光学素子の製造方法、及び、光学素子の製造装置
【課題】光学素子の製造方法及び製造装置において、上型と、これに当接する上当接部材との当接状態の解除を、上当接部材から上型への熱伝導が阻害されるのを抑えながら確実に行う。
【解決手段】上型２と下型３とを有する型セット１に収容される光学素子材料５を加熱する加熱工程と、その後、光学素子材料５を加圧する加圧工程と、その後、光学素子材料５を冷却する冷却工程と、上型２に当接可能な上当接部材１１の上型２との当接状態を解除する当接解除工程と、を含み、上記加熱工程、上記加圧工程、及び、上記冷却工程のうち少なくとも１つの工程は、上型２に上当接部材１１が当接した状態で行われ、上記当接解除工程では、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕが上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄと上型２の質量との合計よりも小さくなった後に、上当接部材１１の上型２との当接状態を解除する、光学素子の製造方法。
【解決手段】上型２と下型３とを有する型セット１に収容される光学素子材料５を加熱する加熱工程と、その後、光学素子材料５を加圧する加圧工程と、その後、光学素子材料５を冷却する冷却工程と、上型２に当接可能な上当接部材１１の上型２との当接状態を解除する当接解除工程と、を含み、上記加熱工程、上記加圧工程、及び、上記冷却工程のうち少なくとも１つの工程は、上型２に上当接部材１１が当接した状態で行われ、上記当接解除工程では、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕが上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄと上型２の質量との合計よりも小さくなった後に、上当接部材１１の上型２との当接状態を解除する、光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば熱可塑性部品である光学素子を製造する光学素子の製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、上型と下型とを有する型セットに収容した光学素子材料に、加熱、加圧及び冷却の各工程を行うことにより、光学素子を製造する手法が知られている。このように光学素子を製造する場合、上型に上当接部材を当接させた状態で各工程を行うと、上当接部材と上型とを離す際に上当接部材と上型とが離れず上型が上当接部材と共に持ち上がることがあった。
【０００３】
このように上型が持ち上がるのを防ぐために、特許文献１には、上当接部材である上側温度制御ブロックの上型との当接面に通気孔を設ける技術が記載されている。
また、上記特許文献１には、上記の通気孔が多孔質体のものである点、及び、上記の通気孔から流体を噴出させる点も記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２４２１５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１のように上当接部材（上側温度制御ブロック）に多孔質体を用いる場合、通気孔の面積が大きいと、上当接部材から上型への熱伝導領域が減ることになる。また、通気孔の面積が小さいと、上型と上当接部材との当接を解除できなくなる。更には、上記特許文献１のように通気孔から流体を噴出させる場合、上型に温度変化をもたらす。
【０００６】
本発明の目的は、上型と、これに当接する上当接部材との当接状態の解除を、上当接部材から上型への熱伝導が阻害されるのを抑えながら確実に行うことができる光学素子の製造方法及び製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光学素子の製造方法は、上型と下型とを有する型セットに収容される光学素子材料を加熱する加熱工程と、その後、上記光学素子材料を加圧する加圧工程と、その後、上記光学素子材料を冷却する冷却工程と、上記上型に当接可能な上当接部材の上記上型との当接状態を解除する当接解除工程と、を含み、上記加熱工程、上記加圧工程、及び、上記冷却工程のうち少なくとも１つの工程は、上記上型に上記上当接部材が当接した状態で行われ、上記当接解除工程では、上記上型に加わる上向きの気圧力がこの上型に加わる下向きの気圧力とこの上型の質量との合計よりも小さいときに、上記上当接部材の上記上型との当接状態を解除する。
【０００８】
また、上記光学素子の製造方法において、上記当接解除工程では、上記上型に加わる下向きの気圧力が高まる位置に上記上当接部材と上記上型とを当接状態のまま相対的に移動させた後に、上記上当接部材の上記上型との当接状態を解除するようにしてもよい。
【０００９】
また、上記光学素子の製造方法において、上記当接解除工程では、上記型セットが配置される空間を減圧した後に、上記上当接部材の上記上型との当接状態を解除するようにしてもよい。
【００１０】
本発明の光学素子の製造装置は、上型と下型とを有する型セットに収容される光学素子材料を加熱する加熱部と、上記光学素子材料を加圧する加圧部と、上記光学素子材料を冷却する冷却部と、を備え、上記加熱部、上記加圧部、及び、上記冷却部のうち少なくとも１つは、上記上型に当接可能な上当接部材を有し、上記上当接部材の上記上型との当接状態は、上記上型に加わる上向きの気圧力がこの上型に加わる下向きの気圧力とこの上型の質量との合計よりも小さいときに解除される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、上型と、これに当接する上当接部材との当接状態の解除を、上当接部材から上型への熱伝導が阻害されるのを抑えながら確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光学素子の製造装置を示す要部断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態の変形例に係る光学素子の製造装置を示す要部断面図である。
【図４Ａ】本発明の第２実施形態に係る光学素子の製造装置を示す要部断面図（その１）である。
【図４Ｂ】本発明の第２実施形態に係る光学素子の製造装置を示す要部断面図（その２）である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る光学素子の製造装置を示す要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態に係る光学素子の製造方法及び製造装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１４】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る光学素子の製造装置１０を示す要部断面図である。
図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。
【００１５】
図１に示す光学素子の製造装置（以下、単に「製造装置」と記す。）１０は、型セット１の上型２に当接可能な上当接部材１１と、型セット１の下型３に当接可能な下当接部材１２とを備える。
【００１６】
型セット１は、対向して配置された上型２及び下型３と、これら上型２及び下型３の周囲に配置されたスリーブ４とを有し、上型２と下型３との間に光学素子材料５を収容する。なお、光学素子材料５は、例えば、ガラス、プラスチックであり、製造される光学素子は、例えばレンズである。
【００１７】
上型２は、上端にツバ部２ａが形成された円柱形状を呈する。上型２の下端中央には、光学素子材料５に凸形状を転写する凹成形面２ｂが形成されている。
【００１８】
下型３は、下端にツバ部３ａが形成された円柱形状を呈する。下型３の上端中央には、光学素子材料５に凸形状を転写する凹成形面３ｂが形成されている。
【００１９】
スリーブ４は、円筒形状を呈し、上型２のツバ部２ａと下型３のツバ部３ａとの間に配置されている。上型２は、光学素子材料５の加圧時等において、スリーブ４の内周面を摺動する。
【００２０】
なお、製造装置１０が型セット１を加熱ステージ（加熱部）、加圧ステージ（加圧部）、冷却ステージ（冷却部）に順次移送しながら光学素子を製造する循環型の製造装置である場合には、上記の各ステージに図１に示す上当接部材１１及び下当接部材１２が配置される。但し、単一のステージが加熱部、加圧部及び冷却部を兼ねるようにしてもよい。
【００２１】
上当接部材１１及び下当接部材１２は、図示しない熱源を有する温度制御部材と型セット１との間に配置される例えば板状の部材であるが、上当接部材１１及び下当接部材１２自体が熱源を有することにより温度制御部材として機能するようにしてもよい。
【００２２】
上当接部材１１は、当接解除手段としての例えば図示しないシリンダにより上下動する。上当接部材１１の底面には、図２（図１のＡ−Ａ断面図）に示すように、型セット１と当接した状態（当接面積Ｓの網掛け部分）においても外部（型セット１が配置される空間である成形室）に連通する開空間を構成する溝部１１ａ，１２ａが形成されている。
【００２３】
なお、開空間としては、外部に連通するものであればよく、図３に示す変形例に係る製造装置１０´の上型２´上面に形成された溝部２ｃ，２ｄにより構成されるものであってもよい。
【００２４】
また、開空間としては、溝部のようなものではなく、上当接部材１１及び上型２のうち少なくとも一方の当接面に拡がる微小凹凸部（粗面）により構成されるものや、管状の気体の流路により構成されるものなどであってもよい。
【００２５】
開空間が、当接面に拡がる微小凹凸部により構成される場合には、上当接部材１１と上型２との当接領域が偏らず、上当接部材１１から上型２への熱伝導の際に熱分布が生じるのを抑えることができる。
【００２６】
以下、本実施形態の光学素子の製造方法について説明する。なお、製造装置１０の後述する動作は、図示しない制御部によって制御されている。
図１に示すように、光学素子材料５が収容された型セット１は、それぞれ１つ以上の加熱ステージ、加圧ステージ及び冷却ステージにおいて、各ステージの下当接部材１２上で、上型２に上当接部材１１が当接した状態で、光学素子材料５が加熱され（加熱工程）、加圧され（加圧工程）、又は、冷却され（冷却工程）、光学素子が製造される。なお、例えば加熱ステージなどの一部のステージにおいて上当接部材１１が上型２に当接しなくともよい。
【００２７】
なお、単一のステージにおいて加熱工程、加圧工程及び冷却工程が行われる場合には、単一の下当接部材１２上で、上型２に上当接部材１１が当接した状態のまま、加熱工程、加圧工程及び冷却工程が行われる。
【００２８】
各ステージにおいて加熱工程、加圧工程又は冷却工程が行われた後、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕが上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄと上型２の質量Ｍとの合計よりも小さいときに（即ち、「Ｐｄ＋Ｍ＞Ｐｕ」の関係を満たすときに）、上当接部材１１は、上記のシリンダ（当接解除手段）により上昇し、上当接部材１１の上型２との当接状態が解除される（当接解除工程）。
【００２９】
例えば、上型２の質量がＭ（＝０．１）［ｋｇｆ］、型セット１が配置される空間である成形室内の大気圧力がＰ［ｋｇ／ｍｍ２］、上型２と上当接プレート１１との当接面積がＳ［ｍｍ２］、上型２の直径φが３０［ｍｍ］であるとき、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕ（上型２の底面全面に大気圧が加わる場合である最大値）は「Ｐｕ＝１５×１５×π×Ｐ」で表すことができる。また、上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄは「Ｐｄ＝（１５×１５×π−Ｓ）×Ｐ」で表すことができる。
【００３０】
そのため、上述のように「Ｐｄ＋Ｍ＞Ｐｕ」の関係を満たすようにするためには、展開すると、「Ｍ＞Ｐｕ−Ｐｄ」、「Ｍ＞ＳＰ」、即ち「Ｓ＜（Ｍ／Ｐ）」の関係を満たす必要がある。そのため、この関係を満たすように、開空間を構成する溝部１１ａ，１１ｂが形成され、上型２と上当接プレート１１との当接面積Ｓが設定されればよい。
【００３１】
但し、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕを、厳密に、上型２の底面のうち光学素子材料５との接触面積を除いた面積に大気圧力を乗じて求める場合、上型２と光学素子材料５との接触面積が変動する。そのため、例えば、冷却ステージにおける当接解除工程の場合には、光学素子材料５と上型２との線膨張係数の違いによる冷却時の収縮差によって光学素子材料５と上型２との離型が進んで当接解除工程の段階で気圧力Ｐｕの値が大きくなっても、「Ｐｄ＋Ｍ＞Ｐｕ」の関係を満たすようにするなどの対応が必要である。
【００３２】
以上説明した本実施形態では、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕが上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄと上型２の質量Ｍとの合計よりも小さいときに（Ｐｄ＋Ｍ＞Ｐｕ）、上当接部材１１の上型２との当接状態が解除される（当接解除工程）。
【００３３】
そのため、上当接部材１１の上型２との当接面積を小さくすると、上当接部材１１から上型２への熱伝導領域が減ることになり、当接面積を大きくすると、上型２と上当接部材１１との当接を解除できなくなるが、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕが上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄと上型２の質量Ｍとの合計よりも小さいという判断を予め行うことにより、熱伝導性を考慮して例えば必要最低限の溝部１１ａ，１１ｂ（開空間）を上当接部材１１と上型２との間に形成することも可能となる。また、気圧力Ｐｄ，Ｐｕを条件とする判断を行うため、強制的に気体を供給して当接解除を行う場合のような、上型２への温度変化を生じさせなくともよい。
【００３４】
よって、本実施形態によれば、上型２と上当接部材１１との当接状態の解除を、上当接部材１１から上型２への熱伝導が阻害されるのを抑えながら確実に行うことができる。
【００３５】
＜第２実施形態＞
図４Ａ及び図４Ｂは、本発明の第２実施形態に係る光学素子の製造装置２０を示す要部断面図である。
【００３６】
本実施形態では、上述の第１実施形態と相違する点について主に説明し、重複する点については説明を一部省略する。
本実施形態の製造装置２０は、型セット１の上型２に当接可能な上当接部材２１と、型セット１の下型３に当接可能な下当接部材２２と、上当接部材２１と上型２とを当接状態のまま相対的に移動させる相対移動手段としての型セット駆動部２３とを備える。
【００３７】
本実施形態の上当接部材２１の底面には、型セット１と当接した状態においても外部（型セットが配置される空間である成形室）に連通する開空間を構成する溝部２１ａが形成されている。この溝部２１ａは、光学素子材料５の加熱、加圧、冷却等を行う際の型セット１（例えば、図４Ａに示す中央の位置）に対向しない位置（或いは部分的に対向している位置）として、例えば上当接部材２１の端部に形成されている。
【００３８】
なお、上当接部材２１及び型セット１の両方が開空間を生じさせないような鏡面に加工されている場合を除き、型セット１が上当接部材２１の溝部２１ａに対向していない状態、即ち、型セット１が上型２の上面全体に亘って上当接部材２１に当接していても、開空間は存在し、よって、上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄは生じている。
【００３９】
型セット駆動部２３は、上当接部材２１と下当接部材２２とにより挟持された状態の型セット１を、上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄが高まる位置、例えば、開空間を構成する溝部２１ａとの対向面積が増える位置へ水平方向に移動させる例えばサーボモータ等の駆動部である。
【００４０】
以下、本実施形態の光学素子の製造方法について説明する。なお、製造装置２０の後述する動作は、図示しない制御部によって制御されている。
図４Ａに示すように、光学素子材料５が収容された型セット１は、それぞれ１つ以上の加熱ステージ、加圧ステージ及び冷却ステージにおいて、各ステージの下当接部材２２上で、上型２に上当接部材２１が当接した状態で、加熱され（加熱工程）、加圧され（加圧工程）、又は、冷却され（冷却工程）、光学素子が製造される。
【００４１】
なお、単一のステージにおいて加熱工程、加圧工程及び冷却工程が行われる場合には、単一の下当接部材２２上で、例えば、上型２に上当接部材２１が当接した状態のまま、加熱工程、加圧工程及び冷却工程が行われる。
【００４２】
各ステージにおいて加熱工程、加圧工程又は冷却工程が行われた後、型セット駆動部２３は、型セット１を、加熱、加圧又は冷却を行う際の図４Ａに示す中央の位置から、図４Ｂに示すように、上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄが高まる位置、例えば、開空間を構成する溝部２１ａと対向する位置（対向面積が増える位置）に水平方向に移動させる。
【００４３】
このように型セット１を移動させることで上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄを大きくした後、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕが上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄと上型２の質量Ｍとの合計よりも小さいときに（即ち、「Ｐｄ＋Ｍ＞Ｐｕ」の関係を満たすときに）、上当接部材２１は、上記のシリンダ（当接解除手段）により上昇し、上当接部材２１の上型２との当接状態が解除される（当接解除工程）。
【００４４】
以上説明した本実施形態においても、上述の第１実施形態と同様に、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕが上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄと上型２の質量Ｍとの合計よりも小さいときに（Ｐｄ＋Ｍ＞Ｐｕ）、上当接部材２１の上型２との当接状態が解除される（当接解除工程）。
【００４５】
そのため、本実施形態によっても、上述の第１実施形態と同様に、上型２と上当接部材２１との当接状態の解除を、上当接部材２１から上型２への熱伝導が阻害されるのを抑えながら確実に行うことができる。
【００４６】
また、本実施形態においては、当接解除工程では、相対移動手段としての型セット駆動部２３が、上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄが高まる位置、例えば、開空間を構成する溝部２１ａとの対向面積が増える位置に、上当接部材２１と上型２とを当接状態のまま相対的に移動させた後に、上当接部材２１の上型２との当接状態が解除される。これにより、上当接部材２１と上型２との当接面積が大きい状態で光学素子材料５の加熱、加圧、冷却等を行うことができるため、熱伝導性を良好に保つことができると共に、上型２と上当接部材２１との当接状態の解除を確実に行うことができる。
【００４７】
＜第３実施形態＞
図５は、本発明の第３実施形態に係る光学素子の製造装置３０を示す要部断面図である。
本実施形態においても、上述の第１実施形態と相違する点について主に説明し、重複する点については説明を一部省略する。
本実施形態の製造装置３０は、型セット１の上型２に当接可能な上当接部材３１と、型セット１の下型３に当接可能な下当接部材３２と、型セット１が配置される空間である成形室３４を減圧する減圧手段としての減圧ポンプ３３とを備える。
【００４８】
なお、図５では、成形室３４内に上当接部材３１及び下当接部材３２を１つずつのみ図示しているが、製造装置３０が、型セット１を加熱ステージ（加圧部）、加圧ステージ（加圧部）、冷却ステージ（冷却部）に順次移送しながら光学素子を製造する循環型の製造装置である場合には、これらのステージが成形室３４に配置される。
【００４９】
本実施形態の上当接部材３１の底面には、上述の第１実施形態及び第２実施形態で述べたような、開空間を構成する溝部は形成されていない。しかし、上当接部材３１及び型セット１の両方が開空間を生じさせないような鏡面に加工されている場合を除き、開空間は存在し、よって、上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄは生じている。
【００５０】
減圧ポンプ３３は、例えば、各ステージにおいて加熱工程、加圧工程及び冷却工程が終了したときなどの当接解除工程を行う段階において、成形室３４内を減圧する。減圧ポンプ３４が減圧を行う期間は、上当接部材３１と上型２との当接状態を解除するときに成形室３４が減圧されていればよいが、当接状態を解除するときのみに成形室３４が減圧されるようにすることで光学素子の製造に影響を与えるのを抑えることができる。
【００５１】
以下、本実施形態の光学素子の製造方法について説明する。なお、製造装置３０の後述する動作は、図示しない制御部によって制御されている。
図５に示すように、光学素子材料５が収容された型セット１は、それぞれ１つ以上の加熱ステージ、加圧ステージ及び冷却ステージにおいて、各ステージの下当接部材２２上で、上型２に上当接部材３１が当接した状態で、加熱され（加熱工程）、加圧され（加圧工程）、又は、冷却され（冷却工程）、光学素子が製造される。
【００５２】
なお、単一のステージにおいて加熱工程、加圧工程及び冷却工程が行われる場合には、単一の下当接部材３２上で、例えば、上型２に上当接部材３１が当接した状態のまま、加熱工程、加圧工程及び冷却工程が行われる。
【００５３】
各ステージにおいて加熱工程、加圧工程又は冷却工程が例えば同一のタイミングで終了した後、減圧ポンプ３３は、成形室３４内を減圧する。これにより、上型２に加わる下向きのＰｄ及び気圧力Ｐｄ及び上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕの両方を小さくした後、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕが上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄと上型２の質量Ｍとの合計よりも小さいときに（即ち、「Ｐｄ＋Ｍ＞Ｐｕ」の関係を満たすときに）、上当接部材３１は、上記のシリンダ（当接解除手段）により上昇し、上当接部材３１の上型２との当接状態が解除される（当接解除工程）。なお、当接状態が解除された後には、その都度、成形室３４内を減圧前の状態に戻すようにするとよい。
【００５４】
以上説明した本実施形態においても、上述の第１実施形態及び第２実施形態と同様に、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕが上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄと上型２の質量Ｍとの合計よりも小さいときに（Ｐｄ＋Ｍ＞Ｐｕ）、上当接部材３１の上型２との当接状態が解除される（当接解除工程）。
【００５５】
そのため、本実施形態によっても、上述の第１実施形態及び第２実施形態と同様に、上型２と上当接部材３１との当接状態の解除を、上当接部材３１から上型２への熱伝導が阻害されるのを抑えながら確実に行うことができる。
【００５６】
また、本実施形態においては、当接解除工程では、減圧手段としての減圧ポンプ３３が、型セット１が配置される空間である成形室３４を減圧した後に、上当接部材３１の上型２との当接状態が解除される。これにより、上当接部材３１と上型２との当接面積が大きい状態で光学素子材料５の加熱、加圧、冷却等を行うことができるため、熱伝導性を良好に保つことができると共に、上型２と上当接部材３１との当接状態の解除を確実に行うことができる。更には、開空間を構成する溝部等を予め計算して上当接部材３１や上型２に加工する必要がなく、どのような型セット１にも対応させることができる。
【００５７】
なお、第３実施形態の減圧ポンプ（減圧手段）３３により減圧される成形室（型セットが配置される空間）に、第２実施形態の型セット駆動部（相対移動手段）２３を配置するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１ 型セット
２ 上型
２ａ ツバ部
２ｂ 凹成形面
２ｃ，２ｄ 溝部
３ 下型
３ａ ツバ部
３ｂ 凹成形面
４ スリーブ
５ 光学素子材料
１０ 光学素子の製造装置
１１ 上当接部材
１１ａ，１１ｂ 溝部
１２ 下当接部材
２０ 光学素子の製造装置
２１ 上当接部材
２１ａ 溝部
２２ 下当接部材
２３ 型セット駆動部
３０ 光学素子の製造装置
３１ 上当接部材
３２ 下当接部材
３３ 減圧ポンプ
３４ 成形室
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば熱可塑性部品である光学素子を製造する光学素子の製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、上型と下型とを有する型セットに収容した光学素子材料に、加熱、加圧及び冷却の各工程を行うことにより、光学素子を製造する手法が知られている。このように光学素子を製造する場合、上型に上当接部材を当接させた状態で各工程を行うと、上当接部材と上型とを離す際に上当接部材と上型とが離れず上型が上当接部材と共に持ち上がることがあった。
【０００３】
このように上型が持ち上がるのを防ぐために、特許文献１には、上当接部材である上側温度制御ブロックの上型との当接面に通気孔を設ける技術が記載されている。
また、上記特許文献１には、上記の通気孔が多孔質体のものである点、及び、上記の通気孔から流体を噴出させる点も記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２４２１５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１のように上当接部材（上側温度制御ブロック）に多孔質体を用いる場合、通気孔の面積が大きいと、上当接部材から上型への熱伝導領域が減ることになる。また、通気孔の面積が小さいと、上型と上当接部材との当接を解除できなくなる。更には、上記特許文献１のように通気孔から流体を噴出させる場合、上型に温度変化をもたらす。
【０００６】
本発明の目的は、上型と、これに当接する上当接部材との当接状態の解除を、上当接部材から上型への熱伝導が阻害されるのを抑えながら確実に行うことができる光学素子の製造方法及び製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光学素子の製造方法は、上型と下型とを有する型セットに収容される光学素子材料を加熱する加熱工程と、その後、上記光学素子材料を加圧する加圧工程と、その後、上記光学素子材料を冷却する冷却工程と、上記上型に当接可能な上当接部材の上記上型との当接状態を解除する当接解除工程と、を含み、上記加熱工程、上記加圧工程、及び、上記冷却工程のうち少なくとも１つの工程は、上記上型に上記上当接部材が当接した状態で行われ、上記当接解除工程では、上記上型に加わる上向きの気圧力がこの上型に加わる下向きの気圧力とこの上型の質量との合計よりも小さいときに、上記上当接部材の上記上型との当接状態を解除する。
【０００８】
また、上記光学素子の製造方法において、上記当接解除工程では、上記上型に加わる下向きの気圧力が高まる位置に上記上当接部材と上記上型とを当接状態のまま相対的に移動させた後に、上記上当接部材の上記上型との当接状態を解除するようにしてもよい。
【０００９】
また、上記光学素子の製造方法において、上記当接解除工程では、上記型セットが配置される空間を減圧した後に、上記上当接部材の上記上型との当接状態を解除するようにしてもよい。
【００１０】
本発明の光学素子の製造装置は、上型と下型とを有する型セットに収容される光学素子材料を加熱する加熱部と、上記光学素子材料を加圧する加圧部と、上記光学素子材料を冷却する冷却部と、を備え、上記加熱部、上記加圧部、及び、上記冷却部のうち少なくとも１つは、上記上型に当接可能な上当接部材を有し、上記上当接部材の上記上型との当接状態は、上記上型に加わる上向きの気圧力がこの上型に加わる下向きの気圧力とこの上型の質量との合計よりも小さいときに解除される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、上型と、これに当接する上当接部材との当接状態の解除を、上当接部材から上型への熱伝導が阻害されるのを抑えながら確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光学素子の製造装置を示す要部断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態の変形例に係る光学素子の製造装置を示す要部断面図である。
【図４Ａ】本発明の第２実施形態に係る光学素子の製造装置を示す要部断面図（その１）である。
【図４Ｂ】本発明の第２実施形態に係る光学素子の製造装置を示す要部断面図（その２）である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る光学素子の製造装置を示す要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態に係る光学素子の製造方法及び製造装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１４】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る光学素子の製造装置１０を示す要部断面図である。
図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。
【００１５】
図１に示す光学素子の製造装置（以下、単に「製造装置」と記す。）１０は、型セット１の上型２に当接可能な上当接部材１１と、型セット１の下型３に当接可能な下当接部材１２とを備える。
【００１６】
型セット１は、対向して配置された上型２及び下型３と、これら上型２及び下型３の周囲に配置されたスリーブ４とを有し、上型２と下型３との間に光学素子材料５を収容する。なお、光学素子材料５は、例えば、ガラス、プラスチックであり、製造される光学素子は、例えばレンズである。
【００１７】
上型２は、上端にツバ部２ａが形成された円柱形状を呈する。上型２の下端中央には、光学素子材料５に凸形状を転写する凹成形面２ｂが形成されている。
【００１８】
下型３は、下端にツバ部３ａが形成された円柱形状を呈する。下型３の上端中央には、光学素子材料５に凸形状を転写する凹成形面３ｂが形成されている。
【００１９】
スリーブ４は、円筒形状を呈し、上型２のツバ部２ａと下型３のツバ部３ａとの間に配置されている。上型２は、光学素子材料５の加圧時等において、スリーブ４の内周面を摺動する。
【００２０】
なお、製造装置１０が型セット１を加熱ステージ（加熱部）、加圧ステージ（加圧部）、冷却ステージ（冷却部）に順次移送しながら光学素子を製造する循環型の製造装置である場合には、上記の各ステージに図１に示す上当接部材１１及び下当接部材１２が配置される。但し、単一のステージが加熱部、加圧部及び冷却部を兼ねるようにしてもよい。
【００２１】
上当接部材１１及び下当接部材１２は、図示しない熱源を有する温度制御部材と型セット１との間に配置される例えば板状の部材であるが、上当接部材１１及び下当接部材１２自体が熱源を有することにより温度制御部材として機能するようにしてもよい。
【００２２】
上当接部材１１は、当接解除手段としての例えば図示しないシリンダにより上下動する。上当接部材１１の底面には、図２（図１のＡ−Ａ断面図）に示すように、型セット１と当接した状態（当接面積Ｓの網掛け部分）においても外部（型セット１が配置される空間である成形室）に連通する開空間を構成する溝部１１ａ，１２ａが形成されている。
【００２３】
なお、開空間としては、外部に連通するものであればよく、図３に示す変形例に係る製造装置１０´の上型２´上面に形成された溝部２ｃ，２ｄにより構成されるものであってもよい。
【００２４】
また、開空間としては、溝部のようなものではなく、上当接部材１１及び上型２のうち少なくとも一方の当接面に拡がる微小凹凸部（粗面）により構成されるものや、管状の気体の流路により構成されるものなどであってもよい。
【００２５】
開空間が、当接面に拡がる微小凹凸部により構成される場合には、上当接部材１１と上型２との当接領域が偏らず、上当接部材１１から上型２への熱伝導の際に熱分布が生じるのを抑えることができる。
【００２６】
以下、本実施形態の光学素子の製造方法について説明する。なお、製造装置１０の後述する動作は、図示しない制御部によって制御されている。
図１に示すように、光学素子材料５が収容された型セット１は、それぞれ１つ以上の加熱ステージ、加圧ステージ及び冷却ステージにおいて、各ステージの下当接部材１２上で、上型２に上当接部材１１が当接した状態で、光学素子材料５が加熱され（加熱工程）、加圧され（加圧工程）、又は、冷却され（冷却工程）、光学素子が製造される。なお、例えば加熱ステージなどの一部のステージにおいて上当接部材１１が上型２に当接しなくともよい。
【００２７】
なお、単一のステージにおいて加熱工程、加圧工程及び冷却工程が行われる場合には、単一の下当接部材１２上で、上型２に上当接部材１１が当接した状態のまま、加熱工程、加圧工程及び冷却工程が行われる。
【００２８】
各ステージにおいて加熱工程、加圧工程又は冷却工程が行われた後、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕが上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄと上型２の質量Ｍとの合計よりも小さいときに（即ち、「Ｐｄ＋Ｍ＞Ｐｕ」の関係を満たすときに）、上当接部材１１は、上記のシリンダ（当接解除手段）により上昇し、上当接部材１１の上型２との当接状態が解除される（当接解除工程）。
【００２９】
例えば、上型２の質量がＭ（＝０．１）［ｋｇｆ］、型セット１が配置される空間である成形室内の大気圧力がＰ［ｋｇ／ｍｍ２］、上型２と上当接プレート１１との当接面積がＳ［ｍｍ２］、上型２の直径φが３０［ｍｍ］であるとき、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕ（上型２の底面全面に大気圧が加わる場合である最大値）は「Ｐｕ＝１５×１５×π×Ｐ」で表すことができる。また、上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄは「Ｐｄ＝（１５×１５×π−Ｓ）×Ｐ」で表すことができる。
【００３０】
そのため、上述のように「Ｐｄ＋Ｍ＞Ｐｕ」の関係を満たすようにするためには、展開すると、「Ｍ＞Ｐｕ−Ｐｄ」、「Ｍ＞ＳＰ」、即ち「Ｓ＜（Ｍ／Ｐ）」の関係を満たす必要がある。そのため、この関係を満たすように、開空間を構成する溝部１１ａ，１１ｂが形成され、上型２と上当接プレート１１との当接面積Ｓが設定されればよい。
【００３１】
但し、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕを、厳密に、上型２の底面のうち光学素子材料５との接触面積を除いた面積に大気圧力を乗じて求める場合、上型２と光学素子材料５との接触面積が変動する。そのため、例えば、冷却ステージにおける当接解除工程の場合には、光学素子材料５と上型２との線膨張係数の違いによる冷却時の収縮差によって光学素子材料５と上型２との離型が進んで当接解除工程の段階で気圧力Ｐｕの値が大きくなっても、「Ｐｄ＋Ｍ＞Ｐｕ」の関係を満たすようにするなどの対応が必要である。
【００３２】
以上説明した本実施形態では、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕが上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄと上型２の質量Ｍとの合計よりも小さいときに（Ｐｄ＋Ｍ＞Ｐｕ）、上当接部材１１の上型２との当接状態が解除される（当接解除工程）。
【００３３】
そのため、上当接部材１１の上型２との当接面積を小さくすると、上当接部材１１から上型２への熱伝導領域が減ることになり、当接面積を大きくすると、上型２と上当接部材１１との当接を解除できなくなるが、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕが上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄと上型２の質量Ｍとの合計よりも小さいという判断を予め行うことにより、熱伝導性を考慮して例えば必要最低限の溝部１１ａ，１１ｂ（開空間）を上当接部材１１と上型２との間に形成することも可能となる。また、気圧力Ｐｄ，Ｐｕを条件とする判断を行うため、強制的に気体を供給して当接解除を行う場合のような、上型２への温度変化を生じさせなくともよい。
【００３４】
よって、本実施形態によれば、上型２と上当接部材１１との当接状態の解除を、上当接部材１１から上型２への熱伝導が阻害されるのを抑えながら確実に行うことができる。
【００３５】
＜第２実施形態＞
図４Ａ及び図４Ｂは、本発明の第２実施形態に係る光学素子の製造装置２０を示す要部断面図である。
【００３６】
本実施形態では、上述の第１実施形態と相違する点について主に説明し、重複する点については説明を一部省略する。
本実施形態の製造装置２０は、型セット１の上型２に当接可能な上当接部材２１と、型セット１の下型３に当接可能な下当接部材２２と、上当接部材２１と上型２とを当接状態のまま相対的に移動させる相対移動手段としての型セット駆動部２３とを備える。
【００３７】
本実施形態の上当接部材２１の底面には、型セット１と当接した状態においても外部（型セットが配置される空間である成形室）に連通する開空間を構成する溝部２１ａが形成されている。この溝部２１ａは、光学素子材料５の加熱、加圧、冷却等を行う際の型セット１（例えば、図４Ａに示す中央の位置）に対向しない位置（或いは部分的に対向している位置）として、例えば上当接部材２１の端部に形成されている。
【００３８】
なお、上当接部材２１及び型セット１の両方が開空間を生じさせないような鏡面に加工されている場合を除き、型セット１が上当接部材２１の溝部２１ａに対向していない状態、即ち、型セット１が上型２の上面全体に亘って上当接部材２１に当接していても、開空間は存在し、よって、上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄは生じている。
【００３９】
型セット駆動部２３は、上当接部材２１と下当接部材２２とにより挟持された状態の型セット１を、上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄが高まる位置、例えば、開空間を構成する溝部２１ａとの対向面積が増える位置へ水平方向に移動させる例えばサーボモータ等の駆動部である。
【００４０】
以下、本実施形態の光学素子の製造方法について説明する。なお、製造装置２０の後述する動作は、図示しない制御部によって制御されている。
図４Ａに示すように、光学素子材料５が収容された型セット１は、それぞれ１つ以上の加熱ステージ、加圧ステージ及び冷却ステージにおいて、各ステージの下当接部材２２上で、上型２に上当接部材２１が当接した状態で、加熱され（加熱工程）、加圧され（加圧工程）、又は、冷却され（冷却工程）、光学素子が製造される。
【００４１】
なお、単一のステージにおいて加熱工程、加圧工程及び冷却工程が行われる場合には、単一の下当接部材２２上で、例えば、上型２に上当接部材２１が当接した状態のまま、加熱工程、加圧工程及び冷却工程が行われる。
【００４２】
各ステージにおいて加熱工程、加圧工程又は冷却工程が行われた後、型セット駆動部２３は、型セット１を、加熱、加圧又は冷却を行う際の図４Ａに示す中央の位置から、図４Ｂに示すように、上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄが高まる位置、例えば、開空間を構成する溝部２１ａと対向する位置（対向面積が増える位置）に水平方向に移動させる。
【００４３】
このように型セット１を移動させることで上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄを大きくした後、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕが上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄと上型２の質量Ｍとの合計よりも小さいときに（即ち、「Ｐｄ＋Ｍ＞Ｐｕ」の関係を満たすときに）、上当接部材２１は、上記のシリンダ（当接解除手段）により上昇し、上当接部材２１の上型２との当接状態が解除される（当接解除工程）。
【００４４】
以上説明した本実施形態においても、上述の第１実施形態と同様に、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕが上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄと上型２の質量Ｍとの合計よりも小さいときに（Ｐｄ＋Ｍ＞Ｐｕ）、上当接部材２１の上型２との当接状態が解除される（当接解除工程）。
【００４５】
そのため、本実施形態によっても、上述の第１実施形態と同様に、上型２と上当接部材２１との当接状態の解除を、上当接部材２１から上型２への熱伝導が阻害されるのを抑えながら確実に行うことができる。
【００４６】
また、本実施形態においては、当接解除工程では、相対移動手段としての型セット駆動部２３が、上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄが高まる位置、例えば、開空間を構成する溝部２１ａとの対向面積が増える位置に、上当接部材２１と上型２とを当接状態のまま相対的に移動させた後に、上当接部材２１の上型２との当接状態が解除される。これにより、上当接部材２１と上型２との当接面積が大きい状態で光学素子材料５の加熱、加圧、冷却等を行うことができるため、熱伝導性を良好に保つことができると共に、上型２と上当接部材２１との当接状態の解除を確実に行うことができる。
【００４７】
＜第３実施形態＞
図５は、本発明の第３実施形態に係る光学素子の製造装置３０を示す要部断面図である。
本実施形態においても、上述の第１実施形態と相違する点について主に説明し、重複する点については説明を一部省略する。
本実施形態の製造装置３０は、型セット１の上型２に当接可能な上当接部材３１と、型セット１の下型３に当接可能な下当接部材３２と、型セット１が配置される空間である成形室３４を減圧する減圧手段としての減圧ポンプ３３とを備える。
【００４８】
なお、図５では、成形室３４内に上当接部材３１及び下当接部材３２を１つずつのみ図示しているが、製造装置３０が、型セット１を加熱ステージ（加圧部）、加圧ステージ（加圧部）、冷却ステージ（冷却部）に順次移送しながら光学素子を製造する循環型の製造装置である場合には、これらのステージが成形室３４に配置される。
【００４９】
本実施形態の上当接部材３１の底面には、上述の第１実施形態及び第２実施形態で述べたような、開空間を構成する溝部は形成されていない。しかし、上当接部材３１及び型セット１の両方が開空間を生じさせないような鏡面に加工されている場合を除き、開空間は存在し、よって、上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄは生じている。
【００５０】
減圧ポンプ３３は、例えば、各ステージにおいて加熱工程、加圧工程及び冷却工程が終了したときなどの当接解除工程を行う段階において、成形室３４内を減圧する。減圧ポンプ３４が減圧を行う期間は、上当接部材３１と上型２との当接状態を解除するときに成形室３４が減圧されていればよいが、当接状態を解除するときのみに成形室３４が減圧されるようにすることで光学素子の製造に影響を与えるのを抑えることができる。
【００５１】
以下、本実施形態の光学素子の製造方法について説明する。なお、製造装置３０の後述する動作は、図示しない制御部によって制御されている。
図５に示すように、光学素子材料５が収容された型セット１は、それぞれ１つ以上の加熱ステージ、加圧ステージ及び冷却ステージにおいて、各ステージの下当接部材２２上で、上型２に上当接部材３１が当接した状態で、加熱され（加熱工程）、加圧され（加圧工程）、又は、冷却され（冷却工程）、光学素子が製造される。
【００５２】
なお、単一のステージにおいて加熱工程、加圧工程及び冷却工程が行われる場合には、単一の下当接部材３２上で、例えば、上型２に上当接部材３１が当接した状態のまま、加熱工程、加圧工程及び冷却工程が行われる。
【００５３】
各ステージにおいて加熱工程、加圧工程又は冷却工程が例えば同一のタイミングで終了した後、減圧ポンプ３３は、成形室３４内を減圧する。これにより、上型２に加わる下向きのＰｄ及び気圧力Ｐｄ及び上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕの両方を小さくした後、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕが上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄと上型２の質量Ｍとの合計よりも小さいときに（即ち、「Ｐｄ＋Ｍ＞Ｐｕ」の関係を満たすときに）、上当接部材３１は、上記のシリンダ（当接解除手段）により上昇し、上当接部材３１の上型２との当接状態が解除される（当接解除工程）。なお、当接状態が解除された後には、その都度、成形室３４内を減圧前の状態に戻すようにするとよい。
【００５４】
以上説明した本実施形態においても、上述の第１実施形態及び第２実施形態と同様に、上型２に加わる上向きの気圧力Ｐｕが上型２に加わる下向きの気圧力Ｐｄと上型２の質量Ｍとの合計よりも小さいときに（Ｐｄ＋Ｍ＞Ｐｕ）、上当接部材３１の上型２との当接状態が解除される（当接解除工程）。
【００５５】
そのため、本実施形態によっても、上述の第１実施形態及び第２実施形態と同様に、上型２と上当接部材３１との当接状態の解除を、上当接部材３１から上型２への熱伝導が阻害されるのを抑えながら確実に行うことができる。
【００５６】
また、本実施形態においては、当接解除工程では、減圧手段としての減圧ポンプ３３が、型セット１が配置される空間である成形室３４を減圧した後に、上当接部材３１の上型２との当接状態が解除される。これにより、上当接部材３１と上型２との当接面積が大きい状態で光学素子材料５の加熱、加圧、冷却等を行うことができるため、熱伝導性を良好に保つことができると共に、上型２と上当接部材３１との当接状態の解除を確実に行うことができる。更には、開空間を構成する溝部等を予め計算して上当接部材３１や上型２に加工する必要がなく、どのような型セット１にも対応させることができる。
【００５７】
なお、第３実施形態の減圧ポンプ（減圧手段）３３により減圧される成形室（型セットが配置される空間）に、第２実施形態の型セット駆動部（相対移動手段）２３を配置するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１ 型セット
２ 上型
２ａ ツバ部
２ｂ 凹成形面
２ｃ，２ｄ 溝部
３ 下型
３ａ ツバ部
３ｂ 凹成形面
４ スリーブ
５ 光学素子材料
１０ 光学素子の製造装置
１１ 上当接部材
１１ａ，１１ｂ 溝部
１２ 下当接部材
２０ 光学素子の製造装置
２１ 上当接部材
２１ａ 溝部
２２ 下当接部材
２３ 型セット駆動部
３０ 光学素子の製造装置
３１ 上当接部材
３２ 下当接部材
３３ 減圧ポンプ
３４ 成形室
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上型と下型とを有する型セットに収容される光学素子材料を加熱する加熱工程と、
その後、前記光学素子材料を加圧する加圧工程と、
その後、前記光学素子材料を冷却する冷却工程と、
前記上型に当接可能な上当接部材の前記上型との当接状態を解除する当接解除工程と、を含み、
前記加熱工程、前記加圧工程、及び、前記冷却工程のうち少なくとも１つの工程は、前記上型に前記上当接部材が当接した状態で行われ、
前記当接解除工程では、前記上型に加わる上向きの気圧力が該上型に加わる下向きの気圧力と該上型の質量との合計よりも小さいときに、前記上当接部材の前記上型との当接状態を解除する、光学素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の光学素子の製造方法において、
前記当接解除工程では、前記上型に加わる下向きの気圧力が高まる位置に前記上当接部材と前記上型とを当接状態のまま相対的に移動させた後に、前記上当接部材の前記上型との当接状態を解除する、光学素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の光学素子の製造方法において、
前記当接解除工程では、前記型セットが配置される空間を減圧した後に、前記上当接部材の前記上型との当接状態を解除する、光学素子の製造方法。
【請求項４】
上型と下型とを有する型セットに収容される光学素子材料を加熱する加熱部と、
前記光学素子材料を加圧する加圧部と、
前記光学素子材料を冷却する冷却部と、を備え、
前記加熱部、前記加圧部、及び、前記冷却部のうち少なくとも１つは、前記上型に当接可能な上当接部材を有し、
前記上当接部材の前記上型との当接状態は、前記上型に加わる上向きの気圧力が該上型に加わる下向きの気圧力と該上型の質量との合計よりも小さいときに解除される、光学素子の製造装置。
【請求項１】
上型と下型とを有する型セットに収容される光学素子材料を加熱する加熱工程と、
その後、前記光学素子材料を加圧する加圧工程と、
その後、前記光学素子材料を冷却する冷却工程と、
前記上型に当接可能な上当接部材の前記上型との当接状態を解除する当接解除工程と、を含み、
前記加熱工程、前記加圧工程、及び、前記冷却工程のうち少なくとも１つの工程は、前記上型に前記上当接部材が当接した状態で行われ、
前記当接解除工程では、前記上型に加わる上向きの気圧力が該上型に加わる下向きの気圧力と該上型の質量との合計よりも小さいときに、前記上当接部材の前記上型との当接状態を解除する、光学素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の光学素子の製造方法において、
前記当接解除工程では、前記上型に加わる下向きの気圧力が高まる位置に前記上当接部材と前記上型とを当接状態のまま相対的に移動させた後に、前記上当接部材の前記上型との当接状態を解除する、光学素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の光学素子の製造方法において、
前記当接解除工程では、前記型セットが配置される空間を減圧した後に、前記上当接部材の前記上型との当接状態を解除する、光学素子の製造方法。
【請求項４】
上型と下型とを有する型セットに収容される光学素子材料を加熱する加熱部と、
前記光学素子材料を加圧する加圧部と、
前記光学素子材料を冷却する冷却部と、を備え、
前記加熱部、前記加圧部、及び、前記冷却部のうち少なくとも１つは、前記上型に当接可能な上当接部材を有し、
前記上当接部材の前記上型との当接状態は、前記上型に加わる上向きの気圧力が該上型に加わる下向きの気圧力と該上型の質量との合計よりも小さいときに解除される、光学素子の製造装置。
【図１】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図２】
【公開番号】特開２０１２−１２６６０９（Ｐ２０１２−１２６６０９Ａ）
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２７９６８８（Ｐ２０１０−２７９６８８）
【出願日】平成２２年１２月１５日（２０１０．１２．１５）
【出願人】（００００００３７６）オリンパス株式会社 (11,466)
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月１５日（２０１０．１２．１５）
【出願人】（００００００３７６）オリンパス株式会社 (11,466)
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