどが使用される。還元発色性ＥＣ物質としては、一般にWO3 ，MoO3などが使用される。
【０００６】電界酸化（発色）性薄膜としては、例えば、酸化ないし水酸化イリジウム、同じくニッケル、同じくクロム、同じくバナジウム、同じくルテニウム、同じくロジウムなどが使用される。また、この中に、導電性物質、例えば、SnO2とIn2O3などが混ざっていてもよい。
【０００７】図２は従来の全固体薄膜型ＥＣＤの構成を示す模式断面図である。図に示す通り、基板１上に下部電極膜２及び下部電極膜２に隔てて上部電極接点３が蒸着されている。下部電極膜２の上部には、エレクトロクロミック薄膜層（以下、ＥＣ薄膜層と記す）として、酸化発色層である酸化イリジウム膜４と、プロトン伝導性の電解質として作用するイオン導電層である酸化タンタル膜５と、還元発色層である酸化タングステン膜６との３層が順に蒸着されている。ＥＣ薄膜層の上部には、上部電極接点３と導通するように上部電極膜７が蒸着されている。
【０００８】このような全固体薄膜型ＥＣＤは電極膜、及びＥＣ薄膜層の全てを真空蒸着・イオンプレーティング・スパッタリングなどの真空薄膜形成技術により連続して成膜・積層できるという特徴をもつが、同一の蒸着マスクを用いて積層するとマスクエッジにおいて上下の電極が接触してしまい、素子が短絡状態となって動作しなくなるという問題が生じる。
【０００９】従って、ＥＣＤの成膜工程では、両極が短絡しないような形状に下部電極膜、ＥＣ薄膜層、上部電極膜のそれぞれを設計することが必要となり、実際には各層成膜終了後に真空槽を大気開放して基板を取出し、次の層に適合した蒸着マスクに交換して再排気・成膜を行なうことになる。
【００１０】成膜工程の一例を次に示す。先ず、ガラス基板を用意し、常法により洗浄後、下部電極膜の形状に加工された蒸着マスクに密着させ真空蒸着装置の真空槽中にセットする。減圧排気を開始し、所定の真空度に達したところで下部電極膜の蒸着を行なう。
【００１１】下部電極膜蒸着終了後、真空槽を大気圧にし、基板を取出してＥＣ薄膜層の形状に加工された蒸着マスクに交換して、再度減圧排気する。所定の真空度に到達後、上述の酸化イリジウム、酸化タンタル、酸化タングステンの３層を同一マスクで連続して蒸着する。
【００１２】ＥＣ薄膜層を蒸着した後、再び大気圧にして取り出して、上部電極膜用蒸着マスクに交換、上部電極膜を蒸着する。一般には耐久性向上のため膜面の封止が行われＥＣＤが完成する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】以上に述べたように、ＥＣＤの製造においてはＥＣ薄膜層成膜終了後に蒸着マスク交換を行う必要があるが、交換作業中または上部電極蒸着のための再排気の際に、酸化タングステン膜にクラックが生じやすいという問題点があり、マスク交換時の大気中放置時間が長くなるにつれてクラック発生率が高くなるため、クラックを避けるために生産量を抑えざるを得ないという問題があった。
【００１４】クラックの発生及び発生率は酸化タングステン薄膜の成膜条件や膜厚によっても異なるが、通常、ＥＣＤに実用的な着色濃度を持たせるために必要な成膜条件・膜厚ではクラックが発生しやすい。
【００１５】本発明は、交換作業中または上部電極蒸着のための再排気の際に、ＥＣ薄膜層の最外膜にクラックが生じることがないエレクトロクロミック素子を得ることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るエレクトロクロミック素子では、基板表面上に第１の電極膜とエレクトロクロミック薄膜層と第２の電極膜とを順に備えたエレクトロクロミック素子において、前記エレクトロクロミック薄膜層と第２の電極膜の間に前記エレクトロクロミック薄膜層と同一パターンで成膜された電極薄膜層を備えたものである。
【００１７】また、好ましい電極薄膜層の厚さが２００〜１０００Åであるものを開示するものである。
【００１８】
【作用】ＥＣ薄膜においては、成膜直後から常に膜自身が膨脹又は収縮しようとする方向に内部応力が働いている。そのため積層の最外表面がＥＣ薄膜とした状態で放置すると、ＥＣ薄膜の膨脹又は収縮によってクラックが生じると考えられている。また、成膜後長時間大気中に放置した後で真空に再度減圧排気した場合には、膜中に吸着した水分の脱着が起こることにより更に大きな応力が働き、クラックが発生しやすくなる。
【００１９】そこで、本発明では、ＥＣ薄膜層と第２の電極膜の間に前記ＥＣ薄膜層と同一パターンで成膜された電極薄膜層を備えたものであるため、ＥＣ薄膜層のうち最外のＥＣ薄膜の膨脹又は収縮による応力が抑えられ、クラックの発生を防止する。
【００２０】即ち、ＥＣ薄膜層が酸化イリジウム、酸化タンタル、酸化タングステンの３層の場合には、酸化タングステン膜上に電極薄膜層としてＩＴＯ膜を連続して蒸着した後で、大気中に開放しても、酸化タングステン膜の両面が酸化タンタル膜とＩＴＯ膜で狭まれた構造となっているため、放置あるいは再排気時の酸化タングステン膜の膨脹又は収縮が抑えられ、酸化タングステン膜のクラックの発生を防ぐことができる。
【００２１】また、電極薄膜層としては、ＥＣ薄膜に電流を供給することのできる導電性のある膜で、ＥＣＤに使用可能なもので、ＥＣ薄膜層及び上部電極膜と親和性のあるものであればよく、ＩＴＯ，ＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，極薄の金等のように、上部電極膜に使用できるものや上部電極膜と同じ物質を使用することができ、ＥＣ薄膜層最外膜の膨脹又は収縮による内部応力に耐えられる膜であればよい。
【００２２】尚、電極薄膜層の強度が、ＥＣ薄膜層最外膜の膨脹又は収縮による内部応力に耐えられる範囲であればクラックの発生を防ぐことができる。具体的に、ＥＣ薄膜層最外膜が酸化タンタル膜であり、電極薄膜層がＩＴＯ膜の場合には、クラック防止効果のある透明電極の強度を得るには、最低限２００Åの膜厚が好ましかった。また、他のＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ等の電極薄膜も、ＩＴＯ膜と同等の強度を有しているので、同様に最低限２００Åの膜厚が好ましいと思われる。
【００２３】また、電極薄膜層は、ＥＣ薄膜層の真空度を変更せずに連続して積層しなければならないことから、必然的にＥＣ薄膜層と同じ蒸着用マスクを使用することになる。
【００２４】一方、酸化タングステン膜上に連続して積層する電極薄膜層を必要以上に厚くすると次のような問題が生じる。即ち、一般に使用される蒸着用マスクは燐青銅やステンレス薄板等で構成されているが、このような蒸着用マスクではマスクエッジ部での基板との密着が完全でなく、ある程度マスク外側へ蒸着物質の回り込みを生じることが避けられず、その回り込みの度合いは膜厚が厚くなるに従って大きくなる。
【００２５】従って、酸化タングステン膜上に同一蒸着マスクを使用して電極薄膜層を蒸着する場合、膜厚を厚くし過ぎると回り込のために下部電極膜と接触し、素子が短絡してメモリー性が著しく低下するという問題を生じる。このため、電極薄膜層の膜厚は１０００Å以下であるのが好ましい。
【００２６】
【実施例】図１は本発明の一実施例のＥＣＤの構成を示す模式断面図である。図に示す通り、基板１１上に下部電極膜１２及び下部電極膜１２に隔てて上部電極接点１３が蒸着されている。下部電極膜１２の上部には、ＥＣ薄膜層として、酸化発色層である酸化イリジウム膜１４と、イオン導電層である酸化タンタル膜１５と、還元発色層である酸化タングステン膜１６との３層が順に蒸着されている。ＥＣ薄膜層の上部には、ＥＣ薄膜層と同一パターンでＩＴＯ膜の電極薄膜層１８が形成されている。更に、電極薄膜層１８の上部には上部電極接点３と導通するように上部電極膜１７が蒸着されている。あるいは、上部電極接点１３と上部電極膜１７を分割せずに、電極薄膜層１８形成後に、同時に蒸着してもよい。
【００２７】ガラス基板１１を洗浄し、下部電極用蒸着マスクにセットして基板温度３００℃に加熱しＲＦイオンプレーティングによりＩＴＯ膜を２０００Å蒸着して、下部電極膜１２及び上部電極接点１３を形成した。尚、この時の下部電極膜の面抵抗は１０Ω／□、可視光透過率は８０％であった。
【００２８】冷却後、蒸着した基板１１を大気中に取り出し、ＥＣ薄膜用蒸着マスクに交換して再び蒸着装置にセットし、ＲＦイオンプレーティングにより酸化イリジウム層１４を１５００Å、酸化タンタル層１５を５０００Å、真空蒸着により酸化タングステン層１６を６０００Å蒸着してＥＣ薄膜層を形成し、更に連続して再びＲＦイオンプレーティングによりＩＴＯ膜を２００Å蒸着して、電極薄膜層１８を形成した。
【００２９】ここで蒸着された基板１１を取出して上部電極用蒸着マスクに交換した後、基板温度２００℃でＩＴＯ膜を２０００Å蒸着し、上部電極膜１７を上部電極接点１３と導通して形成した。これを冷却後、蒸着装置から取り出し、エポキシ樹脂により膜面を封止してＥＣＤとした。完成したＥＣＤには酸化タングステン膜のクラックは認められず、ます上下電極間のリーク電流は１００μＡ以下で実用上充分なメモリー性が得られた。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、ＥＣ薄膜層と第２の電極膜の間に前記ＥＣ薄膜層と同一パターンで成膜された電極薄膜層を備えたものであるため、ＥＣ薄膜層最外の薄膜の膨脹又は収縮による応力が抑えられ、クラックの発生を防止することができ、着色濃度の高いＥＣＤを安定して作製できる。またクラック防止効果により蒸着マスク交換時間の制限がなくなり、ＥＣＤの大量生産に対応できる等の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のＥＣＤの構成を示す模式断面図である。
【図２】従来の全固体薄膜型ＥＣＤの構成を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１１ 基板
１２ 下部電極膜
１３ 上部電極接点
１４ 酸化イリジウム膜
１５ 酸化タンタル膜
１６ 酸化タングステン膜
１７ 電極薄膜層
１８ 上部電極膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】 基板表面上に第１の電極膜とエレクトロクロミック薄膜層と第２の電極膜とを順に備えたエレクトロクロミック素子において、前記エレクトロクロミック薄膜層と第２の電極膜の間に前記エレクトロクロミック薄膜層と同一パターンで成膜された電極薄膜層を備えたことを特徴とするエレクトロクロミック素子。
【請求項２】 前記請求項１に記載のエレクトロクロミック素子において、前記電極薄膜層の厚さが２００〜１０００Åであることを特徴とするエレクトロクロミック素子。
【請求項１】 基板表面上に第１の電極膜とエレクトロクロミック薄膜層と第２の電極膜とを順に備えたエレクトロクロミック素子において、前記エレクトロクロミック薄膜層と第２の電極膜の間に前記エレクトロクロミック薄膜層と同一パターンで成膜された電極薄膜層を備えたことを特徴とするエレクトロクロミック素子。
【請求項２】 前記請求項１に記載のエレクトロクロミック素子において、前記電極薄膜層の厚さが２００〜１０００Åであることを特徴とするエレクトロクロミック素子。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開平５−２４１２０３
【公開日】平成５年（１９９３）９月２１日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平３−６９４０３
【出願日】平成３年（１９９１）３月１１日
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【公開日】平成５年（１９９３）９月２１日
【国際特許分類】
【出願日】平成３年（１９９１）３月１１日
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
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