磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
【課題】サーボデータが上書きされず、かつ再生信号が弱くなることのない磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に形成される記録層の有無で構成される凹凸パターンからなり、凹凸パターンの表面に形成される第１の保護層を有するサーボ部と、基板上に形成される記録層の有無で構成される凹凸パターンからなり、凹凸パターンの表面に形成される第２の保護層を有する記録トラック部とを具備し、前記サーボ部の記録層の上部に形成される第１の保護層の膜厚が前記記録トラック部の記録層の上部に形成される第２の保護層の膜厚よりも１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲で厚くなっていることを特徴とする磁気記録媒体。
【解決手段】基板上に形成される記録層の有無で構成される凹凸パターンからなり、凹凸パターンの表面に形成される第１の保護層を有するサーボ部と、基板上に形成される記録層の有無で構成される凹凸パターンからなり、凹凸パターンの表面に形成される第２の保護層を有する記録トラック部とを具備し、前記サーボ部の記録層の上部に形成される第１の保護層の膜厚が前記記録トラック部の記録層の上部に形成される第２の保護層の膜厚よりも１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲で厚くなっていることを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は特にサーボ部が磁性体の有無もしくは凹凸によりパターン化されているパターンドサーボ型磁気記録媒体、およびこの磁気記録媒体を含む磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のパソコンなど情報機器の飛躍的な機能向上により、ユーザが扱う情報量は著しく増大してきている。このような状況の下で、これまでよりも飛躍的に記録密度の高い情報記録再生装置や集積度の高い半導体装置が求められている。情報記録再生装置を構成するものとして磁気記録媒体があるが、最近の磁気記録媒体は記録密度を向上させるために、記録トラック間を物理的に分離するディスクリートトラック型パターンド媒体（ＤＴＲ媒体）が開発されている（特許文献１）。ＤＴＲ媒体は基板上の記録トラック部に形成される軟磁性体、及びその上に形成される強磁性体のパターンと、記録トラック間を埋めるように形成される非磁性体と、強磁性層パターン、非磁性体上に形成される保護層からなる。この構成は基本的にサーボ部においても当てはまる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−８５４０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のＤＴＲ媒体のサーボ部は、サーボパターンが磁性体の有無で形成されているため、サーボトラックライターを用いずにDC消磁を行うのが一般的であった。一方、記録トラック層にデータを書き込む際には、磁気ヘッドを用いてデータを書き込む。
【０００５】
そのため、サーボ部にサーボデータが書き込まれた後、磁気ヘッドを用いて記録データを書き込む際に、サーボトラックに書き込まれたサーボデータが磁気ヘッドにより上書きされてしまうという問題があった。この問題を解決するためにサーボ部、記録トラックの保護層を厚くすると、今度は磁気スペーシングにより磁気ヘッドを用いた記録トラックへの書き込みが出来なくなる、または記録トラックに書き込まれた記録データを再生する際に、再生信号が弱くなるという問題がある。
【０００６】
本発明の目的は上記問題点を解決するため、サーボデータが上書きされず、かつ再生信号が弱くなることのない磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、基板上に形成される記録層の有無で構成される凹凸パターンからなり、凹凸パターンの表面に形成される第１の保護層を有するサーボ部と、基板上に形成される記録層の有無で構成される凹凸パターンからなり、凹凸パターンの表面に形成される第２の保護層を有する記録トラック部とを具備し、前記サーボ部と前記記録トラック部は、前記基板の表面に沿って互いに異なる領域上に形成されており、前記サーボ部の記録層の上部に形成される第１の保護層の膜厚が前記記録トラック部の記録層の上部に形成される第２の保護層の膜厚よりも１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲で厚くなっていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の磁気記録再生装置は、上述の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体上を浮上する磁気ヘッドとを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によりサーボデータが上書きされず、かつ再生信号が弱くなることのない磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明を実施するための最良の形態である磁気記録媒体の部分断面図である。
【図２】図１の磁気記録媒体の製造工程図である。
【図３】図１の磁気記録媒体の製造工程図である。
【図４】図１の磁気記録媒体の製造工程図である。
【図５】図１の磁気記録媒体の製造工程図である。
【図６】図１の磁気記録媒体の製造工程図である。
【図７】図１の磁気記録媒体の製造工程図である。
【図８】図１の磁気記録媒体の製造工程図である。
【図９】磁気記録再生装置の概略構成を例示する要部斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例について説明する。
【００１２】
（磁気記録媒体）
図1はＤＴＲ媒体のサーボ部およびトラック部のパターンの一例を示す断面図である。
【００１３】
すなわち、基板１上の記録トラック部、サーボ部にそれぞれ軟磁性層（図示せず）を介して強磁性層２が形成されている。この強磁性層２が記録トラック部にあっては記録データを保持する記録層の役割を果たし、サーボ部にあっては、サーボデータを保持する記録層の役割を果たす。軟磁性層は、垂直磁気記録層である強磁性層２を磁化するための磁気ヘッド例えば単磁極ヘッドからの記録磁界を、水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、磁界の記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる役目を果たし得る。
【００１４】
基板１の材料としては、例えばガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック、カーボンや、酸化表面を有するＳｉ単結晶基板、及びこれらの基板にＮｉＰ等のメッキが施されたもの等を用いることができる。ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物などが使用可能である。基板としては、上記金属基板、非金属基板の表面にメッキ法やスパッタ法を用いてＮｉＰ層が形成されたものを用いることもできる。
【００１５】
軟磁性層の材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料を用いることができる。代表的な材料として、ＦｅＣｏ系合金、例えばＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶ等、ＦｅＮｉ系合金、例えばＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉ等、ＦｅＡｌ系合金またはＦｅＳｉ系合金、例えばＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯ等、ＦｅＴａ系合金、例えばＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮ等およびＦｅＺｒ系合金、例えばＦｅＺｒＮ等を挙げることができる。また、Ｆｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮ等の微結晶構造、あるいは微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いることができる。また、軟磁性層の他の材料として、Ｃｏと、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、及びＹのうち少なくとも１種とを含有するＣｏ合金を用いることができる。Ｃｏ合金中Ｃｏは８０ａｔ％以上含まれることが望ましい。このようなＣｏ合金は、スパッタ法により製膜した場合にアモルファスとなりやすく、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示す。また、このアモルファス軟磁性材料を用いることにより、媒体の低ノイズ化を図ることができる。好適なアモルファス軟磁性材料としては、例えばＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、及びＣｏＺｒＴａ系合金などを挙げることができ、ＣｏＺｒＮｂが１２０ｎｍ程度成膜されていることが好ましい。
【００１６】
軟磁性層の下には、軟磁性層の結晶性の向上あるいは基板との密着性の向上のためにさらに下地層を設けることができる。下地層材料としては、Ti、Ta、W、Cr、Pt、あるいはこれらを含む合金、あるいはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。軟磁性層と記録層との間には、非磁性体からなる中間層を設けることができる。中間層の役割は、軟磁性層と記録層との交換結合相互作用を遮断することと、記録層の結晶性を制御することの二つがある。中間層材料としては、Ru、Pt、Pd、W、Ti、Ta、Cr、Si、あるいはこれらを含む合金、あるいはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。
【００１７】
スパイクノイズ防止のために軟磁性層を複数の層に分け0.5〜1.5nmのRu層を挿入することで反強磁性結合させても良い。また、CoCrPtやSmCo、FePt等の面内異方性を持った硬磁性膜、あるいはIrMn、PtMn等の反強磁性体からなるピン層と軟磁性層とを交換結合させても良い。その際に、交換結合力を制御するために、Ru層の前後に強磁性(たとえばCo)の膜あるいは非磁性の膜(たとえばPt)を積層させても良い。
【００１８】
強磁性層２の材料としては、Ｃｏを主成分とするとともに少なくともＰｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなる。この酸化物としては、特に酸化シリコン，酸化チタンが好適である。
【００１９】
垂直磁気記録用の強磁性層２は、層中に磁性粒子（磁性を有した結晶粒子）が分散していることが好ましい。この磁性粒子は、垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造であることが好ましい。このような構造を形成することにより、垂直磁気記録層の磁性粒子の配向および結晶性を良好なものとし、結果として高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を得ることができる。前述の柱状構造を得るためには、含有させる酸化物の量が重要となる。酸化物の含有量は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの総量に対して、３ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下であることが好ましい。さらに好ましくは５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下である。垂直磁気記録層中の酸化物の含有量として上記範囲が好ましいのは、層を形成した際、磁性粒子の周りに酸化物が析出し、磁性粒子の孤立化、微細化をすることができるためである。酸化物の含有量が上記範囲を超えた場合、酸化物が磁性粒子中に残留し、磁性粒子の配向性、結晶性を損ね、さらには、磁性粒子の上下に酸化物が析出し、結果として磁性粒子が垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造が形成されなくなるため好ましくない。また、酸化物の含有量が上記範囲未満である場合、磁性粒子の分離、微細化が不十分となり、結果として記録再生時におけるノイズが増大し、高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）が得られなくなるため好ましくない。垂直磁気記録層のＣｒの含有量は、０ａｔ％以上１６ａｔ％以下であることが好ましい。さらに好ましくは１０ａｔ％以上１４ａｔ％以下である。Ｃｒ含有量が上記範囲であるのは、磁性粒子の一軸結晶磁気異方性定数Ｋｕを下げすぎず、また、高い磁化を維持し、結果として高密度記録に適した記録再生特性と十分な熱揺らぎ特性が得られるために好適だからである。Ｃｒ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子のＫｕが小さくなるため熱揺らぎ特性が悪化し、また、磁性粒子の結晶性、配向性が悪化することで、結果として記録再生特性が悪くなるため好ましくない。垂直磁気記録層のＰｔの含有量は、１０ａｔ％以上２５ａｔ％以下であることが好ましい。Ｐｔ含有量が上記範囲であるのは、強磁性層２に必要なＫｕを得、さらに磁性粒子の結晶性、配向性が良好であり、結果として高密度記録に適した熱揺らぎ特性、記録再生特性が得られるため、好適だからである。Ｐｔ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子中にｆｃｃ構造の層が形成され、結晶性、配向性が損なわれるおそれがあるため好ましくない。また、Ｐｔ含有量が上記範囲未満である場合、高密度記録に適した熱揺らぎ特性を得るためのＫｕが得られないため好ましくない。
【００２０】
強磁性層２は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物のほかに、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅから選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含む事により、磁性粒子の微細化を促進、あるいは結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。上記元素の合計の含有量は、８ａｔ％以下であることが好ましい。８ａｔ％を超えた場合、磁性粒子中にｈｃｐ相以外の相が形成されるため、磁性粒子の結晶性、配向性が乱れ、結果として高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性が得られないため好ましくない。
【００２１】
また、強磁性層２としては、上記の他、ＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＳｉ，およびＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、およびＲｕからなる群より選択された少なくとも一種を主成分とする合金とＣｏとの多層構造、さらに、これらにＣｒ、ＢおよびＯを添加したＣｏＣｒ／ＰｔＣｒ、ＣｏＢ／ＰｄＢ、ＣｏＯ／ＲｈＯなどを使用することができる。強磁性層２の厚さは、好ましくは５ないし６０ｎｍ、より好ましくは１０ないし４０ｎｍである。この範囲であると、より高記録密度に適した磁気記録再生装置として動作し得る。強磁性層の厚さが５ｎｍ未満であると、再生出力が低過ぎてノイズ成分の方が高くなる傾向があり、強磁性層２の厚さが４０ｎｍを超えると、再生出力が高過ぎて波形を歪ませる傾向がある。強磁性層２の保磁力は、２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）以上とすることが好ましい。保磁力が２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）未満であると、熱揺らぎ耐性が劣る傾向がある。強磁性層２の垂直角型比は、０．８以上であることが好ましい。垂直角型比が０．８未満であると、熱揺らぎ耐性に劣る傾向がある。
【００２２】
強磁性層２のパターン間には保護層３が埋め込まれるように形成される。保護層３の役割としては、強磁性層２の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐ目的設けられる。その材料としては、例えばＣ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2を含むものがあげられる。保護層の厚さは、１ないし１０ｎｍとすることが好ましい。これにより、ヘッドと媒体の距離を小さくできるので、高密度記録に好適である。カーボンは、sp2結合炭素（グラファイト）とsp3結合炭素（ダイヤモンド）に分類できる。耐久性、耐食性はsp3結合炭素のほうが優れるが、結晶質であることから表面平滑性はグラファイトに劣る。通常、カーボンの成膜はグラファイトターゲットを用いたスパッタリング法で形成される。この方法では、sp2結合炭素とsp3結合炭素が混在したアモルファスカーボンが形成される。sp3結合炭素の割合が大きいものはダイヤモンドライクカーボン（DLC）と呼ばれる。耐久性、耐食性に優れ、アモルファスであることから表面平滑性にも優れるため、磁気記録媒体の表面保護層として利用されている。CVD（Chemical vapor Deposition）法によるDLCの成膜は、原料ガスをプラズマ中で励起、分解し、化学反応によってDLCを生成させるため、条件を合わせることで、よりsp3結合炭素に富んだDLCを形成することができる。
【００２３】
保護層３の具体的材料としては、Cr、Ru、Pt、Pd、Ti、Ta、Mo、Wなどの金属や、NiTa、NiNb、NiNbTi、NiNbTiHf、CuHfZrTiなどの多元系金属、SiO2、TiOx、SiO2、Al2O3などの酸化物やSi3N4、AlN、TiNなどの窒化物、TiCなどの炭化物、BN等の硼化物、C、Si、などの単体などを挙げることができ、特に限定されないが、再生信号強度を強くするために金属材料であることが好ましい。また、埋め込み材が合金化することにより表面の平坦性が向上するため、前記金属材料としては、合金化しやすい材料が好ましく、より好ましくは金属ガラス等の多元系金属である。
【００２４】
保護層３は強磁性層２のパターンを覆うように形成されているが、記録トラック部に形成された強磁性層２上の保護層３の厚さがサーボ部に形成された強磁性層２上の保護層３の厚さより1nm以上、10nm以下の範囲で大きくなっている。ＤＴＲ媒体においては、記録トラック部は書き換え可能な「１」「０」の記録再生を行う必要があるため、磁気ヘッドにより記録を行う必要があるが、サーボ部においては、磁性体の有無でパターン化されており、一方向にDC透過磁界を印加することでサーボデータを書き込んだ後は信号を書き換える必要は無い。磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子の材料特性から2T程度の磁界しか印加することが出来ないが、サーボ部は磁性体の有無でパターン化されているため、一方向の強い磁界を与えることが可能であり、磁石等を用いて一括で強い磁界を印加することが可能である。すなわち、磁気スペーシングにより、強磁性層２への磁界が弱められるため、磁気ヘッドが通常発生させることのできる磁界よりもさらに大きい磁界を発生させなければサーボデータの書き込みが困難となるが、上述の通りサーボ部は磁性体の有無でパターン化されているため、一方向の強い磁界を与えることが可能であり、磁石等を用いて一括で強い磁界を印加することが可能であるため、磁気ヘッドへの負荷を考慮することなく、サーボ信号の書き込みができる。よって、サーボ部の保護層３を厚くすることが可能である。
【００２５】
保護層３の膜厚を厚くすることによって、サーボ部磁性体の腐食や、記録再生ヘッドによるオーバーライト現象を抑制することが可能となる。一方、記録再生ヘッドを用いてデータ信号を記録する必要があるトラック部においては、保護層の厚さが20nmになると保磁力4.5kOeの媒体をオーバーライト（OW）することが出来ない。また、一般的に磁気スペーシングが1nm増加すると、BER（ビット誤り率）が0.3dB劣化するといわれている。よって、サーボ部では保護層を厚く形成するのが好ましいが、記録領域では、磁気スペーシング低減のため保護層膜厚をできるかぎり薄くする必要がある。
【００２６】
しかし、サーボ部と記録トラック部との保護剤膜厚差が10nm以上存在すると、磁気ヘッドの浮上量と同等となり、ヘッドが安定浮上しなくなってしまうため、前記記録層上部保護層の膜厚差は10nm以下が好ましい。また、保護層に非金属材料を用いた場合、保護層が厚くなることによって読み込み信号強度が減少してしまう。従って、保護層が金属材料であり、前記記録層上部保護層の膜厚差は4nm以下であることがさらに望ましい。
【００２７】
上記の構成により、サーボ部のオーバーライトおよび強磁性層２の腐食が起こりにくく、記録トラック部の記録再生は従来通り行える磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【００２８】
（磁気記録媒体の製造方法）
次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法を図２乃至図８によって説明する。
【００２９】
まず図２において、基板４１表面に軟磁性層４２、強磁性体層４３を形成する。強磁性体層４３表面はカーボンの保護層で被覆されていてもよい。強磁性体層４３の表面に、レジスト４５をスピンコート法で塗布する。レジストには一般的なノボラック系のフォトレジストを用いることが出来るが、SOG（Spin-On-Glass）を用いても良い。レジスト４５形成後、例えば記録トラックとサーボ情報のパターンが埋め込まれたスタンパを100MPaで60秒間プレスすることによって、図２のようにレジスト４５表面にそのパターンを転写する。プレスは、ダイセットの上板と下板との間に、スタンパ４６、レジスト４５が形成された基板４１を配置することにより行われる。スタンパ４６及びレジストが形成された基板４１は、スタンパ４６の凹凸面と基板４１のレジスト膜側を対向させる。
【００３０】
ダイセットの上板、下板によるプレスの後、図３に示すようにスタンパ４５がパターニングされる。インプリントによって作製されたパターンの凹凸高さは60 〜 70 nmであるため、その残さは70 nm程度となる。スタンパ４６にフッ素系の剥離材を塗布、あるいはフッ素混合のＤＬＣを製膜することで、スタンパ４６とレジスト４５の良好な剥離ができる。
【００３１】
次に図３に示すように、酸素ガスを用いたRIE（反応性イオンエッチング）でレジスト４５の残さ除去を行い、インプリントされたレジストパターン４５ａのみを強磁性層４３上に残した。レジストにSOGを用いた場合、CF4ガスを用いたRIEで残渣除去を行う。RIEにおけるプラズマ源は、低圧で高密度プラズマが生成可能なICP（Inductively Coupled Plasma）が好適だが、ECR（Electron Cyclotron Resonance）プラズマでも構わない。
【００３２】
レジスト４５の残さ除去後、図４に示すようにレジストパターン４５ａを用いて強磁性層４３の磁性体加工を行い、強磁性層パターン４３ａを形成する。磁性体加工にはArイオンビームを用いたエッチング（Arイオンミリング）が好適だが、塩素ガスまたはCOとNH3の混合ガスを用いたRIEでも良い。COとNH3の混合ガスを用いたRIEの場合、磁性体加工のエッチングマスクとしてレジストパターン４５ａの代わりにTi、Ta、W等のハードマスクを用いなくてはならない。上述のRIEを用いた磁性体加工の場合、エッチングされた強磁性層パターン４３ａの側面にテーパはつかない。如何なる材料でもエッチング可能なArイオンミリングで磁性体加工を行う場合は、例えば加速電圧400V、イオン入射角度は30°から70°まで変化させてエッチングを行う。ECRイオンガンを用いたイオンミリングは、イオン入射角度90°でイオンミリングすることで、殆ど強磁性層パターンの側面にテーパが付かない加工が可能である。
【００３３】
磁性体加工後、図５に示すようにレジストパターン４５ａを強磁性層パターン４３ａ上から剥離する。一般的なノボラック系のフォトレジストを用いた場合は、酸素プラズマ処理を行うことで容易に剥離することが可能である。この時、強磁性層４５の表面にカーボン保護層がある場合、カーボン保護層も剥離されるので注意が必要である。一方、SOGをエッチングマスクとした場合、この工程はフッ素系ガスを用いたRIEで行う必要がある。フッ素系ガスはCF4やSF6が好適だが、大気中の水と反応してHF、H2SO4等の酸が生じることがあるため、レジストパターン剥離後、水洗を行う必要がある。
【００３４】
レジストパターン４５ａ剥離後、図６に示すように強磁性層パターン４３ａの凹凸を保護層８１で埋め込む。この埋め込み工程は、保護層８１を通常のスパッタリングまたはCVD（化学気相成長法）で成膜する。保護層８１の材料としては、Cr, Ru, Pt, Pd, Ti, Ta, Mo, Wなどの金属や、NiTa、NiNb、NiNbTi、NiNbTiHf、CuHfZrTiなどの多元系金属、SiO2、TiOx、SiO2、Al2O3などの酸化物やSi3N4、AlN、TiNなどの窒化物、TiCなどの炭化物、BN等の硼化物、C、Si、などの単体などから幅広く選択できる。また、この埋め込み工程ではバイアススパッタリングを用いることもできる。このバイアススパッタリングは基板４１にバイアス電圧をかけながらスパッタ成膜する方法で、容易に凹凸を埋め込みながら成膜できる。しかし、バイアス電圧印加による基板４１の溶解またはスパッタダストが生じやすいので、通常のスパッタリングを用いるのが好適である。
【００３５】
保護層８１による埋め込み後、図７に示すように保護層８１のエッチバックを行い保護層パターン８１ａを形成する。この際、強磁性層パターン４３ａが露出する手前でエッチバックを止める。このエッチバック終了のタイミングはサーボ部と記録トラック部とで異なり、サーボ部の終了タイミングの方が記録トラック部の終了タイミングよりも早めになるよう設定する。この理由としては、前述のとおり保護層８１の厚さをサーボ部の厚さの方が記録トラック部の厚さよりも大きくすることによる。このエッチバック工程においては、エッチャントが基板４１に対し垂直に入射するようにECRイオンガンを配置しエッチングを行う事が望ましい。ECRイオンミリングの代わりにArイオンミリングを用いても良い。
【００３６】
図６の保護層８１埋め込み工程、図７のエッチバック工程を２回以上繰り返すことで、図８に示すように強磁性層パターン４３ａが保護層パターン８１ｂで被覆された埋め込み構造を得ることができる。
【００３７】
図８の埋め込み構造形成後、保護層パターン８１ｂ上へのC保護層（図示せず）の形成を行ってもよい。C保護層は、保護層パターン８１ｂへのカバレッジを良くするためにCVD法で成膜することが望ましいが、スパッタリング、真空蒸着法でも構わない。CVD法でC保護層を形成した場合、sp3結合炭素を多く含むDLC膜が形成される。膜厚は１nm以下だとカバレッジが悪くなり、10nm以上だと、記録再生ヘッドと媒体との磁気スペーシングが大きくなってSNRが低下するので好ましくない。また、保護層上には、潤滑層を設けることができる。潤滑層に使用される潤滑剤としては、従来公知の材料、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。
【００３８】
（磁気記録再生装置）
上述した磁気記録媒体は、以下に説明する磁気記録再生装置に搭載することができる。
【００３９】
図９は、このような磁気記録再生装置の概略構成を例示する要部斜視図である。図９に示す磁気記録再生装置１５０は、ロータリーアクチュエータを用いた形式の装置である。同図において、磁気ディスク２００は、スピンドル１５２に装着され、図示しない駆動装置制御部からの制御信号に応答する図示しないモータにより矢印Ａの方向に回転する。なお、図に示す磁気記録再生装置１５０では、単独の磁気ディスク２００のみを用いているが、複数の磁気ディスク２００を具えることができる。
【００４０】
磁気ディスク２００に格納する情報の記録再生を行うヘッドスライダ１５３は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に取り付けられている。ヘッドスライダ１５３は、上述したいずれかの実施形態に係る磁気抵抗効果素子を含む磁気ヘッドをその先端付近に搭載している。
【００４１】
磁気ディスク２００が回転すると、ヘッドスライダ１５３の媒体対向面（ＡＢＳ）は磁気ディスク２００の表面から所定の浮上量をもって保持される。但し、このような浮上型に代えて、スライダが磁気ディスク２００と接触するいわゆる「接触走行型」であってもよい。サスペンション１５４は、図示しない駆動コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム１５５の一端に接続されている。アクチュエータアーム１５５の他端には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１５６が設けられている。ボイスコイルモータ１５６は、アクチュエータアーム１５５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、このコイルを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークからなる磁気回路とから構成される。
【００４２】
アクチュエータアーム１５５は、スピンドル１５２の上下２箇所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ１５６により回転摺動が自在にできるようになっている。
【００４３】
次に本願の実施例を示す。
【実施例１】
【００４４】
実施例１として、図３〜８に示す、上述の磁気記録媒体の製造方法でサーボ部のみ保護層が厚いDTR媒体を作製した。保護層にはRuを用いた。スパッタ法により50nm成膜と30nmエッチバックを5回繰り返し、最後にエッチバックを100nm行って記録トラック上の凹凸を平坦化した。この時、原子間力顕微鏡（AFM）を用いて5μm角のRmaxを測定したところ、トラック部は3nmでサーボ部は7nmであり、サーボ部がトラック部より記録層上部保護層がRmaxで4nm厚くなっていることを確認した（表1）。
【表１】
【００４５】
埋め込み後、CVDにてDLCを成膜し、潤滑材を塗布し保護層とした。この媒体を大気圧化においてデジタルレーザドップラ振動計（LDV）でサーボ部の凹凸に起因した共振は見られなかった。また、浮上量15nmのヘッドを用いてグライドハイトテスターで浮上評価を行ったところ、保護層の凹凸起因のクラッシュは見られなかった。スピンスタンドを用いて、マグネットを用いてDC消磁を行い、ドライブへ組み込みドライブ耐久試験を行ったところ、サーボ部信号、トラック部オーバーライト（OW）信号共に十分な強度が得られ、ビットエラーレート（BER）-5.5乗が得られた。保護層としてCrを用いた場合も同様の結果が得られた。
【実施例２】
【００４６】
他の実施例として、図３〜８に示した方法でサーボ部のみ保護層が厚いDTR媒体を作製し、保護層にはNiNbTiHfを用いた（表1）。スパッタ法により50nm成膜と30nmエッチバックを5回繰り返し、最後にエッチバックを100nm行って記録トラック上の凹凸を平坦化した。この時、原子間力顕微鏡（AFM）を用いて5μm角のRmaxを測定したところ、トラック部は3nmでサーボ部は6nmであり、サーボ部がトラック部より記録層上部保護層がRmaxで3nm厚くなっていることを確認した。AFMで記録層上部100nm角のRaを測定したところ、0.3nmで表面平坦性に優れていることが確かめられた。埋め込み後、CVDにてDLCを成膜し、潤滑材を塗布し保護層とした。この媒体を大気圧化においてデジタルレーザドップラ振動計（LDV）でサーボ部の凹凸に起因した共振は見られなかった。また、浮上量15nmのヘッドを用いてグライドハイトテスターで浮上評価を行ったところ、保護層の凹凸起因のクラッシュは見られなかった。スピンスタンドを用いて、マグネットを用いてDC消磁を行い、ドライブへ組み込みドライブ耐久試験を行ったところ、BER-6.0乗が得られた。
【実施例３】
【００４７】
さらに他の実施例として、図２乃至図８に示した方法でサーボ部のみ保護層が10nm厚いDTR媒体を作製した。保護層としてRuを用いた（表1）。記録層上部保護層と非記録層上部保護層との膜厚差を得るため、スパッタ法による50nm成膜と30nmエッチバックの繰り返し回数を3回とすることで、記録トラック部とサーボ部とのRmaxにおいて10nmの差を得た。最後にエッチバックを100nm行って記録トラック上の凹凸を平坦化した。埋め込み後、CVDにてDLCを成膜し、潤滑材を塗布し保護層とした。スピンスタンドを用いて、マグネットを用いてDC消磁を行い、ドライブへ組み込みドライブ耐久試験を行ったところ、保護層にRuとSiO2を用いた媒体それぞれでBER-5.0乗、-4.0乗が得られた。
【００４８】
また保護層が10nm厚いDTR媒体を大気圧化においてデジタルレーザドップラ振動計（LDV）でサーボ部の凹凸に起因した共振は見られなかった。また、浮上量15nmのヘッドを用いてグライドハイトテスターで浮上評価を行ったところ、保護層の凹凸起因のクラッシュは見られなかった。
【００４９】
以下、比較例を示す。
【００５０】
（比較例1）
トラック部とサーボ部の凹凸を揃えるため、バイアススパッタ法を用いて埋め込み平坦化を行った以外、実施例1と同様の方法でサーボ部、トラック部ともに保護層が薄いDTR媒体を作製した。保護層にはSiO2を用い、埋め込み平坦化後のRmaxは、トラック部、サーボ部ともに4nmであった（表1）。
【００５１】
マグネットを用いてDC消磁を行った後、スピンスタンドを用いて記録再生ヘッドによりトラック部に書き込みを行い、その後サーボ部書き込みを行った。作製したDTR媒体のオーバーライト（OW）信号を1とした時の、信号強度比較を行った(表2)。
【表２】
【００５２】
実施例1の媒体においては、十分なOW信号が得られた。サーボ部に関しては、比較例1の媒体と比べて実施例1の媒体はOWされにくい。
【００５３】
（比較例2）
埋め込み後のCVD保護層が10nm厚い（表1）以外、比較例1と同様の方法でサーボ部、トラック部ともに保護層が厚いDTR媒体を作製した。
【００５４】
マグネットを用いてDC消磁を行った後、スピンスタンドを用いて記録再生ヘッドによりトラック部に書き込みを行い、その後サーボ部書き込みを行った。作製したDTR媒体のオーバーライト（OW）信号を1とした時の、信号強度比較を行った(表2)。
【００５５】
トラック部において比較例2の媒体は、十分なOW信号が得られなかった。
【００５６】
（比較例3）
図２乃至図８に示した方法でサーボ部のみ保護層が20nm 厚いDTR媒体を作製した。保護層としてSiO2を用いた。記録層上部保護層と非記録層上部保護層との膜厚差を得るため、スパッタ法による50nm成膜と30nmエッチバックの繰り返し回数を1回とすることで、20nmの凹凸差を得た（表1）。得られた媒体において、高温高湿化での腐食試験と、AEセンサを用いた浮上安定評価、およびスピンスタンドによるサーボ部の信号強度比較を行った(表3)。
【表３】
【００５７】
埋め込みを行わない媒体に関しては、サーボ部、およびトラック部に腐食が見られたが、埋め込み媒体において腐食は見られなかった。さらに評価を続けると、保護層が薄いトラック部が先に腐食されたが、サーボ部に腐食は見られなかった。また、AEセンサを用いた浮上安定性評価においては、凹凸差20nmの比較例3の媒体でAEシグナルが観測されたが、凹凸差が10nmではAEシグナルは観測されず、ヘッドは安定浮上していた。また、媒体をDC消磁した後に行ったスピンスタンド評価においては、実施例1および実施例３の金属膜は凹凸差10nmで信号は減少しなかったが、比較例3の酸化物による埋め込みでは信号強度の減少が見られた。
【００５８】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１、４１ … 基板
２、４３ … 強磁性層
３、８１ … 保護層
４２ … 軟磁性層
４５ … レジスト
４６ … スタンパ
１５０ … 磁気記録再生装置
１５２ … スピンドル
１５３ … ヘッドスライダ
１５４ … サスペンション
１５５ … アクチュエータアーム
１５６ … ボイスコイルモータ
【技術分野】
【０００１】
本発明は特にサーボ部が磁性体の有無もしくは凹凸によりパターン化されているパターンドサーボ型磁気記録媒体、およびこの磁気記録媒体を含む磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のパソコンなど情報機器の飛躍的な機能向上により、ユーザが扱う情報量は著しく増大してきている。このような状況の下で、これまでよりも飛躍的に記録密度の高い情報記録再生装置や集積度の高い半導体装置が求められている。情報記録再生装置を構成するものとして磁気記録媒体があるが、最近の磁気記録媒体は記録密度を向上させるために、記録トラック間を物理的に分離するディスクリートトラック型パターンド媒体（ＤＴＲ媒体）が開発されている（特許文献１）。ＤＴＲ媒体は基板上の記録トラック部に形成される軟磁性体、及びその上に形成される強磁性体のパターンと、記録トラック間を埋めるように形成される非磁性体と、強磁性層パターン、非磁性体上に形成される保護層からなる。この構成は基本的にサーボ部においても当てはまる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−８５４０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のＤＴＲ媒体のサーボ部は、サーボパターンが磁性体の有無で形成されているため、サーボトラックライターを用いずにDC消磁を行うのが一般的であった。一方、記録トラック層にデータを書き込む際には、磁気ヘッドを用いてデータを書き込む。
【０００５】
そのため、サーボ部にサーボデータが書き込まれた後、磁気ヘッドを用いて記録データを書き込む際に、サーボトラックに書き込まれたサーボデータが磁気ヘッドにより上書きされてしまうという問題があった。この問題を解決するためにサーボ部、記録トラックの保護層を厚くすると、今度は磁気スペーシングにより磁気ヘッドを用いた記録トラックへの書き込みが出来なくなる、または記録トラックに書き込まれた記録データを再生する際に、再生信号が弱くなるという問題がある。
【０００６】
本発明の目的は上記問題点を解決するため、サーボデータが上書きされず、かつ再生信号が弱くなることのない磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、基板上に形成される記録層の有無で構成される凹凸パターンからなり、凹凸パターンの表面に形成される第１の保護層を有するサーボ部と、基板上に形成される記録層の有無で構成される凹凸パターンからなり、凹凸パターンの表面に形成される第２の保護層を有する記録トラック部とを具備し、前記サーボ部と前記記録トラック部は、前記基板の表面に沿って互いに異なる領域上に形成されており、前記サーボ部の記録層の上部に形成される第１の保護層の膜厚が前記記録トラック部の記録層の上部に形成される第２の保護層の膜厚よりも１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲で厚くなっていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の磁気記録再生装置は、上述の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体上を浮上する磁気ヘッドとを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によりサーボデータが上書きされず、かつ再生信号が弱くなることのない磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明を実施するための最良の形態である磁気記録媒体の部分断面図である。
【図２】図１の磁気記録媒体の製造工程図である。
【図３】図１の磁気記録媒体の製造工程図である。
【図４】図１の磁気記録媒体の製造工程図である。
【図５】図１の磁気記録媒体の製造工程図である。
【図６】図１の磁気記録媒体の製造工程図である。
【図７】図１の磁気記録媒体の製造工程図である。
【図８】図１の磁気記録媒体の製造工程図である。
【図９】磁気記録再生装置の概略構成を例示する要部斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例について説明する。
【００１２】
（磁気記録媒体）
図1はＤＴＲ媒体のサーボ部およびトラック部のパターンの一例を示す断面図である。
【００１３】
すなわち、基板１上の記録トラック部、サーボ部にそれぞれ軟磁性層（図示せず）を介して強磁性層２が形成されている。この強磁性層２が記録トラック部にあっては記録データを保持する記録層の役割を果たし、サーボ部にあっては、サーボデータを保持する記録層の役割を果たす。軟磁性層は、垂直磁気記録層である強磁性層２を磁化するための磁気ヘッド例えば単磁極ヘッドからの記録磁界を、水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、磁界の記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる役目を果たし得る。
【００１４】
基板１の材料としては、例えばガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック、カーボンや、酸化表面を有するＳｉ単結晶基板、及びこれらの基板にＮｉＰ等のメッキが施されたもの等を用いることができる。ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物などが使用可能である。基板としては、上記金属基板、非金属基板の表面にメッキ法やスパッタ法を用いてＮｉＰ層が形成されたものを用いることもできる。
【００１５】
軟磁性層の材料としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料を用いることができる。代表的な材料として、ＦｅＣｏ系合金、例えばＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶ等、ＦｅＮｉ系合金、例えばＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉ等、ＦｅＡｌ系合金またはＦｅＳｉ系合金、例えばＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯ等、ＦｅＴａ系合金、例えばＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮ等およびＦｅＺｒ系合金、例えばＦｅＺｒＮ等を挙げることができる。また、Ｆｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮ等の微結晶構造、あるいは微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いることができる。また、軟磁性層の他の材料として、Ｃｏと、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、及びＹのうち少なくとも１種とを含有するＣｏ合金を用いることができる。Ｃｏ合金中Ｃｏは８０ａｔ％以上含まれることが望ましい。このようなＣｏ合金は、スパッタ法により製膜した場合にアモルファスとなりやすく、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示す。また、このアモルファス軟磁性材料を用いることにより、媒体の低ノイズ化を図ることができる。好適なアモルファス軟磁性材料としては、例えばＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、及びＣｏＺｒＴａ系合金などを挙げることができ、ＣｏＺｒＮｂが１２０ｎｍ程度成膜されていることが好ましい。
【００１６】
軟磁性層の下には、軟磁性層の結晶性の向上あるいは基板との密着性の向上のためにさらに下地層を設けることができる。下地層材料としては、Ti、Ta、W、Cr、Pt、あるいはこれらを含む合金、あるいはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。軟磁性層と記録層との間には、非磁性体からなる中間層を設けることができる。中間層の役割は、軟磁性層と記録層との交換結合相互作用を遮断することと、記録層の結晶性を制御することの二つがある。中間層材料としては、Ru、Pt、Pd、W、Ti、Ta、Cr、Si、あるいはこれらを含む合金、あるいはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。
【００１７】
スパイクノイズ防止のために軟磁性層を複数の層に分け0.5〜1.5nmのRu層を挿入することで反強磁性結合させても良い。また、CoCrPtやSmCo、FePt等の面内異方性を持った硬磁性膜、あるいはIrMn、PtMn等の反強磁性体からなるピン層と軟磁性層とを交換結合させても良い。その際に、交換結合力を制御するために、Ru層の前後に強磁性(たとえばCo)の膜あるいは非磁性の膜(たとえばPt)を積層させても良い。
【００１８】
強磁性層２の材料としては、Ｃｏを主成分とするとともに少なくともＰｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなる。この酸化物としては、特に酸化シリコン，酸化チタンが好適である。
【００１９】
垂直磁気記録用の強磁性層２は、層中に磁性粒子（磁性を有した結晶粒子）が分散していることが好ましい。この磁性粒子は、垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造であることが好ましい。このような構造を形成することにより、垂直磁気記録層の磁性粒子の配向および結晶性を良好なものとし、結果として高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を得ることができる。前述の柱状構造を得るためには、含有させる酸化物の量が重要となる。酸化物の含有量は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの総量に対して、３ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下であることが好ましい。さらに好ましくは５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下である。垂直磁気記録層中の酸化物の含有量として上記範囲が好ましいのは、層を形成した際、磁性粒子の周りに酸化物が析出し、磁性粒子の孤立化、微細化をすることができるためである。酸化物の含有量が上記範囲を超えた場合、酸化物が磁性粒子中に残留し、磁性粒子の配向性、結晶性を損ね、さらには、磁性粒子の上下に酸化物が析出し、結果として磁性粒子が垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造が形成されなくなるため好ましくない。また、酸化物の含有量が上記範囲未満である場合、磁性粒子の分離、微細化が不十分となり、結果として記録再生時におけるノイズが増大し、高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）が得られなくなるため好ましくない。垂直磁気記録層のＣｒの含有量は、０ａｔ％以上１６ａｔ％以下であることが好ましい。さらに好ましくは１０ａｔ％以上１４ａｔ％以下である。Ｃｒ含有量が上記範囲であるのは、磁性粒子の一軸結晶磁気異方性定数Ｋｕを下げすぎず、また、高い磁化を維持し、結果として高密度記録に適した記録再生特性と十分な熱揺らぎ特性が得られるために好適だからである。Ｃｒ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子のＫｕが小さくなるため熱揺らぎ特性が悪化し、また、磁性粒子の結晶性、配向性が悪化することで、結果として記録再生特性が悪くなるため好ましくない。垂直磁気記録層のＰｔの含有量は、１０ａｔ％以上２５ａｔ％以下であることが好ましい。Ｐｔ含有量が上記範囲であるのは、強磁性層２に必要なＫｕを得、さらに磁性粒子の結晶性、配向性が良好であり、結果として高密度記録に適した熱揺らぎ特性、記録再生特性が得られるため、好適だからである。Ｐｔ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子中にｆｃｃ構造の層が形成され、結晶性、配向性が損なわれるおそれがあるため好ましくない。また、Ｐｔ含有量が上記範囲未満である場合、高密度記録に適した熱揺らぎ特性を得るためのＫｕが得られないため好ましくない。
【００２０】
強磁性層２は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物のほかに、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅから選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含む事により、磁性粒子の微細化を促進、あるいは結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。上記元素の合計の含有量は、８ａｔ％以下であることが好ましい。８ａｔ％を超えた場合、磁性粒子中にｈｃｐ相以外の相が形成されるため、磁性粒子の結晶性、配向性が乱れ、結果として高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性が得られないため好ましくない。
【００２１】
また、強磁性層２としては、上記の他、ＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＳｉ，およびＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、およびＲｕからなる群より選択された少なくとも一種を主成分とする合金とＣｏとの多層構造、さらに、これらにＣｒ、ＢおよびＯを添加したＣｏＣｒ／ＰｔＣｒ、ＣｏＢ／ＰｄＢ、ＣｏＯ／ＲｈＯなどを使用することができる。強磁性層２の厚さは、好ましくは５ないし６０ｎｍ、より好ましくは１０ないし４０ｎｍである。この範囲であると、より高記録密度に適した磁気記録再生装置として動作し得る。強磁性層の厚さが５ｎｍ未満であると、再生出力が低過ぎてノイズ成分の方が高くなる傾向があり、強磁性層２の厚さが４０ｎｍを超えると、再生出力が高過ぎて波形を歪ませる傾向がある。強磁性層２の保磁力は、２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）以上とすることが好ましい。保磁力が２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）未満であると、熱揺らぎ耐性が劣る傾向がある。強磁性層２の垂直角型比は、０．８以上であることが好ましい。垂直角型比が０．８未満であると、熱揺らぎ耐性に劣る傾向がある。
【００２２】
強磁性層２のパターン間には保護層３が埋め込まれるように形成される。保護層３の役割としては、強磁性層２の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐ目的設けられる。その材料としては、例えばＣ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2を含むものがあげられる。保護層の厚さは、１ないし１０ｎｍとすることが好ましい。これにより、ヘッドと媒体の距離を小さくできるので、高密度記録に好適である。カーボンは、sp2結合炭素（グラファイト）とsp3結合炭素（ダイヤモンド）に分類できる。耐久性、耐食性はsp3結合炭素のほうが優れるが、結晶質であることから表面平滑性はグラファイトに劣る。通常、カーボンの成膜はグラファイトターゲットを用いたスパッタリング法で形成される。この方法では、sp2結合炭素とsp3結合炭素が混在したアモルファスカーボンが形成される。sp3結合炭素の割合が大きいものはダイヤモンドライクカーボン（DLC）と呼ばれる。耐久性、耐食性に優れ、アモルファスであることから表面平滑性にも優れるため、磁気記録媒体の表面保護層として利用されている。CVD（Chemical vapor Deposition）法によるDLCの成膜は、原料ガスをプラズマ中で励起、分解し、化学反応によってDLCを生成させるため、条件を合わせることで、よりsp3結合炭素に富んだDLCを形成することができる。
【００２３】
保護層３の具体的材料としては、Cr、Ru、Pt、Pd、Ti、Ta、Mo、Wなどの金属や、NiTa、NiNb、NiNbTi、NiNbTiHf、CuHfZrTiなどの多元系金属、SiO2、TiOx、SiO2、Al2O3などの酸化物やSi3N4、AlN、TiNなどの窒化物、TiCなどの炭化物、BN等の硼化物、C、Si、などの単体などを挙げることができ、特に限定されないが、再生信号強度を強くするために金属材料であることが好ましい。また、埋め込み材が合金化することにより表面の平坦性が向上するため、前記金属材料としては、合金化しやすい材料が好ましく、より好ましくは金属ガラス等の多元系金属である。
【００２４】
保護層３は強磁性層２のパターンを覆うように形成されているが、記録トラック部に形成された強磁性層２上の保護層３の厚さがサーボ部に形成された強磁性層２上の保護層３の厚さより1nm以上、10nm以下の範囲で大きくなっている。ＤＴＲ媒体においては、記録トラック部は書き換え可能な「１」「０」の記録再生を行う必要があるため、磁気ヘッドにより記録を行う必要があるが、サーボ部においては、磁性体の有無でパターン化されており、一方向にDC透過磁界を印加することでサーボデータを書き込んだ後は信号を書き換える必要は無い。磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子の材料特性から2T程度の磁界しか印加することが出来ないが、サーボ部は磁性体の有無でパターン化されているため、一方向の強い磁界を与えることが可能であり、磁石等を用いて一括で強い磁界を印加することが可能である。すなわち、磁気スペーシングにより、強磁性層２への磁界が弱められるため、磁気ヘッドが通常発生させることのできる磁界よりもさらに大きい磁界を発生させなければサーボデータの書き込みが困難となるが、上述の通りサーボ部は磁性体の有無でパターン化されているため、一方向の強い磁界を与えることが可能であり、磁石等を用いて一括で強い磁界を印加することが可能であるため、磁気ヘッドへの負荷を考慮することなく、サーボ信号の書き込みができる。よって、サーボ部の保護層３を厚くすることが可能である。
【００２５】
保護層３の膜厚を厚くすることによって、サーボ部磁性体の腐食や、記録再生ヘッドによるオーバーライト現象を抑制することが可能となる。一方、記録再生ヘッドを用いてデータ信号を記録する必要があるトラック部においては、保護層の厚さが20nmになると保磁力4.5kOeの媒体をオーバーライト（OW）することが出来ない。また、一般的に磁気スペーシングが1nm増加すると、BER（ビット誤り率）が0.3dB劣化するといわれている。よって、サーボ部では保護層を厚く形成するのが好ましいが、記録領域では、磁気スペーシング低減のため保護層膜厚をできるかぎり薄くする必要がある。
【００２６】
しかし、サーボ部と記録トラック部との保護剤膜厚差が10nm以上存在すると、磁気ヘッドの浮上量と同等となり、ヘッドが安定浮上しなくなってしまうため、前記記録層上部保護層の膜厚差は10nm以下が好ましい。また、保護層に非金属材料を用いた場合、保護層が厚くなることによって読み込み信号強度が減少してしまう。従って、保護層が金属材料であり、前記記録層上部保護層の膜厚差は4nm以下であることがさらに望ましい。
【００２７】
上記の構成により、サーボ部のオーバーライトおよび強磁性層２の腐食が起こりにくく、記録トラック部の記録再生は従来通り行える磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【００２８】
（磁気記録媒体の製造方法）
次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法を図２乃至図８によって説明する。
【００２９】
まず図２において、基板４１表面に軟磁性層４２、強磁性体層４３を形成する。強磁性体層４３表面はカーボンの保護層で被覆されていてもよい。強磁性体層４３の表面に、レジスト４５をスピンコート法で塗布する。レジストには一般的なノボラック系のフォトレジストを用いることが出来るが、SOG（Spin-On-Glass）を用いても良い。レジスト４５形成後、例えば記録トラックとサーボ情報のパターンが埋め込まれたスタンパを100MPaで60秒間プレスすることによって、図２のようにレジスト４５表面にそのパターンを転写する。プレスは、ダイセットの上板と下板との間に、スタンパ４６、レジスト４５が形成された基板４１を配置することにより行われる。スタンパ４６及びレジストが形成された基板４１は、スタンパ４６の凹凸面と基板４１のレジスト膜側を対向させる。
【００３０】
ダイセットの上板、下板によるプレスの後、図３に示すようにスタンパ４５がパターニングされる。インプリントによって作製されたパターンの凹凸高さは60 〜 70 nmであるため、その残さは70 nm程度となる。スタンパ４６にフッ素系の剥離材を塗布、あるいはフッ素混合のＤＬＣを製膜することで、スタンパ４６とレジスト４５の良好な剥離ができる。
【００３１】
次に図３に示すように、酸素ガスを用いたRIE（反応性イオンエッチング）でレジスト４５の残さ除去を行い、インプリントされたレジストパターン４５ａのみを強磁性層４３上に残した。レジストにSOGを用いた場合、CF4ガスを用いたRIEで残渣除去を行う。RIEにおけるプラズマ源は、低圧で高密度プラズマが生成可能なICP（Inductively Coupled Plasma）が好適だが、ECR（Electron Cyclotron Resonance）プラズマでも構わない。
【００３２】
レジスト４５の残さ除去後、図４に示すようにレジストパターン４５ａを用いて強磁性層４３の磁性体加工を行い、強磁性層パターン４３ａを形成する。磁性体加工にはArイオンビームを用いたエッチング（Arイオンミリング）が好適だが、塩素ガスまたはCOとNH3の混合ガスを用いたRIEでも良い。COとNH3の混合ガスを用いたRIEの場合、磁性体加工のエッチングマスクとしてレジストパターン４５ａの代わりにTi、Ta、W等のハードマスクを用いなくてはならない。上述のRIEを用いた磁性体加工の場合、エッチングされた強磁性層パターン４３ａの側面にテーパはつかない。如何なる材料でもエッチング可能なArイオンミリングで磁性体加工を行う場合は、例えば加速電圧400V、イオン入射角度は30°から70°まで変化させてエッチングを行う。ECRイオンガンを用いたイオンミリングは、イオン入射角度90°でイオンミリングすることで、殆ど強磁性層パターンの側面にテーパが付かない加工が可能である。
【００３３】
磁性体加工後、図５に示すようにレジストパターン４５ａを強磁性層パターン４３ａ上から剥離する。一般的なノボラック系のフォトレジストを用いた場合は、酸素プラズマ処理を行うことで容易に剥離することが可能である。この時、強磁性層４５の表面にカーボン保護層がある場合、カーボン保護層も剥離されるので注意が必要である。一方、SOGをエッチングマスクとした場合、この工程はフッ素系ガスを用いたRIEで行う必要がある。フッ素系ガスはCF4やSF6が好適だが、大気中の水と反応してHF、H2SO4等の酸が生じることがあるため、レジストパターン剥離後、水洗を行う必要がある。
【００３４】
レジストパターン４５ａ剥離後、図６に示すように強磁性層パターン４３ａの凹凸を保護層８１で埋め込む。この埋め込み工程は、保護層８１を通常のスパッタリングまたはCVD（化学気相成長法）で成膜する。保護層８１の材料としては、Cr, Ru, Pt, Pd, Ti, Ta, Mo, Wなどの金属や、NiTa、NiNb、NiNbTi、NiNbTiHf、CuHfZrTiなどの多元系金属、SiO2、TiOx、SiO2、Al2O3などの酸化物やSi3N4、AlN、TiNなどの窒化物、TiCなどの炭化物、BN等の硼化物、C、Si、などの単体などから幅広く選択できる。また、この埋め込み工程ではバイアススパッタリングを用いることもできる。このバイアススパッタリングは基板４１にバイアス電圧をかけながらスパッタ成膜する方法で、容易に凹凸を埋め込みながら成膜できる。しかし、バイアス電圧印加による基板４１の溶解またはスパッタダストが生じやすいので、通常のスパッタリングを用いるのが好適である。
【００３５】
保護層８１による埋め込み後、図７に示すように保護層８１のエッチバックを行い保護層パターン８１ａを形成する。この際、強磁性層パターン４３ａが露出する手前でエッチバックを止める。このエッチバック終了のタイミングはサーボ部と記録トラック部とで異なり、サーボ部の終了タイミングの方が記録トラック部の終了タイミングよりも早めになるよう設定する。この理由としては、前述のとおり保護層８１の厚さをサーボ部の厚さの方が記録トラック部の厚さよりも大きくすることによる。このエッチバック工程においては、エッチャントが基板４１に対し垂直に入射するようにECRイオンガンを配置しエッチングを行う事が望ましい。ECRイオンミリングの代わりにArイオンミリングを用いても良い。
【００３６】
図６の保護層８１埋め込み工程、図７のエッチバック工程を２回以上繰り返すことで、図８に示すように強磁性層パターン４３ａが保護層パターン８１ｂで被覆された埋め込み構造を得ることができる。
【００３７】
図８の埋め込み構造形成後、保護層パターン８１ｂ上へのC保護層（図示せず）の形成を行ってもよい。C保護層は、保護層パターン８１ｂへのカバレッジを良くするためにCVD法で成膜することが望ましいが、スパッタリング、真空蒸着法でも構わない。CVD法でC保護層を形成した場合、sp3結合炭素を多く含むDLC膜が形成される。膜厚は１nm以下だとカバレッジが悪くなり、10nm以上だと、記録再生ヘッドと媒体との磁気スペーシングが大きくなってSNRが低下するので好ましくない。また、保護層上には、潤滑層を設けることができる。潤滑層に使用される潤滑剤としては、従来公知の材料、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。
【００３８】
（磁気記録再生装置）
上述した磁気記録媒体は、以下に説明する磁気記録再生装置に搭載することができる。
【００３９】
図９は、このような磁気記録再生装置の概略構成を例示する要部斜視図である。図９に示す磁気記録再生装置１５０は、ロータリーアクチュエータを用いた形式の装置である。同図において、磁気ディスク２００は、スピンドル１５２に装着され、図示しない駆動装置制御部からの制御信号に応答する図示しないモータにより矢印Ａの方向に回転する。なお、図に示す磁気記録再生装置１５０では、単独の磁気ディスク２００のみを用いているが、複数の磁気ディスク２００を具えることができる。
【００４０】
磁気ディスク２００に格納する情報の記録再生を行うヘッドスライダ１５３は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に取り付けられている。ヘッドスライダ１５３は、上述したいずれかの実施形態に係る磁気抵抗効果素子を含む磁気ヘッドをその先端付近に搭載している。
【００４１】
磁気ディスク２００が回転すると、ヘッドスライダ１５３の媒体対向面（ＡＢＳ）は磁気ディスク２００の表面から所定の浮上量をもって保持される。但し、このような浮上型に代えて、スライダが磁気ディスク２００と接触するいわゆる「接触走行型」であってもよい。サスペンション１５４は、図示しない駆動コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム１５５の一端に接続されている。アクチュエータアーム１５５の他端には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１５６が設けられている。ボイスコイルモータ１５６は、アクチュエータアーム１５５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、このコイルを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークからなる磁気回路とから構成される。
【００４２】
アクチュエータアーム１５５は、スピンドル１５２の上下２箇所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ１５６により回転摺動が自在にできるようになっている。
【００４３】
次に本願の実施例を示す。
【実施例１】
【００４４】
実施例１として、図３〜８に示す、上述の磁気記録媒体の製造方法でサーボ部のみ保護層が厚いDTR媒体を作製した。保護層にはRuを用いた。スパッタ法により50nm成膜と30nmエッチバックを5回繰り返し、最後にエッチバックを100nm行って記録トラック上の凹凸を平坦化した。この時、原子間力顕微鏡（AFM）を用いて5μm角のRmaxを測定したところ、トラック部は3nmでサーボ部は7nmであり、サーボ部がトラック部より記録層上部保護層がRmaxで4nm厚くなっていることを確認した（表1）。
【表１】
【００４５】
埋め込み後、CVDにてDLCを成膜し、潤滑材を塗布し保護層とした。この媒体を大気圧化においてデジタルレーザドップラ振動計（LDV）でサーボ部の凹凸に起因した共振は見られなかった。また、浮上量15nmのヘッドを用いてグライドハイトテスターで浮上評価を行ったところ、保護層の凹凸起因のクラッシュは見られなかった。スピンスタンドを用いて、マグネットを用いてDC消磁を行い、ドライブへ組み込みドライブ耐久試験を行ったところ、サーボ部信号、トラック部オーバーライト（OW）信号共に十分な強度が得られ、ビットエラーレート（BER）-5.5乗が得られた。保護層としてCrを用いた場合も同様の結果が得られた。
【実施例２】
【００４６】
他の実施例として、図３〜８に示した方法でサーボ部のみ保護層が厚いDTR媒体を作製し、保護層にはNiNbTiHfを用いた（表1）。スパッタ法により50nm成膜と30nmエッチバックを5回繰り返し、最後にエッチバックを100nm行って記録トラック上の凹凸を平坦化した。この時、原子間力顕微鏡（AFM）を用いて5μm角のRmaxを測定したところ、トラック部は3nmでサーボ部は6nmであり、サーボ部がトラック部より記録層上部保護層がRmaxで3nm厚くなっていることを確認した。AFMで記録層上部100nm角のRaを測定したところ、0.3nmで表面平坦性に優れていることが確かめられた。埋め込み後、CVDにてDLCを成膜し、潤滑材を塗布し保護層とした。この媒体を大気圧化においてデジタルレーザドップラ振動計（LDV）でサーボ部の凹凸に起因した共振は見られなかった。また、浮上量15nmのヘッドを用いてグライドハイトテスターで浮上評価を行ったところ、保護層の凹凸起因のクラッシュは見られなかった。スピンスタンドを用いて、マグネットを用いてDC消磁を行い、ドライブへ組み込みドライブ耐久試験を行ったところ、BER-6.0乗が得られた。
【実施例３】
【００４７】
さらに他の実施例として、図２乃至図８に示した方法でサーボ部のみ保護層が10nm厚いDTR媒体を作製した。保護層としてRuを用いた（表1）。記録層上部保護層と非記録層上部保護層との膜厚差を得るため、スパッタ法による50nm成膜と30nmエッチバックの繰り返し回数を3回とすることで、記録トラック部とサーボ部とのRmaxにおいて10nmの差を得た。最後にエッチバックを100nm行って記録トラック上の凹凸を平坦化した。埋め込み後、CVDにてDLCを成膜し、潤滑材を塗布し保護層とした。スピンスタンドを用いて、マグネットを用いてDC消磁を行い、ドライブへ組み込みドライブ耐久試験を行ったところ、保護層にRuとSiO2を用いた媒体それぞれでBER-5.0乗、-4.0乗が得られた。
【００４８】
また保護層が10nm厚いDTR媒体を大気圧化においてデジタルレーザドップラ振動計（LDV）でサーボ部の凹凸に起因した共振は見られなかった。また、浮上量15nmのヘッドを用いてグライドハイトテスターで浮上評価を行ったところ、保護層の凹凸起因のクラッシュは見られなかった。
【００４９】
以下、比較例を示す。
【００５０】
（比較例1）
トラック部とサーボ部の凹凸を揃えるため、バイアススパッタ法を用いて埋め込み平坦化を行った以外、実施例1と同様の方法でサーボ部、トラック部ともに保護層が薄いDTR媒体を作製した。保護層にはSiO2を用い、埋め込み平坦化後のRmaxは、トラック部、サーボ部ともに4nmであった（表1）。
【００５１】
マグネットを用いてDC消磁を行った後、スピンスタンドを用いて記録再生ヘッドによりトラック部に書き込みを行い、その後サーボ部書き込みを行った。作製したDTR媒体のオーバーライト（OW）信号を1とした時の、信号強度比較を行った(表2)。
【表２】
【００５２】
実施例1の媒体においては、十分なOW信号が得られた。サーボ部に関しては、比較例1の媒体と比べて実施例1の媒体はOWされにくい。
【００５３】
（比較例2）
埋め込み後のCVD保護層が10nm厚い（表1）以外、比較例1と同様の方法でサーボ部、トラック部ともに保護層が厚いDTR媒体を作製した。
【００５４】
マグネットを用いてDC消磁を行った後、スピンスタンドを用いて記録再生ヘッドによりトラック部に書き込みを行い、その後サーボ部書き込みを行った。作製したDTR媒体のオーバーライト（OW）信号を1とした時の、信号強度比較を行った(表2)。
【００５５】
トラック部において比較例2の媒体は、十分なOW信号が得られなかった。
【００５６】
（比較例3）
図２乃至図８に示した方法でサーボ部のみ保護層が20nm 厚いDTR媒体を作製した。保護層としてSiO2を用いた。記録層上部保護層と非記録層上部保護層との膜厚差を得るため、スパッタ法による50nm成膜と30nmエッチバックの繰り返し回数を1回とすることで、20nmの凹凸差を得た（表1）。得られた媒体において、高温高湿化での腐食試験と、AEセンサを用いた浮上安定評価、およびスピンスタンドによるサーボ部の信号強度比較を行った(表3)。
【表３】
【００５７】
埋め込みを行わない媒体に関しては、サーボ部、およびトラック部に腐食が見られたが、埋め込み媒体において腐食は見られなかった。さらに評価を続けると、保護層が薄いトラック部が先に腐食されたが、サーボ部に腐食は見られなかった。また、AEセンサを用いた浮上安定性評価においては、凹凸差20nmの比較例3の媒体でAEシグナルが観測されたが、凹凸差が10nmではAEシグナルは観測されず、ヘッドは安定浮上していた。また、媒体をDC消磁した後に行ったスピンスタンド評価においては、実施例1および実施例３の金属膜は凹凸差10nmで信号は減少しなかったが、比較例3の酸化物による埋め込みでは信号強度の減少が見られた。
【００５８】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１、４１ … 基板
２、４３ … 強磁性層
３、８１ … 保護層
４２ … 軟磁性層
４５ … レジスト
４６ … スタンパ
１５０ … 磁気記録再生装置
１５２ … スピンドル
１５３ … ヘッドスライダ
１５４ … サスペンション
１５５ … アクチュエータアーム
１５６ … ボイスコイルモータ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成される記録層の有無で構成される凹凸パターンからなり、凹凸パターンの表面に形成される第１の保護層を有するサーボ部と、
基板上に形成される記録層の有無で構成される凹凸パターンからなり、凹凸パターンの表面に形成される第２の保護層を有する記録トラック部とを具備し、
前記サーボ部と前記記録トラック部は、前記基板の表面に沿って互いに異なる領域上に形成されており、
前記サーボ部の記録層の上部に形成される第１の保護層の膜厚が前記記録トラック部の記録層の上部に形成される第２の保護層の膜厚よりも１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲で厚くなっていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記保護層は、Ni、Nb、Cu、Hf、Zr、Cr、Ru、Pt、Pd、Ti、Ta、Mo、Wから選ばれる金属材料の合金からなることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１または２記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体上を浮上する磁気ヘッドと
を具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項１】
基板上に形成される記録層の有無で構成される凹凸パターンからなり、凹凸パターンの表面に形成される第１の保護層を有するサーボ部と、
基板上に形成される記録層の有無で構成される凹凸パターンからなり、凹凸パターンの表面に形成される第２の保護層を有する記録トラック部とを具備し、
前記サーボ部と前記記録トラック部は、前記基板の表面に沿って互いに異なる領域上に形成されており、
前記サーボ部の記録層の上部に形成される第１の保護層の膜厚が前記記録トラック部の記録層の上部に形成される第２の保護層の膜厚よりも１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲で厚くなっていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記保護層は、Ni、Nb、Cu、Hf、Zr、Cr、Ru、Pt、Pd、Ti、Ta、Mo、Wから選ばれる金属材料の合金からなることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１または２記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体上を浮上する磁気ヘッドと
を具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１１−２４９００７（Ｐ２０１１−２４９００７Ａ）
【公開日】平成２３年１２月８日（２０１１．１２．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９９３１８（Ｐ２０１１−１９９３１８）
【出願日】平成２３年９月１３日（２０１１．９．１３）
【分割の表示】特願２００９−２４３５９３（Ｐ２００９−２４３５９３）の分割
【原出願日】平成１９年５月１４日（２００７．５．１４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月８日（２０１１．１２．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１３日（２０１１．９．１３）
【分割の表示】特願２００９−２４３５９３（Ｐ２００９−２４３５９３）の分割
【原出願日】平成１９年５月１４日（２００７．５．１４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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