説明

国際特許分類[H01L]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984)

国際特許分類[H01L]の下位に属する分類

半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847)
半導体または他の固体装置の細部 (40,832)
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体 (14,678)
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置 (52,733)
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00〜47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00 (54,759)
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部 (20,572)
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部[2,8,2010.01] (19,444)
異種材料の接合からなる熱電装置,すなわち他の熱電効果あるいは熱磁気効果を伴いまたは伴わないゼーベックまたはペルチェ効果を示すもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部 (3,132)
異種材料の接合を持たない熱電装置;熱磁気装置,例.ネルンスト・エッチングハウゼン効果を利用するもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (224)
超電導性またはハイパーコンダクティビティを利用する装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (812)
圧電素子一般;電歪素子一般;磁歪素子一般;それらの素子またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの素子の細部 (18,688)
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (4,179)
電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (1,392)
バルク負性抵抗効果装置,例.ガン効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (14)
27/00〜47/00および51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (1,071)
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (29,607)