劣化判定装置及び該劣化判定装置を装備した検査装置
【課題】光学部品などが不純物に晒される前にケミカルフィルタなどの不純物除去部材の劣化度を判定することが出来る劣化判定装置を提供すること。
【解決手段】光源（短波長光源２８）からの光を誘導する光誘導部（ハーフミラー１１）と、前記光誘導部から誘導された光の照射下で、所望の雰囲気以外の不純物に晒される劣化判定部材（ターゲット板１２）と、前記劣化判定部材の劣化度を監視するモニター部（光電センサ１４、モニター部１６）と、を備える。
【解決手段】光源（短波長光源２８）からの光を誘導する光誘導部（ハーフミラー１１）と、前記光誘導部から誘導された光の照射下で、所望の雰囲気以外の不純物に晒される劣化判定部材（ターゲット板１２）と、前記劣化判定部材の劣化度を監視するモニター部（光電センサ１４、モニター部１６）と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、ケミカルフィルタなどの不純物除去部材の劣化度を判定する劣化判定装置及び該劣化判定装置を装備した検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハや液晶表示用ガラス基板などの検査では雰囲気中の化学物質の存在が問題となる。例えば、ウェハなどの検査に際して、雰囲気中に化学物質（有機化合物、アルカリ、酸など）が存在していると、検査用の光源の光により光学系を構成するガラス光学部品に化学物質が結晶化し、曇りを発生して光学性能を劣化させる。例えば、光学部品がレンズの場合には透過率を低下させ、またミラーの場合には反射率を低下させる。特に、ウェハに形成する回路パターンの微細化により検査に使用する光源の光の波長も短波長化してこれにともない化学物質が光学部品に付着する傾向が大きくなっている。
【０００３】
このため、有機化合物、アルカリ、酸などの化学物質による汚染を防止するためケミカルフィルタにより雰囲気中の化学物質を除去しているが、ケミカルフィルタを長期間使用していると、化学物質の吸着率（除去率）が低下するので、この吸着率（除去率）が低下した時点で新品のケミカルフィルタと交換する必要がある。
【０００４】
ケミカルフィルタの交換時期を正確に把握しておくことは重要である。ケミカルフィルタの交換時期を判定する方法、装置として、例えば、ケミカルフィルタの上流及び下流に除去対象成分の濃度を測定するケミカルセンサをそれぞれ設置しておき、上流側のケミカルセンサの測定値と下流側のケミカルセンサの測定値とが一致した時期をケミカルフィルタの交換時期と判定することが提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１６２３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上述した方法、装置では、ケミカルフィルタの上流及び下流にそれぞれケミカルセンサを配置するので、コスト高になることが避けられない。
【０００７】
また、上流側のケミカルセンサの測定値と下流側のケミカルセンサの測定値とが一致することは、ケミカルフィルタが劣化して機能しなくなったことを意味する。換言すると、ケミカルフィルタで除去されない化学物質に晒される事態が生じてはじめてケミカルフィルタの交換時期と判定している。半導体ウェハの検査装置などではそれを構成する光学部品が化学物質に晒されると、光学性能が劣化して廃棄しなければならない事態に至ることがある。
【０００８】
このような事情から、通常、ケミカルフィルタの吸着率（除去率）の低下が大きくなる前に、ある程度余裕をもって、定期的にケミカルフィルタを交換しているが、コストがかかることが指摘されている。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、コストが嵩まずにケミカルフィルタなどの不純物除去部材の劣化度を判定することが出来る劣化判定装置及び該劣化判定装置を装備した検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成する本発明の請求項１に記載の劣化判定装置は、光源からの光を誘導する光誘導部と、設置した状態で使用部位を更新可能なフィルタを介して清浄化された気体を前記光誘導部が配置された空間に供給する気体供給部と、前記光誘導部により誘導された光の照射下で、所望の雰囲気以外の不純物に晒される劣化判定部材と、前記劣化判定部材の劣化度を監視するモニター部と、を備えてなることを特徴とする。
【００１１】
本発明の請求項２に記載の劣化判定装置は、前記使用部位の変更または再生によって行われる。
【００１２】
本発明の請求項３に記載の劣化判定装置は、光源からの光を誘導する光誘導部と、前記光誘導部の配置された空間に集塵手段及びフィルタを介して清浄化された気体を供給する気体供給部と、前記集塵手段を構成する、帯電した不活性ガスを前記気体に含まれる不純物に吹き付けて不純物を帯電させるか、或いは不純物を含む前記気体を帯電した不活性ガス雰囲気中を通過させることにより不純物を帯電させる帯電機構と、前記帯電させた不純物を引き寄せるために逆極性に帯電させた集塵機構と、前記光誘導部により誘導された光の照射下で、所望の雰囲気以外の不純物に晒される劣化判定部材と、前記劣化判定部材の劣化度を監視するモニター部と、を備えてなることを特徴とする。
【００１３】
本発明の請求項４に記載の劣化判定装置は、前記光誘導部が前記光の集光部を備えることを特徴とする。
【００１４】
本発明の請求項５に記載の劣化判定装置は、前記劣化判定部材が前記フィルタの劣化度を示すことを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項６に記載の劣化度判定装置は、前記劣化判定部材が光学部品で、前記モニター部が前記光学部品の光透過率又は反射率を監視することを特徴とする。
【００１６】
本発明の請求項７に記載の劣化判定装置は、前記光源が光学系の光源で、前記光誘導部により前記劣化判定部材に誘導される光が前記光源から前記光学系へ導入される光の一部で、前記集光部が前記劣化判定部材への単位面積当たりの光の照射量が前記光学系への単位面積当たりの光の照射量よりも多くなるように、前記劣化判定部材に誘導された光を集光することを特徴とする。
【００１７】
本発明の請求項８に記載の劣化判定装置は、光源の光を反射するとともに光学系に入射する光を遮断する光遮断部と、設置した状態で使用部位を変更可能なフィルタを介して清浄化された気体を前記光遮断部が配置された空間に供給する気体供給部と、前記光遮断部により誘導された光の照射下で、所望の雰囲気以外の不純物に晒される劣化判定部材と、前記劣化判定部材の劣化度を監視するモニター部と、を備えてなることを特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項９に記載の検査装置は、 光学系を介して被検物に光を照射して検査する装置であって、前記光学系が所望清浄度の雰囲気となるように不純物を除去するフィルタと、前記光学系と同じ雰囲気中に配置される、前記フィルタの劣化判定部材を有する請求項１乃至６の何れか一項に記載の劣化度判定装置と、前記劣化判定装置のモニター部からの情報に基づいて前記フィルタの使用部位変更時期を判定する変更時期判定部と、を備えてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、コストが嵩まずにケミカルフィルタなどの不純物除去部材の劣化度を判定することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の劣化判定装置の一実施形態を示す概略図である。
【図２】図１の劣化判定装置を備えた本発明の検査装置の一実施形態を示す概略図である。
【図３】ケミカルフィルタ２２の劣化度合いをターゲット板１２の劣化とともに示すグラフである。
【図４】ターゲット板１２と光学系２７を構成する光学部品の劣化度合いを示すグラフである。
【図５】図１に示す劣化判定装置の変形例を示す概略図である。
【図６】集塵手段の実施形態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下本発明の劣化判定装置及び該劣化判定装置を装備した検査装置の実施形態について図１乃至図４および図６を参照して説明する。
【００２２】
図１は本発明の劣化判定装置の一実施形態を示す概略図、図２は図１の劣化判定装置を備えた本発明の検査装置の一実施形態を示す概略図である。
【００２３】
図２に示すように、検査装置２０は、集塵手段またはＵＬＰＡ(Ultra Low Penetration Air filter)２１とケミカルフィルタ２２をウェハ検査室２３に搭載して、ウェハ検査室２３へのパーティクル、化学物質の侵入を阻止してクリーンエア２４を供給するようにしてある。また、ケミカルフィルタ２２は、設置した状態で使用部位を変更または再生による更新可能である。
【００２４】
ケミカルフィルタ２２は、加熱してフィルタに吸着されている有機物を脱離させ、これを排気することにより、設置した状態で再生処理が可能である。或いは、フィルタに加熱空気をパージして吸着されている有機物を脱離させ、これを排気することにより、設置した状態で再生による更新処理が可能である。
【００２５】
また、ケミカルフィルタ２２は、フィルタに吸着されている酸またはアルカリを除去する液体（オゾンを含んだ純水、アルカリ性水溶液または酸性水溶液）を供給・排出した後、フィルタに乾燥空気をパージすることにより、設置した状態で再生による更新処理が可能である。
【００２６】
ケミカルフィルタ２２は、長尺のシート状フィルタを二つのロール（供給用ロール及び回収用ロール）に設置し、二つのロールを回転させて使用済み部位から未使用部位に変更することにより、更新処理が可能である。
【００２７】
ウェハ検査室２３には半導体ウェハ（図示せず）に光を照射して検査する光学ユニット２５が配置される。光学ユニット２５はケミカルフィルタ２２からクリーンエア導入ダクト２６を介してクリーンエア２４を導入し、光学ユニット２５内のクリーン度を維持している。
【００２８】
図６は、集塵手段の一例を示す概念図である。
【００２９】
集塵手段は、エアーポンプから供給される空気中に含まれる不純物を正または負に帯電させる帯電機構と、前記帯電させた不純物の帯電極性とは、逆の極性に帯電させた集塵機構とを有し、該集塵機構により前記帯電させた不純物を引き寄せる。
【００３０】
帯電機構は、帯電した不活性ガスを前記気体に含まれる不純物に吹き付けて不純物を帯電させるか、或いは不純物を含む前記気体を帯電した不活性ガス雰囲気中を通過させることにより不純物を帯電させる。
【００３１】
ウェハ検査室２３には半導体ウェハ（図示せず）に光を照射して検査する光学ユニット２５が配置される。光学ユニット２５はケミカルフィルタ２２からクリーンエア導入ダクト２６を介してクリーンエア２４を導入し、光学ユニット２５内のクリーン度を維持している。
【００３２】
光学ユニット２５には半導体ウェハに光を照射する光学系２７（図１参照）とケミカルフィルタ２２の劣化度（化学物質吸着率、除去率）を判定する劣化判定装置１０が配置される。
【００３３】
なお、図２中、３１はＦＯＵＰ、３２はロードポートで、ＦＯＵＰ３１からロードポート３２を介して半導体ウェハが光学ユニット２５に搬送される。
【００３４】
光学ユニット２５は、図１に示すように、その外部に配置した水銀ランプなどの短波長光源２８からミラー２９，光学ユニット２５の壁面に設けたシャッター３０を介して光学系２７に光を導入し、この光学系２７を介して搬送された半導体ウェハに光を照射して検査を行う。
【００３５】
劣化判定装置１０は、図１に示すように、シャッター３０を介して短波長光源２８から光学系２７に導入される光の光路中に配置した光誘導部材としてのハーフミラー１１と、このハーフミラー１１を反射した光を集光する集光レンズ１３と、この集光レンズ１３で集光された光が照射される劣化判定部材として例えば光学系２７の入射部と同じ硝材からなる平行平板状の透明ガラス板製のターゲット板１２と、このターゲット板１２を透過した光が入射する光電センサ１４と、この光電センサ１４を保護するための保護シャッター１５と、を備える。また、劣化判定装置１０は、光電センサ１４の出力を定期的に入力してターゲット板１２の透過光量からターゲット板１２の劣化度を監視するモニター部１６を備える。モニター部１６にはフィルタの更新処理時期判定部１７が接続されており、このフィルタの更新処理時期判定部１７はモニター部１６からのターゲット板１２の劣化度情報に基づいてケミカルフィルタ２２の更新処理時期を判定する。判定結果は表示装置１８により表示される。なお、表示装置１８をモニター部１６に接続して、表示装置１８でモニター結果を表示し、ケミカルフィルタ２２の更新処理時期についてはモニター結果からユーザー側で判断するようにしてもよい。
【００３６】
ハーフミラー１１は、短波長光源２８から光学ユニット２５に導入される光のうち、例えば９８％の光を透過させて光学系２７に送る一方、残りの２％程度の光量の光を取り出して（反射して）ターゲット板１２に誘導する。
【００３７】
ターゲット板１２は、光学ユニット２５に設けたシャッター３０が開いたとき（光学系２７に光が導入されるとき）にのみ短波長光源２８からの光が照射され、シャッター３０が閉じたとき（光学系２７に光が導入されないとき）には光が照射されない。
【００３８】
集光レンズ１３は、ハーフミラー１１で取り出された光を、光学系２７に送られる光の主光束径に比して例えば１／１４程度の光束径に集光してターゲット板１２に照射する。
【００３９】
光学系２７とターゲット板１２の単位面積当たりの照射量を比較すると、
（０．９８／（１４×１４））：（０．０２／（１×１））＝０．００５：０．０２となる。
【００４０】
ターゲット板１２は、光学系２７に照射される光の照射量に比して単位面積当たり４倍の光の照射量で照射されることになる。
【００４１】
ターゲット板１２と光学系２７はともにケミカルフィルタ２２からのクリーンエア５４に晒されている。換言すると、ターゲット板１２は、光学系２７と同じ雰囲気中にあり、仮にケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）が低下すると、光学系２７と同様に吸着（除去）出来ずに侵入した化学物質に汚染されることになる（化学物質が付着することになる）。ただ、ターゲット板１２は、シャッター３０を開いて光学系２７に光を導入したとき、光学系２７に比して単位面積当たり４倍の光量の光（短波長光）が照射されるので、雰囲気中に化学物質が存在する場合、この化学物質が物理・化学反応を起こして曇る割合（劣化度）は光学系２７に比して非常に大きい。すなわち、ターゲット板１２はわずかな化学物質の存在でも曇る。換言すると、ターゲット板１２は、ケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）の低下に対する検出感度が大きく、化学物質吸着率（除去率）の低下の兆候を素早く検出することが出来る。したがって、モニター部１６でターゲット板１２の透過光量を定期的にモニターしておき、例えば９５％に低下したら更新処理時期判定部１７でケミカルフィルタ２２の更新処理時期を判定し、これを表示装置１８で表示して、この判定にしたがってケミカルフィルタ２２を更新処理することにより、光学系２７を構成するレンズなどの光学部品の曇りを未然に防ぐことができる。
【００４２】
図３はケミカルフィルタ２２の劣化度合いをターゲット板１２の劣化とともに示すグラフである。グラフの縦軸はケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）を表す。グラフの二点鎖線で示した縦軸はターゲット板１２の透過率を表す。グラフの横軸は時間を表す。
【００４３】
図３に示すように、ケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）と、ターゲット板１２の透過率は時間の経過とともに徐々に低下する。そして、ケミカルフィルタ２２の交換時期になると、ケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）と、ターゲット板１２の透過率はともに低下し始める。そして、交換時期を過ぎると、ケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）と、ターゲット板１２の透過率は大きく低下する。
【００４４】
上述したように、ケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）と、ターゲット板１２の透過率は時間の経過とともに略同じように変化するので、ターゲット板１２の透過率をモニターすれば、ケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）を推定することが可能となる。
【００４５】
したがって、ケミカルフィルタ２２の上流と下流（光学ユニット２５）にそれぞれケミカルセンサを設置して化学物質濃度を計測するようなことをしなくてもケミカルフィルタ２２の更新処理時期を正しく推定することは可能であり、コスト高になるおそれはない。
【００４６】
図４はターゲット板１２と光学系２７を構成する光学部品の劣化度合いを示すグラフである。グラフの縦軸は光学性能（透過率）を表し、横軸は時間を表す。
【００４７】
図４に示すように、始めはターゲット板１２と光学系２７を構成する光学部品の透過率が略同じであるが、時間の経過とともにターゲット板１２の透過率が光学系２７を構成する光学部品の透過率よりも低下する。すなわち、ターゲット板１２は光学部品よりも劣化度合いが大きく、ケミカルフィルタ２２の更新処理時期に至ると両者の透過率に明らかな差が生じる。更新処理時期を経過すると、ターゲット板１２の透過率は急激に低下するが、光学部品は更新処理時期後ある程度時間が経過するまでは透過率の急激な低下はない。そのため、光学部品の透過率の低下はターゲット板１２の透過率の低下に比べて遅れる。
【００４８】
ターゲット板１２の劣化度をモニターすることにより、光学系２７を構成する光学部品の光学性能（透過率）が低下する以前にケミカルフィルタ２２の更新処理を知らせることが出来る。
【００４９】
また、ターゲット板１２の劣化度をモニターしておけば、光学系２７の劣化度を推定することが可能となる。上述したように、ターゲット板１２への単位面積当たりの光の照射量を、光学系２７への単位面積当たりの光の照射量の４倍に設定しておけば、ターゲット板１２は光学系２７に比して４倍のスピード（光学系２７はターゲット板１２に比して１／４のスピード）で劣化することになるので、ターゲット板１２が初期値の透過光量に対してどれだけ低下しているかをモニターすることにより、光学系２７の劣化度合いを推定することが可能で、例えばターゲット板１２の透過率が６０％に低下したとき、光学系２７の透過率は９０％に低下していると推定することが可能である。また、ターゲット板１２のモニター結果から光学系２７のメンテナンスのタイミングを推定することも可能である。
【００５０】
ターゲット板１２は、劣化判定装置１０の交換しやすい位置に設置しておくことが好ましい。そうすればケミカルフィルタ２２を更新処理する毎にターゲット板１２を交換する作業が容易になる。
【００５１】
ターゲット板１２は、ケミカルフィルタ２２の更新処理毎に交換する（毎回交換する）ようにしてもよいが、この他にケミカルフィルタ２２を何回か更新処理した後に交換するようにしてもよい。この場合、ケミカルフィルタ２２の更新処理時におけるターゲット板１２の透過率を記憶させておき、これを初期値にして次回のケミカルフィルタ２２の更新処理時期を判定する。
【００５２】
例えば、ターゲット板１２の透過率が２％低下した時点でケミカルフィルタ２２を更新処理する場合にあっては、ターゲット板１２の透過率が１００％から９８％になった時点で第１回目のケミカルフィルタ２２の更新処理を行い、このときの透過率（９８％）を記憶させておく。そして、この透過率（９８％）を初期値としてこれから２％低下した時点（約９６％）で第２回目のケミカルフィルタ２２の更新処理を行い、このときの透過率（９６％）記憶させておく。さらに、この透過率（９６％）を初期値としてこれから２％低下した時点（約９４％）で第３回目のケミカルフィルタ２２の更新処理を行う。なお、交換毎にターゲット板１２の透過率を記憶させておけば、ターゲット板１２の交換回数からも光学系２７の劣化度合いを推定することが可能である。
【００５３】
上記実施形態では、本発明の劣化判定装置１０を、半導体ウェハの検査装置５０に適用した場合を示したが、これに限定されるものではなく、ケミカルフィルタ２２によりクリーンエア２４が供給された雰囲気中に光学系が装備される装置に広く適用される。
【００５４】
また、光誘導部材としてハーフミラー１１を使用した場合を示したが、これに限定されるものではない。
【００５５】
例えば、図５に示すように、光学ユニット２５の運転時に短波長光源２８の光を光学系２７に導入する一方、光学ユニット２５の非運転時に光が光学系に入射しないよう遮断にする、光学ユニット２５の外部に配置された遮断部材としてのシャッター３５を光誘導部材として利用するようにしてもよい。
【００５６】
なお、図５中、図１に示す部分と同一部分には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００５７】
この変形例では、シャッター３５の短波長光源２８側に位置する面を反射面３６に加工する。シャッター３５が光学系２７への光の入射を遮断するとき（シャッター３５が閉じているとき）、短波長光源２８の光は反射面３６で反射し、集光レンズ１３ａを介してターゲット板１２ａ側に導かれる（照射される）。なお、図５ではクリーンエア２４が光学ユニット２５内の光学系２７にのみ供給されている状態を示しているが、図２に示すようにクリーンエア２４は光学ユニット２５の外部にも供給されている。したがって、クリーンエア２４中にケミカルフィルタ２２で除去できなかった化学物質が存在しているとターゲット板１２ａは光学系２７と同様に化学物質に晒される。ターゲット板１２ａは、図１に示すターゲット板１２と同様に光学系２７の入射部と同じ硝材からなる平行平板状の透明ガラス板製であるが、光が照射されるタイミングが異なる。
【００５８】
すなわち、ターゲット板１２ａは、シャッター３５が閉じているときに（短波長光源２８の光が光学系２７に入射していないときに）光源２８の光が照射されるが、シャッター３５が開いているときに（短波長光源２８の光が光学系２７に入射しているときに）短波長光源２８の光が照射されない。したがって、シャッター３５が閉じている時間帯と開いているときの時間帯の比率を求めておけば、ターゲット板１２ａと光学系２７の光の照射量の比率が分かるので、この比率に応じて集光レンズ１３ａの倍率を決定すれば、ターゲット板１２ａの単位面積当たりの光の照射量を光学系２７の単位面積当たりの光の照射量の数倍に設定することが出来る。これにより、ターゲット板１２ａをターゲット板１２と同様にケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）の低下に対するセンサとして機能させることが出来る。
【００５９】
また、図１、図５では平行平板の透明ガラス板で劣化判定部材を構成した場合を示したが、これに限定されず、レンズあるいはミラーなどで劣化判定部材を構成してもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１０ 劣化判定装置１０
１１ ダイクロイックミラー
１２，１２ａ ターゲット板（劣化判定部材）
１３，１３ａ 集光レンズ
１４ 光電センサ
１６ モニター部
１７ 交換時期判定部
１８ 表示装置
２０ 検査装置
２２ ケミカルフィルタ
２４ クリーンエア
２５ 光学ユニット
２８ 短波長光源
３５ シャッター
３６ 反射面
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、ケミカルフィルタなどの不純物除去部材の劣化度を判定する劣化判定装置及び該劣化判定装置を装備した検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハや液晶表示用ガラス基板などの検査では雰囲気中の化学物質の存在が問題となる。例えば、ウェハなどの検査に際して、雰囲気中に化学物質（有機化合物、アルカリ、酸など）が存在していると、検査用の光源の光により光学系を構成するガラス光学部品に化学物質が結晶化し、曇りを発生して光学性能を劣化させる。例えば、光学部品がレンズの場合には透過率を低下させ、またミラーの場合には反射率を低下させる。特に、ウェハに形成する回路パターンの微細化により検査に使用する光源の光の波長も短波長化してこれにともない化学物質が光学部品に付着する傾向が大きくなっている。
【０００３】
このため、有機化合物、アルカリ、酸などの化学物質による汚染を防止するためケミカルフィルタにより雰囲気中の化学物質を除去しているが、ケミカルフィルタを長期間使用していると、化学物質の吸着率（除去率）が低下するので、この吸着率（除去率）が低下した時点で新品のケミカルフィルタと交換する必要がある。
【０００４】
ケミカルフィルタの交換時期を正確に把握しておくことは重要である。ケミカルフィルタの交換時期を判定する方法、装置として、例えば、ケミカルフィルタの上流及び下流に除去対象成分の濃度を測定するケミカルセンサをそれぞれ設置しておき、上流側のケミカルセンサの測定値と下流側のケミカルセンサの測定値とが一致した時期をケミカルフィルタの交換時期と判定することが提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１６２３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上述した方法、装置では、ケミカルフィルタの上流及び下流にそれぞれケミカルセンサを配置するので、コスト高になることが避けられない。
【０００７】
また、上流側のケミカルセンサの測定値と下流側のケミカルセンサの測定値とが一致することは、ケミカルフィルタが劣化して機能しなくなったことを意味する。換言すると、ケミカルフィルタで除去されない化学物質に晒される事態が生じてはじめてケミカルフィルタの交換時期と判定している。半導体ウェハの検査装置などではそれを構成する光学部品が化学物質に晒されると、光学性能が劣化して廃棄しなければならない事態に至ることがある。
【０００８】
このような事情から、通常、ケミカルフィルタの吸着率（除去率）の低下が大きくなる前に、ある程度余裕をもって、定期的にケミカルフィルタを交換しているが、コストがかかることが指摘されている。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、コストが嵩まずにケミカルフィルタなどの不純物除去部材の劣化度を判定することが出来る劣化判定装置及び該劣化判定装置を装備した検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成する本発明の請求項１に記載の劣化判定装置は、光源からの光を誘導する光誘導部と、設置した状態で使用部位を更新可能なフィルタを介して清浄化された気体を前記光誘導部が配置された空間に供給する気体供給部と、前記光誘導部により誘導された光の照射下で、所望の雰囲気以外の不純物に晒される劣化判定部材と、前記劣化判定部材の劣化度を監視するモニター部と、を備えてなることを特徴とする。
【００１１】
本発明の請求項２に記載の劣化判定装置は、前記使用部位の変更または再生によって行われる。
【００１２】
本発明の請求項３に記載の劣化判定装置は、光源からの光を誘導する光誘導部と、前記光誘導部の配置された空間に集塵手段及びフィルタを介して清浄化された気体を供給する気体供給部と、前記集塵手段を構成する、帯電した不活性ガスを前記気体に含まれる不純物に吹き付けて不純物を帯電させるか、或いは不純物を含む前記気体を帯電した不活性ガス雰囲気中を通過させることにより不純物を帯電させる帯電機構と、前記帯電させた不純物を引き寄せるために逆極性に帯電させた集塵機構と、前記光誘導部により誘導された光の照射下で、所望の雰囲気以外の不純物に晒される劣化判定部材と、前記劣化判定部材の劣化度を監視するモニター部と、を備えてなることを特徴とする。
【００１３】
本発明の請求項４に記載の劣化判定装置は、前記光誘導部が前記光の集光部を備えることを特徴とする。
【００１４】
本発明の請求項５に記載の劣化判定装置は、前記劣化判定部材が前記フィルタの劣化度を示すことを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項６に記載の劣化度判定装置は、前記劣化判定部材が光学部品で、前記モニター部が前記光学部品の光透過率又は反射率を監視することを特徴とする。
【００１６】
本発明の請求項７に記載の劣化判定装置は、前記光源が光学系の光源で、前記光誘導部により前記劣化判定部材に誘導される光が前記光源から前記光学系へ導入される光の一部で、前記集光部が前記劣化判定部材への単位面積当たりの光の照射量が前記光学系への単位面積当たりの光の照射量よりも多くなるように、前記劣化判定部材に誘導された光を集光することを特徴とする。
【００１７】
本発明の請求項８に記載の劣化判定装置は、光源の光を反射するとともに光学系に入射する光を遮断する光遮断部と、設置した状態で使用部位を変更可能なフィルタを介して清浄化された気体を前記光遮断部が配置された空間に供給する気体供給部と、前記光遮断部により誘導された光の照射下で、所望の雰囲気以外の不純物に晒される劣化判定部材と、前記劣化判定部材の劣化度を監視するモニター部と、を備えてなることを特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項９に記載の検査装置は、 光学系を介して被検物に光を照射して検査する装置であって、前記光学系が所望清浄度の雰囲気となるように不純物を除去するフィルタと、前記光学系と同じ雰囲気中に配置される、前記フィルタの劣化判定部材を有する請求項１乃至６の何れか一項に記載の劣化度判定装置と、前記劣化判定装置のモニター部からの情報に基づいて前記フィルタの使用部位変更時期を判定する変更時期判定部と、を備えてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、コストが嵩まずにケミカルフィルタなどの不純物除去部材の劣化度を判定することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の劣化判定装置の一実施形態を示す概略図である。
【図２】図１の劣化判定装置を備えた本発明の検査装置の一実施形態を示す概略図である。
【図３】ケミカルフィルタ２２の劣化度合いをターゲット板１２の劣化とともに示すグラフである。
【図４】ターゲット板１２と光学系２７を構成する光学部品の劣化度合いを示すグラフである。
【図５】図１に示す劣化判定装置の変形例を示す概略図である。
【図６】集塵手段の実施形態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下本発明の劣化判定装置及び該劣化判定装置を装備した検査装置の実施形態について図１乃至図４および図６を参照して説明する。
【００２２】
図１は本発明の劣化判定装置の一実施形態を示す概略図、図２は図１の劣化判定装置を備えた本発明の検査装置の一実施形態を示す概略図である。
【００２３】
図２に示すように、検査装置２０は、集塵手段またはＵＬＰＡ(Ultra Low Penetration Air filter)２１とケミカルフィルタ２２をウェハ検査室２３に搭載して、ウェハ検査室２３へのパーティクル、化学物質の侵入を阻止してクリーンエア２４を供給するようにしてある。また、ケミカルフィルタ２２は、設置した状態で使用部位を変更または再生による更新可能である。
【００２４】
ケミカルフィルタ２２は、加熱してフィルタに吸着されている有機物を脱離させ、これを排気することにより、設置した状態で再生処理が可能である。或いは、フィルタに加熱空気をパージして吸着されている有機物を脱離させ、これを排気することにより、設置した状態で再生による更新処理が可能である。
【００２５】
また、ケミカルフィルタ２２は、フィルタに吸着されている酸またはアルカリを除去する液体（オゾンを含んだ純水、アルカリ性水溶液または酸性水溶液）を供給・排出した後、フィルタに乾燥空気をパージすることにより、設置した状態で再生による更新処理が可能である。
【００２６】
ケミカルフィルタ２２は、長尺のシート状フィルタを二つのロール（供給用ロール及び回収用ロール）に設置し、二つのロールを回転させて使用済み部位から未使用部位に変更することにより、更新処理が可能である。
【００２７】
ウェハ検査室２３には半導体ウェハ（図示せず）に光を照射して検査する光学ユニット２５が配置される。光学ユニット２５はケミカルフィルタ２２からクリーンエア導入ダクト２６を介してクリーンエア２４を導入し、光学ユニット２５内のクリーン度を維持している。
【００２８】
図６は、集塵手段の一例を示す概念図である。
【００２９】
集塵手段は、エアーポンプから供給される空気中に含まれる不純物を正または負に帯電させる帯電機構と、前記帯電させた不純物の帯電極性とは、逆の極性に帯電させた集塵機構とを有し、該集塵機構により前記帯電させた不純物を引き寄せる。
【００３０】
帯電機構は、帯電した不活性ガスを前記気体に含まれる不純物に吹き付けて不純物を帯電させるか、或いは不純物を含む前記気体を帯電した不活性ガス雰囲気中を通過させることにより不純物を帯電させる。
【００３１】
ウェハ検査室２３には半導体ウェハ（図示せず）に光を照射して検査する光学ユニット２５が配置される。光学ユニット２５はケミカルフィルタ２２からクリーンエア導入ダクト２６を介してクリーンエア２４を導入し、光学ユニット２５内のクリーン度を維持している。
【００３２】
光学ユニット２５には半導体ウェハに光を照射する光学系２７（図１参照）とケミカルフィルタ２２の劣化度（化学物質吸着率、除去率）を判定する劣化判定装置１０が配置される。
【００３３】
なお、図２中、３１はＦＯＵＰ、３２はロードポートで、ＦＯＵＰ３１からロードポート３２を介して半導体ウェハが光学ユニット２５に搬送される。
【００３４】
光学ユニット２５は、図１に示すように、その外部に配置した水銀ランプなどの短波長光源２８からミラー２９，光学ユニット２５の壁面に設けたシャッター３０を介して光学系２７に光を導入し、この光学系２７を介して搬送された半導体ウェハに光を照射して検査を行う。
【００３５】
劣化判定装置１０は、図１に示すように、シャッター３０を介して短波長光源２８から光学系２７に導入される光の光路中に配置した光誘導部材としてのハーフミラー１１と、このハーフミラー１１を反射した光を集光する集光レンズ１３と、この集光レンズ１３で集光された光が照射される劣化判定部材として例えば光学系２７の入射部と同じ硝材からなる平行平板状の透明ガラス板製のターゲット板１２と、このターゲット板１２を透過した光が入射する光電センサ１４と、この光電センサ１４を保護するための保護シャッター１５と、を備える。また、劣化判定装置１０は、光電センサ１４の出力を定期的に入力してターゲット板１２の透過光量からターゲット板１２の劣化度を監視するモニター部１６を備える。モニター部１６にはフィルタの更新処理時期判定部１７が接続されており、このフィルタの更新処理時期判定部１７はモニター部１６からのターゲット板１２の劣化度情報に基づいてケミカルフィルタ２２の更新処理時期を判定する。判定結果は表示装置１８により表示される。なお、表示装置１８をモニター部１６に接続して、表示装置１８でモニター結果を表示し、ケミカルフィルタ２２の更新処理時期についてはモニター結果からユーザー側で判断するようにしてもよい。
【００３６】
ハーフミラー１１は、短波長光源２８から光学ユニット２５に導入される光のうち、例えば９８％の光を透過させて光学系２７に送る一方、残りの２％程度の光量の光を取り出して（反射して）ターゲット板１２に誘導する。
【００３７】
ターゲット板１２は、光学ユニット２５に設けたシャッター３０が開いたとき（光学系２７に光が導入されるとき）にのみ短波長光源２８からの光が照射され、シャッター３０が閉じたとき（光学系２７に光が導入されないとき）には光が照射されない。
【００３８】
集光レンズ１３は、ハーフミラー１１で取り出された光を、光学系２７に送られる光の主光束径に比して例えば１／１４程度の光束径に集光してターゲット板１２に照射する。
【００３９】
光学系２７とターゲット板１２の単位面積当たりの照射量を比較すると、
（０．９８／（１４×１４））：（０．０２／（１×１））＝０．００５：０．０２となる。
【００４０】
ターゲット板１２は、光学系２７に照射される光の照射量に比して単位面積当たり４倍の光の照射量で照射されることになる。
【００４１】
ターゲット板１２と光学系２７はともにケミカルフィルタ２２からのクリーンエア５４に晒されている。換言すると、ターゲット板１２は、光学系２７と同じ雰囲気中にあり、仮にケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）が低下すると、光学系２７と同様に吸着（除去）出来ずに侵入した化学物質に汚染されることになる（化学物質が付着することになる）。ただ、ターゲット板１２は、シャッター３０を開いて光学系２７に光を導入したとき、光学系２７に比して単位面積当たり４倍の光量の光（短波長光）が照射されるので、雰囲気中に化学物質が存在する場合、この化学物質が物理・化学反応を起こして曇る割合（劣化度）は光学系２７に比して非常に大きい。すなわち、ターゲット板１２はわずかな化学物質の存在でも曇る。換言すると、ターゲット板１２は、ケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）の低下に対する検出感度が大きく、化学物質吸着率（除去率）の低下の兆候を素早く検出することが出来る。したがって、モニター部１６でターゲット板１２の透過光量を定期的にモニターしておき、例えば９５％に低下したら更新処理時期判定部１７でケミカルフィルタ２２の更新処理時期を判定し、これを表示装置１８で表示して、この判定にしたがってケミカルフィルタ２２を更新処理することにより、光学系２７を構成するレンズなどの光学部品の曇りを未然に防ぐことができる。
【００４２】
図３はケミカルフィルタ２２の劣化度合いをターゲット板１２の劣化とともに示すグラフである。グラフの縦軸はケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）を表す。グラフの二点鎖線で示した縦軸はターゲット板１２の透過率を表す。グラフの横軸は時間を表す。
【００４３】
図３に示すように、ケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）と、ターゲット板１２の透過率は時間の経過とともに徐々に低下する。そして、ケミカルフィルタ２２の交換時期になると、ケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）と、ターゲット板１２の透過率はともに低下し始める。そして、交換時期を過ぎると、ケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）と、ターゲット板１２の透過率は大きく低下する。
【００４４】
上述したように、ケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）と、ターゲット板１２の透過率は時間の経過とともに略同じように変化するので、ターゲット板１２の透過率をモニターすれば、ケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）を推定することが可能となる。
【００４５】
したがって、ケミカルフィルタ２２の上流と下流（光学ユニット２５）にそれぞれケミカルセンサを設置して化学物質濃度を計測するようなことをしなくてもケミカルフィルタ２２の更新処理時期を正しく推定することは可能であり、コスト高になるおそれはない。
【００４６】
図４はターゲット板１２と光学系２７を構成する光学部品の劣化度合いを示すグラフである。グラフの縦軸は光学性能（透過率）を表し、横軸は時間を表す。
【００４７】
図４に示すように、始めはターゲット板１２と光学系２７を構成する光学部品の透過率が略同じであるが、時間の経過とともにターゲット板１２の透過率が光学系２７を構成する光学部品の透過率よりも低下する。すなわち、ターゲット板１２は光学部品よりも劣化度合いが大きく、ケミカルフィルタ２２の更新処理時期に至ると両者の透過率に明らかな差が生じる。更新処理時期を経過すると、ターゲット板１２の透過率は急激に低下するが、光学部品は更新処理時期後ある程度時間が経過するまでは透過率の急激な低下はない。そのため、光学部品の透過率の低下はターゲット板１２の透過率の低下に比べて遅れる。
【００４８】
ターゲット板１２の劣化度をモニターすることにより、光学系２７を構成する光学部品の光学性能（透過率）が低下する以前にケミカルフィルタ２２の更新処理を知らせることが出来る。
【００４９】
また、ターゲット板１２の劣化度をモニターしておけば、光学系２７の劣化度を推定することが可能となる。上述したように、ターゲット板１２への単位面積当たりの光の照射量を、光学系２７への単位面積当たりの光の照射量の４倍に設定しておけば、ターゲット板１２は光学系２７に比して４倍のスピード（光学系２７はターゲット板１２に比して１／４のスピード）で劣化することになるので、ターゲット板１２が初期値の透過光量に対してどれだけ低下しているかをモニターすることにより、光学系２７の劣化度合いを推定することが可能で、例えばターゲット板１２の透過率が６０％に低下したとき、光学系２７の透過率は９０％に低下していると推定することが可能である。また、ターゲット板１２のモニター結果から光学系２７のメンテナンスのタイミングを推定することも可能である。
【００５０】
ターゲット板１２は、劣化判定装置１０の交換しやすい位置に設置しておくことが好ましい。そうすればケミカルフィルタ２２を更新処理する毎にターゲット板１２を交換する作業が容易になる。
【００５１】
ターゲット板１２は、ケミカルフィルタ２２の更新処理毎に交換する（毎回交換する）ようにしてもよいが、この他にケミカルフィルタ２２を何回か更新処理した後に交換するようにしてもよい。この場合、ケミカルフィルタ２２の更新処理時におけるターゲット板１２の透過率を記憶させておき、これを初期値にして次回のケミカルフィルタ２２の更新処理時期を判定する。
【００５２】
例えば、ターゲット板１２の透過率が２％低下した時点でケミカルフィルタ２２を更新処理する場合にあっては、ターゲット板１２の透過率が１００％から９８％になった時点で第１回目のケミカルフィルタ２２の更新処理を行い、このときの透過率（９８％）を記憶させておく。そして、この透過率（９８％）を初期値としてこれから２％低下した時点（約９６％）で第２回目のケミカルフィルタ２２の更新処理を行い、このときの透過率（９６％）記憶させておく。さらに、この透過率（９６％）を初期値としてこれから２％低下した時点（約９４％）で第３回目のケミカルフィルタ２２の更新処理を行う。なお、交換毎にターゲット板１２の透過率を記憶させておけば、ターゲット板１２の交換回数からも光学系２７の劣化度合いを推定することが可能である。
【００５３】
上記実施形態では、本発明の劣化判定装置１０を、半導体ウェハの検査装置５０に適用した場合を示したが、これに限定されるものではなく、ケミカルフィルタ２２によりクリーンエア２４が供給された雰囲気中に光学系が装備される装置に広く適用される。
【００５４】
また、光誘導部材としてハーフミラー１１を使用した場合を示したが、これに限定されるものではない。
【００５５】
例えば、図５に示すように、光学ユニット２５の運転時に短波長光源２８の光を光学系２７に導入する一方、光学ユニット２５の非運転時に光が光学系に入射しないよう遮断にする、光学ユニット２５の外部に配置された遮断部材としてのシャッター３５を光誘導部材として利用するようにしてもよい。
【００５６】
なお、図５中、図１に示す部分と同一部分には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００５７】
この変形例では、シャッター３５の短波長光源２８側に位置する面を反射面３６に加工する。シャッター３５が光学系２７への光の入射を遮断するとき（シャッター３５が閉じているとき）、短波長光源２８の光は反射面３６で反射し、集光レンズ１３ａを介してターゲット板１２ａ側に導かれる（照射される）。なお、図５ではクリーンエア２４が光学ユニット２５内の光学系２７にのみ供給されている状態を示しているが、図２に示すようにクリーンエア２４は光学ユニット２５の外部にも供給されている。したがって、クリーンエア２４中にケミカルフィルタ２２で除去できなかった化学物質が存在しているとターゲット板１２ａは光学系２７と同様に化学物質に晒される。ターゲット板１２ａは、図１に示すターゲット板１２と同様に光学系２７の入射部と同じ硝材からなる平行平板状の透明ガラス板製であるが、光が照射されるタイミングが異なる。
【００５８】
すなわち、ターゲット板１２ａは、シャッター３５が閉じているときに（短波長光源２８の光が光学系２７に入射していないときに）光源２８の光が照射されるが、シャッター３５が開いているときに（短波長光源２８の光が光学系２７に入射しているときに）短波長光源２８の光が照射されない。したがって、シャッター３５が閉じている時間帯と開いているときの時間帯の比率を求めておけば、ターゲット板１２ａと光学系２７の光の照射量の比率が分かるので、この比率に応じて集光レンズ１３ａの倍率を決定すれば、ターゲット板１２ａの単位面積当たりの光の照射量を光学系２７の単位面積当たりの光の照射量の数倍に設定することが出来る。これにより、ターゲット板１２ａをターゲット板１２と同様にケミカルフィルタ２２の化学物質吸着率（除去率）の低下に対するセンサとして機能させることが出来る。
【００５９】
また、図１、図５では平行平板の透明ガラス板で劣化判定部材を構成した場合を示したが、これに限定されず、レンズあるいはミラーなどで劣化判定部材を構成してもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１０ 劣化判定装置１０
１１ ダイクロイックミラー
１２，１２ａ ターゲット板（劣化判定部材）
１３，１３ａ 集光レンズ
１４ 光電センサ
１６ モニター部
１７ 交換時期判定部
１８ 表示装置
２０ 検査装置
２２ ケミカルフィルタ
２４ クリーンエア
２５ 光学ユニット
２８ 短波長光源
３５ シャッター
３６ 反射面
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を誘導する光誘導部と、
設置した状態で使用部位を更新可能なフィルタを介して清浄化された気体を前記光誘導部が配置された空間に供給する気体供給部と、
前記光誘導部により誘導された光の照射下で、所望の雰囲気以外の不純物に晒される劣化判定部材と、
前記劣化判定部材の劣化度を監視するモニター部と、
を備えてなることを特徴とする劣化判定装置。
【請求項２】
請求項１に記載の劣化判断装置において、
前記フィルタの更新は、前記使用部位の変更または再生によって行われることを特徴とする劣化判定装置。
【請求項３】
光源からの光を誘導する光誘導部と、
前記光誘導部の配置された空間に集塵手段及びフィルタを介して清浄化された気体を供給する気体供給部と、
前記集塵手段を構成する、帯電した不活性ガスを前記気体に含まれる不純物に吹き付けて不純物を帯電させるか、或いは不純物を含む前記気体を帯電した不活性ガス雰囲気中を通過させることにより不純物を帯電させる帯電機構と、前記帯電させた不純物を引き寄せるために逆極性に帯電させた集塵機構と、
前記光誘導部により誘導された光の照射下で、所望の雰囲気以外の不純物に晒される劣化判定部材と、
前記劣化判定部材の劣化度を監視するモニター部と、
を備えてなることを特徴とする劣化判定装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の劣化判定装置において、
前記光誘導部は前記光の集光部を備えることを特徴とする劣化判定装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の劣化判定装置において、
前記劣化判定部材は前記フィルタの劣化度を示すことを特徴とする劣化判定装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の劣化度判定装置において、
前記劣化判定部材は光学部品で、
前記モニター部は前記光学部品の光透過率又は反射率を監視することを特徴とする劣化度判定装置。
【請求項７】
請求項２乃至請求項６の何れか一項に記載の劣化判定装置において、
前記光源は光学系の光源で、
前記光誘導部により前記劣化判定部材に誘導される光は、前記光源から前記光学系へ導入される光の一部で、
前記集光部は、前記劣化判定部材への単位面積当たりの光の照射量が前記光学系への単位面積当たりの光の照射量よりも多くなるように、前記劣化判定部材に誘導された光を集光することを特徴とする劣化判定装置。
【請求項８】
光源の光を反射するとともに光学系に入射する光を遮断する光遮断部と、
設置した状態で使用部位を変更可能なフィルタを介して清浄化された気体を前記光遮断部が配置された空間に供給する気体供給部と、
前記光遮断部により誘導された光の照射下で、所望の雰囲気以外の不純物に晒される劣化判定部材と、
前記劣化判定部材の劣化度を監視するモニター部と、
を備えてなることを特徴とする劣化判定装置。
【請求項９】
光学系を介して被検物に光を照射して検査する装置であって、
前記光学系が所望清浄度の雰囲気となるように不純物を除去するフィルタと、
前記光学系と同じ雰囲気中に配置される、前記フィルタの劣化判定部材を有する請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の劣化度判定装置と、
前記劣化判定装置のモニター部からの情報に基づいて前記フィルタの使用部位変更時期を判定する変更時期判定部と、
を備えてなることを特徴とする検査装置。
【請求項１】
光源からの光を誘導する光誘導部と、
設置した状態で使用部位を更新可能なフィルタを介して清浄化された気体を前記光誘導部が配置された空間に供給する気体供給部と、
前記光誘導部により誘導された光の照射下で、所望の雰囲気以外の不純物に晒される劣化判定部材と、
前記劣化判定部材の劣化度を監視するモニター部と、
を備えてなることを特徴とする劣化判定装置。
【請求項２】
請求項１に記載の劣化判断装置において、
前記フィルタの更新は、前記使用部位の変更または再生によって行われることを特徴とする劣化判定装置。
【請求項３】
光源からの光を誘導する光誘導部と、
前記光誘導部の配置された空間に集塵手段及びフィルタを介して清浄化された気体を供給する気体供給部と、
前記集塵手段を構成する、帯電した不活性ガスを前記気体に含まれる不純物に吹き付けて不純物を帯電させるか、或いは不純物を含む前記気体を帯電した不活性ガス雰囲気中を通過させることにより不純物を帯電させる帯電機構と、前記帯電させた不純物を引き寄せるために逆極性に帯電させた集塵機構と、
前記光誘導部により誘導された光の照射下で、所望の雰囲気以外の不純物に晒される劣化判定部材と、
前記劣化判定部材の劣化度を監視するモニター部と、
を備えてなることを特徴とする劣化判定装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の劣化判定装置において、
前記光誘導部は前記光の集光部を備えることを特徴とする劣化判定装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の劣化判定装置において、
前記劣化判定部材は前記フィルタの劣化度を示すことを特徴とする劣化判定装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の劣化度判定装置において、
前記劣化判定部材は光学部品で、
前記モニター部は前記光学部品の光透過率又は反射率を監視することを特徴とする劣化度判定装置。
【請求項７】
請求項２乃至請求項６の何れか一項に記載の劣化判定装置において、
前記光源は光学系の光源で、
前記光誘導部により前記劣化判定部材に誘導される光は、前記光源から前記光学系へ導入される光の一部で、
前記集光部は、前記劣化判定部材への単位面積当たりの光の照射量が前記光学系への単位面積当たりの光の照射量よりも多くなるように、前記劣化判定部材に誘導された光を集光することを特徴とする劣化判定装置。
【請求項８】
光源の光を反射するとともに光学系に入射する光を遮断する光遮断部と、
設置した状態で使用部位を変更可能なフィルタを介して清浄化された気体を前記光遮断部が配置された空間に供給する気体供給部と、
前記光遮断部により誘導された光の照射下で、所望の雰囲気以外の不純物に晒される劣化判定部材と、
前記劣化判定部材の劣化度を監視するモニター部と、
を備えてなることを特徴とする劣化判定装置。
【請求項９】
光学系を介して被検物に光を照射して検査する装置であって、
前記光学系が所望清浄度の雰囲気となるように不純物を除去するフィルタと、
前記光学系と同じ雰囲気中に配置される、前記フィルタの劣化判定部材を有する請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の劣化度判定装置と、
前記劣化判定装置のモニター部からの情報に基づいて前記フィルタの使用部位変更時期を判定する変更時期判定部と、
を備えてなることを特徴とする検査装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１０−２４９５１７（Ｐ２０１０−２４９５１７Ａ）
【公開日】平成２２年１１月４日（２０１０．１１．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−９５９０３（Ｐ２００９−９５９０３）
【出願日】平成２１年４月１０日（２００９．４．１０）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１１月４日（２０１０．１１．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月１０日（２００９．４．１０）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
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