混成集積回路装置の製造方法

【目的】厚膜基板上にケースを装着する型のハイブリッドＩＣの製造方法の改善に関する。
【構成】所定の素子が搭載された厚膜基板11と、厚膜基板11と接着する接着面に複数の突起19が形成されているケース12とを接着させて、ケース12の内部に所定の素子を収納する工程を有すること。

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路装置の製造方法に関し、更に詳しく言えば、厚膜基板上にケースを装着する型のハイブリッドＩＣの製造方法の改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下で、従来例に係るハイブリッドＩＣについて図面を参照しながら説明する。なお、図６は図５R>５のＸ−Ｘ線断面図であって、図１１は図１０のＹ−Ｙ線断面図である。また、図７〜図１１はケースと厚膜基板の接着工程を説明する部分拡大図である。
【０００３】図５，図６に示すように、一般のハイブリッドＩＣはＩＣやコンデンサなどのような不図示の所定の素子が搭載された金属製の厚膜基板（１）上に、これらを収納する第１の空洞（３）と、外部機器とのコンタクトをとるリード端子（５）の引出用の第２の空洞（４）を備えた樹脂製のケース（２）とが接着されることにより形成される。
【０００４】当該ハイブリッドＩＣと外部機器とのコンタクトをとるのに必要なリード端子（５）は第２の空洞（４）の底部で露出する厚膜基板（１）の不図示の端子と接続されて引出口（９）から引出され、第２の空洞（４）にはリード端子（５）の物理的強度を補強するため、エポキシ樹脂などからなる補強材（６）が充填されている。
【０００５】上述のハイブリッドＩＣを形成する際には、シリコン樹脂などを含む接着剤を用いてケース（２）と厚膜基板（１）とを接着するわけだが、この際にケース（２）の接着面が図７に示すように平面であると、厚膜基板（１）とケース（２）の接着面との間に挟まれたほとんどの接着剤（８）が圧着によって図８に示すように厚膜基板（１）とケース（２）との間から外へと押し出されてしまい、これらの間に接着剤（８）がほとんど残らなくなってしまう。
【０００６】この場合、厚膜基板（１）は金属、ケース（２）はプラスチックというように異なる材質からなるため、同じような材質からなるもの同士を接着した場合に比してそれらの接着性は良くない。従って、接着剤（８）が両者の間に多く残存していない場合には、何らかの衝撃が加わったときに両者が容易にはがれてしまう。一方、接着剤（８）がこれらの間に多く残っている場合には、接着剤（８）が衝撃を吸収する緩衝材となり、両者がはがれにくくなるので、接着工程においては、接着剤を厚膜基板（１）とケース（２）との間になるべく多く残しておきたいという要求があった。
【０００７】このような要求を満たすため、図９に示すように、ケース（２）の接着面に溝（９）を形成するという方法が提案されている。この方法によると、図１０R>０，図１１に示すように、圧着後に接着剤（８）は外に押し出されずに溝（９）の中に充填されるので、ケース（２）と厚膜基板（１）との間に接着剤（８）を多く残すことができ、衝撃によって両者がはがれることを抑止できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従来の溝をケースに形成する製造方法によれば、溝（９）を金型で形成する都合上、また樹脂を溝に完全に充填する上で、ケース（２）の接着部における断面の幅は、溝（９）の幅（Δｔ）の他に、その両側の幅（Δｓ１，Δｓ２）を確保しておく必要があるため、その両側の幅を確保するために、実際必要な幅よりも大きめにケース（２）の接着面の幅をとっておかなければならないという問題が生じていた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の欠点に鑑み成されたもので、所定の素子が搭載された厚膜基板と、図１，図２に示すように前記厚膜基板と接着する接着面に複数の突起が形成されているケースとを接着させて、前記ケースの内部に前記所定の素子を収納することにより、溝を形成することなく接着剤を接着面に多く残存させることが可能となる混成集積回路装置の製造方法の提供を目的とする。
【００１０】
【作用】本発明に係る混成集積回路装置の製造方法によれば、所定の素子が搭載された厚膜基板と、接着面に複数の突起が形成されたケースとを接着させており、厚膜基板とケースの接着面の間には、複数の突起がスペーサとなることにより多数の間隙が形成される。このため、図３に示すように接着剤を挟んでケースと厚膜基板とを圧着する時に、接着剤がこれらの間から外に押し出されることなく上記の間隙に充填されるので、溝を形成することなく接着剤をケースの接着面と厚膜基板との間に多く残存させることができる。また厚膜基板の裏面に樹脂が回り込むこともない。
【００１１】これにより、ケースの接着面に溝を形成していた従来のように、ケースの接着面の幅を本来必要な幅よりも多くとらなくとも、接着剤を厚膜基板とケースの接着面との間に多く残存させて形成し、何らかの衝撃が加わっても厚膜基板からケースが容易にはがれない、物理的強度の強い混成集積回路装置を製造することが可能となる。
【００１２】またケースの突起は溝を形成するのと違い、金型に例えばポンチング作業等で極めて容易に形成でき、任意の位置に任意の大きさで形成できる。
【００１３】
【実施例】以下で、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。なお、図２は図１のＡ−Ａ線断面図であって、図４は図３のＢ−Ｂ線断面図である。本実施例に係る混成集積回路装置の製造方法を説明する前に、後述の厚膜基板上に形成された所定の素子を収納するために必要なケース（１２）について図１，図２を参照しながら説明する。
【００１４】このケース（１２）は、図１に示すように第１の空洞（１３）と、外部機器とのコンタクトをとるリード端子（１５）の引出用の第２の空洞（１４）を備えており、かつのちに厚膜基板と接着される面である接着面に、図１、図２に示すように、高さ５０μｍ〜１００μｍ程度の複数の突起（１９）が形成されている。上述のケース（１２）と、不図示の所定の素子が搭載された厚膜基板（１１）とを接着する。
【００１５】この接着工程ではシリコン樹脂などからなる接着剤（１８）を用いて、厚膜基板（１１）の、後にケース（１２）を載せて接着するべき領域に上述の接着剤（１８）を選択的に塗布し、ケース（１２）の接着面と、厚膜基板（１１）上の接着剤（１８）とを位置合せして、ケース（１２）と厚膜基板（１１）とを圧着する。
【００１６】すると、複数の突起（１９）がケース（１２）の接着面に形成されているために、ケース（１２）の接着面と厚膜基板（１１）とは直接接触せずに、多数の間隙が突起（１９）の間に形成され、ケース（１２）と厚膜基板（１１）とが圧着されると、接着剤（１８）はこれらの間から外に押し出されることなく複数の突起（１９）の間隙に図３，図４に示すように充填される。従って、ケース（１２）の接着面と厚膜基板（１１）との間に接着剤（１８）を多く残すことができ、また厚膜基板の裏面への接着剤の回り込みを防止することができる。
【００１７】その後接着剤（１８）を硬化させてケース（１２）と厚膜基板（１１）とを接着させた後に、リード端子（１５）を第２の空洞（１４）から露出する厚膜基板（１１）の不図示の接続端子に半田付けなどで接続して取り付け、引出口（１７）から引出し、リード端子（１５）の物理的な強度を補強するためにエポキシ系の樹脂などの補強材（１６）を第２の空洞（１４）内に充填し、硬化させることにより、図３に示すような中空構造のハイブリッドＩＣが完成する。
【００１８】ここでリード端子は、前もって接続端子に接続してからケース付けを行っても良い。以上説明したように本実施例に係る混成集積回路装置の製造方法によれば、ケース（１２）の接着面に図１，図２に示すように複数の突起（１９）が形成されることにより、接着時に接着剤（１８）をケース（１２）と厚膜基板（１１）との間に多く残すことができるので、従来のように溝をケースの接着面に形成しなくともよい。
【００１９】これにより、溝の両側の幅を確保するために、ケース（１２）の接着面の幅を本来必要な幅よりも多くとらなくとも、接着剤（１８）を厚膜基板（１１）とケース（１２）の接着面との間に多く残存させて当該ハイブリッドＩＣを形成することができるので、何らかの衝撃が加わっても厚膜基板（１１）からケース（１２）がはがれない物理的強度の強いハイブリッドＩＣを得ることが可能となる。
【００２０】なお、本実施例ではケース（１２）の接着面に形成される突起（１９）を図２に示すように配置しているが、本発明はこれに限らず、突起（１９）の間に接着材が充填されるような配置であればおよそどのような配置であっても同様の効果を奏する。
【００２１】
【発明の効果】本発明に係る混成集積回路装置の製造方法によれば、所定の素子が搭載された厚膜基板と、その接着面に複数の突起が形成されたケースとを接着させているので、溝を形成することなく接着材をケースの接着面により多く残存させることが可能になる。
【００２２】これにより、溝を形成していた従来のように接着面の幅を余裕をもってとらなくとも、接着剤を接着面に多く残存させて形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る混成集積回路装置のケースの構造を説明する第１の図面である。
【図２】本発明の実施例に係る混成集積回路装置のケースの構造を説明する第２の図面である。
【図３】本発明の実施例に係る混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る混成集積回路装置のケースと厚膜基板との接着状態を説明する図面である。
【図５】一般のハイブリッドＩＣの構造を説明する斜視図である。
【図６】一般のハイブリッドＩＣの構造を説明する断面図である。
【図７】従来例に係る混成集積回路装置の製造方法を説明する第１の断面図である。
【図８】従来例に係る混成集積回路装置の製造方法を説明する第２の断面図である。
【図９】ケースの接着面に溝を形成する従来の混成集積回路装置の製造方法を説明する第１の断面図である。
【図１０】ケースの接着面に溝を形成する従来の混成集積回路装置の製造方法を説明する第２の断面図である。
【図１１】ケースの接着面に溝を形成する場合の、ケースと厚膜基板との接着状態を説明する図面である。
【符号の説明】
（１１）厚膜基板
（１２）ケース
（１３）第１の空洞
（１４）第２の空洞
（１５）リード端子
（１６）補強材
（１７）引出口
（１８）接着剤
（１９）突起

【特許請求の範囲】
【請求項１】所定の素子が搭載された厚膜基板と、前記厚膜基板と接着する接着面に複数の突起が形成されているケースとを接着させて、前記ケースの内部に前記所定の素子を収納する工程を有することを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。

【図１】