説明

ナノ複合構造体及びその製造方法

【課題】 様々な用途への応用が期待される、新規な構造を有するナノ複合構造体を提供すること。
【解決手段】 基板上に載置されたターゲット材への高エネルギービームの照射によって、該基板上に、該ターゲット材より離脱した構成原子又は構成分子よりなる第二の微粒子を、相互に連結せしめた形態において若しくはナノメートル膜の形態において存在せしめた後、該第二の微粒子群の上に第一の微粒子の単体若しくはその複数個からなる集合体を配置し、更に、該ターゲット材へ高エネルギービームを再度照射することにより、該第一の微粒子の単体若しくはその複数個からなる集合体が、該第一の微粒子より小さい第二の微粒子が相互に連結された形態において、又は該第二の微粒子からなるナノメートル膜の形態において形成されてなる表皮層にて被覆されたナノ複合構造体を得た。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ナノ複合構造体及びその製造方法に係り、特に、新規な構造を有するナノ複合構造体、及びそれを有利に製造し得る方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
金属粒子や金属化合物粒子には、その粒径を100nm以下というように超微粒子化すると、通常の粒子(例えば、1μm以上)とは異なる特性が出現する。要するに、物質のサイズが小さくなり、ナノスケールサイズの超微粒子になると、バルクの時とは全く違った新しい性質が現れるようになるのである。これは、例えば超微粒子では、全原子数に対して表面に存在する原子数が増加するために、粒子の特性に対して表面エネルギーの影響が無視できなくなったり、また、通常のバルク材で問題となる残留歪みの影響を免れることができる等に基づくものとされている。
【0003】
そして、そのような超微粒子の優れた特性を利用して、各種デバイスや機能材料等に利用することが試みられている。また、超微粒子の種類によっては、高い触媒特性が得られる等、各種材料の高機能化の可能性をも有しているのである。
【0004】
ところで、かかる超微粒子の製造方法としては、従来から物理的方法や化学的方法が知られている。具体的には、物理的な超微粒子の製造方法としては、ガス中蒸発法、スパッタリング法、金属蒸気合成法、流動湯上真空蒸発法等があり、また、液相を利用した化学的な超微粒子の製造方法としては、コロイド法、アルコキシド法、共沈法等があり、更に気相を利用した超微粒子の製造方法としては、有機金属化合物の熱分解法、金属塩化物の還元・酸化・窒化法、水素中還元法、溶媒蒸発法等が知られている。
【0005】
しかしながら、上述した従来の超微粒子の製造方法の多くは、超微粒子を集合体として製造することを、その趣旨とするものであって、また、そのようにして得られた超微粒子は、集合体としての用途に用いることが意図されているに過ぎず、単体としての利用、例えば、超微粒子の単体を利用したナノスケールサイズの複合構造体(ナノ複合構造体)の作製に適するものではなかった。
【0006】
一方、本発明者等は、先に、特開平8−217419号公報(特許文献1)において、θ−アルミナ粒子の如き準安定金属酸化物粒子に対して、高真空雰囲気中で1020e/cm2 ・secオーダーの強度を有する電子線を照射することにより、α−アルミナ超微粒子の如き安定金属酸化物超微粒子や、アルミニウム超微粒子の如き金属超微粒子を生成する方法を提案している。この、先に提案の方法によれば、安定金属酸化物超微粒子や金属超微粒子を粒子単体として得ることが出来、また、その形状や結晶方位等を制御することが出来るとされており、特許文献1においては、かかる方法に従って製造された超微粒子として、θ−アルミナ粒子の外周面に、ボール状のα−アルミナ超微粒子が形成せしめられたナノボール構造体や、α−アルミナ超微粒子配向成長体が形成せしめられたナノ複合構造体等が、示されている。
【0007】
このように、本発明者等が先に提案した超微粒子の製造方法によれば、従来にはない新規な構造を有するナノボール構造体や超微粒子配向成長体を製造することが出来るものの、超微粒子の性質やその応用に関する研究の観点からは、さらに別の新規な構造を有するナノ複合構造体等が要求されているのであり、この点において、未だ改良、発展の余地が残されていたのである。
【0008】
【特許文献1】特開平8−217419号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【0009】
ここにおいて、本発明は、かかる事情を背景にして為されたものであって、その解決課題とするところは、様々な用途への応用が期待される新規な構造を有するナノ複合構造体を提供することにあり、また、そのようなナノ複合構造体を有利に製造し得る方法を提供することにある。
【0010】
そして、本発明は、上述の如き課題を解決するために、第一の微粒子の単体若しくはその複数個からなる集合体が、該第一の微粒子より小さい第二の微粒子が相互に連結された形態において、又は該第二の微粒子からなるナノメートル膜の形態において形成されてなる表皮層にて被覆されていることを特徴とするナノ複合構造体を、その要旨とするものである。
【0011】
ここで、本発明に従うナノ複合構造体にあっては、有利には、前記第二の微粒子が、ターゲット材への高エネルギービームの照射によって離脱した該ターゲット材の構成原子又は構成分子よりなるものとされる。
【0012】
また、本発明のナノ複合構造体における好ましい態様の一つにおいては、前記第一の微粒子が、金属微粒子、金属酸化物微粒子、金属塩化物微粒子、金属フッ化物微粒子、金属ホウ化物微粒子、金属窒化物微粒子、金属炭化物微粒子又は半導体微粒子の何れかであり、それらの中でも、特に、アルミナ微粒子が好適である。
【0013】
さらに、本発明のナノ複合構造体における別の好ましい態様の一つにおいては、前記第二の微粒子が、金属微粒子、金属酸化物微粒子、金属塩化物微粒子、金属フッ化物微粒子、金属ホウ化物微粒子、金属窒化物微粒子、金属炭化物微粒子又は半導体微粒子の何れかであり、それらの中でも、特に、銅微粒子が好適である。
【0014】
一方、本発明にあっては、上述の如きナノ複合構造体を有利に得るために、基板上に載置されたターゲット材への高エネルギービームの照射によって、該基板上に、該ターゲット材より離脱した構成原子又は構成分子よりなる第二の微粒子を、相互に連結せしめた形態において若しくはナノメートル膜の形態において存在せしめた後、該第二の微粒子群の上に第一の微粒子の単体若しくはその複数個からなる集合体を配置し、更に、該ターゲット材へ高エネルギービームを再度照射することにより、該第一の微粒子の単体若しくはその複数個からなる集合体が、該第一の微粒子より小さい第二の微粒子が相互に連結された形態において、又は該第二の微粒子からなるナノメートル膜の形態において形成されてなる表皮層にて被覆されたナノ複合構造体を製造することを特徴とするナノ複合構造体の製造方法をも、その要旨とするものである。
【発明の効果】
【0015】
上述したように、本発明に従うナノ複合構造体にあっては、 第一の微粒子の単体若しくはその複数個からなる集合体が、該第一の微粒子より小さい第二の微粒子が相互に連結された形態において、又は該第二の微粒子からなるナノメートル膜の形態において形成されてなる表皮層にて被覆されているという、従来にはない新規な構造を有するものであるところから、新規な機能材料等への応用に大いに寄与することとなるのである。
【0016】
具体的には、本発明のナノ複合構造体を構成する第一の微粒子がアルミナ微粒子であり、また、第二の微粒子が銅微粒子である場合、絶縁性のアルミナに電気伝導性を付与せしめた新規な機能材料として、各種用途へ用いることが可能となる。
【0017】
また、薬効成分を有する微粒子(第一の微粒子)を、人間や動物の体内で分解可能な物質の微粒子(第二の微粒子)にて形成される表皮層にて包み込んで構成されるDDS(ドラッグ・デリバリー・システム)薬剤等への応用も可能である。
【0018】
さらに、本発明のナノ複合構造体は、触媒や潤滑膜等としての利用も期待されるものである。
【0019】
一方、本発明に従うナノ複合構造体の製造方法によれば、上述の如き特徴を有するナノ複合構造体を、比較的簡易な手法にて有利に製造することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0020】
以下、図面を参照しつつ、本発明を実施するための最良の形態について、詳細に説明する。
【0021】
先ず、図1には、本発明に従うナノ複合構造体の一つを製造する工程の一例が、模式的に示されている。そこにおいて、2は、所定の支持部材上に配置された微粒子形成用の基板であって、この基板2には、各種の固体材料を用いることが出来る。具体的には、結晶基板や非晶質基板を問わず、種々の固体材料からなる基板を用いることが出来、例えば、金属基板、非金属基板、半導体基板、化合物基板、有機材料基板等を使用することが出来る。
【0022】
そして、かかる基板2上に、図1(a)に示される如く、第二の微粒子の形成原料となるターゲット材4が配置される。なお、このターゲット材4の材質としては、Cu、Pt、Au、Al等の各種金属単体や合金、金属酸化物、金属塩化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、金属窒化物、金属炭化物等の化合物やこれらの複化合物若しくは複合体、Si等の半導体、高分子材料など、種々の固体材料を用いることが可能であるが、それからの構成原子又は構成分子の離脱性等を考慮して、目的とする材質の第二の微粒子を与え得る固体材料が、適宜に選択される。具体的には、単体金属、金属酸化物、金属塩化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、金属窒化物、金属炭化物、半導体等が有利に用いられ、それらの中でも、特に銅が好適に用いられ得る。
【0023】
また、ターゲット材4の形状や配置、更にはその厚さ等は、生成せしめられる第二の微粒子の配置や高エネルギービーム6の入射角:θ等を考慮して、適宜に設定される。
【0024】
そして、かかるターゲット材4の内壁4aに対して、図1の(b)に示される如く、高エネルギービーム6を斜め上方の方向から照射すると、ターゲット材4の構成原子又は構成分子が離脱して、第二の微粒子10として、基板2上に付着し、さらに、かかる高エネルギービーム6の照射を一定時間継続し、ターゲット材4から連続して構成原子や構成分子を離脱させることにより、基板2上に、5nm〜10μm程度の大きさを有する第二の微粒子10が相互に連結された形態、若しくは第二の微粒子10よりなるナノメートル膜の形態を呈する粒子群12が、形成されるのである。
【0025】
ここで、照射せしめられる高エネルギービーム6は、特に限定されるものではなく、ターゲット材4から構成原子や構成分子を離脱させ得るエネルギーを有するものであればよく、例えばアルゴン(Ar)イオンビームのようなイオンビームの他、このイオンビームと同等の衝撃とスパッタ効率をターゲット材4に与えることの出来る電子線、レーザービーム、X線、γ線、中性子線等を挙げることが出来る。
【0026】
また、かかる高エネルギービーム6として、Arイオンビームの如きイオンビームを用いる場合にあっては、加速電圧としては、3〜10kV程度、ビーム電流としては、0.5〜1.5mA程度、照射角度(入射角):θ(水平面に対して)としては、10〜60°程度が採用され、更に、照射時間としては、少なくとも1秒以上が、採用されることとなる。中でも、イオンビームの照射時間は、生成する第二の微粒子10の大きさに大きな影響を与えるため、目的とする第二の微粒子10の大きさに応じた照射時間が、適宜に設定される。
【0027】
なお、この高エネルギービーム6として、イオンビームを用いる場合において、加速電圧やビーム電流が小さすぎると、ターゲット材4から構成原子や構成分子を効率良く離脱させることが出来ず、一方、加速電圧やビーム電流が大きすぎると、ターゲット材4の損傷のみが増大して、構成原子や構成分子の離脱状態を制御することが困難となる。また、高エネルギービーム6として、電子線、レーザービーム、X線、γ線、中性子線等を用いる場合においても同様である。更に、高エネルギービーム6の照射雰囲気は、使用ビームに応じて設定すればよく、例えば、真空雰囲気、アルゴン雰囲気のような不活性雰囲気等が挙げられ、また、化合物からなる微粒子を形成する場合には、酸素含有雰囲気や窒素含有雰囲気等を用いることも可能である。
【0028】
また、高エネルギービーム6の照射によって生成した第二の微粒子10からなる粒子群12の連結状態が、目的とする程度まで達していない(未連結部位が多い)場合には、かかる粒子群に対して、別途、所定強度のエネルギービームを直接、照射することが有効である。かかるエネルギービームの照射によって、第二の微粒子10が適宜移動して、粒子群12の連結状態が効果的に改善されるのである。
【0029】
次いで、図1の(c)に示されているように、基板2上に形成せしめられた第二の微粒子10からなる粒子群12の上に、かかる第二の微粒子12より大きな第一の微粒子8(大きさ:20nm〜100μm程度)の単体、若しくはその複数個からなる集合体が、配置せしめられる。なお、図1の(c)においては、単体の第一の微粒子8が配置せしめられた状態が、示されている。
【0030】
ここで、かかる第一の微粒子8を構成する物質は、従来より公知の物質であれば、如何なるものであってもよく、各種金属の単体や合金、金属酸化物、金属塩化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、金属窒化物、金属炭化物等の化合物やこれらの複化合物若しくは複合体、Si等の半導体、高分子材料等を例示することが出来るが、それらの中でも、アルミナ(Al23)、チタニア(TiO2 )、ジルコニア(ZrO2 )、WO3 、MoO3 、Nb25等の金属酸化物、中でも、アルミナが好適に用いられる。
【0031】
また、そのような所定の物質よりなる第一の微粒子8を配置せしめる際の手法としては、従来より公知の各種手法であって、基板2上の第二の微粒子10からなる粒子群12を傷付けないようなものであれば、如何なる手法も採用可能である。例えば、第一の微粒子8を、エタノール、メタノール、アセトン等の一般的な有機媒体(有機溶媒)中に分散させてなる有機混合物を、粒子群12の上に所定量、滴下し、乾燥させた後、かかる第一の微粒子8及び粒子群12の表面に付着した有機媒体成分を所定の方法にて除去することによって、実施されることとなる。
【0032】
そして、かかる第一の微粒子8を粒子群12の上に配置せしめた後、図1の(d)に示すように、再度、ターゲット材4の内壁4aに対して、高エネルギービーム6を一定時間、照射せしめるのである。
【0033】
すなわち、基板2上におけるターゲット材4の内壁4aに対して、高エネルギービーム6を再度、照射することによって、ターゲット材4から離脱した構成原子又は構成分子が、第二の微粒子10として、第一の微粒子8(及び粒子群12)上に付着し、かかる照射を一定時間継続して構成原子や構成分子を離脱させることにより、第一の微粒子8における基板2上の粒子群12とは接していない部位に、第二の微粒子10が相互に連結された形態、若しくは第二の微粒子10よりなるナノメートル膜の形態を呈する新たな粒子群12が形成されるのであり、以て、本発明に従うナノ複合構造体が得られることとなるのである。
【実施例】
【0034】
以下に、本発明の実施例を示し、本発明を更に具体的に明らかにすることとするが、本発明が、そのような実施例の記載によって、何等の制約をも受けるものでないことは言うまでもないところである。また、本発明には、以下の実施例の他にも、更には上記の具体的記述以外にも、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて、種々なる変更、修正、改良等を加え得るものであることが理解されるべきである。
【0035】
先ず、図1に示されるナノ複合構造体の製造工程に従い、基板2として、アモルファス炭素フィルムを用い、この炭素フィルム上に、ターゲット材4としての銅製ディスク(直径:3mm、厚さ:15μm)を載置した。なお、この銅製ディスクには、直径が100μmの多数の貫通孔が形成されている。そして、この基板2とターゲット材4とを所定の支持部材上に配置した状態で、イオンミリング装置(gatan DuoMill )の照射室内の室温ステージ上に、セットした。
【0036】
次いで、かかる基板2とターゲット材4とを位置固定に保持しつつ、Arイオンビームを、銅製ディスク(ターゲット材4)の内壁(4a)に対して、加速電圧:7kV、照射時間:300秒、Arイオンビーム6の水平方向に対する照射角度:θを10°として、Arイオンビーム照射を行ない、銅微粒子(第二の微粒子10)よりなる粒子群12を基板2上に配置せしめた。ここで、粒子群12を構成する銅微粒子の大きさは、10〜50nm程度であった。なお、イオンミリング装置の照射室内は、Arイオンガスにて7.3×10-3Paの圧力下に満たされた。また、そこでは、Arガスの流速は、3.3×10-83 /秒であった。かかる照射の後、イオンミリング装置からアモルファス炭素フィルムを取り出した。
【0037】
一方、アルミナ微粒子をアルコールに分散させてなる分散液を、以下の手順によって調製した。先ず、市販のアルミニウム粒子に対して蒸発金属燃焼法を施すことにより、粒子径が50〜300nm程度のアルミナ微粒子を得た。なお、得られたアルミナ微粒子の結晶相をX線回折法(コーエン法)によって調べたところ、その大部分が、δ−アルミナ(斜方晶系)よりなる微粒子、又はθ−アルミナ(単斜晶系)よりなる微粒子であった。次いで、かかるδ−アルミナ微粒子とθ−アルミナ微粒子の混合物をアルコールに分散させて、アルミナ微粒子をアルコールに分散させてなる分散液を準備した。
【0038】
このようにして調製した分散液を、基板2上の銅微粒子(第二の微粒子10)よりなる粒子群12上に、所定量、塗布し、乾燥させた。かかる乾燥後、所定の手法に従って、アルミナ微粒子(第一の微粒子8)及び粒子群12の表面に付着するアルコール成分を除去した。
【0039】
そして、かかる操作後の炭素フィルムを、その基板2及びターゲット材4とを所定の支持部材上に配置した状態で、再度、イオンミリング装置の照射室内の室温ステージ上にセットしたのち、先程と同様の手法にて、Arイオンビームを、銅製ディスク(ターゲット材4)の内壁(4a)に対して照射した。なお、かかる照射の際の照射条件は、照射時間を600秒とした以外は、先のArイオンビーム照射の際と同様の条件を採用した。
【0040】
その後、イオンミリング装置から、観察のためのTEM装置(透過型電子顕微鏡:日本電子株式会社製、JEM−2010)に生成物を移し、このTEM装置にて、炭素フィルム上に生じた生成物の構造を観察したところ、かかる生成物は、アルミナ微粒子(第一の微粒子8)の単体が、かかるアルミナ微粒子より小さい銅微粒子(第二の微粒子10)が相互に連結された形態において形成された表皮層にて被覆されてなるナノ複合構造体であることが、認められたのである。
【図面の簡単な説明】
【0041】
【図1】本発明に従うナノ複合構造体の一つを製造する工程の一例を、模式的に示す説明図である。
【符号の説明】
【0042】
2 基板 4 ターゲット材
4a 内壁 6 高エネルギービーム
8 第一の微粒子 10 第二の微粒子
12 粒子群


【特許請求の範囲】
【請求項1】
第一の微粒子の単体若しくはその複数個からなる集合体が、該第一の微粒子より小さい第二の微粒子が相互に連結された形態において、又は該第二の微粒子からなるナノメートル膜の形態において形成されてなる表皮層にて被覆されていることを特徴とするナノ複合構造体。
【請求項2】
前記第二の微粒子が、ターゲット材への高エネルギービームの照射によって離脱した該ターゲット材の構成原子又は構成分子よりなるものであることを特徴とする請求項1に記載のナノ複合構造体。
【請求項3】
前記第一の微粒子が、金属微粒子、金属酸化物微粒子、金属塩化物微粒子、金属フッ化物微粒子、金属ホウ化物微粒子、金属窒化物微粒子、金属炭化物微粒子又は半導体微粒子の何れかであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のナノ複合構造体。
【請求項4】
前記第一の微粒子が、アルミナ微粒子であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のナノ複合構造体。
【請求項5】
前記第二の微粒子が、金属微粒子、金属酸化物微粒子、金属塩化物微粒子、金属フッ化物微粒子、金属ホウ化物微粒子、金属窒化物微粒子、金属炭化物微粒子又は半導体微粒子の何れかであることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載のナノ複合構造体。
【請求項6】
前記第二の微粒子が、銅微粒子であることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載のナノ複合構造体。
【請求項7】
基板上に載置されたターゲット材への高エネルギービームの照射によって、該基板上に、該ターゲット材より離脱した構成原子又は構成分子よりなる第二の微粒子を、相互に連結せしめた形態において若しくはナノメートル膜の形態において存在せしめた後、該第二の微粒子群の上に第一の微粒子の単体若しくはその複数個からなる集合体を配置し、更に、該ターゲット材へ高エネルギービームを再度照射することにより、該第一の微粒子の単体若しくはその複数個からなる集合体が、該第一の微粒子より小さい第二の微粒子が相互に連結された形態において、又は該第二の微粒子からなるナノメートル膜の形態において形成されてなる表皮層にて被覆されたナノ複合構造体を製造することを特徴とするナノ複合構造体の製造方法。


【図1】
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【公開番号】特開2006−142394(P2006−142394A)
【公開日】平成18年6月8日(2006.6.8)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2004−331718(P2004−331718)
【出願日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【出願人】(304021277)国立大学法人 名古屋工業大学 (784)