撮像デバイス
【課題】偽信号、さざ波現象、及び反転現象等の画像不良現象の発生を抑制し良好な撮像信号が得られる高感度な撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】
透光性基板１の導電面１ａ上には、光導電部２が形成される。透光性基板１とガラス管４は、インジウムリング３によって、導電膜１Ａとインジウムリング３が電気的に接続された状態でシールされ、ガラス管４の内部空間が真空に保持される。遮蔽リング１０は、光導電部２とメッシュ電極９とによって狭持されており、この遮蔽リング１０により、透光性基板１の導電膜１Ａのうち光導電部２が形成されない非形成領域、及び、インジウムリング３が覆われる。このため、導電膜１Ａ及びインジウムリング３への漂遊電子の突入を抑制することができ、偽信号、さざ波現象、反転現象といった画像不良現象を伴うことなく高画質な撮像信号を得ることができる。
【解決手段】
透光性基板１の導電面１ａ上には、光導電部２が形成される。透光性基板１とガラス管４は、インジウムリング３によって、導電膜１Ａとインジウムリング３が電気的に接続された状態でシールされ、ガラス管４の内部空間が真空に保持される。遮蔽リング１０は、光導電部２とメッシュ電極９とによって狭持されており、この遮蔽リング１０により、透光性基板１の導電膜１Ａのうち光導電部２が形成されない非形成領域、及び、インジウムリング３が覆われる。このため、導電膜１Ａ及びインジウムリング３への漂遊電子の突入を抑制することができ、偽信号、さざ波現象、反転現象といった画像不良現象を伴うことなく高画質な撮像信号を得ることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ターゲット電極に高電圧を印加して使用するのに好適な撮像デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
撮像管は、導電面のターゲット電極と光導電膜を含む光導電部で構成されるターゲット部と、信号を読み出すための電子ビームを発生する走査電子ビーム発生部とを具え、ターゲット電極に外部電源から正電圧を印加することで、光導電膜に入射する光（紫外線、赤外線、可視光線、及びＸ線を含み、これらを総じて光と称す）を吸収して電荷に変換し、変換された電荷を光導電部に蓄積し、蓄積された電荷を電子ビームにより直接電気信号として取り出すデバイスである。このターゲット部と走査電子ビーム発生部は、筐体によって真空を介して対向するように保持される。
【０００３】
従来のビジコン又はサチコン等の撮像管では、ターゲット部の導電面に電気的に接続されたインジウムリングを介して、光導電膜で生成される電荷を外部へ読み出している。しかし、この場合、インジウムリングは、導電面の電位と同電位になるため、撮像管内で発生する二次電子、走査時の余剰電子である戻り電子ビーム、又は、電極壁で反射されて散乱する電子等の管内を漂遊する電子（以下、漂遊電子と称す）がインジウムリングに引き寄せられる。
【０００４】
特に、光導電膜内での電荷のアバランシェ増倍現象を利用して高感度化を実現する撮像管（例えば、非特許文献１参照）や、入射Ｘ線の吸収量を高めるために光導電膜の厚さを増大させた撮像管では、ターゲット電圧（ターゲット電極に印加する電圧）を高電圧化して動作させる必要がある。このため、漂遊電子のインジウムリングへの付着や、インジウムリングへの突入による二次電子放出が活発になり、再生画像に電極反射像（戻り電子ビームが管内の電極で反射されて再びターゲット部に入射することにより発生する偽信号による像）、さざ波現象（特に再生画像の周辺部分にさざ波状に変化する異常パターンが発生する現象）、反転現象（再生画像の一部、特に周辺部に対応する映像信号のレベルの異常な低下、又は信号の極性の反転が生じる現象）等の画像不良現象が生じやすくなる。
【０００５】
このような画像不良現象に対する対策として、漂遊電子がインジウムリングに引き寄せられることを防止するために、ターゲット部の非走査領域に、ターゲット部とは絶縁された電極を設ける手法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、この手法では、ターゲット部とは絶縁された電極に外部から電圧を印加するための機構を新設する必要があり、撮像デバイスや撮像装置の構成が複雑になるという問題がある。
【０００６】
そこで、このような電圧印加機構を新設することなく、画像不良現象を防止しつつ、ターゲット部に高電圧を印加して動作させるために、基板に金属性のピンを貫通して植設させ、この金属性のピンを介して光導電膜で生成された電荷を外部へ読み出し、インジウムリングはターゲット電極と電気的に絶縁し、接地電位（電子ビーム源と同電位）に保持する手法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【非特許文献１】テレビジョン学会全国大会講演予稿集、１５〜１６頁、１９８９年
【特許文献１】特開平４−２３０９４１号公報
【特許文献２】特開平５−３４３０１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献２記載の撮像管では、ターゲット電極に高電圧を印加して動作させても、画像不良現象を発生させることなく、光導電膜で生成された電荷を外部へ読み出すことができる。
【０００８】
しかしながら、基板を貫通させる金属ピンの植設には、撮像管の真空気密の十分な確保、及び、金属ピンとターゲット電極との確実な接触等が求められるため、製造には高度な技術と複雑な工程が必要になるという課題があった。
【０００９】
特に、Ｘ線用撮像デバイスには、Ｘ線やγ線を透過し易いベリリウム（Ｂｅ）薄板、結晶シリコン（Ｓｉ）薄板、窒化ホウ素（ＢＮ）薄板等の導電面を有する基板が用いられるが、中でも導電性のある基板に信号ピンを植設する場合には、基板と信号ピンを電気的に絶縁する必要があるため、製造工程がさらに複雑になるという課題があった。
【００１０】
そこで、本発明は、基板上の導電面と電気的に接続されるインジウムリングを介して信号電荷を読み出す手段を具え、ターゲット部に高電圧を印加して使用しても、偽信号、さざ波現象、及び反転現象等の画像不良現象の発生を抑制することにより、高感度化を実現して良好な画質が得られる撮像デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一局面の撮像デバイスは、導電面を有する透光性基板と、前記導電面上に形成される光導電部と、前記光導電部表面を走査するための電子ビームを発射する電子ビーム源と、前記導電面に電気的に接続され、前記電子ビームの走査又は前記電子ビーム源の選択によって得られる撮像信号を読み出すための信号読み出し電極と、前記光導電部と前記電子ビーム源との間に電子が走行する真空空間を形成する筐体とを具える撮像デバイスにおいて、前記導電面のうち前記光導電部が形成されない非形成面、又は、前記信号読み出し電極のうちの少なくとも一部を前記真空空間内の漂遊電子から遮蔽する遮蔽手段を含む。
【００１２】
前記遮蔽手段は、前記電子ビーム源から見て、前記電子ビームによって前記光導電部が走査される有効走査領域と重複しないように配置される。
【００１３】
また、前記遮蔽手段は、セラミック、ガラス、サファイア、又は樹脂のうちのいずれかで構成される絶縁体であってもよい。
【００１４】
また、前記遮蔽手段は、表面の二次電子放出比が１以下であることが望ましい。
【００１５】
前記遮蔽手段の表面に、三硫化アンチモン製、三セレン化ヒ素製、又はテルル化カドミウム製の多孔質状の薄膜を形成して二次電子放出比を１以下にしてもよい。
【００１６】
また、前記光導電部は、セレンを主原料とする非晶質半導体層で構成される光導電膜を含んでもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、偽信号、さざ波現象、及び反転現象等の画像不良現象の発生を抑制しつつ、製造が容易で、高解像度・高感度特性を有する撮像デバイスを提供できるという特有の効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の撮像デバイスを適用した実施の形態について説明する。
【００１９】
［実施の形態１］
図１は、実施の形態１の撮像デバイスの構成を概念的に示す図であり、（ａ）は側断面図、（ｂ）は撮像デバイスを（ａ）のＡ−Ａ矢視断面で示す図である。
【００２０】
図１（ａ）に示す透光性基板１の一方の面には導電膜１Ａが形成され、この導電膜１Ａの導電面１ａにはさらに光導電部２が形成される。なお、必ずしも導電膜１Ａを一方の面の全面に形成する必要はなく、その場合、光導電部２は導電膜１Ａを覆うように、導電膜１Ａの周辺部の透光性基板１上にかかるように形成しても良い。この透光性基板１は、インジウムリング３によってシールされ、導電膜１Ａとインジウムリング３が電気的に接続される状態でガラス管４に取り付けられる。ガラス管４は、インジウムリング３が取り付けられる開口部を有する管状の部材であり、インジウムリング３によって透光性基板１とシール（密封）されることにより、内部空間が真空に保持される。
【００２１】
図２は、実施の形態１の撮像デバイスの透光性基板１及び光導電部２の構成を詳細に示す図であり、（ａ）は図１（ｂ）の構成を詳細に示す平面図、（ｂ）は撮像デバイスを（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面で示す図である。透光性基板１は、直径が２５ｍｍの透光性ガラスからなる円板状の基板である。基板１の片方の面に、両側にリード部１Ｂを有する長方形状で膜厚３０ｎｍの透光性導電膜（ＩＴＯ）からなる導電膜１Ａがスパッタ蒸着法により形成されている。長方形状部分は走査領域２Ｃを含む大きさとする。導電膜１Ａを、例えば直径２５ｍｍの円形状にしても良いが、長方形状の方がターゲット電極の静電容量を小さくすることが出来るので、より好ましい。
【００２２】
また、光導電部２は、正孔注入阻止強化層２ａ、光導電膜２ｂ、及び電子ビームランディング層２ｃで構成される。
【００２３】
正孔注入阻止強化層２ａは、直径２０ｍｍ、膜厚１０〜３０ｎｍの酸化セリウム（ＣｅＯ２）で構成され、真空蒸着法により形成される。光導電膜２ｂは、正孔注入阻止強化層２ａ上に直径２０ｍｍ、膜厚２〜５０μｍのセレン（Ｓｅ）を主原料とする非晶質半導体層として真空蒸着法により形成される。また、電子ビームランディング層２ｃは、直径２０ｍｍ、膜厚０．１μｍの三硫化アンチモン（Ｓｂ２Ｓ３）層として、例えば、圧力０．１〜０．４Ｔｏｒｒのアルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気中で蒸着される。この場合、電子ビームランディング層２ｃは電子注入阻止層としても作用し、光導電部２を低暗電流型にする役割を担う。
【００２４】
ガラス管４の内部には、奥部から開口部に向けて、電子ビーム源５、第１グリッド電極６、第２グリッド電極７、第３グリッド電極８、及びメッシュ電極９が配設される。また、メッシュ電極９と光導電部２との間には、漂遊電子の突入を遮断する遮断手段として遮蔽リング１０が配設される。この遮蔽リング１０は、ガラス管４の内周面に嵌合する環状の絶縁性部材であり、光導電部２とメッシュ電極９とによって狭持される。遮蔽リング１０の機能については後述する。また、ガラス管４は光導電部２と電子ビーム源５との間に電子が走行する真空空間を形成する筐体となっている。
【００２５】
なお、インジウムリング３には、導電膜１Ａで構成されるターゲット電極に正電圧を印加するために電源１１の正極性端子が接続され、また撮像信号を読み出すための読み出し部１２が接続される。その際、電源１１のもう一方の負極性端子は電子ビーム源5に接続され、走査電子ビームを介して閉回路を形成する様に設置される。ターゲット電極に印加される電圧をターゲット電圧と称す。
【００２６】
また、ガラス管４の外側には、図示しない偏向コイル及び集束コイルが配設され、第３グリッド電極８内で加速される電子（電子ビーム５Ａ）を偏向・集束させる。
【００２７】
電子ビーム源５には陰極材料が内蔵されており、これをヒータで加熱することにより電子雲が励起発生される。また、第１グリッド電極６、第２グリッド電極７、第３グリッド電極８、及びメッシュ電極９は、電子を光導電部２の方向に引き出して加速させるための電極である。これらの加速電子は前記集束コイル及び偏向コイルで偏向・集束され、メッシュ電極９を通過させることで面内方向に均等な走査電子ビームに成形される。
【００２８】
ここで、各電極に印加される電圧は、電子ビーム源のヒータ：約６Ｖ、第１グリッド電極６：約２０Ｖ、第２グリッド電極７：約３００Ｖ、第３グリッド電極８：約６００Ｖ、メッシュ電極９：約８００Ｖである。
【００２９】
光導電部２の走査面２Ａの電子ビームで走査される領域の表面には、走査期間中電子ビーム源５とほぼ同電位になるまで電子ビームが付着し、余剰の電子は戻りビーム電子となって管内に反射されることになる。その結果、光導電部２の走査面２Ａと導電面１ａの間にターゲット電圧が印加されることになり、また走査終了直後は走査面２Ａとメッシュ電極９との間隙に強い減速電界が生じる。非走査期間中に光が入射すると、吸収された光で光導電膜２ｂ内に電子―正孔対が生成され、正孔が光導電部２内の電界に沿って走査面２Ａまで走行し、付着している電子と再結合するので、走査面２Ａの表面電位は正方向に変化する。次の電子ビーム走査では、正方向に上昇した走査面２Ａの表面電位を元に戻すまで走査電子ビームが付着することになり、その際に閉回路に流れる電流変化が信号読み出し部１２から撮像信号として取り出される。
【００３０】
図１（ｂ）に示すように、光導電部２は、電子ビーム源５と対向する走査面２Ａの中央部に走査領域２Ｃを有する。この走査領域２Ｃは、偏向コイル及び集束コイルによって偏向・集束される電子ビームにより、撮像信号を取り出すための走査が行われる領域である。
【００３１】
遮蔽リング１０は、走査領域２Ｃよりも大きい開口部１０Ａを有し、かつ、電子ビーム源５から見て、開口部１０Ａが走査領域２Ｃに重複しないように配設される。例えば、外径２０ｍｍ、内径１７ｍｍ、厚さ２．５ｍｍのガラス製の部材であり、光導電部２とメッシュ電極９との間に挟み込まれる。
【００３２】
なお、インジウムリング３の開口部３Ａは、遮蔽リング１０の開口部１０Ａよりも大きく、径方向外側に位置する。すなわち、インジウムリング３は、光導電部２の走査領域２Ｃとは重複しないように配設される。
【００３３】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、透光性基板１の導電膜１Ａのうち光導電部２が形成されない非形成領域、及び、インジウムリング３が絶縁性の遮蔽リング１０によって覆われる。
【００３４】
本実施の形態の撮像デバイスによれば、遮蔽リング１０を有することにより、導電膜１Ａ及びインジウムリング３がガラス管４内の真空空間に存在する漂遊電子から遮蔽されるので、導電膜１Ａ及びインジウムリング３への漂遊電子の突入を抑制することができ、この結果、例えばターゲット電圧として１０００Ｖ〜５０００Ｖの高電圧を導電膜１Ａに印加しても、偽信号、さざ波現象、反転現象といった画像不良現象を伴うことなく高画質な撮像信号を得ることができる。
【００３５】
また、従来技術のように、透光性基板１に金属ピンを植設する等の複雑な製造工程を要することなく、容易に製造することができる。
【００３６】
なお、遮蔽リング１０は、電子が滞留しないよう電気的な絶縁体であり、当然透光性基板１及びインジウムリング３と電気的に絶縁されている。また、その材質はガラスに限定されず、例えば、セラミック、サファイア、又は樹脂のいずれかであってもよい。
【００３７】
また、遮蔽リング１０の開口部１０Ａは、電子ビーム５Ａの軌道を妨害しない形状であればよく、円形に限られず楕円形や矩形であってもよい。
【００３８】
また、以上では、漂遊電子から導電膜１Ａ及びインジウムリング３を遮蔽するための部材として遮蔽リング１０を用いる場合について説明したが、この遮蔽部材は環状（リング状）のものに限定されるものではなく、ガラス管４の内周方向において分割されていても、Ｃ字型のように切り欠きを有していてもよく、導電膜１Ａの導電面１ａのうち光導電部２が形成されない非形成面、又は、インジウムリング３の内周面のうちの少なくとも一部、あるいは、その両方を真空空間内の漂遊電子から遮蔽する任意の形状で構成することができる。
【００３９】
また、遮蔽リング１０の表面には、二次電子放出比が１以下となるような加工等が施されることが望ましい。例えば、表面を粗面とする加工、又は、表面に三硫化アンチモン（Ｓｂ２Ｓ３）、三セレン化ヒ素（Ａｓ２Ｓｅ３）、若しくはテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）で構成される多孔質状の薄膜を形成する加工等を施してもよい。
【００４０】
また、以上では、光導電部２にセレン（Ｓｅ）を主原料とする非晶質半導体層を含む光導電膜２ｂを用いた撮像デバイスについて説明したが、遮蔽リング１０は、光導電部２の種類を問わず、様々な種類の光導電膜を有する撮像デバイスに適用することができる。特に、以上で説明したセレン（Ｓｅ）を主原料とする非晶質半導体層を光導電膜２ｂに用いた撮像デバイスでは、光導電膜内で電荷のアバランシェ増倍が生じる程の高電圧をターゲット電極に印加して使用することにより、画像不良現象を抑制して超高感度、高解像度、低残像の極めて高品質な画質を実現することができるが、その他の種類の光導電膜を用いた撮像デバイスにおいても、画像不良現象を抑制して極めて高品質な画質を実現することができる。
【００４１】
なお、本実施の形態の撮像デバイスを駆動させるために各電極に印加する電圧は前記の値に限定されるものではない。
【００４２】
また、透光性基板１は、ガラス基板に限らず、透光性樹脂基板、又はオプティカルファイバープレートであってもよい。また、Ｘ線に対する透過率が高いベリリウム（Ｂｅ）、結晶シリコン（Ｓｉ）、又は窒化ホウ素（ＢＮ）等の薄板等を透光性基板１として用いれば、以上で説明した遮蔽部材（遮蔽リング１０）をＸ線用の撮像デバイスにも適用することができる。この場合、入射Ｘ線の吸収量を高めるために、光導電膜２ｂの厚さを増大させ、ターゲット電圧を高くして動作させても、画像不良現象を大幅に抑制することができる。
【００４３】
また、以上では、一般的に広く使われている磁界集束・磁界偏向型撮像管を用いて説明したが、電子ビームを真空中で加速し、光導電部にランディングさせて蓄積電荷を読み出す方式のデバイスであれば、他の形式の撮像デバイスであってもよい。
【００４４】
［実施の形態２］
図３は、実施の形態２の撮像デバイスの構成を概略的に示す側断面図である。実施の形態２の撮像デバイスでは、電子ビーム源として電子放出源アレイ２０を備える点と、透光性基板１として厚さ０．５ｍｍ、直径２５ｍｍのベリリウム（Ｂｅ）製の薄板状の導電性基板を用いる点が実施の形態１の撮像デバイスと主に相違する。以下、実施の形態１の撮像デバイスと同一又は同等の構成要素には同一の符号を用い、その説明を省略する。
【００４５】
実施の形態２の撮像デバイスはＸ線画像用撮像デバイスに好適である。ベリリウム（Ｂｅ）製の薄板状の透光性基板１は導電性を有するため、実施の形態１のように片方の面上に導電膜１Ａを形成する必要はない。このため、導電面１ａは、透光性基板１の片方の表面となる。光導電部２は、実施の形態１の光導電部２と同一であり、導電面１ａの上に形成される。
【００４６】
また、ガラス管４はカップ状であり、内部には漂遊電子の突入を遮蔽する遮蔽手段として外径２０ｍｍ、内径１７ｍｍ、高さ１０ｍｍのセラミック製の遮蔽リング２１が配設される。この遮蔽リング２１の表面には、圧力０．１〜０．４Ｔｏｒｒのアルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気中で膜厚１００ｎｍの三硫化アンチモン（Ｓｂ２Ｓ３）からなる二次電子放出抑制層が蒸着されている。なお、カップ状のガラス管４の代わりに、金属製の真空チャンバを用いてもよい。
【００４７】
電子放出源アレイ２０は、微小カソードがマトリクス状に配列された平板状の電子ビーム源である。走査ラインと選択ラインに印加する電圧値を制御することにより、所望のカソードから電子ビームを光導電部２に発射することができる。なお、電子放出源アレイ２０はカソードを選択して電子ビームを発射できるため、実施の形態１の撮像デバイスのように、第１グリッド電極６、第２グリッド電極７、第３グリッド電極８、偏向コイル、及び集束コイルは配設されない。
【００４８】
遮蔽リング２１は、開口部が電子放出源アレイ２０から見て走査領域２Ｃを妨害しないように、光導電部２の走査面２Ａに接した状態で配設される。図３に示すように光導電部２とガラス管４内の底部との間に遮蔽リング２１を挟んだ状態で、透光性基板１とガラス管４とはインジウムリング３を介してシールされる。
【００４９】
本実施の形態の撮像デバイスによれば、遮蔽リング２１を有することにより、導電面１ａ及びインジウムリング３がガラス管４内の真空空間に存在する漂遊電子から遮蔽されるので、実施の形態１の撮像デバイスと同様に、導電性のある透光性基板１及びインジウムリング３への漂遊電子の突入を抑制することができ、この結果、例えばターゲット電圧として１０００Ｖ〜５０００Ｖの高電圧を透光性基板１の導電面１ａに印加しても、偽信号、さざ波現象、反転現象といった画像不良現象を伴うことなく高画質な撮像信号を得ることができる。
【００５０】
また、従来のように、透光性基板１に金属ピンを植設する等の複雑な製造工程を要することなく、容易に製造することができる。
【００５１】
以上、実施の形態１及び２で得られる撮像デバイスをテレビカメラに実装し、光導電膜２ｂの電界強度が約１×１０８Ｖ／ｍになるような電圧を光導電部２に印加したところ、いずれの撮像デバイスを使用したテレビカメラでも、画像不良現象は全く認められなかった。特に、膜厚５０μｍのセレン（Ｓｅ）を主原料とする非晶質半導体からなる光導電膜２ｂを有する撮像デバイスでは、５０００Ｖ以上のターゲット電圧を印加してアバランシェ増倍を生じさせて使用しても、画像不良現象は全く認められなかった。
【００５２】
このように、実施の形態１及び２の撮像デバイスは、高画質が要求されるテレビジョンカメラ、特にハイビジョン用カメラに最適であり、産業、医療、理化学分野等の画像解析システムに適用すれば、高Ｓ／Ｎでの信号処理が可能になる等の効果が得られる。
【００５３】
以上、本発明の例示的な実施の形態の撮像デバイスについて説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施の形態１の撮像デバイスの構成を示す図であり、（ａ）は側断面図、（ｂ）は撮像デバイスを（ａ）のＡ−Ａ矢視断面で示す図である。
【図２】実施の形態１の撮像デバイスの透光性基板１及び光導電部２の構成を詳細に示す図であり、（ａ）は図１（ｂ）の構成を詳細に示す平面図、（ｂ）は撮像デバイスを（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面で示す図である。
【図３】実施の形態２の撮像デバイスの構成を概略的に示す側断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１ 透光性基板
１Ａ 導電膜
１ａ 導電面
１Ｂ リード部
２ 光導電部
２ａ 正孔注入阻止強化層
２ｂ 光導電膜
２ｃ 電子ビームランディング層
２Ａ 走査面
２Ｂ 光入射面
２Ｃ 走査領域
３ インジウムリング
３Ａ 開口部
４ ガラス管
５ 電子ビーム源
６ 第１グリッド電極
７ 第２グリッド電極
８ 第３グリッド電極
９ メッシュ電極
１０、２１ 遮蔽リング
１０Ａ 開口部
１１ 電源
１２ 読み出し部
２０ 電子放出源アレイ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ターゲット電極に高電圧を印加して使用するのに好適な撮像デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
撮像管は、導電面のターゲット電極と光導電膜を含む光導電部で構成されるターゲット部と、信号を読み出すための電子ビームを発生する走査電子ビーム発生部とを具え、ターゲット電極に外部電源から正電圧を印加することで、光導電膜に入射する光（紫外線、赤外線、可視光線、及びＸ線を含み、これらを総じて光と称す）を吸収して電荷に変換し、変換された電荷を光導電部に蓄積し、蓄積された電荷を電子ビームにより直接電気信号として取り出すデバイスである。このターゲット部と走査電子ビーム発生部は、筐体によって真空を介して対向するように保持される。
【０００３】
従来のビジコン又はサチコン等の撮像管では、ターゲット部の導電面に電気的に接続されたインジウムリングを介して、光導電膜で生成される電荷を外部へ読み出している。しかし、この場合、インジウムリングは、導電面の電位と同電位になるため、撮像管内で発生する二次電子、走査時の余剰電子である戻り電子ビーム、又は、電極壁で反射されて散乱する電子等の管内を漂遊する電子（以下、漂遊電子と称す）がインジウムリングに引き寄せられる。
【０００４】
特に、光導電膜内での電荷のアバランシェ増倍現象を利用して高感度化を実現する撮像管（例えば、非特許文献１参照）や、入射Ｘ線の吸収量を高めるために光導電膜の厚さを増大させた撮像管では、ターゲット電圧（ターゲット電極に印加する電圧）を高電圧化して動作させる必要がある。このため、漂遊電子のインジウムリングへの付着や、インジウムリングへの突入による二次電子放出が活発になり、再生画像に電極反射像（戻り電子ビームが管内の電極で反射されて再びターゲット部に入射することにより発生する偽信号による像）、さざ波現象（特に再生画像の周辺部分にさざ波状に変化する異常パターンが発生する現象）、反転現象（再生画像の一部、特に周辺部に対応する映像信号のレベルの異常な低下、又は信号の極性の反転が生じる現象）等の画像不良現象が生じやすくなる。
【０００５】
このような画像不良現象に対する対策として、漂遊電子がインジウムリングに引き寄せられることを防止するために、ターゲット部の非走査領域に、ターゲット部とは絶縁された電極を設ける手法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、この手法では、ターゲット部とは絶縁された電極に外部から電圧を印加するための機構を新設する必要があり、撮像デバイスや撮像装置の構成が複雑になるという問題がある。
【０００６】
そこで、このような電圧印加機構を新設することなく、画像不良現象を防止しつつ、ターゲット部に高電圧を印加して動作させるために、基板に金属性のピンを貫通して植設させ、この金属性のピンを介して光導電膜で生成された電荷を外部へ読み出し、インジウムリングはターゲット電極と電気的に絶縁し、接地電位（電子ビーム源と同電位）に保持する手法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【非特許文献１】テレビジョン学会全国大会講演予稿集、１５〜１６頁、１９８９年
【特許文献１】特開平４−２３０９４１号公報
【特許文献２】特開平５−３４３０１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献２記載の撮像管では、ターゲット電極に高電圧を印加して動作させても、画像不良現象を発生させることなく、光導電膜で生成された電荷を外部へ読み出すことができる。
【０００８】
しかしながら、基板を貫通させる金属ピンの植設には、撮像管の真空気密の十分な確保、及び、金属ピンとターゲット電極との確実な接触等が求められるため、製造には高度な技術と複雑な工程が必要になるという課題があった。
【０００９】
特に、Ｘ線用撮像デバイスには、Ｘ線やγ線を透過し易いベリリウム（Ｂｅ）薄板、結晶シリコン（Ｓｉ）薄板、窒化ホウ素（ＢＮ）薄板等の導電面を有する基板が用いられるが、中でも導電性のある基板に信号ピンを植設する場合には、基板と信号ピンを電気的に絶縁する必要があるため、製造工程がさらに複雑になるという課題があった。
【００１０】
そこで、本発明は、基板上の導電面と電気的に接続されるインジウムリングを介して信号電荷を読み出す手段を具え、ターゲット部に高電圧を印加して使用しても、偽信号、さざ波現象、及び反転現象等の画像不良現象の発生を抑制することにより、高感度化を実現して良好な画質が得られる撮像デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一局面の撮像デバイスは、導電面を有する透光性基板と、前記導電面上に形成される光導電部と、前記光導電部表面を走査するための電子ビームを発射する電子ビーム源と、前記導電面に電気的に接続され、前記電子ビームの走査又は前記電子ビーム源の選択によって得られる撮像信号を読み出すための信号読み出し電極と、前記光導電部と前記電子ビーム源との間に電子が走行する真空空間を形成する筐体とを具える撮像デバイスにおいて、前記導電面のうち前記光導電部が形成されない非形成面、又は、前記信号読み出し電極のうちの少なくとも一部を前記真空空間内の漂遊電子から遮蔽する遮蔽手段を含む。
【００１２】
前記遮蔽手段は、前記電子ビーム源から見て、前記電子ビームによって前記光導電部が走査される有効走査領域と重複しないように配置される。
【００１３】
また、前記遮蔽手段は、セラミック、ガラス、サファイア、又は樹脂のうちのいずれかで構成される絶縁体であってもよい。
【００１４】
また、前記遮蔽手段は、表面の二次電子放出比が１以下であることが望ましい。
【００１５】
前記遮蔽手段の表面に、三硫化アンチモン製、三セレン化ヒ素製、又はテルル化カドミウム製の多孔質状の薄膜を形成して二次電子放出比を１以下にしてもよい。
【００１６】
また、前記光導電部は、セレンを主原料とする非晶質半導体層で構成される光導電膜を含んでもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、偽信号、さざ波現象、及び反転現象等の画像不良現象の発生を抑制しつつ、製造が容易で、高解像度・高感度特性を有する撮像デバイスを提供できるという特有の効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の撮像デバイスを適用した実施の形態について説明する。
【００１９】
［実施の形態１］
図１は、実施の形態１の撮像デバイスの構成を概念的に示す図であり、（ａ）は側断面図、（ｂ）は撮像デバイスを（ａ）のＡ−Ａ矢視断面で示す図である。
【００２０】
図１（ａ）に示す透光性基板１の一方の面には導電膜１Ａが形成され、この導電膜１Ａの導電面１ａにはさらに光導電部２が形成される。なお、必ずしも導電膜１Ａを一方の面の全面に形成する必要はなく、その場合、光導電部２は導電膜１Ａを覆うように、導電膜１Ａの周辺部の透光性基板１上にかかるように形成しても良い。この透光性基板１は、インジウムリング３によってシールされ、導電膜１Ａとインジウムリング３が電気的に接続される状態でガラス管４に取り付けられる。ガラス管４は、インジウムリング３が取り付けられる開口部を有する管状の部材であり、インジウムリング３によって透光性基板１とシール（密封）されることにより、内部空間が真空に保持される。
【００２１】
図２は、実施の形態１の撮像デバイスの透光性基板１及び光導電部２の構成を詳細に示す図であり、（ａ）は図１（ｂ）の構成を詳細に示す平面図、（ｂ）は撮像デバイスを（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面で示す図である。透光性基板１は、直径が２５ｍｍの透光性ガラスからなる円板状の基板である。基板１の片方の面に、両側にリード部１Ｂを有する長方形状で膜厚３０ｎｍの透光性導電膜（ＩＴＯ）からなる導電膜１Ａがスパッタ蒸着法により形成されている。長方形状部分は走査領域２Ｃを含む大きさとする。導電膜１Ａを、例えば直径２５ｍｍの円形状にしても良いが、長方形状の方がターゲット電極の静電容量を小さくすることが出来るので、より好ましい。
【００２２】
また、光導電部２は、正孔注入阻止強化層２ａ、光導電膜２ｂ、及び電子ビームランディング層２ｃで構成される。
【００２３】
正孔注入阻止強化層２ａは、直径２０ｍｍ、膜厚１０〜３０ｎｍの酸化セリウム（ＣｅＯ２）で構成され、真空蒸着法により形成される。光導電膜２ｂは、正孔注入阻止強化層２ａ上に直径２０ｍｍ、膜厚２〜５０μｍのセレン（Ｓｅ）を主原料とする非晶質半導体層として真空蒸着法により形成される。また、電子ビームランディング層２ｃは、直径２０ｍｍ、膜厚０．１μｍの三硫化アンチモン（Ｓｂ２Ｓ３）層として、例えば、圧力０．１〜０．４Ｔｏｒｒのアルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気中で蒸着される。この場合、電子ビームランディング層２ｃは電子注入阻止層としても作用し、光導電部２を低暗電流型にする役割を担う。
【００２４】
ガラス管４の内部には、奥部から開口部に向けて、電子ビーム源５、第１グリッド電極６、第２グリッド電極７、第３グリッド電極８、及びメッシュ電極９が配設される。また、メッシュ電極９と光導電部２との間には、漂遊電子の突入を遮断する遮断手段として遮蔽リング１０が配設される。この遮蔽リング１０は、ガラス管４の内周面に嵌合する環状の絶縁性部材であり、光導電部２とメッシュ電極９とによって狭持される。遮蔽リング１０の機能については後述する。また、ガラス管４は光導電部２と電子ビーム源５との間に電子が走行する真空空間を形成する筐体となっている。
【００２５】
なお、インジウムリング３には、導電膜１Ａで構成されるターゲット電極に正電圧を印加するために電源１１の正極性端子が接続され、また撮像信号を読み出すための読み出し部１２が接続される。その際、電源１１のもう一方の負極性端子は電子ビーム源5に接続され、走査電子ビームを介して閉回路を形成する様に設置される。ターゲット電極に印加される電圧をターゲット電圧と称す。
【００２６】
また、ガラス管４の外側には、図示しない偏向コイル及び集束コイルが配設され、第３グリッド電極８内で加速される電子（電子ビーム５Ａ）を偏向・集束させる。
【００２７】
電子ビーム源５には陰極材料が内蔵されており、これをヒータで加熱することにより電子雲が励起発生される。また、第１グリッド電極６、第２グリッド電極７、第３グリッド電極８、及びメッシュ電極９は、電子を光導電部２の方向に引き出して加速させるための電極である。これらの加速電子は前記集束コイル及び偏向コイルで偏向・集束され、メッシュ電極９を通過させることで面内方向に均等な走査電子ビームに成形される。
【００２８】
ここで、各電極に印加される電圧は、電子ビーム源のヒータ：約６Ｖ、第１グリッド電極６：約２０Ｖ、第２グリッド電極７：約３００Ｖ、第３グリッド電極８：約６００Ｖ、メッシュ電極９：約８００Ｖである。
【００２９】
光導電部２の走査面２Ａの電子ビームで走査される領域の表面には、走査期間中電子ビーム源５とほぼ同電位になるまで電子ビームが付着し、余剰の電子は戻りビーム電子となって管内に反射されることになる。その結果、光導電部２の走査面２Ａと導電面１ａの間にターゲット電圧が印加されることになり、また走査終了直後は走査面２Ａとメッシュ電極９との間隙に強い減速電界が生じる。非走査期間中に光が入射すると、吸収された光で光導電膜２ｂ内に電子―正孔対が生成され、正孔が光導電部２内の電界に沿って走査面２Ａまで走行し、付着している電子と再結合するので、走査面２Ａの表面電位は正方向に変化する。次の電子ビーム走査では、正方向に上昇した走査面２Ａの表面電位を元に戻すまで走査電子ビームが付着することになり、その際に閉回路に流れる電流変化が信号読み出し部１２から撮像信号として取り出される。
【００３０】
図１（ｂ）に示すように、光導電部２は、電子ビーム源５と対向する走査面２Ａの中央部に走査領域２Ｃを有する。この走査領域２Ｃは、偏向コイル及び集束コイルによって偏向・集束される電子ビームにより、撮像信号を取り出すための走査が行われる領域である。
【００３１】
遮蔽リング１０は、走査領域２Ｃよりも大きい開口部１０Ａを有し、かつ、電子ビーム源５から見て、開口部１０Ａが走査領域２Ｃに重複しないように配設される。例えば、外径２０ｍｍ、内径１７ｍｍ、厚さ２．５ｍｍのガラス製の部材であり、光導電部２とメッシュ電極９との間に挟み込まれる。
【００３２】
なお、インジウムリング３の開口部３Ａは、遮蔽リング１０の開口部１０Ａよりも大きく、径方向外側に位置する。すなわち、インジウムリング３は、光導電部２の走査領域２Ｃとは重複しないように配設される。
【００３３】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、透光性基板１の導電膜１Ａのうち光導電部２が形成されない非形成領域、及び、インジウムリング３が絶縁性の遮蔽リング１０によって覆われる。
【００３４】
本実施の形態の撮像デバイスによれば、遮蔽リング１０を有することにより、導電膜１Ａ及びインジウムリング３がガラス管４内の真空空間に存在する漂遊電子から遮蔽されるので、導電膜１Ａ及びインジウムリング３への漂遊電子の突入を抑制することができ、この結果、例えばターゲット電圧として１０００Ｖ〜５０００Ｖの高電圧を導電膜１Ａに印加しても、偽信号、さざ波現象、反転現象といった画像不良現象を伴うことなく高画質な撮像信号を得ることができる。
【００３５】
また、従来技術のように、透光性基板１に金属ピンを植設する等の複雑な製造工程を要することなく、容易に製造することができる。
【００３６】
なお、遮蔽リング１０は、電子が滞留しないよう電気的な絶縁体であり、当然透光性基板１及びインジウムリング３と電気的に絶縁されている。また、その材質はガラスに限定されず、例えば、セラミック、サファイア、又は樹脂のいずれかであってもよい。
【００３７】
また、遮蔽リング１０の開口部１０Ａは、電子ビーム５Ａの軌道を妨害しない形状であればよく、円形に限られず楕円形や矩形であってもよい。
【００３８】
また、以上では、漂遊電子から導電膜１Ａ及びインジウムリング３を遮蔽するための部材として遮蔽リング１０を用いる場合について説明したが、この遮蔽部材は環状（リング状）のものに限定されるものではなく、ガラス管４の内周方向において分割されていても、Ｃ字型のように切り欠きを有していてもよく、導電膜１Ａの導電面１ａのうち光導電部２が形成されない非形成面、又は、インジウムリング３の内周面のうちの少なくとも一部、あるいは、その両方を真空空間内の漂遊電子から遮蔽する任意の形状で構成することができる。
【００３９】
また、遮蔽リング１０の表面には、二次電子放出比が１以下となるような加工等が施されることが望ましい。例えば、表面を粗面とする加工、又は、表面に三硫化アンチモン（Ｓｂ２Ｓ３）、三セレン化ヒ素（Ａｓ２Ｓｅ３）、若しくはテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）で構成される多孔質状の薄膜を形成する加工等を施してもよい。
【００４０】
また、以上では、光導電部２にセレン（Ｓｅ）を主原料とする非晶質半導体層を含む光導電膜２ｂを用いた撮像デバイスについて説明したが、遮蔽リング１０は、光導電部２の種類を問わず、様々な種類の光導電膜を有する撮像デバイスに適用することができる。特に、以上で説明したセレン（Ｓｅ）を主原料とする非晶質半導体層を光導電膜２ｂに用いた撮像デバイスでは、光導電膜内で電荷のアバランシェ増倍が生じる程の高電圧をターゲット電極に印加して使用することにより、画像不良現象を抑制して超高感度、高解像度、低残像の極めて高品質な画質を実現することができるが、その他の種類の光導電膜を用いた撮像デバイスにおいても、画像不良現象を抑制して極めて高品質な画質を実現することができる。
【００４１】
なお、本実施の形態の撮像デバイスを駆動させるために各電極に印加する電圧は前記の値に限定されるものではない。
【００４２】
また、透光性基板１は、ガラス基板に限らず、透光性樹脂基板、又はオプティカルファイバープレートであってもよい。また、Ｘ線に対する透過率が高いベリリウム（Ｂｅ）、結晶シリコン（Ｓｉ）、又は窒化ホウ素（ＢＮ）等の薄板等を透光性基板１として用いれば、以上で説明した遮蔽部材（遮蔽リング１０）をＸ線用の撮像デバイスにも適用することができる。この場合、入射Ｘ線の吸収量を高めるために、光導電膜２ｂの厚さを増大させ、ターゲット電圧を高くして動作させても、画像不良現象を大幅に抑制することができる。
【００４３】
また、以上では、一般的に広く使われている磁界集束・磁界偏向型撮像管を用いて説明したが、電子ビームを真空中で加速し、光導電部にランディングさせて蓄積電荷を読み出す方式のデバイスであれば、他の形式の撮像デバイスであってもよい。
【００４４】
［実施の形態２］
図３は、実施の形態２の撮像デバイスの構成を概略的に示す側断面図である。実施の形態２の撮像デバイスでは、電子ビーム源として電子放出源アレイ２０を備える点と、透光性基板１として厚さ０．５ｍｍ、直径２５ｍｍのベリリウム（Ｂｅ）製の薄板状の導電性基板を用いる点が実施の形態１の撮像デバイスと主に相違する。以下、実施の形態１の撮像デバイスと同一又は同等の構成要素には同一の符号を用い、その説明を省略する。
【００４５】
実施の形態２の撮像デバイスはＸ線画像用撮像デバイスに好適である。ベリリウム（Ｂｅ）製の薄板状の透光性基板１は導電性を有するため、実施の形態１のように片方の面上に導電膜１Ａを形成する必要はない。このため、導電面１ａは、透光性基板１の片方の表面となる。光導電部２は、実施の形態１の光導電部２と同一であり、導電面１ａの上に形成される。
【００４６】
また、ガラス管４はカップ状であり、内部には漂遊電子の突入を遮蔽する遮蔽手段として外径２０ｍｍ、内径１７ｍｍ、高さ１０ｍｍのセラミック製の遮蔽リング２１が配設される。この遮蔽リング２１の表面には、圧力０．１〜０．４Ｔｏｒｒのアルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気中で膜厚１００ｎｍの三硫化アンチモン（Ｓｂ２Ｓ３）からなる二次電子放出抑制層が蒸着されている。なお、カップ状のガラス管４の代わりに、金属製の真空チャンバを用いてもよい。
【００４７】
電子放出源アレイ２０は、微小カソードがマトリクス状に配列された平板状の電子ビーム源である。走査ラインと選択ラインに印加する電圧値を制御することにより、所望のカソードから電子ビームを光導電部２に発射することができる。なお、電子放出源アレイ２０はカソードを選択して電子ビームを発射できるため、実施の形態１の撮像デバイスのように、第１グリッド電極６、第２グリッド電極７、第３グリッド電極８、偏向コイル、及び集束コイルは配設されない。
【００４８】
遮蔽リング２１は、開口部が電子放出源アレイ２０から見て走査領域２Ｃを妨害しないように、光導電部２の走査面２Ａに接した状態で配設される。図３に示すように光導電部２とガラス管４内の底部との間に遮蔽リング２１を挟んだ状態で、透光性基板１とガラス管４とはインジウムリング３を介してシールされる。
【００４９】
本実施の形態の撮像デバイスによれば、遮蔽リング２１を有することにより、導電面１ａ及びインジウムリング３がガラス管４内の真空空間に存在する漂遊電子から遮蔽されるので、実施の形態１の撮像デバイスと同様に、導電性のある透光性基板１及びインジウムリング３への漂遊電子の突入を抑制することができ、この結果、例えばターゲット電圧として１０００Ｖ〜５０００Ｖの高電圧を透光性基板１の導電面１ａに印加しても、偽信号、さざ波現象、反転現象といった画像不良現象を伴うことなく高画質な撮像信号を得ることができる。
【００５０】
また、従来のように、透光性基板１に金属ピンを植設する等の複雑な製造工程を要することなく、容易に製造することができる。
【００５１】
以上、実施の形態１及び２で得られる撮像デバイスをテレビカメラに実装し、光導電膜２ｂの電界強度が約１×１０８Ｖ／ｍになるような電圧を光導電部２に印加したところ、いずれの撮像デバイスを使用したテレビカメラでも、画像不良現象は全く認められなかった。特に、膜厚５０μｍのセレン（Ｓｅ）を主原料とする非晶質半導体からなる光導電膜２ｂを有する撮像デバイスでは、５０００Ｖ以上のターゲット電圧を印加してアバランシェ増倍を生じさせて使用しても、画像不良現象は全く認められなかった。
【００５２】
このように、実施の形態１及び２の撮像デバイスは、高画質が要求されるテレビジョンカメラ、特にハイビジョン用カメラに最適であり、産業、医療、理化学分野等の画像解析システムに適用すれば、高Ｓ／Ｎでの信号処理が可能になる等の効果が得られる。
【００５３】
以上、本発明の例示的な実施の形態の撮像デバイスについて説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施の形態１の撮像デバイスの構成を示す図であり、（ａ）は側断面図、（ｂ）は撮像デバイスを（ａ）のＡ−Ａ矢視断面で示す図である。
【図２】実施の形態１の撮像デバイスの透光性基板１及び光導電部２の構成を詳細に示す図であり、（ａ）は図１（ｂ）の構成を詳細に示す平面図、（ｂ）は撮像デバイスを（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面で示す図である。
【図３】実施の形態２の撮像デバイスの構成を概略的に示す側断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１ 透光性基板
１Ａ 導電膜
１ａ 導電面
１Ｂ リード部
２ 光導電部
２ａ 正孔注入阻止強化層
２ｂ 光導電膜
２ｃ 電子ビームランディング層
２Ａ 走査面
２Ｂ 光入射面
２Ｃ 走査領域
３ インジウムリング
３Ａ 開口部
４ ガラス管
５ 電子ビーム源
６ 第１グリッド電極
７ 第２グリッド電極
８ 第３グリッド電極
９ メッシュ電極
１０、２１ 遮蔽リング
１０Ａ 開口部
１１ 電源
１２ 読み出し部
２０ 電子放出源アレイ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電面を有する透光性基板と、
前記導電面上に形成される光導電部と、
前記光導電部に走査用の電子ビームを発射する電子ビーム源と、
前記導電面に電気的に接続され、前記電子ビームの走査又は前記電子ビーム源の選択によって得る撮像信号を読み出すための信号読み出し電極と、
前記光導電部と前記電子ビーム源との間に電子が走行する真空空間を形成する筐体と
を具える撮像デバイスにおいて、
前記導電面のうち前記光導電部が形成されない非形成面、又は、前記信号読み出し電極のうちの少なくとも一部を前記真空空間内の漂遊電子から遮蔽する遮蔽手段を含む、撮像デバイス。
【請求項２】
前記遮蔽手段は、前記電子ビーム源から見て、前記電子ビームによって前記光導電部が走査される有効走査領域と重複しないように配置される、請求項１に記載の撮像デバイス。
【請求項３】
前記遮蔽手段は、セラミック、ガラス、サファイア、又は樹脂のうちのいずれかで構成される絶縁体である、請求項１又は２に記載の撮像デバイス。
【請求項４】
前記遮蔽手段は、表面の二次電子放出比が１以下である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の撮像デバイス。
【請求項５】
前記遮蔽手段の表面には、三硫化アンチモン製、三セレン化ヒ素製、又はテルル化カドミウム製の多孔質状の薄膜が形成される、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の撮像デバイス。
【請求項６】
前記光導電部は、セレンを主原料とする非晶質半導体層で構成される光導電膜を含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の撮像デバイス。
【請求項１】
導電面を有する透光性基板と、
前記導電面上に形成される光導電部と、
前記光導電部に走査用の電子ビームを発射する電子ビーム源と、
前記導電面に電気的に接続され、前記電子ビームの走査又は前記電子ビーム源の選択によって得る撮像信号を読み出すための信号読み出し電極と、
前記光導電部と前記電子ビーム源との間に電子が走行する真空空間を形成する筐体と
を具える撮像デバイスにおいて、
前記導電面のうち前記光導電部が形成されない非形成面、又は、前記信号読み出し電極のうちの少なくとも一部を前記真空空間内の漂遊電子から遮蔽する遮蔽手段を含む、撮像デバイス。
【請求項２】
前記遮蔽手段は、前記電子ビーム源から見て、前記電子ビームによって前記光導電部が走査される有効走査領域と重複しないように配置される、請求項１に記載の撮像デバイス。
【請求項３】
前記遮蔽手段は、セラミック、ガラス、サファイア、又は樹脂のうちのいずれかで構成される絶縁体である、請求項１又は２に記載の撮像デバイス。
【請求項４】
前記遮蔽手段は、表面の二次電子放出比が１以下である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の撮像デバイス。
【請求項５】
前記遮蔽手段の表面には、三硫化アンチモン製、三セレン化ヒ素製、又はテルル化カドミウム製の多孔質状の薄膜が形成される、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の撮像デバイス。
【請求項６】
前記光導電部は、セレンを主原料とする非晶質半導体層で構成される光導電膜を含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の撮像デバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００９−１２３４２３（Ｐ２００９−１２３４２３Ａ）
【公開日】平成２１年６月４日（２００９．６．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２９４２８４（Ｐ２００７−２９４２８４）
【出願日】平成１９年１１月１３日（２００７．１１．１３）
【出願人】（０００００４３５２）日本放送協会 (2,206)
【出願人】（０００２３６４３６）浜松ホトニクス株式会社 (1,479)
【出願人】（０００２０１８１４）双葉電子工業株式会社 (201)
【出願人】（０００００５０１６）パイオニア株式会社 (3,620)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年６月４日（２００９．６．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１１月１３日（２００７．１１．１３）
【出願人】（０００００４３５２）日本放送協会 (2,206)
【出願人】（０００２３６４３６）浜松ホトニクス株式会社 (1,479)
【出願人】（０００２０１８１４）双葉電子工業株式会社 (201)
【出願人】（０００００５０１６）パイオニア株式会社 (3,620)
【Ｆターム（参考）】
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