液晶パネルの製造方法
【課題】真空注入法によって空セルに液晶材料を注入する場合でも、液晶材料の注入量を適正化することのできる液晶パネルの製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶パネルを製造するにあたって、空セル形成工程で液晶パネル用の空セル３ｅを形成する際、大型基板１０ｘの素子基板１０が切り出される領域の外側に、空セル３ｅと内容積が相違するダミー空セル３ｇを形成しておき、液晶封入工程では、空セル３ｅ内およびダミー空セル３ｇ内に液晶材料５０ａの注入を行う。その際、ダミー空セル３ｇにおける液晶材料５０ａの充填率に伴う形状変化を監視すれば、空セル３ｅでの充填状態を把握することができるので、ダミー空セル３ｇの監視結果に基づいて、液晶パネル３用の空セル３ｅ内への液晶材料５０ａの注入を終了するタイミングを決定する。
【解決手段】液晶パネルを製造するにあたって、空セル形成工程で液晶パネル用の空セル３ｅを形成する際、大型基板１０ｘの素子基板１０が切り出される領域の外側に、空セル３ｅと内容積が相違するダミー空セル３ｇを形成しておき、液晶封入工程では、空セル３ｅ内およびダミー空セル３ｇ内に液晶材料５０ａの注入を行う。その際、ダミー空セル３ｇにおける液晶材料５０ａの充填率に伴う形状変化を監視すれば、空セル３ｅでの充填状態を把握することができるので、ダミー空セル３ｇの監視結果に基づいて、液晶パネル３用の空セル３ｅ内への液晶材料５０ａの注入を終了するタイミングを決定する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シール材の液晶注入口から空セル内に液晶材料を真空注入する液晶パネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、画素トランジスターおよび画素電極等が形成された素子基板がシール材によって対向基板と貼り合わされた液晶パネルを有しており、素子基板と対向基板との間でシール材により囲まれた領域に液晶層が保持されている。このため、液晶パネルの製造工程では、素子基板と対向基板とをシール材で貼り合わせて、液晶注入口を備えた空セルを形成した後、真空注入法により液晶注入口から空セル内に液晶材料を注入することになる（特許文献１参照）。
【０００３】
真空注入法による液晶材料の注入は、例えば、空セルが配置された雰囲気を真空状態から常圧に戻すことによって、素子基板上に塗布された液晶材料の注入を開始する。そして、空セル内に液晶材料が過剰に注入されてセルがわずかに膨らんだ時点で、セルの厚さが所定の寸法になるようにセルを加圧して過剰な液晶材料を液晶注入口から押し出し、この状態で、液晶注入口を封止材で塞ぐ。このような方法の場合、空セル内への液晶の注入を停止するタイミングは、セルを加圧するタイミングによって規定される。
【０００４】
また、真空注入法による液晶材料の注入は、槽内に貯留された液晶材料に空セルの液晶注入口を真空雰囲気下で浸漬した後、常圧に戻すことによって行われる場合があり、この場合、空セル内への液晶の注入を停止するタイミングは、セルを槽から引き上げるタイミングによって規定される。
【０００５】
一方、液晶封入工程として液晶滴下法を利用した工程が提案されており、かかる方法では、大型基板の素子基板が切り出される領域にシール材を塗布した後、シール材で囲まれた領域内に液晶材料を滴下し、その後、シール材によって対向基板を貼り合わせる（特許文献２参照）。かかる方法を採用した場合には、シール材に液晶注入口が設けられておらず、また、空セル内への液晶材料の注入量は、液晶材料の滴下量によって定まるため、空セル内への液晶の注入を停止するという概念が存在しない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１０７８１１号公報
【特許文献２】特開２００５−１０７１７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
真空注入法により液晶材料を注入する場合、空セル内に注入される液晶材料の量は、空セル内への液晶の注入を停止するタイミングによって制御されるが、かかるタイミングを適正に決定する方法がないため、空セル内に注入される液晶材料の量がばらつきやすいという問題点がある。すなわち、液晶の注入速度は、真空度や液晶材料の粘度等によって変動するため、処理時間だけの管理では、空セル内に注入される液晶材料の量を適正に管理することが困難である。
【０００８】
かかる問題点は、真空注入法を採用した場合に特有の問題点であり、液晶滴下法を利用した場合、このような問題は発生しない。それ故、特許文献２には、真空注入法を採用した場合の上記の問題点については一切、記載されていない。
【０００９】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、真空注入法によって空セルに液晶材料を注入する場合でも、液晶材料の注入量を適正化することのできる液晶パネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明は、大型基板の素子基板が切り出される領域と対向基板とをシール材で貼り合わせて液晶注入口を備えた液晶パネル用の空セルを形成する空セル形成工程と、真空注入法により前記液晶注入口から前記空セル内に液晶材料を注入した後、前記液晶注入口を封止材で塞ぐ液晶封入工程と、前記大型基板を切断する切断工程と、を有する液晶パネルの製造方法において、前記空セル形成工程では、前記大型基板の前記素子基板が切り出される領域の外側に前記空セルと内容積の異なるダミー空セルを形成し、前記液晶封入工程では、前記空セル内および前記ダミー空セル内に前記液晶材料の注入を開始した後、前記ダミー空セルに対する監視結果に基づいて、前記空セル内への前記液晶材料の注入を終了するタイミングを決定することを特徴とする。
【００１１】
本発明においては、素子基板が大型基板の状態で空セル形成工程および液晶封入工程が実施されることから、空セル形成工程で液晶パネル用の空セルを形成する際、大型基板の素子基板が切り出される領域の外側にダミー空セルを形成しておき、液晶封入工程では、空セル内およびダミー空セル内に液晶材料の注入を行う。その際、注入の進行にともなって、空セルおよびダミー空セルは、形状等が変化していく。ここで、空セルとダミー空セルとでは、内容積が異なるため、いずれのタイミングでも、空セルとダミー空セルとでは、液晶材料の充填率が相違する。それ故、空セルとダミー空セルとでは形状変化の度合い等も異なり、空セルでは、形状変化等を明確に確認できないタイミングでも、ダミー空セルで明確に監視することができる。従って、大型基板１枚毎に、ダミー空セルにおける液晶材料の充填率に伴う形状変化等を監視すれば、空セルでの充填状態を把握することができるので、ダミー空セルの監視結果に基づいて、液晶パネル用の空セル内への液晶材料の注入を終了するタイミングを適正に決定することができる。よって、真空注入法によって空セルに液晶材料を注入する場合でも、空セルへの液晶材料の注入量を適正化することができる。
【００１２】
本発明において、前記ダミー空セルとして、少なくとも、前記空セルより内容積の小さなダミー空セルを形成することが好ましい。かかる構成によれば、ダミー空セルは、空セルよりも形状変化等が確実に先行するので、空セルでは監視できない形状変化等をダミー空セルで監視することができる。従って、ダミー空セルにおける液晶材料の充填率に伴う形状変化等を監視すれば、空セルでの充填状態を先行して把握することができる。それ故、大型基板１枚毎に、ダミー空セルの監視結果に基づいて、液晶パネル用の空セル内への液晶材料の注入を終了するタイミングを、より適正に決定することができるので、真空注入法によって空セルに液晶材料を注入する場合でも、空セルへの液晶材料の注入量をより適正化することができる。
【００１３】
本発明において、前記ダミー空セルとして、内容積が異なる複数のダミー空セルを形成することが好ましい。かかる構成によれば、内容積が異なる複数のダミー空セルの監視結果に基づいて、液晶パネル用の空セル内への液晶材料の注入を終了するタイミングを、より適正に決定することができるので、真空注入法によって空セルに液晶材料を注入する場合でも、空セルへの液晶材料の注入量をより適正化することができる。
【００１４】
本発明において、前記液晶封入工程では、例えば、前記ダミー空セルの形状変化を監視する。液晶材料の充填が進行すれば、空セルおよびダミー空セルが膨らんでいくので、液晶材料の充填状態を容易に把握することができる。
【００１５】
この場合、前記液晶封入工程では、前記ダミー空セルで発生するニュートンリングの監視結果に基づいて、前記ダミー空セルの形状変化を監視することが好ましい。ニュートンリングであれば、目視等でも容易に監視することができるので、液晶パネル用の空セル内への液晶材料の注入を終了するタイミングを、容易に決定することができる。
【００１６】
本発明において、前記液晶封入工程では、前記空セルおよび前記ダミー空セルが配置された雰囲気を真空状態から真空度を低下させた状態に変化させて前記大型基板上に塗布された前記液晶材料の注入を開始した後、前記大型基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方を加圧して前記液晶材料の注入を終了する構成を採用することができる。
【００１７】
本発明において、前記液晶封入工程では、真空雰囲気中で前記液晶注入口を槽に貯留された前記液晶材料に浸漬した後、真空度を低下させて前記液晶材料の注入を開始し、前記液晶注入口を前記液晶材料の液面から離間させて前記液晶材料の注入を終了する構成を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた液晶パネルの説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る液晶パネルの製造工程を示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る液晶パネルの製造工程で用いる大型基板等の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る液晶パネルの製造工程で形成した空セル等の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る液晶パネルの製造工程で形成した空セルの形状変化等の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る液晶パネルの製造工程において、液晶材料の注入を別のタイミングで停止する場合の説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る液晶パネルの製造工程のうち、液晶封入工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２０】
［実施の形態１］
（液晶装置の全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた液晶パネルの説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２１】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶装置１は、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされた液晶パネル３を有している。液晶パネル３において、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、素子基板１０と対向基板２０との間においてシール材１０７により囲まれた領域内に液晶層５０が保持されている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。シール材１０７は、途切れ部分からなる液晶注入口１０７ａを有しており、液晶注入口１０７ａは封止材１０６によって塞がれている。
【００２２】
本形態において、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、素子基板１０は、Ｘ方向に延在するとともにＹ方向で互いに対向する２つの端部１０ａ、１０ｂと、Ｙ方向に延在するとともにＸ方向で互いに対向する２つの端部１０ｃ、１０ｄとを備えている。また、対向基板２０は、Ｘ方向に延在するとともにＹ方向で互いに対向する２つの端部２０ａ、２０ｂと、Ｙ方向に延在するとともにＸ方向で互いに対向する２つの端部２０ｃ、２０ｄとを備えている。液晶パネル３の略中央には、画素領域１ａ（画像表示領域）が四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画素領域１ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１ｂが額縁状に設けられている。素子基板１０の一方側の基板面において、画素領域１ａには、画素トランジスター（図示せず）や画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。また、素子基板１０の一方面側において、周辺領域１ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００２３】
素子基板１０は、対向基板２０の端部２０ａから一方側（Ｙ方向）に張り出した張出領域１０５を備えており、かかる張出領域１０５には、素子基板１０の一方側の端部１０ａに沿って複数の端子１０２が形成されている。張出領域１０５では、端子１０２が配列されている領域に対して端部１０ａが位置する側とは反対側にデータ線駆動回路１０１が形成されている。また、素子基板１０には、Ｘ方向で対向する端部１０ｃ、１０ｄに沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２４】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素に跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は対向基板２０の全面に形成されている。また、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画素領域１ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されており、見切りとして機能する。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、対向基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる位置等にも形成されることがある。
【００２５】
このように構成した液晶パネル３において、素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる位置に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。かかる基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。
【００２６】
かかる構成の液晶装置１において、画素電極９ａおよび共通電極２１を透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａを反射性電極として構成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、液晶装置１では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル３に対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１は、投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００２７】
（液晶パネル３の製造方法の概要）
図２は、本発明の実施の形態１に係る液晶パネル３の製造工程を示す説明図である。図１および図２に示すように、液晶パネル３を製造するには、まず、素子基板１０に対して画素電極９ａ等の形成工程Ｓ１を行った後、斜方蒸着法、印刷法、スピンコート法等により配向膜１６を形成する配向膜形成工程Ｓ２を行う。配向膜１６がポリイミド膜からなる場合には、配向膜形成工程Ｓ２の後、配向膜１６に対するラビング工程Ｓ３を行う。一方、対向基板２０に対しては、共通電極２１等の形成工程Ｓ１１を行った後、斜方蒸着法、印刷法、スピンコート法等により配向膜２６を形成する配向膜形成工程Ｓ１２を行う。配向膜２６がポリイミド膜からなる場合には、配向膜形成工程Ｓ１２の後、配向膜２６に対するラビング工程Ｓ１３を行う。
【００２８】
次に、空セル形成工程Ｓ２０では、素子基板１０と対向基板２０とをシール材１０７で貼り合わせて液晶注入口１０７ａを備えた液晶パネル３用の空セル３ｅを形成する。より具体的には、まず、素子基板１０に対してシール材１０７を塗布するシール印刷工程Ｓ２１を行う。かかるシール材１０７の塗布は、ノズルからシール材を突出しながら、ノズルと素子基板１０とを相対移動させて、シール材１０７を矩形枠状に描画する。次に、シール材１０７によって素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる貼り合わせ工程Ｓ２５を行う。かかる貼り合わせ工程Ｓ２５では、まず、重ね合わせ工程Ｓ２２において、シール材１０７を間に挟んで素子基板１０と対向基板２０とを重ね合わせ、その後に、シール硬化工程Ｓ２３においてシール材１０７を硬化させ、空セル３ｅを構成する。かかるシール硬化工程Ｓ２３では、例えば、対向基板２０側からＵＶ光等を照射してシール材１０７を硬化させる。
【００２９】
次に、液晶封入工程Ｓ３０では、空セル３ｅ内に液晶材料５０ａを注入した後、液晶注入口１０７ａを封止材１０６で塞ぐ。かかる液晶封入工程Ｓ３０では、まず、液晶注入工程Ｓ３１において、真空注入法により、液晶注入口１０７ａから空セル３ｅ内に液晶材料５０ａを注入した後、封止工程Ｓ３２において、液晶注入口１０７ａに光硬化性樹脂からなる封止材１０６を塗布し、その後、封止材１０６を光硬化させて液晶注入口１０７ａを封止材１０６で塞ぐ。
【００３０】
本形態では、かかる工程までは、素子基板１０として、後述する大型基板を用い、液晶封入工程Ｓ３０の後、切断工程Ｓ４０において、大型基板を単品サイズの素子基板１０に切断して、単品サイズの液晶パネル３を得る。
【００３１】
（液晶パネル３の製造方法の具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る液晶パネル３の製造工程で用いる大型基板等の説明図である。図４は、本発明の実施の形態１に係る液晶パネル３の製造工程で形成した空セル等の説明図である。図５は、本発明の実施の形態１に係る液晶パネル３の製造工程で形成した空セルの形状変化等の説明図である。図６は、本発明の実施の形態１に係る液晶パネル３の製造工程において、液晶材料５０ａの注入を別のタイミングで停止する場合の説明図である。なお、図６（ａ−１）〜（ａ−４）および図６（ｂ−１）〜（ｂ−４）に示す各時点は、図５（ａ−１）〜（ａ−４）および図５（ｂ−１）〜（ｂ−４）に示す各時点と各々対応しており、図６（ａ−５）〜（ａ−７）および図６（ｂ−５）には、図５（ａ−４）および図５（ｂ−４）を参照して説明する工程以降の様子を示してある。また、以下の説明では、空セル３ｅ側とダミー空セル３ｇとを区別するにあたって、液晶材料５０ａの注入前後のいずれにおいても「空セル３ｅ」「ダミー空セル３ｇ」として説明する。
【００３２】
図２を参照して説明した工程により液晶パネル３を得るにあたって、本形態では、画素電極９ａ等の形成工程Ｓ１から液晶封入工程Ｓ３０までは、図３（ａ）に示すように、実線Ｌ１１で示す素子基板１０を多数取りできる大型基板１０ｘの状態で行う。本形態において、大型基板１０ｘをシリコンウェーハと同様、円板状であり、かかる大型基板１０ｘにおいて、複数の素子基板１０が切り出される領域（一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域）が有効領域１０ｙであり、それ以外の領域は、図２に示す切断工程Ｓ４０で除去される無効領域１０ｚ（除材領域／一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域の外側）である。かかる無効領域１０ｚでは、素子基板１０を切り出そうにも幅寸法が狭く、点線Ｌｚで示すように、一部が欠けた素子基板しか得ることができない。
【００３３】
かかる大型基板１０ｘを用いて液晶パネル３を製造するには、図２を参照して説明した空セル形成工程Ｓ２０において、シール印刷工程Ｓ２１では、図３（ｂ）に示すように、大型基板１０ｘのうち、素子基板１０を切り出す複数の領域の各々にシール材１０７を枠状に印刷する。その際、シール材１０７に途切れ部分からなる液晶注入口１０７ａを形成する。
【００３４】
また、本形態では、シール印刷工程Ｓ２１において、無効領域１０ｚにもシール材１０７を枠状に塗布する。その際、無効領域１０ｚに形成したシール材１０７にも液晶注入口１０７ａを設ける。ここで、無効領域１０ｚにおいてシール材１０７で囲んだ領域１０７ｇは、有効領域１０ｙにおいてシール材１０７で囲んだ領域１０７ｅと平面積が相違する。本形態では、無効領域１０ｚにおいてシール材１０７で囲んだ領域１０７ｇは、有効領域１０ｙにおいてシール材１０７で囲んだ領域１０７ｅより平面積が小さい。また、無効領域１０ｚにおいては、シール材１０７で囲んだ領域１０７ｇが３個所あり、本形態では、３つの領域１０７ｇ1、１０７ｇ2、１０７ｇ3における平面積が相違する。従って、領域１０７ｅ、１０７ｇ（領域１０７ｇ1、１０７ｇ2、１０７ｇ3）の平面積は以下の関係にある。
領域１０７g1＜領域１０７ｇ2＜領域１０７ｇ3＜領域１ｅ
【００３５】
次に、貼り合わせ工程Ｓ２５では、図４（ａ）に示すように、大型基板１０ｘの素子基板１０として切り出される複数の領域の各々に対して対向基板２０を重ねた後、シール材１０７を硬化させる。本形態では、対向基板２０は単品サイズの大きさであり、大型基板１０ｘの素子基板１０として切り出される領域（有効領域１０ｙ）には、液晶注入口１０７ａを備えた複数の空セル３ｅが形成される。その際、大型基板１０ｘの無効領域１０ｚのうち、シール材１０７が設けられている領域にも対向基板２０ｇを重ね、シール材１０７を硬化させる。その結果、無効領域１０ｚには、液晶注入口１０７ａを備えたダミー空セル３ｇが形成される。ここで、ダミー空セル３ｇは、平面積が異なる３つのダミー空セル３ｇ1、３ｇ2、３ｇ3として形成され、３つのダミー空セル３ｇ1、３ｇ2、３ｇ3の内容積、および空セル３ｅの内容積は、以下の関係にあり、内容積が相違する。
ダミー空セル３ｇ1＜ダミー空セル３ｇ2＜ダミー空セル３ｇ3＜空セル３ｅ
【００３６】
また、ダミー空セル３ｇに用いた対向基板２０ｇは、空セル３ｅに用いた対向基板２０と厚さや材質が同じであり、形状のみが相違する。
【００３７】
次に、図２を参照して説明した液晶封入工程Ｓ３０において、液晶注入工程Ｓ３１では、図４（ｂ）に示すように、真空注入法により、液晶注入口１０７ａから空セル３ｅ内に液晶材料５０ａを注入するとともに、ダミー空セル３ｇ内にも液晶材料５０ａを注入する。
【００３８】
かかる液晶封入工程Ｓ３０では、空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇが配置された雰囲気を真空状態から真空度を低下させた状態（常圧状態）に変化させて大型基板１０ｘ上に塗布された液晶材料５０ａの注入を開始した後、対向基板２０、２０ｇおよび大型基板１０ｘのうちの少なくとも一方を加圧して液晶材料５０ａの注入を終了する。
【００３９】
より具体的には、空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇを真空雰囲気に配置し、この状態で大型基板１０ｘの空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇの近傍に液晶材料５０ａを滴下すると、液晶材料５０ａは対向基板２０、２０ｇの端部を伝って液晶注入口１０７ａに向けて流れる。従って、空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇが配置されている領域を常圧に戻すと、その差圧によって、液晶材料５０ａは液晶注入口１０７ａから空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇの内部に注入される。しかる後には、液晶注入口１０７ａを封止材１０６で塞ぎ、その後、図２を参照して説明した切断工程Ｓ４０において大型基板１０ｘの有効領域１０ｙを素子基板１０のサイズに切断し、複数の液晶パネル３を得る。
【００４０】
かかる液晶封入工程Ｓ３０において、本形態では、ダミー空セル３ｇに対する監視結果に基づいて、空セル３ｅ内への液晶材料５０ａの注入を終了するタイミングを決定する。より具体的には、空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇを真空雰囲気状態から常圧に戻した際、図５（ａ−１）、（ｂ−１）に示すように、空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇは内側に凹んだ状態にあり、その後、液晶材料５０ａの注入が進行するに伴い、図５（ａ−１）〜（ａ−４）、（ｂ−１）〜（ｂ−４）に示すように、空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇは徐々に膨らんでいく。
【００４１】
ここで、空セル３ｅとダミー空セル３ｇとでは、内容積が異なるため、いずれのタイミングでも、空セル３ｅとダミー空セル３ｇとでは、液晶材料５０ａの充填率が相違する。従って、空セル３ｅとダミー空セル３ｇとでは形状変化の度合いも異なり、空セル３ｅでは監視できない形状変化をダミー空セル３ｇで監視することができる。それ故、図４（ｃ）に示すように、空セル３ｅとダミー空セル３ｇとでは、背後から光源光を照射した際に観察されるニュートンリングの様子が相違する。
【００４２】
より具体的には、ダミー空セル３ｇは、空セル３ｅより内容積が小さいので、ダミー空セル３ｇは、空セル３ｅより先行して形状が変化する。例えば、ダミー空セル３ｇは、図５（ｂ−２）に示す時点までは凹んだ状態にあって、図５（ｂ−３）に示す時点で大型基板１０ｘおよび対向基板２０の凹みが解消される。その後、ダミー空セル３ｇは、図５（ｂ−４）に示す時点で膨らむことになる。これに対して、空セル３ｅは、図５（ａ−３）に示す時点までは凹んだ状態にあって、図５（ａ−４）に示す時点で大型基板１０ｘおよび対向基板２０の撓みが解消される。
【００４３】
そこで、本形態では、ダミー空セル３ｇの形状に対する監視結果に基づいて、空セル３ｅ内への液晶材料５０ａの注入を終了するタイミングを決定する。より具体的には、本形態では、ダミー空セル３ｇで発生するニュートンリングを監視することによって、ダミー空セル３ｇの形状を監視し、かかる監視結果に基づいて、空セル３ｅ内への液晶材料５０ａの注入を終了する。すなわち、ダミー空セル３ｇは、図５（ｂ−２）に示す時点まではニュートンリングが発生し、図５（ｂ−３）に示す時点で大型基板１０ｘおよび対向基板２０の撓みが解消されるので、ニュートンリングが消失する。その後、ダミー空セル３ｇは、図５（ｂ−４）に示す時点で膨らむことになるので、ニュートンリングが再び発生する。これに対して、空セル３ｅは、図５（ａ−３）に示す時点まではニュートンリングが発生し、図５（ａ−４）に示す時点で大型基板１０ｘおよび対向基板２０の撓みが解消されるので、ニュートンリングが消失する。
【００４４】
従って、例えば、ダミー空セル３ｇにニュートンリングが再び発生したことを確認した時点（図５（ｂ−４）に示す時点）において、図５（ａ−４）に矢印Ｆで示すように、空セル３ｅの対向基板２０を大型基板１０ｘに向けて加圧して液晶材料５０ａの注入を停止し、この状態で、図５（ａ−５）に示すように、封止材１０６によって液晶注入口１０７ａを塞ぐ。その結果、液晶パネル３では、液晶材料５０ａが適正な量が充填されることになる。
【００４５】
また、ダミー空セル３ｇの側でニュートンリングが消失したことを確認した時点（図５（ｂ−３）に示す時点）から一定の時間が経過した時点（図５（ｂ−４）に示す時点）において、図５（ａ−４）に矢印Ｆで示すように、空セル３ｅの対向基板２０を大型基板１０ｘに向けて加圧し、液晶材料５０ａの注入を停止するとともにセル厚を調整してもよい。この場合も、空セル３ｅの対向基板２０を大型基板１０ｘに向けて加圧した状態で、図５（ａ−５）に示すように、封止材１０６によって液晶注入口１０７ａを塞ぐことになる。
【００４６】
さらに、図６において、ダミー空セル３ｇの側でニュートンリングが再び発生したことを確認した時点（図６（ｂ−４）に示す時点）から一定の時間が経過した時点（図６（ｂ−５）に示す時点）において、図６（ａ−５）に矢印Ｆで示すように、空セル３ｅの対向基板２０を大型基板１０ｘに向けて加圧して液晶材料５０ａの注入を停止してもよい。また、ダミー空セル３ｇの側でニュートンリングが明確に確認できた時点（図６（ｂ−５）に示す時点）で、図５（ａ−５）に矢印Ｆで示すように、空セル３ｅの対向基板２０を大型基板１０ｘに向けて加圧して液晶材料５０ａの注入を停止してもよい。これらの場合、図６（ａ−６）に示すように、空セル３ｅの対向基板２０を大型基板１０ｘに向けて加圧して液晶材料５０ａの一部を液晶注入口１０７ａから抜いてセル厚を調整した後、図６（ａ−７）に示すように、封止材１０６によって液晶注入口１０７ａを塞ぐことになる。
【００４７】
このようにして、ダミー空セル３ｇの監視結果に基づいて、空セル３ｅの側で液晶材料５０ａの注入を停止するタイミングを決定するにあたって、本形態では、ダミー空セル３ｇとして、内容積が異なる３つのダミー空セル３ｇ1、３ｇ2、３ｇ3が設けられており、液晶材料５０ａの注入にともなって発生する形状変化（ニュートンリングの変化）は、内容積が小さなダミー空セル３ｇで先行して発生する。それ故、ダミー空セル３ｇ1、３ｇ2、３ｇ3での形状変化（ニュートンリングの変化）の監視結果を比較し、その比較結果に基づいて、空セル３ｅの側で液晶材料５０ａの注入を停止するタイミングを決定してもよい。かかる構成によれば、内容積が１種類のダミー空セル３ｇに対する監視結果を利用する場合よりも、空セル３ｅに液晶材料５０ａが適正な量で注入されるタイミングを確実に予測することができるので、液晶材料５０ａの注入を停止するタイミングを適正に決定することができる。
【００４８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、素子基板１０が大型基板１０ｘの状態で空セル形成工程および液晶封入工程が実施されることから、空セル形成工程で液晶パネル３用の空セル３ｅを形成する際、大型基板１０ｘの素子基板１０が切り出される領域の外側にダミー空セル３ｇを形成しておき、液晶封入工程では、空セル３ｅ内およびダミー空セル３ｇ内に液晶材料５０ａの注入を行う。その際、注入の進行にともなって、空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇは、形状が変化していく。ここで、空セル３ｅとダミー空セル３ｇとでは、内容積が異なるため、いずれのタイミングでも、空セル３ｅとダミー空セル３ｇとでは、液晶材料の充填率が相違する。それ故、空セル３ｅとダミー空セル３ｇとでは形状変化の度合いも異なり、空セル３ｅでは監視できない形状変化をダミー空セル３ｇで監視することができる。従って、大型基板１０ｘ毎に、ダミー空セル３ｇにおける液晶材料５０ａの充填率に伴う形状変化を監視すれば、空セル３ｅでの充填状態を把握することができる。それ故、大型基板１０ｘ毎に、ダミー空セル３ｇの監視結果に基づいて、液晶パネル３用の空セル３ｅ内への液晶材料５０ａの注入を終了するタイミングを適正に決定することができる。よって、真空注入法によって空セル３ｅに液晶材料５０ａを注入する場合でも、空セル３ｅへの液晶材料５０ａの注入量を適正化することができる。
【００４９】
また、本形態では、ダミー空セル３ｇとして、空セル３ｅより内容積の小さなダミー空セルを形成してあり、ダミー空セル３ｇは、空セル３ｅよりも形状変化が確実に先行する。従って、空セル３ｅでは監視できない形状変化をダミー空セル３ｇで先に監視することができる。従って、ダミー空セル３ｇにおける液晶材料５０ａの充填率に伴う形状変化を監視すれば、空セル３ｅでの充填状態を事前に確実に把握することができる。また、ダミー空セル３ｇとして、空セル３ｅより内容積の小さなダミー空セルを形成する場合であれば、大型基板１０ｘの無効領域１０ｚが狭くても、必要な数のダミー空セル３ｇを形成することができる。
【００５０】
しかも、本形態では、ダミー空セル３ｇとして、内容積が異なる複数のダミー空セル３ｇ1、３ｇ2、３ｇ3を形成したため、ダミー空セル３ｇ1、３ｇ2、３ｇ3の監視結果を比較した結果に基づいて、空セル３ｅ内への液晶材料５０ａの注入を終了するタイミングを、より適正に決定することができる。よって、それ故、真空注入法によって空セル３ｅに液晶材料５０ａを注入する場合でも、空セル３ｅへの液晶材料５０ａの注入量をより適正化することができる。
【００５１】
［実施の形態１の変形例］
実施の形態１では、大型基板１０ｘの素子基板１０が切り出される領域と、単品サイズの対向基板２０とをシール材１０７で貼り合わせたが、対向基板として、単品サイズの対向基板２０を複数取りできる大型基板を用いた場合に実施の形態１の構成を採用してもよい。この場合、切断工程において、大型基板１０ｘを切断する際、対向基板２０用の大型基板も切断することになる。
【００５２】
［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る液晶パネル３の製造工程のうち、液晶封入工程を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５３】
実施の形態１では、大型基板１０ｘに液晶材料５０ａを滴下して空セル３ｅ内への液晶材料５０ａの注入を行ったが、本形態では、図７に示すように、張出領域１０５が位置する側とは反対側に液晶注入口１０７ａを設け、真空雰囲気中で液晶注入口１０７ａを槽５０ｅに貯留された液晶材料５０ａに浸漬した後、真空度を低下させて液晶材料５０ａの注入を開始する。かかる注入方法の場合、液晶注入口１０７ａを液晶材料５０ａの液面から離間させて液晶材料５０ａの注入を終了することになる。
【００５４】
かかる構成でも、本形態では、大型基板１０ｘの素子基板１０が切り出される領域の外側にダミー空セル３ｇを形成しておき、液晶封入工程では、空セル３ｅ内およびダミー空セル３ｇ内に液晶材料５０ａの注入を行う。このため、ダミー空セル３ｇの監視結果に基づいて、液晶パネル３用の空セル３ｅ内への液晶材料５０ａの注入を終了するタイミングを適正に決定することができるので、真空注入法によって空セル３ｅに液晶材料５０ａを注入する場合でも、空セル３ｅへの液晶材料５０ａの注入量を適正化することができる等、実施の形態１と同様な効果を奏することができる。
【００５５】
なお、図７に示す形態では、大型基板１０ｘに対して大型の対向基板２０ｘをシール材１０７で貼り合わせて複数の空セル３ｅを形成したため、図２を参照して切断工程Ｓ４０では、大型基板１０ｘを切断するとともに、大型の対向基板２０ｘも切断する。また、大型の対向基板２０ｘを切断して張出領域１０５を露出させることになる。
【００５６】
なお、大型基板１０ｘの素子基板１０が切り出される領域と単品サイズの対向基板２０とをシール材１０７で貼り合わせて、図７に示す真空注入を行う場合に本発明を適用してもよい。
【００５７】
［他の液晶装置］
上記実施の形態では、ダミー空セル３ｇの形状変化を監視するにあたって、ニュートンリングを監視したが、レーザー光等を利用した測定装置によって、ダミー空セル３ｇの厚さを監視し、その監視結果に基づいて、液晶材料５０ａの注入を終了するタイミングを決定してもよい。
【００５８】
上記実施の形態では、空セル３ｅより内容積が小さなダミー空セル３ｇを形成したが、空セル３ｅより内容積が大きなダミー空セル３ｇを形成し、ダミー空セル３ｇの形状変化の監視結果に基づいて、液晶材料５０ａの注入を停止するタイミングを決定してもよい。この場合、例えば、大きなダミー空セル３ｇでニュートンリングが消失した際に液晶材料５０ａの注入を停止すれば、空セル３ｅが膨らんだ状態にある。従って、空セル３ｅの対向基板２０を加圧してセル厚を調整した後、封止材１０６によって液晶注入口１０７ａを塞ぐことになる。
【００５９】
上記実施の形態では、液晶パネル３として透過型の液晶パネル３を例示したが、反射型の液晶パネル３の製造方法に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１・・液晶装置、３・・液晶パネル、３ｅ・・空セル、３ｇ・・ダミー空セル、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１０ｘ・・大型基板、２０・・対向基板、２１・・共通電極、５０・・液晶層、５０ａ・・液晶材料、１０６・・封止材、１０７・・シール材、１０７ａ・・液晶注入口
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シール材の液晶注入口から空セル内に液晶材料を真空注入する液晶パネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、画素トランジスターおよび画素電極等が形成された素子基板がシール材によって対向基板と貼り合わされた液晶パネルを有しており、素子基板と対向基板との間でシール材により囲まれた領域に液晶層が保持されている。このため、液晶パネルの製造工程では、素子基板と対向基板とをシール材で貼り合わせて、液晶注入口を備えた空セルを形成した後、真空注入法により液晶注入口から空セル内に液晶材料を注入することになる（特許文献１参照）。
【０００３】
真空注入法による液晶材料の注入は、例えば、空セルが配置された雰囲気を真空状態から常圧に戻すことによって、素子基板上に塗布された液晶材料の注入を開始する。そして、空セル内に液晶材料が過剰に注入されてセルがわずかに膨らんだ時点で、セルの厚さが所定の寸法になるようにセルを加圧して過剰な液晶材料を液晶注入口から押し出し、この状態で、液晶注入口を封止材で塞ぐ。このような方法の場合、空セル内への液晶の注入を停止するタイミングは、セルを加圧するタイミングによって規定される。
【０００４】
また、真空注入法による液晶材料の注入は、槽内に貯留された液晶材料に空セルの液晶注入口を真空雰囲気下で浸漬した後、常圧に戻すことによって行われる場合があり、この場合、空セル内への液晶の注入を停止するタイミングは、セルを槽から引き上げるタイミングによって規定される。
【０００５】
一方、液晶封入工程として液晶滴下法を利用した工程が提案されており、かかる方法では、大型基板の素子基板が切り出される領域にシール材を塗布した後、シール材で囲まれた領域内に液晶材料を滴下し、その後、シール材によって対向基板を貼り合わせる（特許文献２参照）。かかる方法を採用した場合には、シール材に液晶注入口が設けられておらず、また、空セル内への液晶材料の注入量は、液晶材料の滴下量によって定まるため、空セル内への液晶の注入を停止するという概念が存在しない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１０７８１１号公報
【特許文献２】特開２００５−１０７１７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
真空注入法により液晶材料を注入する場合、空セル内に注入される液晶材料の量は、空セル内への液晶の注入を停止するタイミングによって制御されるが、かかるタイミングを適正に決定する方法がないため、空セル内に注入される液晶材料の量がばらつきやすいという問題点がある。すなわち、液晶の注入速度は、真空度や液晶材料の粘度等によって変動するため、処理時間だけの管理では、空セル内に注入される液晶材料の量を適正に管理することが困難である。
【０００８】
かかる問題点は、真空注入法を採用した場合に特有の問題点であり、液晶滴下法を利用した場合、このような問題は発生しない。それ故、特許文献２には、真空注入法を採用した場合の上記の問題点については一切、記載されていない。
【０００９】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、真空注入法によって空セルに液晶材料を注入する場合でも、液晶材料の注入量を適正化することのできる液晶パネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明は、大型基板の素子基板が切り出される領域と対向基板とをシール材で貼り合わせて液晶注入口を備えた液晶パネル用の空セルを形成する空セル形成工程と、真空注入法により前記液晶注入口から前記空セル内に液晶材料を注入した後、前記液晶注入口を封止材で塞ぐ液晶封入工程と、前記大型基板を切断する切断工程と、を有する液晶パネルの製造方法において、前記空セル形成工程では、前記大型基板の前記素子基板が切り出される領域の外側に前記空セルと内容積の異なるダミー空セルを形成し、前記液晶封入工程では、前記空セル内および前記ダミー空セル内に前記液晶材料の注入を開始した後、前記ダミー空セルに対する監視結果に基づいて、前記空セル内への前記液晶材料の注入を終了するタイミングを決定することを特徴とする。
【００１１】
本発明においては、素子基板が大型基板の状態で空セル形成工程および液晶封入工程が実施されることから、空セル形成工程で液晶パネル用の空セルを形成する際、大型基板の素子基板が切り出される領域の外側にダミー空セルを形成しておき、液晶封入工程では、空セル内およびダミー空セル内に液晶材料の注入を行う。その際、注入の進行にともなって、空セルおよびダミー空セルは、形状等が変化していく。ここで、空セルとダミー空セルとでは、内容積が異なるため、いずれのタイミングでも、空セルとダミー空セルとでは、液晶材料の充填率が相違する。それ故、空セルとダミー空セルとでは形状変化の度合い等も異なり、空セルでは、形状変化等を明確に確認できないタイミングでも、ダミー空セルで明確に監視することができる。従って、大型基板１枚毎に、ダミー空セルにおける液晶材料の充填率に伴う形状変化等を監視すれば、空セルでの充填状態を把握することができるので、ダミー空セルの監視結果に基づいて、液晶パネル用の空セル内への液晶材料の注入を終了するタイミングを適正に決定することができる。よって、真空注入法によって空セルに液晶材料を注入する場合でも、空セルへの液晶材料の注入量を適正化することができる。
【００１２】
本発明において、前記ダミー空セルとして、少なくとも、前記空セルより内容積の小さなダミー空セルを形成することが好ましい。かかる構成によれば、ダミー空セルは、空セルよりも形状変化等が確実に先行するので、空セルでは監視できない形状変化等をダミー空セルで監視することができる。従って、ダミー空セルにおける液晶材料の充填率に伴う形状変化等を監視すれば、空セルでの充填状態を先行して把握することができる。それ故、大型基板１枚毎に、ダミー空セルの監視結果に基づいて、液晶パネル用の空セル内への液晶材料の注入を終了するタイミングを、より適正に決定することができるので、真空注入法によって空セルに液晶材料を注入する場合でも、空セルへの液晶材料の注入量をより適正化することができる。
【００１３】
本発明において、前記ダミー空セルとして、内容積が異なる複数のダミー空セルを形成することが好ましい。かかる構成によれば、内容積が異なる複数のダミー空セルの監視結果に基づいて、液晶パネル用の空セル内への液晶材料の注入を終了するタイミングを、より適正に決定することができるので、真空注入法によって空セルに液晶材料を注入する場合でも、空セルへの液晶材料の注入量をより適正化することができる。
【００１４】
本発明において、前記液晶封入工程では、例えば、前記ダミー空セルの形状変化を監視する。液晶材料の充填が進行すれば、空セルおよびダミー空セルが膨らんでいくので、液晶材料の充填状態を容易に把握することができる。
【００１５】
この場合、前記液晶封入工程では、前記ダミー空セルで発生するニュートンリングの監視結果に基づいて、前記ダミー空セルの形状変化を監視することが好ましい。ニュートンリングであれば、目視等でも容易に監視することができるので、液晶パネル用の空セル内への液晶材料の注入を終了するタイミングを、容易に決定することができる。
【００１６】
本発明において、前記液晶封入工程では、前記空セルおよび前記ダミー空セルが配置された雰囲気を真空状態から真空度を低下させた状態に変化させて前記大型基板上に塗布された前記液晶材料の注入を開始した後、前記大型基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方を加圧して前記液晶材料の注入を終了する構成を採用することができる。
【００１７】
本発明において、前記液晶封入工程では、真空雰囲気中で前記液晶注入口を槽に貯留された前記液晶材料に浸漬した後、真空度を低下させて前記液晶材料の注入を開始し、前記液晶注入口を前記液晶材料の液面から離間させて前記液晶材料の注入を終了する構成を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた液晶パネルの説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る液晶パネルの製造工程を示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る液晶パネルの製造工程で用いる大型基板等の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る液晶パネルの製造工程で形成した空セル等の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る液晶パネルの製造工程で形成した空セルの形状変化等の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る液晶パネルの製造工程において、液晶材料の注入を別のタイミングで停止する場合の説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る液晶パネルの製造工程のうち、液晶封入工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２０】
［実施の形態１］
（液晶装置の全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた液晶パネルの説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２１】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶装置１は、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされた液晶パネル３を有している。液晶パネル３において、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、素子基板１０と対向基板２０との間においてシール材１０７により囲まれた領域内に液晶層５０が保持されている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。シール材１０７は、途切れ部分からなる液晶注入口１０７ａを有しており、液晶注入口１０７ａは封止材１０６によって塞がれている。
【００２２】
本形態において、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、素子基板１０は、Ｘ方向に延在するとともにＹ方向で互いに対向する２つの端部１０ａ、１０ｂと、Ｙ方向に延在するとともにＸ方向で互いに対向する２つの端部１０ｃ、１０ｄとを備えている。また、対向基板２０は、Ｘ方向に延在するとともにＹ方向で互いに対向する２つの端部２０ａ、２０ｂと、Ｙ方向に延在するとともにＸ方向で互いに対向する２つの端部２０ｃ、２０ｄとを備えている。液晶パネル３の略中央には、画素領域１ａ（画像表示領域）が四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画素領域１ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１ｂが額縁状に設けられている。素子基板１０の一方側の基板面において、画素領域１ａには、画素トランジスター（図示せず）や画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。また、素子基板１０の一方面側において、周辺領域１ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００２３】
素子基板１０は、対向基板２０の端部２０ａから一方側（Ｙ方向）に張り出した張出領域１０５を備えており、かかる張出領域１０５には、素子基板１０の一方側の端部１０ａに沿って複数の端子１０２が形成されている。張出領域１０５では、端子１０２が配列されている領域に対して端部１０ａが位置する側とは反対側にデータ線駆動回路１０１が形成されている。また、素子基板１０には、Ｘ方向で対向する端部１０ｃ、１０ｄに沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２４】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素に跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は対向基板２０の全面に形成されている。また、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画素領域１ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されており、見切りとして機能する。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、対向基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる位置等にも形成されることがある。
【００２５】
このように構成した液晶パネル３において、素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる位置に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。かかる基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。
【００２６】
かかる構成の液晶装置１において、画素電極９ａおよび共通電極２１を透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａを反射性電極として構成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、液晶装置１では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル３に対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１は、投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００２７】
（液晶パネル３の製造方法の概要）
図２は、本発明の実施の形態１に係る液晶パネル３の製造工程を示す説明図である。図１および図２に示すように、液晶パネル３を製造するには、まず、素子基板１０に対して画素電極９ａ等の形成工程Ｓ１を行った後、斜方蒸着法、印刷法、スピンコート法等により配向膜１６を形成する配向膜形成工程Ｓ２を行う。配向膜１６がポリイミド膜からなる場合には、配向膜形成工程Ｓ２の後、配向膜１６に対するラビング工程Ｓ３を行う。一方、対向基板２０に対しては、共通電極２１等の形成工程Ｓ１１を行った後、斜方蒸着法、印刷法、スピンコート法等により配向膜２６を形成する配向膜形成工程Ｓ１２を行う。配向膜２６がポリイミド膜からなる場合には、配向膜形成工程Ｓ１２の後、配向膜２６に対するラビング工程Ｓ１３を行う。
【００２８】
次に、空セル形成工程Ｓ２０では、素子基板１０と対向基板２０とをシール材１０７で貼り合わせて液晶注入口１０７ａを備えた液晶パネル３用の空セル３ｅを形成する。より具体的には、まず、素子基板１０に対してシール材１０７を塗布するシール印刷工程Ｓ２１を行う。かかるシール材１０７の塗布は、ノズルからシール材を突出しながら、ノズルと素子基板１０とを相対移動させて、シール材１０７を矩形枠状に描画する。次に、シール材１０７によって素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる貼り合わせ工程Ｓ２５を行う。かかる貼り合わせ工程Ｓ２５では、まず、重ね合わせ工程Ｓ２２において、シール材１０７を間に挟んで素子基板１０と対向基板２０とを重ね合わせ、その後に、シール硬化工程Ｓ２３においてシール材１０７を硬化させ、空セル３ｅを構成する。かかるシール硬化工程Ｓ２３では、例えば、対向基板２０側からＵＶ光等を照射してシール材１０７を硬化させる。
【００２９】
次に、液晶封入工程Ｓ３０では、空セル３ｅ内に液晶材料５０ａを注入した後、液晶注入口１０７ａを封止材１０６で塞ぐ。かかる液晶封入工程Ｓ３０では、まず、液晶注入工程Ｓ３１において、真空注入法により、液晶注入口１０７ａから空セル３ｅ内に液晶材料５０ａを注入した後、封止工程Ｓ３２において、液晶注入口１０７ａに光硬化性樹脂からなる封止材１０６を塗布し、その後、封止材１０６を光硬化させて液晶注入口１０７ａを封止材１０６で塞ぐ。
【００３０】
本形態では、かかる工程までは、素子基板１０として、後述する大型基板を用い、液晶封入工程Ｓ３０の後、切断工程Ｓ４０において、大型基板を単品サイズの素子基板１０に切断して、単品サイズの液晶パネル３を得る。
【００３１】
（液晶パネル３の製造方法の具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る液晶パネル３の製造工程で用いる大型基板等の説明図である。図４は、本発明の実施の形態１に係る液晶パネル３の製造工程で形成した空セル等の説明図である。図５は、本発明の実施の形態１に係る液晶パネル３の製造工程で形成した空セルの形状変化等の説明図である。図６は、本発明の実施の形態１に係る液晶パネル３の製造工程において、液晶材料５０ａの注入を別のタイミングで停止する場合の説明図である。なお、図６（ａ−１）〜（ａ−４）および図６（ｂ−１）〜（ｂ−４）に示す各時点は、図５（ａ−１）〜（ａ−４）および図５（ｂ−１）〜（ｂ−４）に示す各時点と各々対応しており、図６（ａ−５）〜（ａ−７）および図６（ｂ−５）には、図５（ａ−４）および図５（ｂ−４）を参照して説明する工程以降の様子を示してある。また、以下の説明では、空セル３ｅ側とダミー空セル３ｇとを区別するにあたって、液晶材料５０ａの注入前後のいずれにおいても「空セル３ｅ」「ダミー空セル３ｇ」として説明する。
【００３２】
図２を参照して説明した工程により液晶パネル３を得るにあたって、本形態では、画素電極９ａ等の形成工程Ｓ１から液晶封入工程Ｓ３０までは、図３（ａ）に示すように、実線Ｌ１１で示す素子基板１０を多数取りできる大型基板１０ｘの状態で行う。本形態において、大型基板１０ｘをシリコンウェーハと同様、円板状であり、かかる大型基板１０ｘにおいて、複数の素子基板１０が切り出される領域（一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域）が有効領域１０ｙであり、それ以外の領域は、図２に示す切断工程Ｓ４０で除去される無効領域１０ｚ（除材領域／一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域の外側）である。かかる無効領域１０ｚでは、素子基板１０を切り出そうにも幅寸法が狭く、点線Ｌｚで示すように、一部が欠けた素子基板しか得ることができない。
【００３３】
かかる大型基板１０ｘを用いて液晶パネル３を製造するには、図２を参照して説明した空セル形成工程Ｓ２０において、シール印刷工程Ｓ２１では、図３（ｂ）に示すように、大型基板１０ｘのうち、素子基板１０を切り出す複数の領域の各々にシール材１０７を枠状に印刷する。その際、シール材１０７に途切れ部分からなる液晶注入口１０７ａを形成する。
【００３４】
また、本形態では、シール印刷工程Ｓ２１において、無効領域１０ｚにもシール材１０７を枠状に塗布する。その際、無効領域１０ｚに形成したシール材１０７にも液晶注入口１０７ａを設ける。ここで、無効領域１０ｚにおいてシール材１０７で囲んだ領域１０７ｇは、有効領域１０ｙにおいてシール材１０７で囲んだ領域１０７ｅと平面積が相違する。本形態では、無効領域１０ｚにおいてシール材１０７で囲んだ領域１０７ｇは、有効領域１０ｙにおいてシール材１０７で囲んだ領域１０７ｅより平面積が小さい。また、無効領域１０ｚにおいては、シール材１０７で囲んだ領域１０７ｇが３個所あり、本形態では、３つの領域１０７ｇ1、１０７ｇ2、１０７ｇ3における平面積が相違する。従って、領域１０７ｅ、１０７ｇ（領域１０７ｇ1、１０７ｇ2、１０７ｇ3）の平面積は以下の関係にある。
領域１０７g1＜領域１０７ｇ2＜領域１０７ｇ3＜領域１ｅ
【００３５】
次に、貼り合わせ工程Ｓ２５では、図４（ａ）に示すように、大型基板１０ｘの素子基板１０として切り出される複数の領域の各々に対して対向基板２０を重ねた後、シール材１０７を硬化させる。本形態では、対向基板２０は単品サイズの大きさであり、大型基板１０ｘの素子基板１０として切り出される領域（有効領域１０ｙ）には、液晶注入口１０７ａを備えた複数の空セル３ｅが形成される。その際、大型基板１０ｘの無効領域１０ｚのうち、シール材１０７が設けられている領域にも対向基板２０ｇを重ね、シール材１０７を硬化させる。その結果、無効領域１０ｚには、液晶注入口１０７ａを備えたダミー空セル３ｇが形成される。ここで、ダミー空セル３ｇは、平面積が異なる３つのダミー空セル３ｇ1、３ｇ2、３ｇ3として形成され、３つのダミー空セル３ｇ1、３ｇ2、３ｇ3の内容積、および空セル３ｅの内容積は、以下の関係にあり、内容積が相違する。
ダミー空セル３ｇ1＜ダミー空セル３ｇ2＜ダミー空セル３ｇ3＜空セル３ｅ
【００３６】
また、ダミー空セル３ｇに用いた対向基板２０ｇは、空セル３ｅに用いた対向基板２０と厚さや材質が同じであり、形状のみが相違する。
【００３７】
次に、図２を参照して説明した液晶封入工程Ｓ３０において、液晶注入工程Ｓ３１では、図４（ｂ）に示すように、真空注入法により、液晶注入口１０７ａから空セル３ｅ内に液晶材料５０ａを注入するとともに、ダミー空セル３ｇ内にも液晶材料５０ａを注入する。
【００３８】
かかる液晶封入工程Ｓ３０では、空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇが配置された雰囲気を真空状態から真空度を低下させた状態（常圧状態）に変化させて大型基板１０ｘ上に塗布された液晶材料５０ａの注入を開始した後、対向基板２０、２０ｇおよび大型基板１０ｘのうちの少なくとも一方を加圧して液晶材料５０ａの注入を終了する。
【００３９】
より具体的には、空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇを真空雰囲気に配置し、この状態で大型基板１０ｘの空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇの近傍に液晶材料５０ａを滴下すると、液晶材料５０ａは対向基板２０、２０ｇの端部を伝って液晶注入口１０７ａに向けて流れる。従って、空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇが配置されている領域を常圧に戻すと、その差圧によって、液晶材料５０ａは液晶注入口１０７ａから空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇの内部に注入される。しかる後には、液晶注入口１０７ａを封止材１０６で塞ぎ、その後、図２を参照して説明した切断工程Ｓ４０において大型基板１０ｘの有効領域１０ｙを素子基板１０のサイズに切断し、複数の液晶パネル３を得る。
【００４０】
かかる液晶封入工程Ｓ３０において、本形態では、ダミー空セル３ｇに対する監視結果に基づいて、空セル３ｅ内への液晶材料５０ａの注入を終了するタイミングを決定する。より具体的には、空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇを真空雰囲気状態から常圧に戻した際、図５（ａ−１）、（ｂ−１）に示すように、空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇは内側に凹んだ状態にあり、その後、液晶材料５０ａの注入が進行するに伴い、図５（ａ−１）〜（ａ−４）、（ｂ−１）〜（ｂ−４）に示すように、空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇは徐々に膨らんでいく。
【００４１】
ここで、空セル３ｅとダミー空セル３ｇとでは、内容積が異なるため、いずれのタイミングでも、空セル３ｅとダミー空セル３ｇとでは、液晶材料５０ａの充填率が相違する。従って、空セル３ｅとダミー空セル３ｇとでは形状変化の度合いも異なり、空セル３ｅでは監視できない形状変化をダミー空セル３ｇで監視することができる。それ故、図４（ｃ）に示すように、空セル３ｅとダミー空セル３ｇとでは、背後から光源光を照射した際に観察されるニュートンリングの様子が相違する。
【００４２】
より具体的には、ダミー空セル３ｇは、空セル３ｅより内容積が小さいので、ダミー空セル３ｇは、空セル３ｅより先行して形状が変化する。例えば、ダミー空セル３ｇは、図５（ｂ−２）に示す時点までは凹んだ状態にあって、図５（ｂ−３）に示す時点で大型基板１０ｘおよび対向基板２０の凹みが解消される。その後、ダミー空セル３ｇは、図５（ｂ−４）に示す時点で膨らむことになる。これに対して、空セル３ｅは、図５（ａ−３）に示す時点までは凹んだ状態にあって、図５（ａ−４）に示す時点で大型基板１０ｘおよび対向基板２０の撓みが解消される。
【００４３】
そこで、本形態では、ダミー空セル３ｇの形状に対する監視結果に基づいて、空セル３ｅ内への液晶材料５０ａの注入を終了するタイミングを決定する。より具体的には、本形態では、ダミー空セル３ｇで発生するニュートンリングを監視することによって、ダミー空セル３ｇの形状を監視し、かかる監視結果に基づいて、空セル３ｅ内への液晶材料５０ａの注入を終了する。すなわち、ダミー空セル３ｇは、図５（ｂ−２）に示す時点まではニュートンリングが発生し、図５（ｂ−３）に示す時点で大型基板１０ｘおよび対向基板２０の撓みが解消されるので、ニュートンリングが消失する。その後、ダミー空セル３ｇは、図５（ｂ−４）に示す時点で膨らむことになるので、ニュートンリングが再び発生する。これに対して、空セル３ｅは、図５（ａ−３）に示す時点まではニュートンリングが発生し、図５（ａ−４）に示す時点で大型基板１０ｘおよび対向基板２０の撓みが解消されるので、ニュートンリングが消失する。
【００４４】
従って、例えば、ダミー空セル３ｇにニュートンリングが再び発生したことを確認した時点（図５（ｂ−４）に示す時点）において、図５（ａ−４）に矢印Ｆで示すように、空セル３ｅの対向基板２０を大型基板１０ｘに向けて加圧して液晶材料５０ａの注入を停止し、この状態で、図５（ａ−５）に示すように、封止材１０６によって液晶注入口１０７ａを塞ぐ。その結果、液晶パネル３では、液晶材料５０ａが適正な量が充填されることになる。
【００４５】
また、ダミー空セル３ｇの側でニュートンリングが消失したことを確認した時点（図５（ｂ−３）に示す時点）から一定の時間が経過した時点（図５（ｂ−４）に示す時点）において、図５（ａ−４）に矢印Ｆで示すように、空セル３ｅの対向基板２０を大型基板１０ｘに向けて加圧し、液晶材料５０ａの注入を停止するとともにセル厚を調整してもよい。この場合も、空セル３ｅの対向基板２０を大型基板１０ｘに向けて加圧した状態で、図５（ａ−５）に示すように、封止材１０６によって液晶注入口１０７ａを塞ぐことになる。
【００４６】
さらに、図６において、ダミー空セル３ｇの側でニュートンリングが再び発生したことを確認した時点（図６（ｂ−４）に示す時点）から一定の時間が経過した時点（図６（ｂ−５）に示す時点）において、図６（ａ−５）に矢印Ｆで示すように、空セル３ｅの対向基板２０を大型基板１０ｘに向けて加圧して液晶材料５０ａの注入を停止してもよい。また、ダミー空セル３ｇの側でニュートンリングが明確に確認できた時点（図６（ｂ−５）に示す時点）で、図５（ａ−５）に矢印Ｆで示すように、空セル３ｅの対向基板２０を大型基板１０ｘに向けて加圧して液晶材料５０ａの注入を停止してもよい。これらの場合、図６（ａ−６）に示すように、空セル３ｅの対向基板２０を大型基板１０ｘに向けて加圧して液晶材料５０ａの一部を液晶注入口１０７ａから抜いてセル厚を調整した後、図６（ａ−７）に示すように、封止材１０６によって液晶注入口１０７ａを塞ぐことになる。
【００４７】
このようにして、ダミー空セル３ｇの監視結果に基づいて、空セル３ｅの側で液晶材料５０ａの注入を停止するタイミングを決定するにあたって、本形態では、ダミー空セル３ｇとして、内容積が異なる３つのダミー空セル３ｇ1、３ｇ2、３ｇ3が設けられており、液晶材料５０ａの注入にともなって発生する形状変化（ニュートンリングの変化）は、内容積が小さなダミー空セル３ｇで先行して発生する。それ故、ダミー空セル３ｇ1、３ｇ2、３ｇ3での形状変化（ニュートンリングの変化）の監視結果を比較し、その比較結果に基づいて、空セル３ｅの側で液晶材料５０ａの注入を停止するタイミングを決定してもよい。かかる構成によれば、内容積が１種類のダミー空セル３ｇに対する監視結果を利用する場合よりも、空セル３ｅに液晶材料５０ａが適正な量で注入されるタイミングを確実に予測することができるので、液晶材料５０ａの注入を停止するタイミングを適正に決定することができる。
【００４８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、素子基板１０が大型基板１０ｘの状態で空セル形成工程および液晶封入工程が実施されることから、空セル形成工程で液晶パネル３用の空セル３ｅを形成する際、大型基板１０ｘの素子基板１０が切り出される領域の外側にダミー空セル３ｇを形成しておき、液晶封入工程では、空セル３ｅ内およびダミー空セル３ｇ内に液晶材料５０ａの注入を行う。その際、注入の進行にともなって、空セル３ｅおよびダミー空セル３ｇは、形状が変化していく。ここで、空セル３ｅとダミー空セル３ｇとでは、内容積が異なるため、いずれのタイミングでも、空セル３ｅとダミー空セル３ｇとでは、液晶材料の充填率が相違する。それ故、空セル３ｅとダミー空セル３ｇとでは形状変化の度合いも異なり、空セル３ｅでは監視できない形状変化をダミー空セル３ｇで監視することができる。従って、大型基板１０ｘ毎に、ダミー空セル３ｇにおける液晶材料５０ａの充填率に伴う形状変化を監視すれば、空セル３ｅでの充填状態を把握することができる。それ故、大型基板１０ｘ毎に、ダミー空セル３ｇの監視結果に基づいて、液晶パネル３用の空セル３ｅ内への液晶材料５０ａの注入を終了するタイミングを適正に決定することができる。よって、真空注入法によって空セル３ｅに液晶材料５０ａを注入する場合でも、空セル３ｅへの液晶材料５０ａの注入量を適正化することができる。
【００４９】
また、本形態では、ダミー空セル３ｇとして、空セル３ｅより内容積の小さなダミー空セルを形成してあり、ダミー空セル３ｇは、空セル３ｅよりも形状変化が確実に先行する。従って、空セル３ｅでは監視できない形状変化をダミー空セル３ｇで先に監視することができる。従って、ダミー空セル３ｇにおける液晶材料５０ａの充填率に伴う形状変化を監視すれば、空セル３ｅでの充填状態を事前に確実に把握することができる。また、ダミー空セル３ｇとして、空セル３ｅより内容積の小さなダミー空セルを形成する場合であれば、大型基板１０ｘの無効領域１０ｚが狭くても、必要な数のダミー空セル３ｇを形成することができる。
【００５０】
しかも、本形態では、ダミー空セル３ｇとして、内容積が異なる複数のダミー空セル３ｇ1、３ｇ2、３ｇ3を形成したため、ダミー空セル３ｇ1、３ｇ2、３ｇ3の監視結果を比較した結果に基づいて、空セル３ｅ内への液晶材料５０ａの注入を終了するタイミングを、より適正に決定することができる。よって、それ故、真空注入法によって空セル３ｅに液晶材料５０ａを注入する場合でも、空セル３ｅへの液晶材料５０ａの注入量をより適正化することができる。
【００５１】
［実施の形態１の変形例］
実施の形態１では、大型基板１０ｘの素子基板１０が切り出される領域と、単品サイズの対向基板２０とをシール材１０７で貼り合わせたが、対向基板として、単品サイズの対向基板２０を複数取りできる大型基板を用いた場合に実施の形態１の構成を採用してもよい。この場合、切断工程において、大型基板１０ｘを切断する際、対向基板２０用の大型基板も切断することになる。
【００５２】
［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る液晶パネル３の製造工程のうち、液晶封入工程を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５３】
実施の形態１では、大型基板１０ｘに液晶材料５０ａを滴下して空セル３ｅ内への液晶材料５０ａの注入を行ったが、本形態では、図７に示すように、張出領域１０５が位置する側とは反対側に液晶注入口１０７ａを設け、真空雰囲気中で液晶注入口１０７ａを槽５０ｅに貯留された液晶材料５０ａに浸漬した後、真空度を低下させて液晶材料５０ａの注入を開始する。かかる注入方法の場合、液晶注入口１０７ａを液晶材料５０ａの液面から離間させて液晶材料５０ａの注入を終了することになる。
【００５４】
かかる構成でも、本形態では、大型基板１０ｘの素子基板１０が切り出される領域の外側にダミー空セル３ｇを形成しておき、液晶封入工程では、空セル３ｅ内およびダミー空セル３ｇ内に液晶材料５０ａの注入を行う。このため、ダミー空セル３ｇの監視結果に基づいて、液晶パネル３用の空セル３ｅ内への液晶材料５０ａの注入を終了するタイミングを適正に決定することができるので、真空注入法によって空セル３ｅに液晶材料５０ａを注入する場合でも、空セル３ｅへの液晶材料５０ａの注入量を適正化することができる等、実施の形態１と同様な効果を奏することができる。
【００５５】
なお、図７に示す形態では、大型基板１０ｘに対して大型の対向基板２０ｘをシール材１０７で貼り合わせて複数の空セル３ｅを形成したため、図２を参照して切断工程Ｓ４０では、大型基板１０ｘを切断するとともに、大型の対向基板２０ｘも切断する。また、大型の対向基板２０ｘを切断して張出領域１０５を露出させることになる。
【００５６】
なお、大型基板１０ｘの素子基板１０が切り出される領域と単品サイズの対向基板２０とをシール材１０７で貼り合わせて、図７に示す真空注入を行う場合に本発明を適用してもよい。
【００５７】
［他の液晶装置］
上記実施の形態では、ダミー空セル３ｇの形状変化を監視するにあたって、ニュートンリングを監視したが、レーザー光等を利用した測定装置によって、ダミー空セル３ｇの厚さを監視し、その監視結果に基づいて、液晶材料５０ａの注入を終了するタイミングを決定してもよい。
【００５８】
上記実施の形態では、空セル３ｅより内容積が小さなダミー空セル３ｇを形成したが、空セル３ｅより内容積が大きなダミー空セル３ｇを形成し、ダミー空セル３ｇの形状変化の監視結果に基づいて、液晶材料５０ａの注入を停止するタイミングを決定してもよい。この場合、例えば、大きなダミー空セル３ｇでニュートンリングが消失した際に液晶材料５０ａの注入を停止すれば、空セル３ｅが膨らんだ状態にある。従って、空セル３ｅの対向基板２０を加圧してセル厚を調整した後、封止材１０６によって液晶注入口１０７ａを塞ぐことになる。
【００５９】
上記実施の形態では、液晶パネル３として透過型の液晶パネル３を例示したが、反射型の液晶パネル３の製造方法に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１・・液晶装置、３・・液晶パネル、３ｅ・・空セル、３ｇ・・ダミー空セル、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１０ｘ・・大型基板、２０・・対向基板、２１・・共通電極、５０・・液晶層、５０ａ・・液晶材料、１０６・・封止材、１０７・・シール材、１０７ａ・・液晶注入口
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大型基板の素子基板が切り出される領域と対向基板とをシール材で貼り合わせて液晶注入口を備えた液晶パネル用の空セルを形成する空セル形成工程と、
真空注入法により前記液晶注入口から前記空セル内に液晶材料を注入した後、前記液晶注入口を封止材で塞ぐ液晶封入工程と、
前記大型基板を切断する切断工程と、
を有する液晶パネルの製造方法において、
前記空セル形成工程では、前記大型基板の前記素子基板が切り出される領域の外側に前記空セルと内容積の異なるダミー空セルを形成し、
前記液晶封入工程では、前記空セル内および前記ダミー空セル内に前記液晶材料の注入を開始した後、前記ダミー空セルに対する監視結果に基づいて、前記空セル内への前記液晶材料の注入を終了するタイミングを決定することを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項２】
前記ダミー空セルとして、少なくとも、前記空セルより内容積の小さなダミー空セルを形成することを特徴とする請求項１に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項３】
前記ダミー空セルとして、内容積が異なる複数のダミー空セルを形成することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項４】
前記液晶封入工程では、前記ダミー空セルの形状変化を監視することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項５】
前記液晶封入工程では、前記ダミー空セルで発生するニュートンリングの監視結果に基づいて、前記ダミー空セルの形状変化を監視することを特徴とする請求項４に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項６】
前記液晶封入工程では、前記空セルおよび前記ダミー空セルが配置された雰囲気を真空状態から真空度を低下させた状態に変化させて前記大型基板上に塗布された前記液晶材料の注入を開始した後、前記大型基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方を加圧して前記液晶材料の注入を終了することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項７】
前記液晶封入工程では、真空雰囲気中で前記液晶注入口を槽に貯留された前記液晶材料に浸漬した後、真空度を低下させて前記液晶材料の注入を開始し、前記液晶注入口を前記液晶材料の液面から離間させて前記液晶材料の注入を終了することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項１】
大型基板の素子基板が切り出される領域と対向基板とをシール材で貼り合わせて液晶注入口を備えた液晶パネル用の空セルを形成する空セル形成工程と、
真空注入法により前記液晶注入口から前記空セル内に液晶材料を注入した後、前記液晶注入口を封止材で塞ぐ液晶封入工程と、
前記大型基板を切断する切断工程と、
を有する液晶パネルの製造方法において、
前記空セル形成工程では、前記大型基板の前記素子基板が切り出される領域の外側に前記空セルと内容積の異なるダミー空セルを形成し、
前記液晶封入工程では、前記空セル内および前記ダミー空セル内に前記液晶材料の注入を開始した後、前記ダミー空セルに対する監視結果に基づいて、前記空セル内への前記液晶材料の注入を終了するタイミングを決定することを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項２】
前記ダミー空セルとして、少なくとも、前記空セルより内容積の小さなダミー空セルを形成することを特徴とする請求項１に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項３】
前記ダミー空セルとして、内容積が異なる複数のダミー空セルを形成することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項４】
前記液晶封入工程では、前記ダミー空セルの形状変化を監視することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項５】
前記液晶封入工程では、前記ダミー空セルで発生するニュートンリングの監視結果に基づいて、前記ダミー空セルの形状変化を監視することを特徴とする請求項４に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項６】
前記液晶封入工程では、前記空セルおよび前記ダミー空セルが配置された雰囲気を真空状態から真空度を低下させた状態に変化させて前記大型基板上に塗布された前記液晶材料の注入を開始した後、前記大型基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方を加圧して前記液晶材料の注入を終了することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項７】
前記液晶封入工程では、真空雰囲気中で前記液晶注入口を槽に貯留された前記液晶材料に浸漬した後、真空度を低下させて前記液晶材料の注入を開始し、前記液晶注入口を前記液晶材料の液面から離間させて前記液晶材料の注入を終了することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶パネルの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１３−１０９２６０（Ｐ２０１３−１０９２６０Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５５８５９（Ｐ２０１１−２５５８５９）
【出願日】平成２３年１１月２４日（２０１１．１１．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月２４日（２０１１．１１．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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