低圧放電ランプの製造方法
【課題】本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、水銀放出体を加熱する際、ガラス管の封止端部が破損するのを防止することを目的とするものである。
【解決手段】本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、ガラス管１００の少なくとも一方の端部に電極構造体１０１が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、ガラス管１００の一端の開口部１００ａからガラス管１００の内部に電極構造体１０１を挿入する工程と、電極構造体１０１をガラス管１００の内部に固定する工程と、ガラス管１００の一端の開口部１００ａからガラス管１００の内部に水銀放出体１１１を挿入する工程と、ガラス管１００の一端と電極構造体１０１および水銀放出体１１１との間において、ガラス管１００の内面側に突出する凸部１１２を形成する工程と、凸部１１２よりもガラス管１００の一端側において、ガラス管１００を封止する工程と、水銀放出体１１１を加熱する工程とを有する。
【解決手段】本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、ガラス管１００の少なくとも一方の端部に電極構造体１０１が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、ガラス管１００の一端の開口部１００ａからガラス管１００の内部に電極構造体１０１を挿入する工程と、電極構造体１０１をガラス管１００の内部に固定する工程と、ガラス管１００の一端の開口部１００ａからガラス管１００の内部に水銀放出体１１１を挿入する工程と、ガラス管１００の一端と電極構造体１０１および水銀放出体１１１との間において、ガラス管１００の内面側に突出する凸部１１２を形成する工程と、凸部１１２よりもガラス管１００の一端側において、ガラス管１００を封止する工程と、水銀放出体１１１を加熱する工程とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低圧放電ランプの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の低圧放電ランプの製造方法の工程の概念図を図７（ａ）〜（ｃ）に示す。従来の低圧放電ランプの製造方法は、蛍光ランプの製造方法であって、ガラス管１の一端１ａに一方の電極３Ａを封止する工程と、ガラス管１の他端１ｃ部分より内方の所定部分１ｂに他方の電極３Ｂを配置する工程と、ガラス管１の他端１ｃ部分と他方の電極３Ｂとの間に水銀放出体５を配置する工程と、前記ガラス管１内を不活性ガスに置換する工程と、水銀放出体５を高周波加熱しガラス管１内に所定量の水銀を供給する工程と、水銀放出体５を加熱する際又は加熱後、蒸気状態の前記水銀が凝縮するのを防ぐため水銀放出体５が収容されているガラス管１部分を加熱する工程と、他方の電極３Ｂをガラス管１に封止して蛍光ランプを形成すると共に、他端１ｃ部分を除去する工程とを有する（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
具体的には、まず、図７（ａ）に示すように、内面に蛍光体層２を有するガラス管１の一端１ａに一方の電極３Ａを封止すると共に、他方の電極３Ｂをガラス管１内に、それの他端１ｃから所定部分１ｂまで挿入する。そして、ガラス管１の１ｂ部分を部分的に加熱および変形４させることにより、他方の電極３Ｂをガラス管１に仮止めする（仮止め工程）。
【０００４】
次に、図７（ｂ）に示すように、このガラス管１内に水銀放出体５を挿入および配置する。そして、このガラス管１を排気装置６のヘッドにセットすると共に、排気装置６を駆動させる。すると、ガラス管１の内部の空気，不純ガスなどがガラス管１の内面と電極３Ｂとの間の連通部などを介して排出される。次いで、排気装置６からガラス管１内に不活性ガス例えばネオンガスを主体とするネオン−アルゴンガスを６０［Ｔｏｒｒ］〜７０［Ｔｏｒｒ］の圧力となるように充填する（排気・封入工程）。そして、ガラス管１の他端部を仮封止する。
【０００５】
次に、図７（ｃ）に示すように、水銀放出体５の位置する部分に高周波加熱装置７およびヒータ装置８をセットすると共に、駆動させる。すると、水銀放出体５は例えば８００［℃］〜９００［℃］に加熱され、水銀合金が分解されて瞬間的に水銀が蒸気の状態で放出され、ガラス管１の内面と電極３Ｂとの間の連通部を介してガラス管１内の空間に供給される。これと同時に、水銀放出体５を構成する金属部材から不純ガスも放出されるが、水銀放出体５のゲッター材にて吸着される（水銀放出工程）。又、この際に、ヒータ装置８によって水銀放出体５の収容されているガラス管１部分も加熱されているために、水銀放出体５から放出された水銀は電極３Ａ，３Ｂ間に対応するガラス管内の空間に確実に供給される。特に、電極３Ａ，３Ｂ間のガラス管部分を冷却すれば、水銀放出体５の収容されているガラス管１部分への水銀の凝縮をほぼ皆無にできる。
【０００６】
次に、ガラス管１の変形部４を再度バーナなどにて加熱し、電極３Ｂの封止部３３とこれに対向するガラス管１とを全周に亘って封止する。と同時に、ガラス管１の他端部分（水銀放出体５の位置するガラス管部分）を除去（切離）して蛍光ランプの製造を完了する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３４３６２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
水銀放出体を加熱する工程において、水銀放出体５が加熱されると、水銀放出体５から水銀蒸気が放出される際、水銀蒸気が水銀放出体５の外部に放出される力によって、水銀放出体５が弾け飛ぶことがある。従来の低圧放電ランプの製造方法の場合、弾け飛んだ水銀放出体５がガラス管１の仮封止により形成される封止端部に衝突してガラス管１の封止端部が破損してしまうことがあった。
【０００９】
発明者らの検討により、ガラス管１の仮封止により形成される封止端部は、ガラス管内を排気して、大気に対して負圧下となった状態において加工されるために、肉厚が薄くなり、破損しやすいことがわかった。
【００１０】
そこで、本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、水銀放出体を加熱する際、ガラス管の封止端部が破損するのを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために、本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、前記ガラス管の一端と前記電極構造体および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する凸部を形成する工程と、前記凸部よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、前記水銀放出体を加熱する工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、前記ガラス管の一端と前記電極構造体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第１の凸部を形成する工程と、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、前記ガラス管の一端と前記第１の凸部および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第２の凸部を形成する工程と、前記第２の凸部よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、前記水銀放出体を加熱する工程とを有することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、前記電極構造体および前記水銀放出体よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、前記ガラス管の一端と前記電極構造体および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する凸部を形成する工程と、前記水銀放出体を加熱する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、前記ガラス管の一端と前記電極構造体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第１の凸部を形成する工程と、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、前記第１の凸部および前記電極構造体よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、前記ガラス管の一端と前記第１の凸部および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第２の凸部を形成する工程と、前記水銀放出体を加熱する工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
さらに、本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、加熱された空気を前記ガラス管に当てることにより前記凸部を形成することが好ましい。
【００１６】
また、本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、加熱された空気を前記ガラス管に当てることにより前記第２の凸部を形成することが好ましい。
【００１７】
また、本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、前記ガラス管は、熱膨張係数が８×１０-7［Ｋ-1］以上１０×１０-7［Ｋ-1］以下の範囲内であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、水銀放出体を加熱する際、ガラス管の封止端部が破損するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（ａ）本発明の第１の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法の電極構造体挿入工程の概念図、（ｂ）同じく電極構造体固定工程の概念図、（ｃ）同じく水銀放出体挿入工程の概念図
【図２】（ａ）同じく凸部形成工程の概念図、（ｂ）同じく仮封止工程の概念図、（ｃ）同じく水銀放出工程の概念図、（ｄ）同じく第２封止工程の概念図
【図３】（ａ）本発明の第２の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法の仮封止工程の概念図、（ｂ）同じく凸部形成工程の概念図
【図４】（ａ）本発明の第３の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法の第１の凸部形成工程の概念図、（ｂ）同じく水銀放出体挿入工程の概念図
【図５】（ａ）水銀放出体の変形例１の斜視図、（ｂ）水銀放出体の変形例２の斜視図、（ｃ）水銀放出体の変形例３の斜視図
【図６】歪除去工程の概念図
【図７】（ａ）従来の低圧放電ランプ製造方法の仮止め工程の概念図、（ｂ）同じく排気・封止工程の概念図、（ｃ）同じく水銀放出工程の概念図
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法は、例えば冷陰極蛍光ランプの製造方法であって、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程（電極構造体挿入工程）と、前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程（電極構造体固定工程）と、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程（水銀放出体挿入工程）と、前記ガラス管の一端と前記電極構造体および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する凸部を形成する工程（凸部形成工程）と、前記凸部よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程（仮封止工程）と、前記水銀放出体を加熱する工程（水銀放出体加熱工程）とを有する。
【００２１】
以下、図１および図２を用いて詳細に説明する。
【００２２】
＜電極構造体挿入工程＞
まず、図１（ａ）に示すように、ガラス管１００の一端の開口部１００ａからガラス管１００の内部に電極構造体１０１を挿入する。
【００２３】
ガラス管１００は、例えば、直管形状であって、内径が３［ｍｍ］、外径が４［ｍｍ］、肉厚が０．５［ｍｍ］、長さが１０２６［ｍｍ］であり、鉛フリーガラス製である。ガラス管１００の内面（両端部を除く）には、蛍光体層１０２が形成されている。蛍光体層１０２は、例えばＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27；Ｅｕ2+よりなる青色蛍光体粒子とＹ2Ｏ3；Ｅｕ3+よりなる赤色蛍光体粒子とＬａＰＯ4；Ｃｅ3+，Ｔｂ3+よりなる緑色蛍光体粒子と、ＣＢＢＰやＣＢＢ等よりなる結着剤とを含む。なお、また、ガラス管１００の内面と蛍光体層１０２との間には例えば酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および酸化チタン（ＴｉＯ2）のうちいずれか１種以上を含む保護膜（図示せず）が設けられていてもよい。
【００２４】
電極構造体１０１は、例えば電極１０３と、電極１０３に接続されたリード線１０４と、リード線１０４の少なくとも一部を覆うように形成されたガラスビード１０５とを有する。
【００２５】
電極１０３は、例えば有底筒状であって、内径が２．４［ｍｍ］、外径が２．７［ｍｍ］、底部の肉厚が０．２［ｍｍ］、全長が８．２［ｍｍ］であって、ニッケル（Ｎｉ）製である。電極の材料は、ニッケルに限らず、ニオビウム（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）およびタングステン（Ｗ）等を用いることができる。電極１０３は、その外側底面の略中央部においてリード線１０４の一端部と接続されている。
【００２６】
リード線１０４は、例えば電極１０３の外側底面と一端部が接続され、かつその少なくとも一部においてガラスビード１０５に覆われた内部リード線１０４ａと、内部リード線１０４ａの他端部と一端部が接続される外部リード線１０４ｂとの継線からなる。
【００２７】
内部リード線１０４ａは、例えば線径が０．８［ｍｍ］であって、鉄とニッケルとの合金製である。なお、内部リード線１０４ａは、ガラス管１００やガラスビード１０５の材料として用いるガラスの熱膨張係数に併せた材料を用いることが好ましい。例えば、ガラス管１００がコバール線封止用の硼珪酸ガラスの場合、鉄とニッケルとコバルトとの合金（コバール）を用いることが好ましい。また、ガラス管１００がタングステン線封着用の硼珪酸ガラスの場合、タングステンを用いることが好ましい。
【００２８】
外部リード線１０４ｂは、例えば線径が０．６［ｍｍ］であって、ニッケル製である。なお、外部リード線１０４ｂは、ニッケル製に限らず、ニッケルとマンガンの合金、ジュメット線等を用いてもよい。
【００２９】
なお、リード線１０４は、内部リード線１０４ａおよび外部リード線１０４ｂの継線に限らず、一本線であってもよい。
【００３０】
ガラスビード１０５は、例えば略球形状であって、その略中心軸に沿って内部リード線１０４ａを封着しており、鉛フリーガラス製である。なお、ガラスビード１０５は、封着性の観点から、ガラス管１００と同一の材料、またはガラス管１００と熱膨張係数が同一または近似する材料を用いることが好ましい。
【００３１】
なお、ガラス管１００の他端部には、別の電極構造体１０６が封着されている。別の電極構造体１０６は、電極構造体１０１と実質的に同一の構成を有し、電極１０７と、内部リード線１０８ａおよび外部リード線１０８ｂの継線からなるリード線１０８と、ガラスビード１０９とを有する。
【００３２】
＜電極構造体固定工程＞
次に、 図１（ｂ）に示すように、電極構造体１０１をガラス管１００の内部に固定する。具体的には、ガラスビード１０５が位置するガラス管１００の外表面をバーナー１１０で加熱して、ガラスビード１０５の外表面の一部をガラス管１００の内面に固着する。よって、ガラス管の内面に固着されているのは、ガラスビード１０５の外表面の一部であるので、ガラス管１００の管軸方向の通気性は維持される。なお、この場合の加熱温度は、ガラス管１００の加熱されている部分の外表面において約８００［℃］である。
【００３３】
＜水銀放出体挿入工程＞
次に、図１（ｃ）に示すように、ガラス管１００の一端の開口部１００ａからガラス管１００の内部に水銀放出体１１１を挿入する。水銀放出体１１１は、例えば鉄とチタンとの焼結体に水銀を反応させたものである。水銀放出体１１１は、これに限らず、チタンと水銀との粉体状のアマルガムを鉄やニッケル製の筒体に詰め込んだものでもあってもよい。
【００３４】
＜凸部形成工程＞
続いて、図２（ａ）に示すように、ガラス管１００の一端と電極構造体１０１および水銀放出体１１１との間において、ガラス管１００の内面側に突出する凸部１１２を形成する。凸部１１２は、例えば、ガラス管１００の外表面をバーナー１１３等で加熱することにより形成することができる。なお、ガラス管１００の外表面をバーナー１１３等で加熱した後に、治具（図示せず。）等でガラス管の内側方向に押圧して凸部１１２を形成してもよい。この場合、凸部１１２の形状を整えやすくすることができる。
【００３５】
凸部形成工程は、後述する仮封止工程の前に行われるため、ガラス管１００の内部が大気に対して負圧下とはなっておらず、後述する封止端部よりも肉厚を厚くすることができる。
【００３６】
なお、凸部１１２の肉厚の最小厚みが、ガラス管１００の管軸方向略中央部の肉厚の０．５［倍］以上であり、凸部１１２の肉厚の最大厚みが、ガラス管１００の管軸方向略中央部の肉厚の１．５［倍］以下であることが好ましい。この場合、凸部１１２の強度を適度に保ちやすくすることができる。さらには、凸部１１２の肉厚の最小厚みが、ガラス管１００の管軸方向略中央部の肉厚の０．７［倍］以上であり、凸部１１２の肉厚の最大厚みが、ガラス管１００の管軸方向略中央部の肉厚の１．５［倍］以下であることがより好ましい。この場合、凸部１１２の強度をより適度に保ちやすくすることができる。
【００３７】
＜仮封止工程＞
次に、ガラス管１００内の排気とガラス管１００内への希ガスの充填を行う（排気および封入工程）。具体的には、給排気装置のヘッドをガラス管１００の一端部に装着し、先ず、ガラス管１００内を排気して真空にすると共に、図示しない加熱装置によってガラス管１００全体を外部から加熱する。この場合の加熱温度は、ガラス管１００の外表面において約４００［℃］である。これによって、蛍光体層１０２に潜入している不純ガスを含めガラス管１００内の不純ガスが排出される。加熱を止めた後、所定量の希ガスが充填される。希ガスは、例えばネオン９５［ｍｏｌ％］とアルゴン５［ｍｏｌ％］との混合ガスである。このガラス管１００内の排気と希ガスの封入は、ガラスビード１０５とガラス管１００の内面との間に形成される通気空間を通じて行われる。
【００３８】
そして、希ガスが充填されると、図２（ｂ）に示すように、凸部１１２よりもガラス管１００の一端側において、ガラス管１００を加熱して封止する。そして、この封止によりガラス管１００の封止端部１００ｂが形成される。この際、ガラス管１００内が負圧下であるため、封止端部１００ｂの肉厚は、薄くなる。具体的には、ガラス管１００の封止端部１００ａの肉厚は、ガラス管１００の管軸方向略中央部の肉厚の０．２［倍］未満となりやすい。なお、加熱は、例えばバーナー１１４等により行われる。
【００３９】
また、希ガスは、ネオンとアルゴンとの混合ガスに限らず、例えばネオン、アルゴンおよびクリプトンのいずれか１種類以上が含まれていればよい。
【００４０】
また、負圧下である封止後のガラス管内のガス圧は、５［Ｔｏｒｒ］以上６００［Ｔｏｒｒ］以下の範囲内であることが好ましい。この場合、低圧放電ランプを作製するのに好適である。さらには、封止後のガラス管内のガス圧は、２０［Ｔｏｒｒ］以上４０［Ｔｏｒｒ］以下の範囲内であることがより好ましい。この場合、低圧放電ランプのうち、冷陰極放電ランプを作製するのにより好適である。
【００４１】
＜水銀放出体加熱工程＞
次に、図２（ｃ）に示すように、水銀放出体１１１を加熱する。具体的には、水銀放出体１１１をガラス管１００の周囲に配された高周波発振コイル１１５によって誘導加熱して水銀放出体１１１から水銀蒸気を放出させる。
【００４２】
この水銀放出体加熱工程において、水銀放出体が加熱されると、水銀放出体１１１から水銀蒸気が放出される際、水銀蒸気が水銀放出体１１１の外部に放出される力によって、水銀放出体１１１が弾け飛ぶことがある。この際、水銀放出体１１１が肉厚の薄いガラス管１００の封止端部１００ｂに衝突してしまうと、ガラス管１００の封止端部１００ｂが破損してしまう。
【００４３】
これに対して、凸部１１２が形成されている場合、凸部１１２によって、水銀放出体１１１がガラス管１００の封止端部１００ｂに移動することを防止でき、水銀放出体１１１がガラス管１００の封止端部１００ｂに衝突するのを防止することができる。そして、凸部１１２は、ガラス管１００が封止される前に形成されているため、ガラス管１００の内部が大気に対して負圧下になって形成されるガラス管１００の封止端部１００ｂに対して肉厚が厚くなっている。よって、水銀放出体１１１が凸部１１２に衝突しても凸部１１２が破損するのを防止することができる。そして、これにより、水銀放出体１１１が肉厚の薄いガラス管１００の封止端部１００ｂに衝突することによって、ガラス管１００の封止端部１００ｂが破損するのを防止することができる。
【００４４】
なお、水銀放出体加熱工程の際、ガラス管１００をその管軸を回転軸として回転させることが好ましい。この場合、加熱された水銀放出体１１１により、ガラス管１００が局所的に加熱されて、ガラス管１００が破損するのを防止することができる。
【００４５】
なお、水銀放出体１１１の加熱は、高周波発振コイルに限らず、近赤外線ヒーター等の赤外線ヒーター等を用いてもよい。
【００４６】
さらに、高周波発振コイルや赤外線ヒーターで水銀放出体１１１を加熱する前に、ガラス管１００の予熱を行うことが好ましい。この場合、水銀放出体１１１を加熱する際、水銀放出体１１１の温度とガラス管１００の温度との差異を小さくすることで、ガラス管１００の急な熱膨張による破損を防止しやすくすることがきる。予熱は、例えばガラス管１００の加熱されている部分の外表面度が２００［℃］以上５００［℃］以下の範囲内となるように行うことが好ましい。特に、熱膨張係数が８×１０-7［Ｋ-1］以上１０×１０-7［Ｋ-1］以下の範囲内のガラスを用いたガラス管１００の場合、ガラス管１００の加熱されている部分の外表面温度が２００［℃］〜４００［℃］以下の範囲内となるように行うことがより好ましい。
【００４７】
また、誘導加熱の後に、加熱炉（図示せず）等でガラス管１００の水銀放出体１１１が存在する部分を加熱することが好ましい。この場合、水銀放出体１１１から放出された水銀蒸気をガラス管１００内の電極構造体１０１の方へ移動させやすくすることができる。
【００４８】
＜水銀放出体加熱工程以降の工程＞
次に、図２（ｄ）に示すように、ガラス管１００における電極構造体１０１のガラスビード１０５に対応する位置を加熱して、ガラス管１００を封着して気密封止（第２封止）する（第２封止工程）。加熱は、例えばガスバーナー１１６等により行う。この場合の加熱温度は、ガラス管１００の加熱されている部分の外表面において約９００［℃］である。そして、ガラス管１００の、第２封止部分よりも水銀放出体１１１側の端部部分を切離して、冷陰極低圧放電ランプが完成される。
【００４９】
なお、低圧放電ランプが完成した後に、必要に応じてエージング工程や点灯検査等を行う。
【００５０】
上記のとおり、本発明の第１の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法によれば、水銀放出体１１１を加熱する際、ガラス管１００の封止端部１００ｂが破損するのを防止することができる。
【００５１】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法は、仮封止工程の後に凸部形成工程を行うことと、それに伴う相違点を除いて、本発明の第１の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法と実質的に同じ構成を有する。
【００５２】
すなわち、本願の第２の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法は、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、前記電極構造体および前記水銀放出体よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、前記ガラス管の一端と前記電極構造体および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する凸部を形成する工程と、前記水銀放出体を加熱する工程とを有する。
【００５３】
よって、凸部形成工程について図３を用いて詳細に説明し、その他の点については、説明を省略する。
【００５４】
＜仮封止工程＞
まず、ガラス管１００の一端からガラス管の管軸方向中央側に所定間隔離れた位置において電極構造体１０１が仮止めされ、ガラス管１００の他端部に電極構造体１０６が封着され、電極構造体１０１とガラス管の一方の端との間に水銀放出体１１１が挿入された状態（すなわち、本発明の第１の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法における電極構造体挿入工程から水銀放出体挿入工程までを行った後の状態）において、ガラス管１００内の排気とガラス管１００内への希ガスの充填を行う。具体的には、給排気装置のヘッド（図示せず）をガラス管１００の水銀放出体１１１側端部に装着し、ガラス管１００内を排気して真空にすると共に、図示しない加熱装置によってガラス管１００全体を外部から加熱する。この場合の加熱温度は、ガラス管１００の外表面において約４００［℃］である。これによって、蛍光体層１０２に潜入している不純ガスを含めガラス管１００内の不純ガスが排出される。加熱を止めた後、所定量の希ガスが充填される。希ガスは、例えばネオン９５［ｍｏｌ％］とアルゴン５［ｍｏｌ％］との混合ガスである。このガラス管１００内の排気と希ガスの封入は、ガラスビード１０５とガラス管１００の内面との間に形成される通気空間を通じて行われる。
【００５５】
そして、図３（ａ）に示すように、希ガスが充填された後に、電極構造体１０１および水銀放出体１１１よりもガラス管１００の一端側においてガラス管１００を加熱して封止する。そして、この封止によりガラス管１００の封止端部１００ｂが形成される。加熱は、例えばバーナー１１４等により行われる。なお、ガラス管１００内に封入される希ガス等の条件は、本発明の第１の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法における仮封止工程と同様の条件を適用することができる。
【００５６】
＜凸部形成工程＞
続いて、図３（ｂ）に示すように、ガラス管１００の一端と電極構造体１０１および水銀放出体１１１との間において、凸部１１２を形成する。凸部１１２は、例えば、ガラス管の外表面に加熱された空気を当てることにより、形成することができる。加熱された空気は、例えば、ヒーター等の発熱体（図示せず）で加熱された空気をダクト１１７から吹き出すものである。ダクト１１７から吹き出される加熱された空気の温度（ダクト１１７内部先端の温度）は、約９２０［℃］である。なお、加熱された空気の温度は、約９２０［℃］に限らず、８００［℃］以上１０５０［℃］以下の範囲内であることが好ましい。そして、このときの風量は８［Ｌ／ｍｉｎ］以上３０［Ｌ／ｍｉｎ]以下の範囲内であることが好ましい。この場合、風量を増やすことにより多くの熱が発熱体（図示せず）から移動するため、発熱体の温度は下がり、ダクトから噴出される温度は上がることになる。よって、ヒーター効率を上げ、少ないポジションでの安定した肉厚の凸部を形成することができる。特に、風量は、１５［Ｌ／ｍｉｎ］以上２０［Ｌ／ｍｉｎ］以下の範囲内であることがより好ましい。
【００５７】
仮封止工程の後に凸部形成工程を行う場合、ガラス管１００が封止されているため、ガラス管の内部は、大気に対して負圧下となっている。この場合、バーナーで凸部１１２を形成しようとすると、その炎が雰囲気に影響されやすく、温度制御が困難で加熱にむらがあるため、局所的な凸部１１２を安定して形成するのが困難となる。逆に、バーナーの加熱を安定させようとすると、火力を上昇させる必要があるため、急激にガラス管１００が加熱されてしまい、封止端部１００ｂと同様に凸部１１２の肉厚が薄くなってしまう。
【００５８】
これに対して、加熱された空気を当てることで、凸部１１２を形成すると加熱する部位がぶれにくく、ガスバーナーのように急激な加熱をしなくても、一定の熱量を安定的に継続して当てることができ、ガラス管１００の封止短部１００ｂに対して凸部１１２の肉厚を厚くすることができる。したがって、水銀放出体加熱工程において、水銀放出体１１１から水銀蒸気が放出される際、水銀蒸気が水銀放出体１１１の外部に放出される力によって、水銀放出体１１１が弾け飛び、水銀放出体１１１が凸部１１２に衝突したとしても、凸部１１２の肉厚が厚いために、ガラス管１００が凸部１１２の部分で破損するのを防止することができる。
【００５９】
なお、図３（ｂ）において、ガラス管１００の外表面に対して、一方から加熱された空気を当てているが、ガラス管１００の周回方向において複数の箇所に加熱された空気を当ててもよい。この場合、凸部１１２を複数個所に形成することで、凸部１１２からガラス管１００の一端側に水銀放出体１１１がすり抜けるのを防止しやすくすることができる。
【００６０】
さらに、ガラス管１００の外表面に対して、ガラス管１００の周回方向において２箇所以上４箇所以下の範囲内で加熱された空気を当てることが好ましい。この場合、複数個所に形成される各凸部１１２の大きさを小さくして凸部１１２付近の歪の発生を防止することができる。
【００６１】
上記のとおり、本発明の第２の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法によれば、仮封止工程の後に凸部形成工程を行っても、水銀放出体１１１を加熱する際、ガラス管１００の封止端部１００ｂおよび凸部１１２が破損するのを防止することができる。
【００６２】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法は、電極構造体固定工程と水銀放出体工程との間に第１の凸部を形成する工程（第１の凸部形成工程）を有し、凸部形成工程を第２の凸部を形成させる工程とした点を除いて、本発明の第１の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法または本発明の第２の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法と実質的に同じ構成を有する。
【００６３】
すなわち、本願の第３の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法は、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、前記ガラス管の一端と前記電極構造体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第１の凸部を形成する工程と、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、前記ガラス管の一端と前記第１の凸部および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第２の凸部を形成する工程と、前記第２の凸部よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、前記水銀放出体を加熱する工程とを有する。あるいは、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、
前記ガラス管の一端と前記電極構造体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第１の凸部を形成する工程と、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、前記第１の凸部および前記電極構造体よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、前記ガラス管の一端と前記第１の凸部および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第２の凸部を形成する工程と、前記水銀放出体を加熱する工程とを有する。
【００６４】
よって、第１の凸部形成工程について図４を用いて詳細に説明し、その他の点については、説明を省略する。
【００６５】
＜第１の凸部形成工程＞
まず、図４（ａ）に示すように、ガラス管１００の一端からガラス管の管軸方向中央側に所定間隔離れた位置において電極構造体１０１が仮止めされ、ガラス管１００の他端部に電極構造体１０６が封着された状態（すなわち、本発明の第１の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法における電極構造体挿入工程から電極構造体固定工程までを行った後の状態）において、ガラス管１００の一端と電極構造体１０１との間において、ガラス管の内面側に突出する第１の凸部１１８を形成する。具体的には、ガラス管１００の一端と電極構造体１０１との間において、ガラス管１００の外表面をバーナー１１９等で加熱することにより第１の凸部１１８を形成する。
【００６６】
なお、第１の凸部１１８は、バーナー１１９に限らず、加熱された空気を当てたり、バーナーや加熱された空気を当ててガラス管１００を加熱した後に冶具を押圧することによって形成することもできる。
【００６７】
＜水銀放出体挿入工程＞
次に、図４（ｂ）に示すように、ガラス管１００の一端の開口部１００ａからガラス管１００の内部に水銀放出体１１１を挿入する。この際、水銀放出体１１１が第１の凸部１１８に引っかかることで、水銀放出体１１１が第１の凸部１１８よりもガラス管１００の管軸方向中央側に移動することを防止し、水銀放出体１１１がガラス管１００の内面と電極構造体１０１のリード線１０４との間に入り込んで、最終的に水銀放出体１１１を取り出す際、取り出し難くなるのを防止することができる。
【００６８】
上記のとおり、本発明の第３の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法によれば、水銀放出体１１１を加熱する際、ガラス管１００の封止端部１００ｂが破損するのを防止することができ、ガラス管１００から水銀放出体１１１を取り出す際、取り出しやすくすることができる。
【００６９】
（変形例）
以上、本発明を上記した各実施形態に示した具体例に基づいて説明したが、本発明の内容が各実施形態に示した具体例に限定されないことは勿論であり、例えば、以下のような変形例を用いることができる。
【００７０】
１．水銀放出体
水銀放出体は、水銀放出体１１１に限らず、例えば以下のようなものを用いることができる。
【００７１】
（１）水銀放出体の変形例１
水銀放出体の変形例１（以下、「水銀放出体１２０」という。）の斜視図を図５（ａ）に示す。水銀放出体１２０は、チタン（Ｔｉ）と水銀（Ｈｇ）との金属間化合物を含む水銀放出部１２１を有し、前記金属間化合物は、ＴｉＨｇ、Ｔｉ1.73ＨｇおよびＴｉ3Ｈｇのうちいずれか1種以上を含むことが好ましい。この場合、本発明を適用することにより、ガラス管の封止端部の破損を防止しやすくすることができる。
【００７２】
また、水銀放出部１２１は、鉄およびニッケルのうち少なくとも１種以上を含むことが好ましい。この場合、水銀放出体１２０の加熱効率を向上させることができる。
【００７３】
さらに、水銀放出部１２１は、水銀放出効率を向上させるプロモータ（図示せず）が含まれていてもよい。プロモータは、例えば、銅ベースの合金であり、ＣｕとＳｎとの合金、ＣｕとＡｇとの合金、ＣｕとＳｉとの合金、ＣｕとＳｎとＭＭとの合金などを挙げることができる。ここで「ＭＭ」はミュシュメタルと呼ばれる金属元素の配合物であり、主としてセリウム、ランタンおよびネオジウム、および少量の他の希土類金属を含む。
【００７４】
（２）水銀放出体の変形例２
水銀放出体の変形例２（以下、「水銀放出体１２２」という。）の斜視図を図５（ｂ）に示す。水銀放出体１２２は、少なくとも一部に開口部１２３ａを有する容器１２３の内部に水銀放出部１２１が格納されている。この場合、水銀放出部１２１の定形性を高めることができる。
【００７５】
さらに、容器１２３は、鉄およびニッケルのうち少なくとも１種以上で形成されていることが好ましい。この場合、水銀放出部１２１の加熱効率を向上させることができる。
【００７６】
また、容器１２３には、その長手方向に沿うようにスリット１２３ｂが設けられていることが好ましい。この場合、水銀放出工程において、スリット１２３ｂを介しても水銀を放出させることができるため、水銀放出効率を向上させることができる。
【００７７】
（３）水銀放出体の変形例３
水銀放出体の変形例３（以下、「水銀放出体１２４」という。）の斜視図を図５（ｃ）に示す。水銀放出体１２４は、水銀放出部１２１と、水銀放出部１２１を覆う金属の焼結体から構成される焼結体部１２５とを備える。この場合、水銀放出工程において、焼結体部１２５からも水銀を放出させることができるため、水銀放出効率を向上させることができる。
【００７８】
焼結体部１２４は、鉄およびニッケルのうち少なくとも１種以上で形成されていることが好ましい。この場合、水銀放出部１２１の加熱効率を向上させることができる。
【００７９】
２．ガラス管
（１）ガラス管１００の熱膨張係数は、３．０×１０-6［Ｋ-1］以上１０．０×１０-6［Ｋ-1］以下の範囲内のものを用いることができる。特に、ガラス管１００の熱膨張係数は、８．０×１０-6［Ｋ-1］以上１０．０×１０-6［Ｋ-1］以下の範囲内であることが好ましい。この場合、ガラスの強度が弱くなるため、本発明の作用効果を特に発揮できる。
【００８０】
なお、ガラス管１００の熱膨張係数が８．０×１０-6［Ｋ-1］以上１０．０×１０-6［Ｋ-1］以下の範囲内である場合には、ガラス管の両端部を封止させた後において、歪除去工程を設けることが好ましい。歪除去工程は、上述した本発明に係る低圧放電ランプの製造方法に限らず、熱膨張係数が８．０×１０-6［Ｋ-1］以上１０．０×１０-6［Ｋ-1］以下の範囲内のガラスを用いた低圧放電ランプ（特に冷陰極放電ランプ）に適用することができる。
【００８１】
熱膨張係数が８．０×１０-6［Ｋ-1］以上１０．０×１０-6［Ｋ-1］以下の範囲内のガラス管を有する低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の両端部を封止する工程（封止工程）と、前記ガラス管の両端部を前記ガラス管が溶融しない温度において加熱する工程（歪除去工程）とを有する。
【００８２】
封止工程は、公知に工程または、本発明の第１の実施形態において上述した方法により行うことができる。
【００８３】
歪除去工程の概念図を図６に示す。図６に示すように、両端部が封止されたガラス管１００の両端部をガラス管１００が溶融しない温度において加熱する。
【００８４】
加熱は、ガラス管１００の両端部をそれぞれ加熱炉１２６の間を通すことにより行う。加熱炉１２６は、ガラス管１００の長手方向で切った断面が略コの字形状のヒーターであり、略コの字の開口部１２６ａが向かい合うように一対に配置されている。加熱炉により加熱することで、ガラス管１００の両端部の雰囲気温度が安定して上昇しやすく、ガラス管１００の両端部の歪を除去しやすくすることができる。
【００８５】
なお、少なくとも電極の管軸方向中央部側の先端までが加熱炉の開口部１２６ａの深さＭの範囲内に収まることが好ましい。この場合、ガラス管１００の両端部に残存する歪を除去しやすくすることができる。
【００８６】
歪除去工程では、破線矢印の方向に加熱炉１２６の略コの字の開口部１２６ａの中にガラス管１００の端部を通すことによって、ガラス管１００の端部を加熱させることができる。なお、加熱炉内でのガラス管の端部表面の温度は、例えば４８０［℃］〜６００［℃］である。
【００８７】
この場合、ガラス管１００の両端部を加熱炉ではなくバーナーの炎により直接加熱する場合に比べて、ガラス管１００の両端部付近の雰囲気温度がさらに安定して上昇しやすく、ガラス管１００の端部周辺をしっかりと加熱できるため、ガラス管１００の端部に残存する歪をしっかりと除去することができる。
【００８８】
なお、加熱炉１２６は、図６に示す加熱炉１２６に限らず、例えばシーズヒーターや内部にバーナーを備えるもの等であってもよい。また、作業安全のため、加熱炉１２６の周囲は断熱材により覆われていることが好ましい。
【００８９】
さらに、ガラス管１００をその管軸を回転軸として例えば一点鎖線矢印の方向に回転させることがより好ましい。この場合、ガラス管１００の端部の周方向においてより均一に加熱させることができ、歪を除去しやすくすることができる。
【００９０】
なお、図６においては、ガラス管１００の両端部の歪除去について説明したが、ガラス管の一端部のみに歪が残存するおそれがある場合は、ガラス管の一端部のみ歪除去工程を行ってもよい。
【００９１】
（２）紫外線吸収
ガラス管１００の材料であるガラスに遷移金属の酸化物をその種類によって所定量をドープすることにより２５４［ｎｍ］や３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収することができる。具体的には、例えば酸化チタン（ＴｉＯ2）の場合は、組成比率０．０５［ｍｏｌ％］以上ドープすることにより２５４［ｎｍ］の紫外線を吸収し、組成比率２［ｍｏｌ％］以上ドープすることにより３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収することができる。ただし、酸化チタンを組成比率５．０［ｍｏｌ％］より多くドープした場合には、ガラスが失透してしまうため、組成比率０．０５［ｍｏｌ％］以上５．０［ｍｏｌ％］以下の範囲でドープすることが好ましい。
【００９２】
また、酸化セリウム（ＣｅＯ2）の場合は、組成比率０．０５［ｍｏｌ％］以上ドープすることにより２５４［ｎｍ］の紫外線を吸収することができる。ただし、酸化セリウムを組成比率０．５［ｍｏｌ％］より多くドープした場合には、ガラスが着色してしまうため、酸化セリウムを組成比率０．０５［ｍｏｌ％］以上０．５［ｍｏｌ％］以下の範囲でドープすることが好ましい。なお、酸化セリウムに加えて酸化スズ（ＳｎＯ）をドープすることにより、酸化セリウムによるガラスの着色を抑えることができるため、酸化セリウムを組成比率５．０［ｍｏｌ％］以下までドープすることができる。この場合、酸化セリウムを組成比率０．５［ｍｏｌ％］以上ドープすれば３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収することができる。ただし、この場合においても酸化セリウムを組成比率が５．０［ｍｏｌ％］より多くドープした場合には、ガラスが失透してしまう。
【００９３】
また、酸化亜鉛（ＺｎＯ）の場合は、組成比率２．０［ｍｏｌ％］以上ドープすることにより２５４［ｎｍ］の紫外線を吸収することができる。ただし、酸化亜鉛を組成比率２０［ｍｏｌ％］より多くドープした場合、ガラスが失透してしまうおそれがあるため、酸化亜鉛を２．０［ｍｏｌ％］以上２０［ｍｏｌ％］以下の範囲でドープすることが好ましい。
【００９４】
また、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）の場合は、組成比率０．０１［ｍｏｌ％］以上ドープすることにより２５４［ｎｍ］の紫外線を吸収することができる。ただし、酸化鉄を組成比率２．０［ｍｏｌ％］より多くドープした場合には、ガラスが着色してしまうため、酸化鉄を組成比率０．０１［ｍｏｌ％］以上２．０［ｍｏｌ％］以下の範囲でドープすることが好ましい。
【００９５】
（３）赤外線透過係数
ガラス管１００の材料であるガラス中の水分含有量を示す赤外線透過率係数は、０．３以上１．２以下の範囲、特に０．４以上０．８以下の範囲となるように調整することが好ましい。赤外線透過率係数が１．２以下であれば、長尺の冷陰極蛍光ランプ等の高電圧印加ランプに適用可能な低い誘電正接を得やすくなり、０．８以下であれば誘電正接が十分に小さくなって、さらに高電圧印加ランプに適用可能となる。
【００９６】
なお、赤外線透過率係数（Ｘ）は下式で表すことができる。
【００９７】
［数１］Ｘ＝（ｌｏｇ（ａ／ｂ））／ｔ
ａ：３８４０［ｃｍ-1］付近の極小点の透過率［％］
ｂ：３５６０［ｃｍ-1］付近の極小点の透過率［％］
ｔ：ガラスの厚み
（４）鉛フリーガラス
ガラス管１００に用いるガラスは、酸化物換算で、ＳｉＯ2が６０［ｗｔ％］〜７５［ｗｔ］％、Ａｌ2Ｏ3が１［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、Ｌｉ2Ｏが０［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、Ｋ2Ｏが３［ｗｔ％］〜１１［ｗｔ％］、Ｎａ2Ｏが３［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］、ＣａＯが０［ｗｔ％］〜９［ｗｔ％］、ＭｇＯが０［ｗｔ％］〜９［ｗｔ％］、ＳｒＯが０［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］、ＢａＯが０［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］の組成を有していてもよい。この場合、鉛成分を含有せず、環境に優しい冷陰極放電ランプを提供することができる。さらには、ガラス管１００に用いるガラスは、酸化物換算で、ＳｉＯ2が６０［ｗｔ％］〜７５［ｗｔ］％、Ａｌ2Ｏ3が１［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、Ｂ2Ｏ3が０［ｗｔ％］〜３［ｗｔ％］、Ｌｉ2Ｏが０［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、Ｋ2Ｏが３［ｗｔ％］〜１１［ｗｔ％］、Ｎａ2Ｏが３［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］、ＣａＯが０［ｗｔ％］〜９［ｗｔ％］、ＭｇＯが０［ｗｔ％］〜９［ｗｔ％］、ＳｒＯが０［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］、ＢａＯが０［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］の組成を有していることがより好ましい。
【００９８】
また、ガラス管１００に用いるガラスは、酸化物換算で、ＳｉＯ2が６０［ｗｔ％］〜７５［ｗｔ］％、Ａｌ2Ｏ3が１［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、Ｌｉ2Ｏが０．５［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、Ｋ2Ｏが３［ｗｔ％］〜７［ｗｔ％］、Ｎａ2Ｏが５［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］、ＣａＯが１［ｗｔ％］〜７［ｗｔ％］、ＭｇＯが１［ｗｔ％］〜７［ｗｔ％］、ＳｒＯが０［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、ＢａＯが７［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］の組成を有していてもよい。この場合、ランプへの加工を行いやすく、かつ鉛成分を含有せず、環境に優しい冷陰極蛍光ランプを提供することができる。
【００９９】
さらに、ガラス管１００に用いるガラスは、酸化物換算で、ＳｉＯ2が６５［ｗｔ％］〜７５［ｗｔ］％、Ａｌ2Ｏ3が１［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、Ｂ2Ｏ3が０［ｗｔ％］〜３［ｗｔ％］、Ｌｉ2Ｏが０．５［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、 Ｋ2Ｏが３［ｗｔ％］〜７［ｗｔ％］、Ｎａ2Ｏが５［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］、 ＣａＯが２［ｗｔ％］〜７［ｗｔ％］、ＭｇＯが２．１［ｗｔ％］〜７［ｗｔ％］、ＳｒＯが０［ｗｔ％］〜０．９［ｗｔ％］、ＢａＯが７．１［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］の組成を有していてもよい。この場合、鉛成分を含有せず、照明用途に適した電気絶縁性を有し、かつ、失透を起こりにくくすることができる。さらには、ガラス管１００に用いるガラスは、酸化物換算で、ＳｉＯ2が６５［ｗｔ％］〜７５［ｗｔ］％、Ａｌ2Ｏ3が１［ｗｔ％］〜３［ｗｔ％］、Ｂ2Ｏ3が０［ｗｔ％］〜３［ｗｔ％］、Ｌｉ2Ｏが１［ｗｔ％］〜３［ｗｔ％］、Ｋ2Ｏが３［ｗｔ％］〜６［ｗｔ％］、Ｎａ2Ｏが７［ｗｔ％］〜１０［ｗｔ％］、 ＣａＯが３［ｗｔ％］〜６［ｗｔ％］、ＭｇＯが３［ｗｔ％］〜６［ｗｔ％］、ＳｒＯが０［ｗｔ％］〜０．９［ｗｔ％］、ＢａＯが７．１〜１０［ｗｔ％］の組成を有していることがより好ましい。
【０１００】
（５）ガラス管の形状
ガラス管１００の管軸に対して略垂直に切った断面は、略円形状のものに限られず、例えばトラック形状や角丸形状のような扁平形状や楕円形状等であってもよい。
【０１０１】
３．電子放射性物質
電極１０３、１０７の表面には、電子放射性物質層（図示せず）が形成されていてもよい。この場合、電子放射性物質層が設けられていないランプに比べてランプ電圧を下げることができる。具体的には、電子放射性物質層は、例えば電極１０３、１０７の内面に形成されている。電子放射性物質層は、例えば希土類元素を含む。冷陰極蛍光ランプにおいて、ランプ電圧を下げるのに効果的なためである。さらに、希土類元素は、ランタン（Ｌａ）およびイットリウム（Ｙ）のうちいずれか１種以上であることがより好ましい。
【０１０２】
電子放射性物質層は、さらに珪素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、硼素（Ｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、リン（Ｐ）および錫（Ｓｎ）のうちいずれか１種以上を含むことが好ましい。この場合、ランプ電圧の低減効果をより持続させることができる。
【０１０３】
さらに、電子放射性物質層に、セシウム（Ｃｓ）化合物が含まれていてもよい。この場合、ランプの暗黒始動特性をさらに向上させることができる。また、電子放射性物質層として、電極１０３、１０７の内面や外面にセシウム化合物を付着させてもよいし、電子放射性物質層とは別に、電極１０３、１０７の内面や外面にセシウム化合物を付着させてもよい。なお、セシウム化合物は、例えば、硫酸セシウム、アルミン酸セシウム、ニオブ酸セシウム、タングステン酸セシウム、モリブデン酸セシウムおよび塩化セシウムのうちいずれか１種以上を用いることが好ましい。また、セシウム化合物は、電極１０３、１０７の外側側面に付着されていることがより好ましい。この場合、冷陰極蛍光ランプの製造工程において、セシウム化合物を適度に活性化させやすくすることができる。さらには、電極１０３、１０７の外側側面におけるランプ中央部側の先端部に付着されていることがさらにより好ましい。
【０１０４】
４．蛍光体層の蛍光体
（１）紫外線吸収
例えば、近年、液晶カラーテレビの大型化に伴って、バックライトユニットの開口を塞ぐ拡散板に寸法安定性の良いポリカーボネートが使用されるようになっている。このポリカーボネートは、水銀が発する３１３［ｎｍ］の波長の紫外線により劣化しやすい。このような場合には、波長３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収する蛍光体を利用すると良い。なお、３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収する蛍光体としては、以下のものがある。
【０１０５】
（ａ）青色
ユーロピウム・マンガン共付活アルミン酸バリウム・ストロンチウム・マグネシウム［Ｂａ1-x-yＳｒxＥｕyＭｇ1-zＭｎzＡｌ10Ｏ17］又は［Ｂａ1-x-yＳｒxＥｕyＭｇ2-zＭｎzＡｌ16Ｏ27］
ここで、ｘ,ｙ,ｚはそれぞれ０≦ｘ≦０．４、０．０７≦ｙ≦０．２５、０≦ｚ＜０．１なる条件を満たす数であることが好ましい。
【０１０６】
このような蛍光体としては、例えば、ユーロピウム付活アルミン酸バリウム・マグネシウム[ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+]、[ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+] (略号：ＢＡＭ−Ｂ)や、ユーロピウム付活アルミン酸バリウム・ストロンチウム・マグネシウム[（Ｂａ，Ｓｒ）Ｍｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+]、[（Ｂａ，Ｓｒ）ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+]（略号：ＳＢＡＭ−Ｂ）等がある。
【０１０７】
（ｂ）緑色
・マンガン不活マグネシウムガレート［ＭｇＧａ2Ｏ4：Ｍｎ2+］（略号：ＭＧＭ）
・マンガン付活アルミン酸セリウム・マグネシウム・亜鉛[Ｃｅ（Ｍｇ，Ｚｎ）Ａｌ11Ｏ19：Ｍｎ2+]（略号：ＣＭＺ）
・テルビウム付活アルミン酸セリウム・マグネシウム[ＣｅＭｇＡｌ11Ｏ19：Ｔｂ3+]（略号：ＣＡＴ）
・ユーロピウム・マンガン共付活アルミン酸バリウム・ストロンチウム・マグネシウム［Ｂａ1-x-yＳｒxＥｕyＭｇ1-zＭｎzＡｌ10Ｏ17］又は［Ｂａ1-x-yＳｒxＥｕyＭｇ2-zＭｎzＡｌ16Ｏ27］
ここで、ｘ,ｙ,ｚはそれぞれ０≦ｘ≦０．４、０．０７≦ｙ≦０．２５、０．１≦ｚ≦０．６なる条件を満たす数であり、ｚは０．４≦ｘ≦０．５であることが好ましい。
【０１０８】
このような蛍光体としては、例えば、ユーロピウム・マンガン共付活アルミン酸バリウム・マグネシウム[ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+]、[ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+]（略号：ＢＡＭ−Ｇ）や、ユーロピウム・マンガン共付活アルミン酸バリウム・ストロンチウム・マグネシウム[（Ｂａ，Ｓｒ）Ｍｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+]、[（Ｂａ，Ｓｒ）ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+]（略号：ＳＢＡＭ−Ｇ）等がある。
【０１０９】
（ｃ）赤色
・ユーロピウム付活リン・バナジン酸イットリウム[Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ4：Ｅｕ3+]（略号：ＹＰＶ）
・ユーロピウム付活バナジン酸イットリウム［ＹＶＯ4：Ｅｕ3+］（略号：ＹＶＯ）
・ユーロピウム付活イットリウムオキシサルファイド[Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ3+]（略号：ＹＯＳ）
・マンガン付活フッ化ゲルマン酸マグネシウム[３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ2・ＧｅＯ2：Ｍｎ4+]（略号：ＭＦＧ）
・ジスプロシウム付活バナジン酸イットリウム［ＹＶＯ4：Ｄｙ3+］（赤と緑の２成分発光蛍光体であり、略号：ＹＤＳ）
なお、一種類の発光色に対して、異なる化合物の蛍光体を混合して用いても良い。例えば、青色にＢＡＭ−Ｂ（３１３［ｎｍ］を吸収する。）のみ、緑色にＬＡＰ（３１３［ｎｍ］を吸収しない。）とＢＡＭ−Ｇ（３１３［ｎｍ］を吸収する。）、赤色にＹＯＸ（３１３ｎｍを吸収しない。）とＹＶＯ（３１３［ｎｍ］を吸収する。）の蛍光体を用いても良い。このような場合は、前述のように波長３１３［ｎｍ］を吸収する蛍光体が、総重量組成比率で５０％より大きくなるように調整することで、紫外線がガラスバルブ外に漏れ出ることをほとんど防止できる。したがって、３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収する蛍光体を蛍光体層１０２に含む場合には、上記のバックライトユニットの開口を塞ぐポリカーボネート（ＰＣ）からなる拡散板等の紫外線による劣化が抑制され、バックライトユニットとしての特性を長時間維持することができる。
【０１１０】
ここで、「３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収する」とは、２５４［ｎｍ］付近の励起波長スペクトル（励起波長スペクトルとは、蛍光体を波長変化させながら励起発光させ、励起波長と発光強度をプロットしたものである。）の強度を１００［％］としたときに、３１３［ｎｍ］の励起波長スペクトルの強度が８０［％］以上のものと定義する。すなわち、３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収する蛍光体とは、３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収して可視光に変換できる蛍光体である。
【０１１１】
（２）高色再現について
液晶カラーテレビで代表される液晶表示装置では、近年における高画質化の一環としてなされる高色再現化に伴い、当該液晶表示装置のバックライトユニットの光源として用いられる冷陰極蛍光ランプにおいて、再現可能な色度範囲の拡大化の要請がある。
【０１１２】
このような要請に対して、例えば、以下の蛍光体を用いることで、実施の形態での蛍光体を用いる場合よりも、色度範囲の拡大を図ることができる。具体的には、ＣＩＥ１９３１色度図において、高色再現用の当該蛍光体の色度座標値が、実施の形態で使用した３つの蛍光体の色度座標値を結んでできる三角形を含んで色再現範囲を広げる座標に位置する。
【０１１３】
（ａ）青色
・ユーロピウム付活ストロンチウム・クロロアパタイト[Ｓｒ10（ＰＯ4）6Ｃｌ2：Ｅｕ2+]（略号：ＳＣＡ）、色度座標：ｘ＝０．１５１、ｙ＝０．０６５
上記以外に、ユーロピウム付活ストロンチウム・カルシウム・バリウム・クロロアパタイト[（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）10（ＰＯ4）6Ｃｌ2：Ｅｕ2+]（略号：ＳＢＣＡ）も使用でき、上記波長３１３（ｎｍ）の紫外線も吸収できるＳＢＡＭ−Ｂも高色再現用に使用できる。
【０１１４】
（ｂ）緑色
・ＢＡＭ−Ｇ、色度座標：ｘ＝０．１３９、ｙ＝０．５７４
・ＣＭＺ、色度座標：ｘ＝０．１６４、ｙ＝０．７２２
・ＣＡＴ、色度座標：ｘ＝０．２６７、ｙ＝０．６６３
なお、これらは上述したように、波長３１３［ｎｍ］の紫外線も吸収でき、また、ここで説明した３つの蛍光体粒子以外にも、ＭＧＭも高色再現用に使用することができる。
【０１１５】
（ｃ）赤色
・ＹＯＳ、色度座標：ｘ＝０．６５１、ｙ＝０．３４４
・ＹＰＶ、色度座標：ｘ＝０．６５８、ｙ＝０．３３３
・ＭＦＧ、色度座標：ｘ＝０．７１１、ｙ＝０．２８７
なお、これらは上述したように、波長３１３［ｎｍ］の紫外線も吸収でき、また、ここで説明した３つの蛍光体粒子以外にも、ＹＶＯ、ＹＤＳも高色再現用に使用することができる。
【０１１６】
また、上記で示した色度座標値は各々の蛍光体の粉体のみで測定した代表値であり、測定方法（測定原理）等に起因して、各蛍光体の粉体が示す色度座標値は、上掲した値と若干異なる場合があり得る。参考として上記実施の形態１の各蛍光体の粉体の色度座標値は、ＹＯＸ（ｘ＝０．６４４、ｙ＝０．３５３）、ＬＡＰ（ｘ＝０．３５１、ｙ＝０．５８５）、ＢＡＭ−Ｂ（ｘ＝０．１４８、ｙ＝０，０５６）で構成されている。
【０１１７】
さらに、赤、緑、青の各色を発光させるために用いる蛍光体は各波長につき１種類に限らず、複数種類を組み合わせて用いることとしても良い。
【０１１８】
ここで、上記の高色再現用の蛍光体粒子を用いて蛍光体層１０２を形成した場合について説明する。ここでの評価は、ＣＩＥ１９３１色度図内においてＮＴＳＣ規格の３原色の色度座標値を結ぶＮＴＳＣ三角形（ＮＴＳＣtriangle）の面積を基準とした、高色再現用の蛍光体を用いた場合の３つの色度座標値を結んできる三角形の面積の比（以下、ＮＴＳＣ比という。）で行なう。
【０１１９】
例えば、青色としてＢＡＭ−Ｂ、緑色としてＢＡＭ−Ｇ、赤色としてＹＶＯを用いると（例１）ＮＴＳＣ比が９２［％］となり、また、青色としてＳＣＡ、緑色としてＢＡＭ−Ｇ、赤色としてＹＶＯを用いると（例２）ＮＴＳＣ比が１００［％］となり、また、青色としてＳＣＡ、緑色としてＢＡＭ−Ｇ、赤色としてＹＯＸを用いると（例３）、ＮＴＳＣ比が９５［％］となり、例１及び例２に比べて輝度を１０［％］向上させることができる。
【０１２０】
なお、ここでの評価に用いた色度座標値は、ランプ等が組み込まれた液晶表示装置とした状態で測定したものである為、カラーフィルターとの組み合わせにより色再現範囲が上記値より前後する可能性がある。
【０１２１】
５．封入ガス
希ガスにクリプトンが含まれていてもよい。この場合、低圧放電ランプが冷陰極蛍光ランプである場合に赤外線放射を抑制することができる。さらには、希ガスにクリプトンが０．５［ｍｏｌ％］以上５［ｍｏｌ％］以下の範囲内で含まれていることが好ましい。この場合、ランプ電圧を大きく変化させることなく、冷陰極蛍光ランプの赤外線放射を抑制することができる。例えば、アルゴンが０［ｍｏｌ％］以上９．５［ｍｏｌ％］以下の範囲内、ネオンが９０［ｍｏｌ％］以上９５．５［ｍｏｌ％］以下の範囲内、クリプトンが０．５［ｍｏｌ％］以上５［ｍｏｌ％］以下の範囲内である。さらには、希ガスにクリプトンが０．５［ｍｏｌ％］以上３［ｍｏｌ％］以下の範囲内で含まれていることがより好ましい。さらには、希ガスにクリプトンが１［ｍｏｌ％］以上３［ｍｏｌ％］以下の範囲内で含まれていることがさらにより好ましい。
【０１２２】
６．ランプの種類
上記の各実施形態においては、低圧放電ランプの製造方法として、ガラス管の両端部に電極構造体が設けられた冷陰極蛍光ランプの製造方法を中心に説明したが、これに限らず、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられていればよい。例えば内部外部電極蛍光ランプやガラス管の内面に蛍光体層の形成されていない紫外線ランプにも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本発明は、低圧放電ランプの製造方法に広く適用することができる。
【符号の説明】
【０１２４】
１００ ガラス管
１００ａ ガラス管の一端の開口部
１０１ 電極構造体
１１１ 水銀放出体
１１８ 第１の凸部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低圧放電ランプの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の低圧放電ランプの製造方法の工程の概念図を図７（ａ）〜（ｃ）に示す。従来の低圧放電ランプの製造方法は、蛍光ランプの製造方法であって、ガラス管１の一端１ａに一方の電極３Ａを封止する工程と、ガラス管１の他端１ｃ部分より内方の所定部分１ｂに他方の電極３Ｂを配置する工程と、ガラス管１の他端１ｃ部分と他方の電極３Ｂとの間に水銀放出体５を配置する工程と、前記ガラス管１内を不活性ガスに置換する工程と、水銀放出体５を高周波加熱しガラス管１内に所定量の水銀を供給する工程と、水銀放出体５を加熱する際又は加熱後、蒸気状態の前記水銀が凝縮するのを防ぐため水銀放出体５が収容されているガラス管１部分を加熱する工程と、他方の電極３Ｂをガラス管１に封止して蛍光ランプを形成すると共に、他端１ｃ部分を除去する工程とを有する（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
具体的には、まず、図７（ａ）に示すように、内面に蛍光体層２を有するガラス管１の一端１ａに一方の電極３Ａを封止すると共に、他方の電極３Ｂをガラス管１内に、それの他端１ｃから所定部分１ｂまで挿入する。そして、ガラス管１の１ｂ部分を部分的に加熱および変形４させることにより、他方の電極３Ｂをガラス管１に仮止めする（仮止め工程）。
【０００４】
次に、図７（ｂ）に示すように、このガラス管１内に水銀放出体５を挿入および配置する。そして、このガラス管１を排気装置６のヘッドにセットすると共に、排気装置６を駆動させる。すると、ガラス管１の内部の空気，不純ガスなどがガラス管１の内面と電極３Ｂとの間の連通部などを介して排出される。次いで、排気装置６からガラス管１内に不活性ガス例えばネオンガスを主体とするネオン−アルゴンガスを６０［Ｔｏｒｒ］〜７０［Ｔｏｒｒ］の圧力となるように充填する（排気・封入工程）。そして、ガラス管１の他端部を仮封止する。
【０００５】
次に、図７（ｃ）に示すように、水銀放出体５の位置する部分に高周波加熱装置７およびヒータ装置８をセットすると共に、駆動させる。すると、水銀放出体５は例えば８００［℃］〜９００［℃］に加熱され、水銀合金が分解されて瞬間的に水銀が蒸気の状態で放出され、ガラス管１の内面と電極３Ｂとの間の連通部を介してガラス管１内の空間に供給される。これと同時に、水銀放出体５を構成する金属部材から不純ガスも放出されるが、水銀放出体５のゲッター材にて吸着される（水銀放出工程）。又、この際に、ヒータ装置８によって水銀放出体５の収容されているガラス管１部分も加熱されているために、水銀放出体５から放出された水銀は電極３Ａ，３Ｂ間に対応するガラス管内の空間に確実に供給される。特に、電極３Ａ，３Ｂ間のガラス管部分を冷却すれば、水銀放出体５の収容されているガラス管１部分への水銀の凝縮をほぼ皆無にできる。
【０００６】
次に、ガラス管１の変形部４を再度バーナなどにて加熱し、電極３Ｂの封止部３３とこれに対向するガラス管１とを全周に亘って封止する。と同時に、ガラス管１の他端部分（水銀放出体５の位置するガラス管部分）を除去（切離）して蛍光ランプの製造を完了する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３４３６２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
水銀放出体を加熱する工程において、水銀放出体５が加熱されると、水銀放出体５から水銀蒸気が放出される際、水銀蒸気が水銀放出体５の外部に放出される力によって、水銀放出体５が弾け飛ぶことがある。従来の低圧放電ランプの製造方法の場合、弾け飛んだ水銀放出体５がガラス管１の仮封止により形成される封止端部に衝突してガラス管１の封止端部が破損してしまうことがあった。
【０００９】
発明者らの検討により、ガラス管１の仮封止により形成される封止端部は、ガラス管内を排気して、大気に対して負圧下となった状態において加工されるために、肉厚が薄くなり、破損しやすいことがわかった。
【００１０】
そこで、本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、水銀放出体を加熱する際、ガラス管の封止端部が破損するのを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために、本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、前記ガラス管の一端と前記電極構造体および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する凸部を形成する工程と、前記凸部よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、前記水銀放出体を加熱する工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、前記ガラス管の一端と前記電極構造体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第１の凸部を形成する工程と、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、前記ガラス管の一端と前記第１の凸部および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第２の凸部を形成する工程と、前記第２の凸部よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、前記水銀放出体を加熱する工程とを有することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、前記電極構造体および前記水銀放出体よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、前記ガラス管の一端と前記電極構造体および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する凸部を形成する工程と、前記水銀放出体を加熱する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、前記ガラス管の一端と前記電極構造体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第１の凸部を形成する工程と、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、前記第１の凸部および前記電極構造体よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、前記ガラス管の一端と前記第１の凸部および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第２の凸部を形成する工程と、前記水銀放出体を加熱する工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
さらに、本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、加熱された空気を前記ガラス管に当てることにより前記凸部を形成することが好ましい。
【００１６】
また、本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、加熱された空気を前記ガラス管に当てることにより前記第２の凸部を形成することが好ましい。
【００１７】
また、本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、前記ガラス管は、熱膨張係数が８×１０-7［Ｋ-1］以上１０×１０-7［Ｋ-1］以下の範囲内であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る低圧放電ランプの製造方法は、水銀放出体を加熱する際、ガラス管の封止端部が破損するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（ａ）本発明の第１の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法の電極構造体挿入工程の概念図、（ｂ）同じく電極構造体固定工程の概念図、（ｃ）同じく水銀放出体挿入工程の概念図
【図２】（ａ）同じく凸部形成工程の概念図、（ｂ）同じく仮封止工程の概念図、（ｃ）同じく水銀放出工程の概念図、（ｄ）同じく第２封止工程の概念図
【図３】（ａ）本発明の第２の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法の仮封止工程の概念図、（ｂ）同じく凸部形成工程の概念図
【図４】（ａ）本発明の第３の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法の第１の凸部形成工程の概念図、（ｂ）同じく水銀放出体挿入工程の概念図
【図５】（ａ）水銀放出体の変形例１の斜視図、（ｂ）水銀放出体の変形例２の斜視図、（ｃ）水銀放出体の変形例３の斜視図
【図６】歪除去工程の概念図
【図７】（ａ）従来の低圧放電ランプ製造方法の仮止め工程の概念図、（ｂ）同じく排気・封止工程の概念図、（ｃ）同じく水銀放出工程の概念図
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法は、例えば冷陰極蛍光ランプの製造方法であって、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程（電極構造体挿入工程）と、前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程（電極構造体固定工程）と、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程（水銀放出体挿入工程）と、前記ガラス管の一端と前記電極構造体および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する凸部を形成する工程（凸部形成工程）と、前記凸部よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程（仮封止工程）と、前記水銀放出体を加熱する工程（水銀放出体加熱工程）とを有する。
【００２１】
以下、図１および図２を用いて詳細に説明する。
【００２２】
＜電極構造体挿入工程＞
まず、図１（ａ）に示すように、ガラス管１００の一端の開口部１００ａからガラス管１００の内部に電極構造体１０１を挿入する。
【００２３】
ガラス管１００は、例えば、直管形状であって、内径が３［ｍｍ］、外径が４［ｍｍ］、肉厚が０．５［ｍｍ］、長さが１０２６［ｍｍ］であり、鉛フリーガラス製である。ガラス管１００の内面（両端部を除く）には、蛍光体層１０２が形成されている。蛍光体層１０２は、例えばＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27；Ｅｕ2+よりなる青色蛍光体粒子とＹ2Ｏ3；Ｅｕ3+よりなる赤色蛍光体粒子とＬａＰＯ4；Ｃｅ3+，Ｔｂ3+よりなる緑色蛍光体粒子と、ＣＢＢＰやＣＢＢ等よりなる結着剤とを含む。なお、また、ガラス管１００の内面と蛍光体層１０２との間には例えば酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および酸化チタン（ＴｉＯ2）のうちいずれか１種以上を含む保護膜（図示せず）が設けられていてもよい。
【００２４】
電極構造体１０１は、例えば電極１０３と、電極１０３に接続されたリード線１０４と、リード線１０４の少なくとも一部を覆うように形成されたガラスビード１０５とを有する。
【００２５】
電極１０３は、例えば有底筒状であって、内径が２．４［ｍｍ］、外径が２．７［ｍｍ］、底部の肉厚が０．２［ｍｍ］、全長が８．２［ｍｍ］であって、ニッケル（Ｎｉ）製である。電極の材料は、ニッケルに限らず、ニオビウム（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）およびタングステン（Ｗ）等を用いることができる。電極１０３は、その外側底面の略中央部においてリード線１０４の一端部と接続されている。
【００２６】
リード線１０４は、例えば電極１０３の外側底面と一端部が接続され、かつその少なくとも一部においてガラスビード１０５に覆われた内部リード線１０４ａと、内部リード線１０４ａの他端部と一端部が接続される外部リード線１０４ｂとの継線からなる。
【００２７】
内部リード線１０４ａは、例えば線径が０．８［ｍｍ］であって、鉄とニッケルとの合金製である。なお、内部リード線１０４ａは、ガラス管１００やガラスビード１０５の材料として用いるガラスの熱膨張係数に併せた材料を用いることが好ましい。例えば、ガラス管１００がコバール線封止用の硼珪酸ガラスの場合、鉄とニッケルとコバルトとの合金（コバール）を用いることが好ましい。また、ガラス管１００がタングステン線封着用の硼珪酸ガラスの場合、タングステンを用いることが好ましい。
【００２８】
外部リード線１０４ｂは、例えば線径が０．６［ｍｍ］であって、ニッケル製である。なお、外部リード線１０４ｂは、ニッケル製に限らず、ニッケルとマンガンの合金、ジュメット線等を用いてもよい。
【００２９】
なお、リード線１０４は、内部リード線１０４ａおよび外部リード線１０４ｂの継線に限らず、一本線であってもよい。
【００３０】
ガラスビード１０５は、例えば略球形状であって、その略中心軸に沿って内部リード線１０４ａを封着しており、鉛フリーガラス製である。なお、ガラスビード１０５は、封着性の観点から、ガラス管１００と同一の材料、またはガラス管１００と熱膨張係数が同一または近似する材料を用いることが好ましい。
【００３１】
なお、ガラス管１００の他端部には、別の電極構造体１０６が封着されている。別の電極構造体１０６は、電極構造体１０１と実質的に同一の構成を有し、電極１０７と、内部リード線１０８ａおよび外部リード線１０８ｂの継線からなるリード線１０８と、ガラスビード１０９とを有する。
【００３２】
＜電極構造体固定工程＞
次に、 図１（ｂ）に示すように、電極構造体１０１をガラス管１００の内部に固定する。具体的には、ガラスビード１０５が位置するガラス管１００の外表面をバーナー１１０で加熱して、ガラスビード１０５の外表面の一部をガラス管１００の内面に固着する。よって、ガラス管の内面に固着されているのは、ガラスビード１０５の外表面の一部であるので、ガラス管１００の管軸方向の通気性は維持される。なお、この場合の加熱温度は、ガラス管１００の加熱されている部分の外表面において約８００［℃］である。
【００３３】
＜水銀放出体挿入工程＞
次に、図１（ｃ）に示すように、ガラス管１００の一端の開口部１００ａからガラス管１００の内部に水銀放出体１１１を挿入する。水銀放出体１１１は、例えば鉄とチタンとの焼結体に水銀を反応させたものである。水銀放出体１１１は、これに限らず、チタンと水銀との粉体状のアマルガムを鉄やニッケル製の筒体に詰め込んだものでもあってもよい。
【００３４】
＜凸部形成工程＞
続いて、図２（ａ）に示すように、ガラス管１００の一端と電極構造体１０１および水銀放出体１１１との間において、ガラス管１００の内面側に突出する凸部１１２を形成する。凸部１１２は、例えば、ガラス管１００の外表面をバーナー１１３等で加熱することにより形成することができる。なお、ガラス管１００の外表面をバーナー１１３等で加熱した後に、治具（図示せず。）等でガラス管の内側方向に押圧して凸部１１２を形成してもよい。この場合、凸部１１２の形状を整えやすくすることができる。
【００３５】
凸部形成工程は、後述する仮封止工程の前に行われるため、ガラス管１００の内部が大気に対して負圧下とはなっておらず、後述する封止端部よりも肉厚を厚くすることができる。
【００３６】
なお、凸部１１２の肉厚の最小厚みが、ガラス管１００の管軸方向略中央部の肉厚の０．５［倍］以上であり、凸部１１２の肉厚の最大厚みが、ガラス管１００の管軸方向略中央部の肉厚の１．５［倍］以下であることが好ましい。この場合、凸部１１２の強度を適度に保ちやすくすることができる。さらには、凸部１１２の肉厚の最小厚みが、ガラス管１００の管軸方向略中央部の肉厚の０．７［倍］以上であり、凸部１１２の肉厚の最大厚みが、ガラス管１００の管軸方向略中央部の肉厚の１．５［倍］以下であることがより好ましい。この場合、凸部１１２の強度をより適度に保ちやすくすることができる。
【００３７】
＜仮封止工程＞
次に、ガラス管１００内の排気とガラス管１００内への希ガスの充填を行う（排気および封入工程）。具体的には、給排気装置のヘッドをガラス管１００の一端部に装着し、先ず、ガラス管１００内を排気して真空にすると共に、図示しない加熱装置によってガラス管１００全体を外部から加熱する。この場合の加熱温度は、ガラス管１００の外表面において約４００［℃］である。これによって、蛍光体層１０２に潜入している不純ガスを含めガラス管１００内の不純ガスが排出される。加熱を止めた後、所定量の希ガスが充填される。希ガスは、例えばネオン９５［ｍｏｌ％］とアルゴン５［ｍｏｌ％］との混合ガスである。このガラス管１００内の排気と希ガスの封入は、ガラスビード１０５とガラス管１００の内面との間に形成される通気空間を通じて行われる。
【００３８】
そして、希ガスが充填されると、図２（ｂ）に示すように、凸部１１２よりもガラス管１００の一端側において、ガラス管１００を加熱して封止する。そして、この封止によりガラス管１００の封止端部１００ｂが形成される。この際、ガラス管１００内が負圧下であるため、封止端部１００ｂの肉厚は、薄くなる。具体的には、ガラス管１００の封止端部１００ａの肉厚は、ガラス管１００の管軸方向略中央部の肉厚の０．２［倍］未満となりやすい。なお、加熱は、例えばバーナー１１４等により行われる。
【００３９】
また、希ガスは、ネオンとアルゴンとの混合ガスに限らず、例えばネオン、アルゴンおよびクリプトンのいずれか１種類以上が含まれていればよい。
【００４０】
また、負圧下である封止後のガラス管内のガス圧は、５［Ｔｏｒｒ］以上６００［Ｔｏｒｒ］以下の範囲内であることが好ましい。この場合、低圧放電ランプを作製するのに好適である。さらには、封止後のガラス管内のガス圧は、２０［Ｔｏｒｒ］以上４０［Ｔｏｒｒ］以下の範囲内であることがより好ましい。この場合、低圧放電ランプのうち、冷陰極放電ランプを作製するのにより好適である。
【００４１】
＜水銀放出体加熱工程＞
次に、図２（ｃ）に示すように、水銀放出体１１１を加熱する。具体的には、水銀放出体１１１をガラス管１００の周囲に配された高周波発振コイル１１５によって誘導加熱して水銀放出体１１１から水銀蒸気を放出させる。
【００４２】
この水銀放出体加熱工程において、水銀放出体が加熱されると、水銀放出体１１１から水銀蒸気が放出される際、水銀蒸気が水銀放出体１１１の外部に放出される力によって、水銀放出体１１１が弾け飛ぶことがある。この際、水銀放出体１１１が肉厚の薄いガラス管１００の封止端部１００ｂに衝突してしまうと、ガラス管１００の封止端部１００ｂが破損してしまう。
【００４３】
これに対して、凸部１１２が形成されている場合、凸部１１２によって、水銀放出体１１１がガラス管１００の封止端部１００ｂに移動することを防止でき、水銀放出体１１１がガラス管１００の封止端部１００ｂに衝突するのを防止することができる。そして、凸部１１２は、ガラス管１００が封止される前に形成されているため、ガラス管１００の内部が大気に対して負圧下になって形成されるガラス管１００の封止端部１００ｂに対して肉厚が厚くなっている。よって、水銀放出体１１１が凸部１１２に衝突しても凸部１１２が破損するのを防止することができる。そして、これにより、水銀放出体１１１が肉厚の薄いガラス管１００の封止端部１００ｂに衝突することによって、ガラス管１００の封止端部１００ｂが破損するのを防止することができる。
【００４４】
なお、水銀放出体加熱工程の際、ガラス管１００をその管軸を回転軸として回転させることが好ましい。この場合、加熱された水銀放出体１１１により、ガラス管１００が局所的に加熱されて、ガラス管１００が破損するのを防止することができる。
【００４５】
なお、水銀放出体１１１の加熱は、高周波発振コイルに限らず、近赤外線ヒーター等の赤外線ヒーター等を用いてもよい。
【００４６】
さらに、高周波発振コイルや赤外線ヒーターで水銀放出体１１１を加熱する前に、ガラス管１００の予熱を行うことが好ましい。この場合、水銀放出体１１１を加熱する際、水銀放出体１１１の温度とガラス管１００の温度との差異を小さくすることで、ガラス管１００の急な熱膨張による破損を防止しやすくすることがきる。予熱は、例えばガラス管１００の加熱されている部分の外表面度が２００［℃］以上５００［℃］以下の範囲内となるように行うことが好ましい。特に、熱膨張係数が８×１０-7［Ｋ-1］以上１０×１０-7［Ｋ-1］以下の範囲内のガラスを用いたガラス管１００の場合、ガラス管１００の加熱されている部分の外表面温度が２００［℃］〜４００［℃］以下の範囲内となるように行うことがより好ましい。
【００４７】
また、誘導加熱の後に、加熱炉（図示せず）等でガラス管１００の水銀放出体１１１が存在する部分を加熱することが好ましい。この場合、水銀放出体１１１から放出された水銀蒸気をガラス管１００内の電極構造体１０１の方へ移動させやすくすることができる。
【００４８】
＜水銀放出体加熱工程以降の工程＞
次に、図２（ｄ）に示すように、ガラス管１００における電極構造体１０１のガラスビード１０５に対応する位置を加熱して、ガラス管１００を封着して気密封止（第２封止）する（第２封止工程）。加熱は、例えばガスバーナー１１６等により行う。この場合の加熱温度は、ガラス管１００の加熱されている部分の外表面において約９００［℃］である。そして、ガラス管１００の、第２封止部分よりも水銀放出体１１１側の端部部分を切離して、冷陰極低圧放電ランプが完成される。
【００４９】
なお、低圧放電ランプが完成した後に、必要に応じてエージング工程や点灯検査等を行う。
【００５０】
上記のとおり、本発明の第１の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法によれば、水銀放出体１１１を加熱する際、ガラス管１００の封止端部１００ｂが破損するのを防止することができる。
【００５１】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法は、仮封止工程の後に凸部形成工程を行うことと、それに伴う相違点を除いて、本発明の第１の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法と実質的に同じ構成を有する。
【００５２】
すなわち、本願の第２の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法は、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、前記電極構造体および前記水銀放出体よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、前記ガラス管の一端と前記電極構造体および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する凸部を形成する工程と、前記水銀放出体を加熱する工程とを有する。
【００５３】
よって、凸部形成工程について図３を用いて詳細に説明し、その他の点については、説明を省略する。
【００５４】
＜仮封止工程＞
まず、ガラス管１００の一端からガラス管の管軸方向中央側に所定間隔離れた位置において電極構造体１０１が仮止めされ、ガラス管１００の他端部に電極構造体１０６が封着され、電極構造体１０１とガラス管の一方の端との間に水銀放出体１１１が挿入された状態（すなわち、本発明の第１の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法における電極構造体挿入工程から水銀放出体挿入工程までを行った後の状態）において、ガラス管１００内の排気とガラス管１００内への希ガスの充填を行う。具体的には、給排気装置のヘッド（図示せず）をガラス管１００の水銀放出体１１１側端部に装着し、ガラス管１００内を排気して真空にすると共に、図示しない加熱装置によってガラス管１００全体を外部から加熱する。この場合の加熱温度は、ガラス管１００の外表面において約４００［℃］である。これによって、蛍光体層１０２に潜入している不純ガスを含めガラス管１００内の不純ガスが排出される。加熱を止めた後、所定量の希ガスが充填される。希ガスは、例えばネオン９５［ｍｏｌ％］とアルゴン５［ｍｏｌ％］との混合ガスである。このガラス管１００内の排気と希ガスの封入は、ガラスビード１０５とガラス管１００の内面との間に形成される通気空間を通じて行われる。
【００５５】
そして、図３（ａ）に示すように、希ガスが充填された後に、電極構造体１０１および水銀放出体１１１よりもガラス管１００の一端側においてガラス管１００を加熱して封止する。そして、この封止によりガラス管１００の封止端部１００ｂが形成される。加熱は、例えばバーナー１１４等により行われる。なお、ガラス管１００内に封入される希ガス等の条件は、本発明の第１の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法における仮封止工程と同様の条件を適用することができる。
【００５６】
＜凸部形成工程＞
続いて、図３（ｂ）に示すように、ガラス管１００の一端と電極構造体１０１および水銀放出体１１１との間において、凸部１１２を形成する。凸部１１２は、例えば、ガラス管の外表面に加熱された空気を当てることにより、形成することができる。加熱された空気は、例えば、ヒーター等の発熱体（図示せず）で加熱された空気をダクト１１７から吹き出すものである。ダクト１１７から吹き出される加熱された空気の温度（ダクト１１７内部先端の温度）は、約９２０［℃］である。なお、加熱された空気の温度は、約９２０［℃］に限らず、８００［℃］以上１０５０［℃］以下の範囲内であることが好ましい。そして、このときの風量は８［Ｌ／ｍｉｎ］以上３０［Ｌ／ｍｉｎ]以下の範囲内であることが好ましい。この場合、風量を増やすことにより多くの熱が発熱体（図示せず）から移動するため、発熱体の温度は下がり、ダクトから噴出される温度は上がることになる。よって、ヒーター効率を上げ、少ないポジションでの安定した肉厚の凸部を形成することができる。特に、風量は、１５［Ｌ／ｍｉｎ］以上２０［Ｌ／ｍｉｎ］以下の範囲内であることがより好ましい。
【００５７】
仮封止工程の後に凸部形成工程を行う場合、ガラス管１００が封止されているため、ガラス管の内部は、大気に対して負圧下となっている。この場合、バーナーで凸部１１２を形成しようとすると、その炎が雰囲気に影響されやすく、温度制御が困難で加熱にむらがあるため、局所的な凸部１１２を安定して形成するのが困難となる。逆に、バーナーの加熱を安定させようとすると、火力を上昇させる必要があるため、急激にガラス管１００が加熱されてしまい、封止端部１００ｂと同様に凸部１１２の肉厚が薄くなってしまう。
【００５８】
これに対して、加熱された空気を当てることで、凸部１１２を形成すると加熱する部位がぶれにくく、ガスバーナーのように急激な加熱をしなくても、一定の熱量を安定的に継続して当てることができ、ガラス管１００の封止短部１００ｂに対して凸部１１２の肉厚を厚くすることができる。したがって、水銀放出体加熱工程において、水銀放出体１１１から水銀蒸気が放出される際、水銀蒸気が水銀放出体１１１の外部に放出される力によって、水銀放出体１１１が弾け飛び、水銀放出体１１１が凸部１１２に衝突したとしても、凸部１１２の肉厚が厚いために、ガラス管１００が凸部１１２の部分で破損するのを防止することができる。
【００５９】
なお、図３（ｂ）において、ガラス管１００の外表面に対して、一方から加熱された空気を当てているが、ガラス管１００の周回方向において複数の箇所に加熱された空気を当ててもよい。この場合、凸部１１２を複数個所に形成することで、凸部１１２からガラス管１００の一端側に水銀放出体１１１がすり抜けるのを防止しやすくすることができる。
【００６０】
さらに、ガラス管１００の外表面に対して、ガラス管１００の周回方向において２箇所以上４箇所以下の範囲内で加熱された空気を当てることが好ましい。この場合、複数個所に形成される各凸部１１２の大きさを小さくして凸部１１２付近の歪の発生を防止することができる。
【００６１】
上記のとおり、本発明の第２の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法によれば、仮封止工程の後に凸部形成工程を行っても、水銀放出体１１１を加熱する際、ガラス管１００の封止端部１００ｂおよび凸部１１２が破損するのを防止することができる。
【００６２】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法は、電極構造体固定工程と水銀放出体工程との間に第１の凸部を形成する工程（第１の凸部形成工程）を有し、凸部形成工程を第２の凸部を形成させる工程とした点を除いて、本発明の第１の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法または本発明の第２の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法と実質的に同じ構成を有する。
【００６３】
すなわち、本願の第３の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法は、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、前記ガラス管の一端と前記電極構造体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第１の凸部を形成する工程と、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、前記ガラス管の一端と前記第１の凸部および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第２の凸部を形成する工程と、前記第２の凸部よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、前記水銀放出体を加熱する工程とを有する。あるいは、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、
前記ガラス管の一端と前記電極構造体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第１の凸部を形成する工程と、前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、前記第１の凸部および前記電極構造体よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、前記ガラス管の一端と前記第１の凸部および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第２の凸部を形成する工程と、前記水銀放出体を加熱する工程とを有する。
【００６４】
よって、第１の凸部形成工程について図４を用いて詳細に説明し、その他の点については、説明を省略する。
【００６５】
＜第１の凸部形成工程＞
まず、図４（ａ）に示すように、ガラス管１００の一端からガラス管の管軸方向中央側に所定間隔離れた位置において電極構造体１０１が仮止めされ、ガラス管１００の他端部に電極構造体１０６が封着された状態（すなわち、本発明の第１の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法における電極構造体挿入工程から電極構造体固定工程までを行った後の状態）において、ガラス管１００の一端と電極構造体１０１との間において、ガラス管の内面側に突出する第１の凸部１１８を形成する。具体的には、ガラス管１００の一端と電極構造体１０１との間において、ガラス管１００の外表面をバーナー１１９等で加熱することにより第１の凸部１１８を形成する。
【００６６】
なお、第１の凸部１１８は、バーナー１１９に限らず、加熱された空気を当てたり、バーナーや加熱された空気を当ててガラス管１００を加熱した後に冶具を押圧することによって形成することもできる。
【００６７】
＜水銀放出体挿入工程＞
次に、図４（ｂ）に示すように、ガラス管１００の一端の開口部１００ａからガラス管１００の内部に水銀放出体１１１を挿入する。この際、水銀放出体１１１が第１の凸部１１８に引っかかることで、水銀放出体１１１が第１の凸部１１８よりもガラス管１００の管軸方向中央側に移動することを防止し、水銀放出体１１１がガラス管１００の内面と電極構造体１０１のリード線１０４との間に入り込んで、最終的に水銀放出体１１１を取り出す際、取り出し難くなるのを防止することができる。
【００６８】
上記のとおり、本発明の第３の実施形態に係る低圧放電ランプの製造方法によれば、水銀放出体１１１を加熱する際、ガラス管１００の封止端部１００ｂが破損するのを防止することができ、ガラス管１００から水銀放出体１１１を取り出す際、取り出しやすくすることができる。
【００６９】
（変形例）
以上、本発明を上記した各実施形態に示した具体例に基づいて説明したが、本発明の内容が各実施形態に示した具体例に限定されないことは勿論であり、例えば、以下のような変形例を用いることができる。
【００７０】
１．水銀放出体
水銀放出体は、水銀放出体１１１に限らず、例えば以下のようなものを用いることができる。
【００７１】
（１）水銀放出体の変形例１
水銀放出体の変形例１（以下、「水銀放出体１２０」という。）の斜視図を図５（ａ）に示す。水銀放出体１２０は、チタン（Ｔｉ）と水銀（Ｈｇ）との金属間化合物を含む水銀放出部１２１を有し、前記金属間化合物は、ＴｉＨｇ、Ｔｉ1.73ＨｇおよびＴｉ3Ｈｇのうちいずれか1種以上を含むことが好ましい。この場合、本発明を適用することにより、ガラス管の封止端部の破損を防止しやすくすることができる。
【００７２】
また、水銀放出部１２１は、鉄およびニッケルのうち少なくとも１種以上を含むことが好ましい。この場合、水銀放出体１２０の加熱効率を向上させることができる。
【００７３】
さらに、水銀放出部１２１は、水銀放出効率を向上させるプロモータ（図示せず）が含まれていてもよい。プロモータは、例えば、銅ベースの合金であり、ＣｕとＳｎとの合金、ＣｕとＡｇとの合金、ＣｕとＳｉとの合金、ＣｕとＳｎとＭＭとの合金などを挙げることができる。ここで「ＭＭ」はミュシュメタルと呼ばれる金属元素の配合物であり、主としてセリウム、ランタンおよびネオジウム、および少量の他の希土類金属を含む。
【００７４】
（２）水銀放出体の変形例２
水銀放出体の変形例２（以下、「水銀放出体１２２」という。）の斜視図を図５（ｂ）に示す。水銀放出体１２２は、少なくとも一部に開口部１２３ａを有する容器１２３の内部に水銀放出部１２１が格納されている。この場合、水銀放出部１２１の定形性を高めることができる。
【００７５】
さらに、容器１２３は、鉄およびニッケルのうち少なくとも１種以上で形成されていることが好ましい。この場合、水銀放出部１２１の加熱効率を向上させることができる。
【００７６】
また、容器１２３には、その長手方向に沿うようにスリット１２３ｂが設けられていることが好ましい。この場合、水銀放出工程において、スリット１２３ｂを介しても水銀を放出させることができるため、水銀放出効率を向上させることができる。
【００７７】
（３）水銀放出体の変形例３
水銀放出体の変形例３（以下、「水銀放出体１２４」という。）の斜視図を図５（ｃ）に示す。水銀放出体１２４は、水銀放出部１２１と、水銀放出部１２１を覆う金属の焼結体から構成される焼結体部１２５とを備える。この場合、水銀放出工程において、焼結体部１２５からも水銀を放出させることができるため、水銀放出効率を向上させることができる。
【００７８】
焼結体部１２４は、鉄およびニッケルのうち少なくとも１種以上で形成されていることが好ましい。この場合、水銀放出部１２１の加熱効率を向上させることができる。
【００７９】
２．ガラス管
（１）ガラス管１００の熱膨張係数は、３．０×１０-6［Ｋ-1］以上１０．０×１０-6［Ｋ-1］以下の範囲内のものを用いることができる。特に、ガラス管１００の熱膨張係数は、８．０×１０-6［Ｋ-1］以上１０．０×１０-6［Ｋ-1］以下の範囲内であることが好ましい。この場合、ガラスの強度が弱くなるため、本発明の作用効果を特に発揮できる。
【００８０】
なお、ガラス管１００の熱膨張係数が８．０×１０-6［Ｋ-1］以上１０．０×１０-6［Ｋ-1］以下の範囲内である場合には、ガラス管の両端部を封止させた後において、歪除去工程を設けることが好ましい。歪除去工程は、上述した本発明に係る低圧放電ランプの製造方法に限らず、熱膨張係数が８．０×１０-6［Ｋ-1］以上１０．０×１０-6［Ｋ-1］以下の範囲内のガラスを用いた低圧放電ランプ（特に冷陰極放電ランプ）に適用することができる。
【００８１】
熱膨張係数が８．０×１０-6［Ｋ-1］以上１０．０×１０-6［Ｋ-1］以下の範囲内のガラス管を有する低圧放電ランプの製造方法であって、前記ガラス管の両端部を封止する工程（封止工程）と、前記ガラス管の両端部を前記ガラス管が溶融しない温度において加熱する工程（歪除去工程）とを有する。
【００８２】
封止工程は、公知に工程または、本発明の第１の実施形態において上述した方法により行うことができる。
【００８３】
歪除去工程の概念図を図６に示す。図６に示すように、両端部が封止されたガラス管１００の両端部をガラス管１００が溶融しない温度において加熱する。
【００８４】
加熱は、ガラス管１００の両端部をそれぞれ加熱炉１２６の間を通すことにより行う。加熱炉１２６は、ガラス管１００の長手方向で切った断面が略コの字形状のヒーターであり、略コの字の開口部１２６ａが向かい合うように一対に配置されている。加熱炉により加熱することで、ガラス管１００の両端部の雰囲気温度が安定して上昇しやすく、ガラス管１００の両端部の歪を除去しやすくすることができる。
【００８５】
なお、少なくとも電極の管軸方向中央部側の先端までが加熱炉の開口部１２６ａの深さＭの範囲内に収まることが好ましい。この場合、ガラス管１００の両端部に残存する歪を除去しやすくすることができる。
【００８６】
歪除去工程では、破線矢印の方向に加熱炉１２６の略コの字の開口部１２６ａの中にガラス管１００の端部を通すことによって、ガラス管１００の端部を加熱させることができる。なお、加熱炉内でのガラス管の端部表面の温度は、例えば４８０［℃］〜６００［℃］である。
【００８７】
この場合、ガラス管１００の両端部を加熱炉ではなくバーナーの炎により直接加熱する場合に比べて、ガラス管１００の両端部付近の雰囲気温度がさらに安定して上昇しやすく、ガラス管１００の端部周辺をしっかりと加熱できるため、ガラス管１００の端部に残存する歪をしっかりと除去することができる。
【００８８】
なお、加熱炉１２６は、図６に示す加熱炉１２６に限らず、例えばシーズヒーターや内部にバーナーを備えるもの等であってもよい。また、作業安全のため、加熱炉１２６の周囲は断熱材により覆われていることが好ましい。
【００８９】
さらに、ガラス管１００をその管軸を回転軸として例えば一点鎖線矢印の方向に回転させることがより好ましい。この場合、ガラス管１００の端部の周方向においてより均一に加熱させることができ、歪を除去しやすくすることができる。
【００９０】
なお、図６においては、ガラス管１００の両端部の歪除去について説明したが、ガラス管の一端部のみに歪が残存するおそれがある場合は、ガラス管の一端部のみ歪除去工程を行ってもよい。
【００９１】
（２）紫外線吸収
ガラス管１００の材料であるガラスに遷移金属の酸化物をその種類によって所定量をドープすることにより２５４［ｎｍ］や３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収することができる。具体的には、例えば酸化チタン（ＴｉＯ2）の場合は、組成比率０．０５［ｍｏｌ％］以上ドープすることにより２５４［ｎｍ］の紫外線を吸収し、組成比率２［ｍｏｌ％］以上ドープすることにより３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収することができる。ただし、酸化チタンを組成比率５．０［ｍｏｌ％］より多くドープした場合には、ガラスが失透してしまうため、組成比率０．０５［ｍｏｌ％］以上５．０［ｍｏｌ％］以下の範囲でドープすることが好ましい。
【００９２】
また、酸化セリウム（ＣｅＯ2）の場合は、組成比率０．０５［ｍｏｌ％］以上ドープすることにより２５４［ｎｍ］の紫外線を吸収することができる。ただし、酸化セリウムを組成比率０．５［ｍｏｌ％］より多くドープした場合には、ガラスが着色してしまうため、酸化セリウムを組成比率０．０５［ｍｏｌ％］以上０．５［ｍｏｌ％］以下の範囲でドープすることが好ましい。なお、酸化セリウムに加えて酸化スズ（ＳｎＯ）をドープすることにより、酸化セリウムによるガラスの着色を抑えることができるため、酸化セリウムを組成比率５．０［ｍｏｌ％］以下までドープすることができる。この場合、酸化セリウムを組成比率０．５［ｍｏｌ％］以上ドープすれば３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収することができる。ただし、この場合においても酸化セリウムを組成比率が５．０［ｍｏｌ％］より多くドープした場合には、ガラスが失透してしまう。
【００９３】
また、酸化亜鉛（ＺｎＯ）の場合は、組成比率２．０［ｍｏｌ％］以上ドープすることにより２５４［ｎｍ］の紫外線を吸収することができる。ただし、酸化亜鉛を組成比率２０［ｍｏｌ％］より多くドープした場合、ガラスが失透してしまうおそれがあるため、酸化亜鉛を２．０［ｍｏｌ％］以上２０［ｍｏｌ％］以下の範囲でドープすることが好ましい。
【００９４】
また、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）の場合は、組成比率０．０１［ｍｏｌ％］以上ドープすることにより２５４［ｎｍ］の紫外線を吸収することができる。ただし、酸化鉄を組成比率２．０［ｍｏｌ％］より多くドープした場合には、ガラスが着色してしまうため、酸化鉄を組成比率０．０１［ｍｏｌ％］以上２．０［ｍｏｌ％］以下の範囲でドープすることが好ましい。
【００９５】
（３）赤外線透過係数
ガラス管１００の材料であるガラス中の水分含有量を示す赤外線透過率係数は、０．３以上１．２以下の範囲、特に０．４以上０．８以下の範囲となるように調整することが好ましい。赤外線透過率係数が１．２以下であれば、長尺の冷陰極蛍光ランプ等の高電圧印加ランプに適用可能な低い誘電正接を得やすくなり、０．８以下であれば誘電正接が十分に小さくなって、さらに高電圧印加ランプに適用可能となる。
【００９６】
なお、赤外線透過率係数（Ｘ）は下式で表すことができる。
【００９７】
［数１］Ｘ＝（ｌｏｇ（ａ／ｂ））／ｔ
ａ：３８４０［ｃｍ-1］付近の極小点の透過率［％］
ｂ：３５６０［ｃｍ-1］付近の極小点の透過率［％］
ｔ：ガラスの厚み
（４）鉛フリーガラス
ガラス管１００に用いるガラスは、酸化物換算で、ＳｉＯ2が６０［ｗｔ％］〜７５［ｗｔ］％、Ａｌ2Ｏ3が１［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、Ｌｉ2Ｏが０［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、Ｋ2Ｏが３［ｗｔ％］〜１１［ｗｔ％］、Ｎａ2Ｏが３［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］、ＣａＯが０［ｗｔ％］〜９［ｗｔ％］、ＭｇＯが０［ｗｔ％］〜９［ｗｔ％］、ＳｒＯが０［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］、ＢａＯが０［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］の組成を有していてもよい。この場合、鉛成分を含有せず、環境に優しい冷陰極放電ランプを提供することができる。さらには、ガラス管１００に用いるガラスは、酸化物換算で、ＳｉＯ2が６０［ｗｔ％］〜７５［ｗｔ］％、Ａｌ2Ｏ3が１［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、Ｂ2Ｏ3が０［ｗｔ％］〜３［ｗｔ％］、Ｌｉ2Ｏが０［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、Ｋ2Ｏが３［ｗｔ％］〜１１［ｗｔ％］、Ｎａ2Ｏが３［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］、ＣａＯが０［ｗｔ％］〜９［ｗｔ％］、ＭｇＯが０［ｗｔ％］〜９［ｗｔ％］、ＳｒＯが０［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］、ＢａＯが０［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］の組成を有していることがより好ましい。
【００９８】
また、ガラス管１００に用いるガラスは、酸化物換算で、ＳｉＯ2が６０［ｗｔ％］〜７５［ｗｔ］％、Ａｌ2Ｏ3が１［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、Ｌｉ2Ｏが０．５［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、Ｋ2Ｏが３［ｗｔ％］〜７［ｗｔ％］、Ｎａ2Ｏが５［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］、ＣａＯが１［ｗｔ％］〜７［ｗｔ％］、ＭｇＯが１［ｗｔ％］〜７［ｗｔ％］、ＳｒＯが０［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、ＢａＯが７［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］の組成を有していてもよい。この場合、ランプへの加工を行いやすく、かつ鉛成分を含有せず、環境に優しい冷陰極蛍光ランプを提供することができる。
【００９９】
さらに、ガラス管１００に用いるガラスは、酸化物換算で、ＳｉＯ2が６５［ｗｔ％］〜７５［ｗｔ］％、Ａｌ2Ｏ3が１［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、Ｂ2Ｏ3が０［ｗｔ％］〜３［ｗｔ％］、Ｌｉ2Ｏが０．５［ｗｔ％］〜５［ｗｔ％］、 Ｋ2Ｏが３［ｗｔ％］〜７［ｗｔ％］、Ｎａ2Ｏが５［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］、 ＣａＯが２［ｗｔ％］〜７［ｗｔ％］、ＭｇＯが２．１［ｗｔ％］〜７［ｗｔ％］、ＳｒＯが０［ｗｔ％］〜０．９［ｗｔ％］、ＢａＯが７．１［ｗｔ％］〜１２［ｗｔ％］の組成を有していてもよい。この場合、鉛成分を含有せず、照明用途に適した電気絶縁性を有し、かつ、失透を起こりにくくすることができる。さらには、ガラス管１００に用いるガラスは、酸化物換算で、ＳｉＯ2が６５［ｗｔ％］〜７５［ｗｔ］％、Ａｌ2Ｏ3が１［ｗｔ％］〜３［ｗｔ％］、Ｂ2Ｏ3が０［ｗｔ％］〜３［ｗｔ％］、Ｌｉ2Ｏが１［ｗｔ％］〜３［ｗｔ％］、Ｋ2Ｏが３［ｗｔ％］〜６［ｗｔ％］、Ｎａ2Ｏが７［ｗｔ％］〜１０［ｗｔ％］、 ＣａＯが３［ｗｔ％］〜６［ｗｔ％］、ＭｇＯが３［ｗｔ％］〜６［ｗｔ％］、ＳｒＯが０［ｗｔ％］〜０．９［ｗｔ％］、ＢａＯが７．１〜１０［ｗｔ％］の組成を有していることがより好ましい。
【０１００】
（５）ガラス管の形状
ガラス管１００の管軸に対して略垂直に切った断面は、略円形状のものに限られず、例えばトラック形状や角丸形状のような扁平形状や楕円形状等であってもよい。
【０１０１】
３．電子放射性物質
電極１０３、１０７の表面には、電子放射性物質層（図示せず）が形成されていてもよい。この場合、電子放射性物質層が設けられていないランプに比べてランプ電圧を下げることができる。具体的には、電子放射性物質層は、例えば電極１０３、１０７の内面に形成されている。電子放射性物質層は、例えば希土類元素を含む。冷陰極蛍光ランプにおいて、ランプ電圧を下げるのに効果的なためである。さらに、希土類元素は、ランタン（Ｌａ）およびイットリウム（Ｙ）のうちいずれか１種以上であることがより好ましい。
【０１０２】
電子放射性物質層は、さらに珪素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、硼素（Ｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、リン（Ｐ）および錫（Ｓｎ）のうちいずれか１種以上を含むことが好ましい。この場合、ランプ電圧の低減効果をより持続させることができる。
【０１０３】
さらに、電子放射性物質層に、セシウム（Ｃｓ）化合物が含まれていてもよい。この場合、ランプの暗黒始動特性をさらに向上させることができる。また、電子放射性物質層として、電極１０３、１０７の内面や外面にセシウム化合物を付着させてもよいし、電子放射性物質層とは別に、電極１０３、１０７の内面や外面にセシウム化合物を付着させてもよい。なお、セシウム化合物は、例えば、硫酸セシウム、アルミン酸セシウム、ニオブ酸セシウム、タングステン酸セシウム、モリブデン酸セシウムおよび塩化セシウムのうちいずれか１種以上を用いることが好ましい。また、セシウム化合物は、電極１０３、１０７の外側側面に付着されていることがより好ましい。この場合、冷陰極蛍光ランプの製造工程において、セシウム化合物を適度に活性化させやすくすることができる。さらには、電極１０３、１０７の外側側面におけるランプ中央部側の先端部に付着されていることがさらにより好ましい。
【０１０４】
４．蛍光体層の蛍光体
（１）紫外線吸収
例えば、近年、液晶カラーテレビの大型化に伴って、バックライトユニットの開口を塞ぐ拡散板に寸法安定性の良いポリカーボネートが使用されるようになっている。このポリカーボネートは、水銀が発する３１３［ｎｍ］の波長の紫外線により劣化しやすい。このような場合には、波長３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収する蛍光体を利用すると良い。なお、３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収する蛍光体としては、以下のものがある。
【０１０５】
（ａ）青色
ユーロピウム・マンガン共付活アルミン酸バリウム・ストロンチウム・マグネシウム［Ｂａ1-x-yＳｒxＥｕyＭｇ1-zＭｎzＡｌ10Ｏ17］又は［Ｂａ1-x-yＳｒxＥｕyＭｇ2-zＭｎzＡｌ16Ｏ27］
ここで、ｘ,ｙ,ｚはそれぞれ０≦ｘ≦０．４、０．０７≦ｙ≦０．２５、０≦ｚ＜０．１なる条件を満たす数であることが好ましい。
【０１０６】
このような蛍光体としては、例えば、ユーロピウム付活アルミン酸バリウム・マグネシウム[ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+]、[ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+] (略号：ＢＡＭ−Ｂ)や、ユーロピウム付活アルミン酸バリウム・ストロンチウム・マグネシウム[（Ｂａ，Ｓｒ）Ｍｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+]、[（Ｂａ，Ｓｒ）ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+]（略号：ＳＢＡＭ−Ｂ）等がある。
【０１０７】
（ｂ）緑色
・マンガン不活マグネシウムガレート［ＭｇＧａ2Ｏ4：Ｍｎ2+］（略号：ＭＧＭ）
・マンガン付活アルミン酸セリウム・マグネシウム・亜鉛[Ｃｅ（Ｍｇ，Ｚｎ）Ａｌ11Ｏ19：Ｍｎ2+]（略号：ＣＭＺ）
・テルビウム付活アルミン酸セリウム・マグネシウム[ＣｅＭｇＡｌ11Ｏ19：Ｔｂ3+]（略号：ＣＡＴ）
・ユーロピウム・マンガン共付活アルミン酸バリウム・ストロンチウム・マグネシウム［Ｂａ1-x-yＳｒxＥｕyＭｇ1-zＭｎzＡｌ10Ｏ17］又は［Ｂａ1-x-yＳｒxＥｕyＭｇ2-zＭｎzＡｌ16Ｏ27］
ここで、ｘ,ｙ,ｚはそれぞれ０≦ｘ≦０．４、０．０７≦ｙ≦０．２５、０．１≦ｚ≦０．６なる条件を満たす数であり、ｚは０．４≦ｘ≦０．５であることが好ましい。
【０１０８】
このような蛍光体としては、例えば、ユーロピウム・マンガン共付活アルミン酸バリウム・マグネシウム[ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+]、[ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+]（略号：ＢＡＭ−Ｇ）や、ユーロピウム・マンガン共付活アルミン酸バリウム・ストロンチウム・マグネシウム[（Ｂａ，Ｓｒ）Ｍｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+]、[（Ｂａ，Ｓｒ）ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+]（略号：ＳＢＡＭ−Ｇ）等がある。
【０１０９】
（ｃ）赤色
・ユーロピウム付活リン・バナジン酸イットリウム[Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ4：Ｅｕ3+]（略号：ＹＰＶ）
・ユーロピウム付活バナジン酸イットリウム［ＹＶＯ4：Ｅｕ3+］（略号：ＹＶＯ）
・ユーロピウム付活イットリウムオキシサルファイド[Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ3+]（略号：ＹＯＳ）
・マンガン付活フッ化ゲルマン酸マグネシウム[３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ2・ＧｅＯ2：Ｍｎ4+]（略号：ＭＦＧ）
・ジスプロシウム付活バナジン酸イットリウム［ＹＶＯ4：Ｄｙ3+］（赤と緑の２成分発光蛍光体であり、略号：ＹＤＳ）
なお、一種類の発光色に対して、異なる化合物の蛍光体を混合して用いても良い。例えば、青色にＢＡＭ−Ｂ（３１３［ｎｍ］を吸収する。）のみ、緑色にＬＡＰ（３１３［ｎｍ］を吸収しない。）とＢＡＭ−Ｇ（３１３［ｎｍ］を吸収する。）、赤色にＹＯＸ（３１３ｎｍを吸収しない。）とＹＶＯ（３１３［ｎｍ］を吸収する。）の蛍光体を用いても良い。このような場合は、前述のように波長３１３［ｎｍ］を吸収する蛍光体が、総重量組成比率で５０％より大きくなるように調整することで、紫外線がガラスバルブ外に漏れ出ることをほとんど防止できる。したがって、３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収する蛍光体を蛍光体層１０２に含む場合には、上記のバックライトユニットの開口を塞ぐポリカーボネート（ＰＣ）からなる拡散板等の紫外線による劣化が抑制され、バックライトユニットとしての特性を長時間維持することができる。
【０１１０】
ここで、「３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収する」とは、２５４［ｎｍ］付近の励起波長スペクトル（励起波長スペクトルとは、蛍光体を波長変化させながら励起発光させ、励起波長と発光強度をプロットしたものである。）の強度を１００［％］としたときに、３１３［ｎｍ］の励起波長スペクトルの強度が８０［％］以上のものと定義する。すなわち、３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収する蛍光体とは、３１３［ｎｍ］の紫外線を吸収して可視光に変換できる蛍光体である。
【０１１１】
（２）高色再現について
液晶カラーテレビで代表される液晶表示装置では、近年における高画質化の一環としてなされる高色再現化に伴い、当該液晶表示装置のバックライトユニットの光源として用いられる冷陰極蛍光ランプにおいて、再現可能な色度範囲の拡大化の要請がある。
【０１１２】
このような要請に対して、例えば、以下の蛍光体を用いることで、実施の形態での蛍光体を用いる場合よりも、色度範囲の拡大を図ることができる。具体的には、ＣＩＥ１９３１色度図において、高色再現用の当該蛍光体の色度座標値が、実施の形態で使用した３つの蛍光体の色度座標値を結んでできる三角形を含んで色再現範囲を広げる座標に位置する。
【０１１３】
（ａ）青色
・ユーロピウム付活ストロンチウム・クロロアパタイト[Ｓｒ10（ＰＯ4）6Ｃｌ2：Ｅｕ2+]（略号：ＳＣＡ）、色度座標：ｘ＝０．１５１、ｙ＝０．０６５
上記以外に、ユーロピウム付活ストロンチウム・カルシウム・バリウム・クロロアパタイト[（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）10（ＰＯ4）6Ｃｌ2：Ｅｕ2+]（略号：ＳＢＣＡ）も使用でき、上記波長３１３（ｎｍ）の紫外線も吸収できるＳＢＡＭ−Ｂも高色再現用に使用できる。
【０１１４】
（ｂ）緑色
・ＢＡＭ−Ｇ、色度座標：ｘ＝０．１３９、ｙ＝０．５７４
・ＣＭＺ、色度座標：ｘ＝０．１６４、ｙ＝０．７２２
・ＣＡＴ、色度座標：ｘ＝０．２６７、ｙ＝０．６６３
なお、これらは上述したように、波長３１３［ｎｍ］の紫外線も吸収でき、また、ここで説明した３つの蛍光体粒子以外にも、ＭＧＭも高色再現用に使用することができる。
【０１１５】
（ｃ）赤色
・ＹＯＳ、色度座標：ｘ＝０．６５１、ｙ＝０．３４４
・ＹＰＶ、色度座標：ｘ＝０．６５８、ｙ＝０．３３３
・ＭＦＧ、色度座標：ｘ＝０．７１１、ｙ＝０．２８７
なお、これらは上述したように、波長３１３［ｎｍ］の紫外線も吸収でき、また、ここで説明した３つの蛍光体粒子以外にも、ＹＶＯ、ＹＤＳも高色再現用に使用することができる。
【０１１６】
また、上記で示した色度座標値は各々の蛍光体の粉体のみで測定した代表値であり、測定方法（測定原理）等に起因して、各蛍光体の粉体が示す色度座標値は、上掲した値と若干異なる場合があり得る。参考として上記実施の形態１の各蛍光体の粉体の色度座標値は、ＹＯＸ（ｘ＝０．６４４、ｙ＝０．３５３）、ＬＡＰ（ｘ＝０．３５１、ｙ＝０．５８５）、ＢＡＭ−Ｂ（ｘ＝０．１４８、ｙ＝０，０５６）で構成されている。
【０１１７】
さらに、赤、緑、青の各色を発光させるために用いる蛍光体は各波長につき１種類に限らず、複数種類を組み合わせて用いることとしても良い。
【０１１８】
ここで、上記の高色再現用の蛍光体粒子を用いて蛍光体層１０２を形成した場合について説明する。ここでの評価は、ＣＩＥ１９３１色度図内においてＮＴＳＣ規格の３原色の色度座標値を結ぶＮＴＳＣ三角形（ＮＴＳＣtriangle）の面積を基準とした、高色再現用の蛍光体を用いた場合の３つの色度座標値を結んできる三角形の面積の比（以下、ＮＴＳＣ比という。）で行なう。
【０１１９】
例えば、青色としてＢＡＭ−Ｂ、緑色としてＢＡＭ−Ｇ、赤色としてＹＶＯを用いると（例１）ＮＴＳＣ比が９２［％］となり、また、青色としてＳＣＡ、緑色としてＢＡＭ−Ｇ、赤色としてＹＶＯを用いると（例２）ＮＴＳＣ比が１００［％］となり、また、青色としてＳＣＡ、緑色としてＢＡＭ−Ｇ、赤色としてＹＯＸを用いると（例３）、ＮＴＳＣ比が９５［％］となり、例１及び例２に比べて輝度を１０［％］向上させることができる。
【０１２０】
なお、ここでの評価に用いた色度座標値は、ランプ等が組み込まれた液晶表示装置とした状態で測定したものである為、カラーフィルターとの組み合わせにより色再現範囲が上記値より前後する可能性がある。
【０１２１】
５．封入ガス
希ガスにクリプトンが含まれていてもよい。この場合、低圧放電ランプが冷陰極蛍光ランプである場合に赤外線放射を抑制することができる。さらには、希ガスにクリプトンが０．５［ｍｏｌ％］以上５［ｍｏｌ％］以下の範囲内で含まれていることが好ましい。この場合、ランプ電圧を大きく変化させることなく、冷陰極蛍光ランプの赤外線放射を抑制することができる。例えば、アルゴンが０［ｍｏｌ％］以上９．５［ｍｏｌ％］以下の範囲内、ネオンが９０［ｍｏｌ％］以上９５．５［ｍｏｌ％］以下の範囲内、クリプトンが０．５［ｍｏｌ％］以上５［ｍｏｌ％］以下の範囲内である。さらには、希ガスにクリプトンが０．５［ｍｏｌ％］以上３［ｍｏｌ％］以下の範囲内で含まれていることがより好ましい。さらには、希ガスにクリプトンが１［ｍｏｌ％］以上３［ｍｏｌ％］以下の範囲内で含まれていることがさらにより好ましい。
【０１２２】
６．ランプの種類
上記の各実施形態においては、低圧放電ランプの製造方法として、ガラス管の両端部に電極構造体が設けられた冷陰極蛍光ランプの製造方法を中心に説明したが、これに限らず、ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられていればよい。例えば内部外部電極蛍光ランプやガラス管の内面に蛍光体層の形成されていない紫外線ランプにも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本発明は、低圧放電ランプの製造方法に広く適用することができる。
【符号の説明】
【０１２４】
１００ ガラス管
１００ａ ガラス管の一端の開口部
１０１ 電極構造体
１１１ 水銀放出体
１１８ 第１の凸部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、
前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、
前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、
前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、
前記ガラス管の一端と前記電極構造体および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する凸部を形成する工程と、
前記凸部よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、
前記水銀放出体を加熱する工程とを有することを特徴とする低圧放電ランプの製造方法。
【請求項２】
ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、
前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、
前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、
前記ガラス管の一端と前記電極構造体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第１の凸部を形成する工程と、
前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、
前記ガラス管の一端と前記第１の凸部および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第２の凸部を形成する工程と、
前記第２の凸部よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、
前記水銀放出体を加熱する工程とを有することを特徴とする低圧放電ランプの製造方法。
【請求項３】
ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、
前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、
前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、
前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、
前記電極構造体および前記水銀放出体よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、
前記ガラス管の一端と前記電極構造体および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する凸部を形成する工程と、
前記水銀放出体を加熱する工程とを有することを特徴とする低圧放電ランプの製造方法。
【請求項４】
ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、
前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、
前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、
前記ガラス管の一端と前記電極構造体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第１の凸部を形成する工程と、
前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、
前記第１の凸部および前記電極構造体よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、
前記ガラス管の一端と前記第１の凸部および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第２の凸部を形成する工程と、
前記水銀放出体を加熱する工程とを有することを特徴とする低圧放電ランプの製造方法。
【請求項５】
加熱された空気を前記ガラス管に当てることにより前記凸部を形成することを特徴とする請求項１または３に記載の低圧放電ランプの製造方法。
【請求項６】
加熱された空気を前記ガラス管に当てることにより前記第２の凸部を形成することを特徴とする請求項２または４に記載の低圧放電ランプの製造方法。
【請求項７】
前記ガラス管は、熱膨張係数が８×１０-7［Ｋ-1］以上１０×１０-7［Ｋ-1］以下の範囲内であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の低圧放電ランプの製造方法。
【請求項１】
ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、
前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、
前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、
前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、
前記ガラス管の一端と前記電極構造体および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する凸部を形成する工程と、
前記凸部よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、
前記水銀放出体を加熱する工程とを有することを特徴とする低圧放電ランプの製造方法。
【請求項２】
ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、
前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、
前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、
前記ガラス管の一端と前記電極構造体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第１の凸部を形成する工程と、
前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、
前記ガラス管の一端と前記第１の凸部および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第２の凸部を形成する工程と、
前記第２の凸部よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、
前記水銀放出体を加熱する工程とを有することを特徴とする低圧放電ランプの製造方法。
【請求項３】
ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、
前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、
前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、
前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、
前記電極構造体および前記水銀放出体よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、
前記ガラス管の一端と前記電極構造体および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する凸部を形成する工程と、
前記水銀放出体を加熱する工程とを有することを特徴とする低圧放電ランプの製造方法。
【請求項４】
ガラス管の少なくとも一方の端部に電極構造体が設けられた低圧放電ランプの製造方法であって、
前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に前記電極構造体を挿入する工程と、
前記電極構造体を前記ガラス管の内部に固定する工程と、
前記ガラス管の一端と前記電極構造体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第１の凸部を形成する工程と、
前記ガラス管の一端の開口部から前記ガラス管の内部に水銀放出体を挿入する工程と、
前記第１の凸部および前記電極構造体よりも前記ガラス管の一端側において、前記ガラス管を封止する工程と、
前記ガラス管の一端と前記第１の凸部および前記水銀放出体との間において、前記ガラス管の内面側に突出する第２の凸部を形成する工程と、
前記水銀放出体を加熱する工程とを有することを特徴とする低圧放電ランプの製造方法。
【請求項５】
加熱された空気を前記ガラス管に当てることにより前記凸部を形成することを特徴とする請求項１または３に記載の低圧放電ランプの製造方法。
【請求項６】
加熱された空気を前記ガラス管に当てることにより前記第２の凸部を形成することを特徴とする請求項２または４に記載の低圧放電ランプの製造方法。
【請求項７】
前記ガラス管は、熱膨張係数が８×１０-7［Ｋ-1］以上１０×１０-7［Ｋ-1］以下の範囲内であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の低圧放電ランプの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−６０４７５（Ｐ２０１１−６０４７５Ａ）
【公開日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２０６６４０（Ｐ２００９−２０６６４０）
【出願日】平成２１年９月８日（２００９．９．８）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年９月８日（２００９．９．８）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]