ダイオード素子

【目的】半導体装置の静電気保護回路に用いた場合でも、その占有平面積が小さく高集積化が可能なショットキーダイオードを提供する。
【構成】シリコン基板１にトレンチを形成し、このトレンチの内面を含む基板表面に拡散層３を形成し、Ａｌ電極４をこのトレンチの内面で拡散層３に接触させる。

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はダイオード素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置には、通常、図３に示すような静電気保護回路が設けられている。即ち、入力端子７から入ってきた静電気を保護抵抗９で減衰し、保護ダイオード素子１０、１１で更に減衰して、内部回路１２の保護を行う。入力端子６及び８には、例えば、電圧Ｖ_DD及びＶ_SSが夫々入力される。
【０００３】ここで、保護ダイオード素子１０、１１には、低動作抵抗、低耐圧及び高速性が要求され、トランジスタやショットキーダイオードが用いられる。特に、ショットキーダイオードの場合は、図２に示すような構造で、低動作抵抗及び高速性を満足する。同図において、１０１はシリコン基板、１０２、１０４はＡｌ配線膜、１０３は拡散層、１０５は酸化膜である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図２に示したようなショットキーダイオードでは、このダイオード自身の静電気保護のため、ショットキー接合電極であるＡｌ配線膜１０４と拡散層１０３との接触面積を大きくとる必要がある。このため、従来の保護ダイオード素子では、その占有平面積が大きくなるという問題があった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、静電気保護回路に用いた場合でも占有平面積が小さくて済むダイオード素子を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決するために、本発明のダイオード素子では、半導体基板に、その表面に拡散層が形成された溝が形成され、その溝内及び前記半導体基板上に金属層を形成している。
【０００７】
【作用】本発明においては、ダイオード素子をトレンチ構造とすることにより、これを静電気保護回路に用いた場合でも、低動作抵抗、高速動作及び低耐圧で且つ占有平面積の小さな構成となり、従来構造と比べて、より高集積化が可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を一実施例につき図１を参照して説明する。
【０００９】図１に示すように、本実施例のダイオード素子では、シリコン基板１にトレンチを形成した後、このトレンチの内面を含む基板表面部分に拡散層３を形成し、更に、ショットキーバリアダイオードを構成するために、Ａｌ配線膜２及び４を夫々形成する。このうち、主としてＡｌ配線膜４がショットキー接合電極として機能する。また、５はシリコン酸化膜である。
【００１０】このダイオード素子を、図３の保護ダイオード素子１０及び１１に夫々用いることにより、小面積で且つ良好な特性の静電気保護回路を形成することができる。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、ショットキーダイオード等のダイオード素子の占有平面積を小さくすることができるので、このダイオード素子を用いて、例えば、小面積で且つ低動作抵抗、低耐圧及び高速動作の静電気保護回路を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によるダイオード素子の概略断面図である。
【図２】従来のダイオード素子の概略断面図である。
【図３】半導体装置の静電気保護回路を示す回路図である。
【符号の説明】
１シリコン基板
２、４Ａｌ配線膜
３拡散層
５シリコン酸化膜
１０、１１保護ダイオード素子

【特許請求の範囲】
【請求項１】半導体基板に、その表面に拡散層が形成された溝が形成され、その溝内及び前記半導体基板上に金属層を形成したことを特徴とするダイオード素子。

【図１】