共晶接合構造およびその製法

【課題】微細な構造体同士を共晶反応によって接合する際の接合部付近の構造の破損が防止される共晶接合構造を提供する。
【解決手段】共晶接合構造は、支柱構造５０４と、金−シリコン共晶体５３６と、遮蔽構造５２６と、トーションバー支持部４０６から構成されている。支柱構造５０４の上面にはトーションバー支持部４０６が金−シリコン共晶体５３６によって接合されている。遮蔽構造５２６は、金−シリコン共晶体５３６の周囲を囲むように形成されている。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共晶接合構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開平９−１５９９３７号公報には、微小ミラーを備えた光変調装置が開示されており、その変形例として、シリコンで構成される２枚の基板を共晶接合によって接合することによる光変調素子の形成が記載されている。この光変調装置は、図１３に示すように、シリコン製の微小ミラー１０２とトーションバー１０４、シリコン製の電極基板２００に突出形成された支柱構造２０４などから構成されている。
【０００３】
微小ミラー１０２はトーションバー１０４に支えられており、そのトーションバー１０４の一部が、シリコン製の電極基板２００に突出形成された支柱構造２０４と共晶接合されている。
【０００４】
図１３に示される光変調素子の製法の詳細は記載されていないが、一般には図１４〜図１７の断面図に示される製法が採用される。
【０００５】
まず、電極基板とミラー基板を作製する。電極基板２００は、図１４に示すように、支持基板２０２と、支柱構造２０４と、その上面に形成された金膜２３２から構成される。これらの構成要素の他に電極や絶縁膜等が支持基板２０２の表面に形成されるが、ここでは省略している。支柱構造２０４はシリコン基板を加工することにより形成される。
【０００６】
ミラー基板１００は、図１５に示すように、微小ミラー１０２とトーションバー１０４から構成される。これらの構成要素は、ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の活性層を加工することにより形成される。支持層１１４やＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄｏｘｉｄｅ）層１１６はミラー基板１００の支持のため除去せずに残しておく。
【０００７】
次に、図１６に示すように、図１４および図１５に示される電極基板２００とミラー基板１００を対向させて位置合わせをおこない、トーションバー１０４を金膜２３２に接触させた状態で加熱する。その結果、支柱構造２０４やトーションバー１０４を構成するシリコンと、これらに接する金膜２３２が共晶体を形成することにより、トーションバー１０４の一部が支柱構造２０４の上面に固定される。
【０００８】
最後に、支持層１１４とＢＯＸ層１１６を除去することにより、図１３に示した光変調装置が完成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平９−１５９９３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図１６において、シリコンと金の共晶体が形成される際に、支柱構造２０４を構成するシリコンの一部が共晶体に供給されるために消失することに加え、共晶体の融点が共晶反応に必要な温度よりも低いために共晶体が液状になり、その結果、図１７に示すように、共晶体２３６が支柱構造２０４の上面から流れ出してしまい、支柱構造２０４やトーションバー１０４等のシリコンで構成された構造が破損することがある。
【００１１】
本発明は、このような実状に鑑みなされたもので、微細な構造体同士を共晶反応によって接合する際の接合部付近の構造の破損が防止される共晶接合構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、第１の構造体と第２の構造体が、該第１および第２の構造体のうちの少なくとも一方を構成する材料を含む共晶体によって接合された接合構造において、前記共晶体の周囲に遮蔽構造が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、微細な構造体同士を共晶反応によって接合する際の接合部付近の構造の破損が防止される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施の形態に係る共晶接合構造を説明する斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図３Ａ】第１の実施の形態に係る電極基板の作製の最初の工程を示している。
【図３Ｂ】第１の実施の形態に係る電極基板の作製の図３Ａに続く工程を示している。
【図３Ｃ】第１の実施の形態に係る電極基板の作製の図３Ｂに続く工程を示している。
【図３Ｄ】第１の実施の形態に係る電極基板の作製の図３Ｃに続く工程を示している。
【図３Ｅ】第１の実施の形態に係る電極基板の作製の図３Ｄに続く工程を示している。
【図３Ｆ】第１の実施の形態に係る電極基板の作製の最後の工程を示している。
【図４】第１の実施の形態に係るミラー基板の作製の工程を示している。
【図５Ａ】第１の実施の形態に係る共晶接合構造の作製の最初の工程を示している。
【図５Ｂ】第１の実施の形態に係る共晶接合構造の作製の最後の工程を示している。
【図６】第１の実施の形態に係る共晶接合構造の変形例を示している。
【図７Ａ】図６に示された遮蔽構造の作製の最初の工程を示している。
【図７Ｂ】図６に示された遮蔽構造の作製の図７Ａに続く工程を示している。
【図８】第１の実施の形態に係る共晶接合構造の別の変形例を示している。
【図９Ａ】第２の実施の形態に係る電極基板の作製の最初の工程を示している。
【図９Ｂ】第２の実施の形態に係る電極基板の作製の最後の工程を示している。
【図１０Ａ】第２の実施の形態に係るミラー基板の作製の最初の工程を示している。
【図１０Ｂ】第２の実施の形態に係るミラー基板の作製の図１０Ａに続く工程を示している。
【図１０Ｃ】第２の実施の形態に係るミラー基板の作製の図１０Ｂに続く工程を示している。
【図１０Ｄ】第２の実施の形態に係るミラー基板の作製の図１０Ｃに続く工程を示している。
【図１０Ｅ】第２の実施の形態に係るミラー基板の作製の図１０Ｄに続く工程を示している。
【図１１Ａ】第２の実施の形態に係る共晶接合構造の作製の最初の工程を示している。
【図１１Ｂ】第２の実施の形態に係る共晶接合構造の作製の図１１Ａに続く工程を示している。
【図１１Ｃ】第２の実施の形態に係る共晶接合構造の作製の最後の工程を示している。
【図１２】第２の実施の形態に係る共晶接合構造の変形例を示している。
【図１３】従来例に係る共晶接合を利用して作製された光変調装置の斜視図である。
【図１４】従来例に係る電極基板の作製の工程を示している。
【図１５】従来例に係るミラー基板の作製の工程を示している。
【図１６】従来例に係る共晶接合構造の作製の工程を示している。
【図１７】従来例に係る共晶接合構造の作製の課題を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照しながら実施の形態について説明する。
【００１６】
［第１の実施の形態］
図１は、第１の実施の形態に係る共晶接合構造を説明する斜視図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００１７】
第１の実施の形態に係る共晶接合構造は、図１と図２に示すように、第１の構造体としての支柱構造５０４と、共晶体としての金−シリコン共晶体５３６と、遮蔽構造５２６と、第２の構造体としてのトーションバー支持部４０６から構成されている。
【００１８】
支柱構造５０４は、支持基板５０２から突出して形成されている。支柱構造５０４の上面にはトーションバー支持部４０６が金−シリコン共晶体５３６によって接合されており、さらに遮蔽構造５２６が、金−シリコン共晶体５３６の周囲を囲むように形成されている。トーションバー支持部４０６にはトーションバー４０４の一端が接続されており、トーションバー４０４の他端には微小ミラー４０２が接続されている。また支持基板５０２の表面には、微小ミラー４０２に対向する位置に駆動電極５０６が、さらにそれに接続された配線（図示せず）が、絶縁膜５０８を介して形成されている。
【００１９】
支柱構造５０４とトーションバー支持部４０６とトーションバー４０４と支持基板５０２と駆動電極５０６は光変調素子を構成する。
【００２０】
以下、支持基板５０２と支柱構造５０４と遮蔽構造５２６を含む構造体を電極基板５００と呼称し、トーションバー支持部４０６とトーションバー４０４と微小ミラー４０２を含む構造体をミラー基板４００と呼称する。
【００２１】
遮蔽構造５２６は、図１と図２に示す共晶接合構造を製造する際に、支柱構造５０４の形状の変動を防止する機能を有する。これについて、以下、詳細に説明する。
【００２２】
図３Ａ〜図３Ｆ，図４，図５Ａ〜図５Ｂは、この実施の形態に係る共晶接合構造の製法を説明する図である。図３Ａ〜図３Ｆは、電極基板５００の作製の工程を示し、図４は、ミラー基板４００の作製の工程を示し、図５Ａ〜図５Ｂは、図３Ａ〜図３Ｆと図４の工程を経て作製された２つの構造体の共晶接合の工程を示している。
【００２３】
まず、図３Ａに示すように、シリコン基板５１０を熱酸化することによりシリコン酸化膜５２２，５２４を形成する。シリコン酸化膜５２２，５２４の膜厚は例えば１μｍ程度である。
【００２４】
次に、図３Ｂに示すように、シリコン酸化膜５２２の表面にフォトレジスト５４２を形成した後、ＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）等の方法によって、シリコン酸化膜５２２の不要な部分を除去することにより遮蔽構造５２６を形成する。
【００２５】
次に、フォトレジスト５４２を除去した後、シリコン基板５１０の同じ面に、図３Ｃに示すように、共晶前駆体としての金膜５３２を真空蒸着法等の手法により形成する。金膜５３２の膜厚は、遮蔽構造５２６と同等に、またはそれよりも厚く形成する。
【００２６】
次に、図３Ｄに示すように、金膜５３２の表面にフォトレジスト５４４を形成した後、ヨウ化カリウムなどの薬液を使用してウェットエッチングをおこなうことにより、金膜５３２の不要な部分を除去する。金膜５３４は、その周囲が遮蔽構造５２６に囲まれるように形成する。
【００２７】
次に、フォトレジスト５４４を除去した後、図３Ｅに示すように、シリコン基板５１０のうち遮蔽構造５２６と金膜５３４を含む領域にフォトレジスト５４６を形成した後、ＤｅｅｐＲＩＥ等の方法を使用してシリコン基板５１０の一部を除去することにより、上面に遮蔽構造５２６や金膜５３４が形成された支柱構造５０４を形成する。支柱構造５０４の高さは、例えば１０〜１００μｍ程度である。
【００２８】
次に、フォトレジスト５４６を除去した後、図３Ｆに示すように、シリコン基板５１０の表面に絶縁膜５０８を形成する。さらに、絶縁膜５０８の表面に駆動電極５０６やそれに接続された配線（図示せず）を形成することにより、電極基板５００が完成する。
【００２９】
続いて、図４に示すように、ミラー基板４００を作製する。この製法は従来例と同じであり、ＳＯＩ基板４１０の活性層４１２の表面にフォトレジスト等を形成した後、フォトレジストで被覆されていない部分をＤｅｅｐＲＩＥ等の方法で除去することにより、ミラー基板４００の構成要素である微小ミラー４０２やトーションバー４０４、トーションバー支持部４０６を形成する。ＳＯＩ基板４１０の支持層４１４やＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄｏｘｉｄｅ）４１６は除去せずに残しておく。
【００３０】
続いて、図５Ａに示すように、電極基板５００とミラー基板４００を対向させて位置合わせをおこない、支柱構造５０４の上面に形成されている金膜５３４をトーションバー支持部４０６の表面に接触させる。
【００３１】
この状態で、シリコンと金の共晶点である３７０℃に、またはそれよりも高い温度に加熱する。これにより、トーションバー支持部４０６や支柱構造５０４を構成するシリコンと金膜５３４との間に共晶反応が起こり、図５Ｂに示すように、金−シリコン共晶体５３６が形成される。ここで、遮蔽構造５２６が金の拡散や共晶反応の進行を遮蔽することにより、金−シリコン共晶体５３６の支柱構造５０４の外周部への拡がりが抑制される。
【００３２】
トーションバー支持部４０６には遮蔽構造が形成されていないが、通常、こちら側には共晶反応は急激には進行しない。これは、支柱構造５０４が金膜５３４に完全に密着しているのに対して、トーションバー支持部４０６は金膜５３４に接しているだけであり、両者の間に微細な隙間が多数存在することによるものと推測される。
【００３３】
金膜５３４が全て金−シリコン共晶体５３６に変化した時点で室温に戻す。その結果、金−シリコン共晶体５３６によってトーションバー支持部４０６が支柱構造５０４に固定される。
【００３４】
最後に、ＤｅｅｐＲＩＥ等の方法によって支持層４１４を除去した後、ＲＩＥ等の方法でＢＯＸ４１６を除去することにより、図２に示した共晶接合構造が完成する。
【００３５】
この実施の形態においては、遮蔽構造５２６が、金−シリコン共晶体５３６の広がりを抑制することにより、共晶形成に起因する支柱構造５０４の破損が防止される。
【００３６】
この実施の形態は、発明の要旨を逸脱しない範囲内において様々に変形されてよい。
【００３７】
まず、電極基板５００を作製した後にミラー基板４００を作製する例を示したが、電極基板５００とミラー基板４００の作製順を逆にしても、両者の作製を並行して進めてもよい。
【００３８】
また、シリコン酸化膜５２２，５２４を形成する方法として、熱酸化を採用する例を示したが、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等、他の方法を用いてもよい。
【００３９】
また、シリコン酸化膜５２２，５２４やＢＯＸ層４１６の除去方法としてＲＩＥを採用する例を示したが、フッ酸によるウェットエッチング法等、他の方法を採用してもよい。
【００４０】
また、金膜５３４の成膜方法として真空蒸着法を採用する例を示したが、スパッタ法や印刷法等、他の方法を採用してもよい。
【００４１】
また、金膜の成膜の際に、基板にステンシルマスクを装着した状態で成膜を行うことにより、金膜を必要な部位のみに選択的に形成してもよい。
【００４２】
また、金膜５３４の除去方法としてヨウ化カリウム液によるウェットエッチング法を採用する例を示したが、スパッタエッチング等、他の方法を採用してもよい。またシリコン基板やＳＯＩ基板の加工方法としてＤｅｅｐＲＩＥを採用する例を示したが、ＫＯＨやＴＭＡＨなどを用いたアルカリ異方性ウェットエッチングを採用してもよい。その場合、フォトレジストの代わりにシリコン窒化膜等から構成されるエッチングマスクを使用する。また、支持層４１４の除去方法としてＤｅｅｐＲＩＥを採用する例を示したが、ＫＯＨやＴＭＡＨなどを用いたアルカリ異方性ウェットエッチングを採用してもよく、さらに機械研磨等の手法を併用してもよい。
【００４３】
また、支柱構造５０４上面の面積が小さい等の理由で遮蔽構造５２６を形成する領域の確保が困難な場合、図６に示すように、遮蔽構造５２６の内周端に沿って、支柱構造５０４の表面から内部にわたってシリコン酸化膜から構成される壁５５４を形成してもよい。壁５５４の形成方法は、例えば、図３Ａに示される工程の前に、図７Ａに示すように、シリコン基板５１０の表面に溝５５２をＤｅｅｐＲＩＥ等の方法で形成した後、熱酸化をおこなう。これにより、図７Ｂに示されるように、溝５５２の内部に酸化膜が成長し、シリコン酸化膜５２２，５２４と壁５５４が同時に形成される。
【００４４】
さらに、図２や図６において、金膜５３４の一部が、金−シリコン共晶体５３６に変化せずに金膜５３４のままの状態で残留してもよい。
【００４５】
また、遮蔽構造５２６の材料としてシリコン酸化膜を採用する例を示したが、共晶の成長を遮蔽することが可能な材料であればシリコン窒化膜等、他の材料を採用してもよい。
【００４６】
また、シリコンから構成される支柱構造５０４やトーションバー支持部４０６を、金膜との共晶反応によって接合する例を示したが、共晶反応を起こす組合せであれば支柱構造５０４やトーションバー支持部４０６にシリコン以外の材料を採用してもよいし、共晶前駆体として金膜の代わりに他の材料を採用してもよい。
【００４７】
また、図６に示される工程において、金−シリコン共晶体５３６がトーションバー支持部４０６側にも急速に成長する場合には、図８に示すように、シリコン酸化膜から構成される遮蔽構造４２６をさらにトーションバー支持部４０６の表面に形成してもよい。遮蔽構造４２６は、金膜５３４の周囲を取り囲むように配置される。遮蔽構造４２６は、第２の実施の形態に記載されている遮蔽構造８２６と同様の方法によって形成され得る。またこの場合、金膜５３４の厚さは、遮蔽構造５２６と遮蔽構造４２６の厚さを合計した値と同等に、またはそれよりも厚い値に設定する。
【００４８】
さらに、支柱構造５０４とトーションバー支持部４０６の接合を例に挙げて説明したが、接合される対象物の形状や組み合わせはこれに限定されず、この実施の形態は、支柱構造同士または支柱構造と大面積の平板間の接合、壁状の構造と平板構造の接合等、あらゆる形状や組み合わせに対して適用され得る。
【００４９】
［第２の実施の形態］
図９Ａ〜図９Ｂ，図１０Ａ〜図１０Ｅ，図１１Ａ〜図１１Ｃは、第２の実施の形態に係る共晶接合構造の製法を説明する図である。図９Ａ〜図９Ｂは、第１の実施の形態の電極基板５００に代替可能な別の電極基板の作製の工程を示している。図１０Ａ〜図１０Ｅは、第１の実施の形態のミラー基板４００に代替可能な別のミラー基板の作製の工程を示している。図１１Ａ〜図１１Ｃは、図９Ａ〜図９Ｂと図１０Ａ〜図１０Ｅの工程を経て作製された２つの構造体の共晶接合の工程を示している。
【００５０】
まず、図９Ａに示すように、シリコン基板９１０の表面にフォトレジスト９４２を形成した後、ＤｅｅｐＲＩＥ等の方法を使用してシリコン基板９１０の一部を除去することにより、支柱構造９０４を形成する。支柱構造９０４の高さは、例えば１０〜１００μｍ程度である。
【００５１】
次に、フォトレジスト９４２を除去した後、図９Ｂに示すように、シリコン基板９１０のうち支柱構造９０４を除く部分に絶縁膜９０８を形成する。さらに、絶縁膜９０８の表面に駆動電極９０６やそれに接続される配線（図示せず）を形成することにより、電極基板９００が完成する。
【００５２】
続いて、図１０Ａに示すように、ＳＯＩ基板８１０を熱酸化することによりシリコン酸化膜８２２，８２４を形成する。膜厚は例えば１μｍ程度である。
【００５３】
次に、図１０Ｂに示すように、ＳＯＩ基板８１０の活性層８１２の表面にフォトレジスト８４２を形成した後、ＲＩＥ等の方法によってシリコン酸化膜８２２の不要な部分を除去することにより、遮蔽構造８２６を形成する。
【００５４】
次に、フォトレジスト８４２を除去した後、図１０Ｃに示すように、活性層８１２の表面に共晶前駆体としての金膜８３２を真空蒸着法等の方法により形成する。金膜８３２は、その周囲が遮蔽構造８２６に囲まれるように形成する。金膜８３２の膜厚は、遮蔽構造８２６と同等に、またはそれよりも厚く形成する。
【００５５】
次に、図１０Ｄに示すように、金膜８３２の表面にフォトレジスト８４４を形成した後、ヨウ化カリウムなどの薬液を使用してウェットエッチングをおこなうことにより、金膜８３２の不要な部分を除去する。
【００５６】
次に、フォトレジスト８４４を除去した後、図１０Ｅに示すように、活性層８１２の表面にフォトレジスト８４６を形成した後、ＤｅｅｐＲＩＥ等の方法を使用して活性層８１２の一部を除去することにより、微小ミラー８０２とトーションバー８０４とトーションバー支持部８０６を形成する。ＳＯＩ基板８１０の支持層８１４やＢＯＸ層８１６は除去せずに残しておく。
【００５７】
続いて、図１１Ａに示すように、電極基板９００とミラー基板８００を対向させて位置合わせをおこない、トーションバー支持部８０６の表面に形成されている金膜８３２を支柱構造９０４の上面に接触させる。
【００５８】
この状態で、シリコンと金の共晶点である３７０℃に、またはそれよりも高い温度に加熱する。これにより、トーションバー支持部８０６や支柱構造９０４を構成するシリコンと金膜８３４との間に共晶反応が起こり、図１１Ｂに示すように、金−シリコン共晶体８３６が形成される。ここで、遮蔽構造８２６が金の拡散や共晶反応の進行を遮蔽することにより、金−シリコン共晶体８３６のトーションバー支持部８０６周辺への拡がりが抑制される。
【００５９】
支柱構造９０４には遮蔽構造が形成されていないが、金膜８３４をトーションバー支持部８０６表面に形成して共晶接合を行う場合、支柱構造９０４側には共晶反応は急激には進行しないため、問題は実質的に発生しない。
【００６０】
金膜８３４が全て金−シリコン共晶体８３６に変化した時点で室温に戻す。その結果、金−シリコン共晶体８３６によってトーションバー支持部８０６が支柱構造９０４に固定される。
【００６１】
最後に、ＤｅｅｐＲＩＥ等の方法によって支持層８１４を除去した後、ＲＩＥ等の方法によってＢＯＸ層８１６を除去してミラー基板８００を完成させることにより、図１１Ｃに示すように、第１の実施の形態の図２に示したものとほぼ同一の共晶接合構造が完成する。
【００６２】
この実施の形態においては、遮蔽構造８２６が金−シリコン共晶体８３６の広がりを抑制することにより、共晶形成に起因するトーションバー支持部８０６周辺の微細構造の破損が防止される。
【００６３】
この実施の形態は、発明の要旨を逸脱しない範囲内において様々に変形されてよい。
【００６４】
まず、電極基板９００を作製した後にミラー基板８００を作製する例を示したが、電極基板９００とミラー基板８００の作製順を逆にしても、両者の作製を並行して進めてもよい。
【００６５】
また、シリコン酸化膜８２２，８２４の形成および除去の方法、ＢＯＸ層８１６の除去方法、金膜８３４の形成および除去の方法、活性層８１２の加工方法、支柱構造９０４の形成方法、支持層８１４の除去方法、および遮蔽構造８２６や金膜８３４、支柱構造９０４、トーションバー支持部８０６の材料として、第１の実施の形態と同様な変形例が適用可能である。
【００６６】
また、支柱構造９０４とトーションバー支持部８０６の接合を例に挙げて説明したが、接合される対象物の形状や組み合わせはこれに限定されず、この実施の形態も、第１の実施の形態と同様に、あらゆる形状や組み合わせに対して適用され得る。
【００６７】
また、図１１Ｂにおいて、金膜８３４の一部が、金−シリコン共晶体８３６に変化せずに金膜８３４のままの状態で残留してもよい。
【００６８】
また、トーションバー支持部８０６の面積が小さい等の理由で遮蔽構造８２６を形成する領域の確保が困難な場合、図１２に示すように、トーションバー支持部８０６の表面から内部にわたってシリコン酸化膜から構成される壁９２５を形成してもよい。壁９２５の形成方法は、例えば、図１０Ａに示される工程の前に、活性層８１２の表面に溝を形成した後、熱酸化を行うことにより形成される。
【００６９】
また、図８に示される第１の実施形態で作製された電極基板５００と、この実施の形態で作製されたミラー基板８００とを接合した、シリコン酸化膜が両方の基板に形成されている形態であってもよい。
【００７０】
また、図１１Ｂに示される工程において、金−シリコン共晶体８３６が支柱構造９０４側にも急速に成長する場合には、さらに第１の実施の形態に記載されている遮蔽構造５２６や壁５５４を支柱構造９０４の表面や内部に形成してもよい。この場合、金膜８３４の厚さは、遮蔽構造８２６と遮蔽構造５２６の厚さを合計した値と同等に、またはそれよりも厚い値に設定する。
【００７１】
これまで、図面を参照しながら実施の形態を述べたが、発明は、これらの実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において様々な変形や変更が施されてもよい。ここにいう様々な変形や変更は、上述した実施の形態を適当に組み合わせた実施も含む。
【符号の説明】
【００７２】
１００…ミラー基板、１０２…微小ミラー、１０４…トーションバー、１１４…支持層、１１６…ＢＯＸ層、２００…電極基板、２０２…支持基板、２０４…支柱構造、２３２…金膜、２３６…共晶体、４００…ミラー基板、４０２…微小ミラー、４０４…トーションバー、４０６…トーションバー支持部、４１０…ＳＯＩ基板、４１２…活性層、４１４…支持層、４１６…ＢＯＸ層、４２６…遮蔽構造、５００…電極基板、５０２…支持基板、５０４…支柱構造、５０６…駆動電極、５０８…絶縁膜、５１０…シリコン基板、５２２，５２４…シリコン酸化膜、５２６…遮蔽構造、５３２，５３４…金膜、５３６…金−シリコン共晶体、５４２，５４４，５４６…フォトレジスト、５５２…溝、５５４…壁、８００…ミラー基板、８０２…微小ミラー、８０４…トーションバー、８０６…トーションバー支持部、８１０…ＳＯＩ基板、８１２…活性層、８１４…支持層、８１６…ＢＯＸ層、８２２，８２４…シリコン酸化膜、８２６…遮蔽構造、８３２，８３４…金膜、８３６…金−シリコン共晶体、８４２，８４４，８４６…フォトレジスト、９００…電極基板、９０４…支柱構造、９０６…駆動電極、９０８…絶縁膜、９１０…シリコン基板、９２５…壁、９４２…フォトレジスト。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の構造体と第２の構造体が、該第１および第２の構造体のうちの少なくとも一方を構成する材料を含む共晶体によって接合された接合構造において、前記共晶体の周囲を囲むように遮蔽構造が形成されていることを特徴とする共晶接合構造。
【請求項２】
前記遮蔽構造が、前記第１および第２の構造体のうちの一方または両方の表面に形成された部分を有することを特徴とする、請求項１に記載の共晶接合構造。
【請求項３】
前記遮蔽構造が、前記第１および第２の構造体のうちの一方または両方の表面から内部にわたって形成された壁をさらに有することを特徴とする、請求項２に記載の共晶接合構造。
【請求項４】
前記第１および第２の構造体のうちの少なくとも一方が支柱構造または壁状の構造であることを特徴とする、請求項１〜３に記載の共晶接合構造。
【請求項５】
第１の構造体と第２の構造体が、該第１および第２の構造体のうちの少なくとも一方を構成する材料を含む共晶体によって接合される共晶接合構造の製造方法において、
前記第１および第２の構造体を形成する工程と、
前記第１および第２の構造体のうちの一方または両方に遮蔽構造を形成する工程と、
前記第１および第２の構造体のいずれか一方の表面に共晶前駆体を形成する工程と、
前記第１の構造体と前記第２の構造体を前記共晶前駆体を介して接触させ、前記共晶前駆体が前記遮蔽構造に囲まれた状態で加熱することにより、前記第１および第２の構造体のうちの少なくとも一方と前記共晶前駆体を共晶体に変化させる工程とを有することを特徴とする、共晶接合構造の製造方法。
【請求項６】
前記共晶前駆体を、前記遮蔽構造が形成された前記第１および第２の構造体のいずれか一方の表面に、その周囲が前記遮蔽構造に囲まれるように形成することを特徴とする、請求項５に記載の製造方法。

【図１】