磁気転写用マスター担体、及び磁気転写方法
【課題】磁界を印加した際、磁界の印加方向に磁化が発生し、かつ磁界を解除した際に残留磁化の発生が抑制される磁性層を有する磁気転写用マスター担体等の提供。
【解決手段】本発明の磁気転写用マスター担体２０は、垂直磁気記録媒体１０に記録すべき情報のパターンに対応して配設される凸部２０１を表面に有する基材２００と、前記凸部２０１の先端面に少なくとも形成される磁性層４０と、を備え、磁界が印加されると、前記磁性層４０が磁束を吸収して、磁界のパターンを形成する磁気転写用マスター担体２０であって、該磁性層４０は、少なくとも２層の垂直磁気異方性層４１（４１ａ、４１ｂ）と、これらの垂直磁気異方性層４１の全ての間に介在され、隣接する２層の垂直磁気異方性層４１の間の反強磁性結合を誘導する反強磁性結合誘導層４３と、を有する。
【解決手段】本発明の磁気転写用マスター担体２０は、垂直磁気記録媒体１０に記録すべき情報のパターンに対応して配設される凸部２０１を表面に有する基材２００と、前記凸部２０１の先端面に少なくとも形成される磁性層４０と、を備え、磁界が印加されると、前記磁性層４０が磁束を吸収して、磁界のパターンを形成する磁気転写用マスター担体２０であって、該磁性層４０は、少なくとも２層の垂直磁気異方性層４１（４１ａ、４１ｂ）と、これらの垂直磁気異方性層４１の全ての間に介在され、隣接する２層の垂直磁気異方性層４１の間の反強磁性結合を誘導する反強磁性結合誘導層４３と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に情報を磁気転写する磁気転写用マスター担体、該磁気転写用マスター担体を用いた磁気転写方法、及び該磁気転写マスター担体を用いて磁気転写された磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報を高密度で記録可能な磁気記録媒体として、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体（以下、垂直磁気記録媒体）が知られている。この垂直磁気記録媒体の情報記録領域は、狭トラックで構成されている。そのため、垂直磁気記録媒体では、狭いトラック幅において正確に磁気ヘッドを走査し、高いＳ／Ｎ比で信号を再生するためのトラッキングサーボ技術が重要となる。このトラッキングサーボを行うためには、トラッキング用のサーボ信号、アドレス情報信号、再生クロック信号等のサーボ情報を、所定間隔で垂直磁気記録媒体に、いわゆるプリフォーマットとして記録しておく必要がある。
【０００３】
垂直磁気記録媒体に、サーボ情報をプリフォーマットする方法としては、例えば、サーボ情報に対応した、表面に磁性層を有する複数の凸部からなるパターンが形成されたマスター担体を、該垂直磁気記録媒体に密着させた状態で、記録用磁界を印加し、該マスター担体のパターンに対応するサーボ情報を、該垂直磁気記録媒体に磁気転写する方法がある（例えば、特許文献１〜３参照）。
【０００４】
前記方法において、垂直磁気記録媒体に前記マスター担体を密着させた状態で記録用磁界が印加されると、前記マスター担体の磁化状態に基づいて、磁束がパターン状に配置する磁性層に吸収される。その結果、前記記録用磁界は、前記マスター担体のパターンに対応して強められる。このパターン状に強められた磁界によって、垂直磁気記録媒体の所定箇所のみが磁化される。このようにして、該マスター担体のパターンに対応するサーボ情報が、該垂直磁気記録媒体に磁気転写される。
なお、磁気転写後、記録用磁界は解除され、該垂直磁気記録媒体と密着している該マスター担体は、該垂直磁気記録媒体から分離される。
【０００５】
従来、この種のマスター担体の磁性層の材料としては、高飽和磁化を有する磁性材料が用いられていた。記録用磁界を印加した際に、該マスター担体の磁性層の磁化を高めて、該磁性層に磁束を吸収させ易くするためである。
【０００６】
しかしながら、該マスター担体の磁性層は、厚みが数十ナノメータ程度であり、非常に薄く、反磁界の影響を強く受ける。そのため、該磁性層の材料として高飽和磁化を有する磁性材料を使用しても、反磁界によって実効的な磁性層への印加磁界（記録用磁界）が減少し、該磁性層が未飽和状態となってしまう。その結果、該磁性層の磁化を、希望通り高くすることができず、問題であった。
【０００７】
なお、印加する磁界を強くすることも考えられるが、印加磁界が強くなると、該マスター担体のパターン状に配置する磁性層以外の箇所に存在する磁界によっても、該垂直磁気記録媒体が磁化されることがあり、問題となる。
【０００８】
更に、従来、この種のマスター担体の磁性層は、残留磁化が高く問題となることがあった。前記のように、磁気転写後、記録用磁界が解除されても、該マスター担体の磁性層には残留磁化が存在している。該残留磁化が大きいと、前記のように、該マスター担体を該垂直磁気記録媒体から分離する際、該マスター担体の位置が、該垂直磁気記録媒体の表面方向に沿って僅かにずれても、該マスター担体の磁性層の残留磁化によって、該垂直磁気記録媒体が不要に磁化されることがあり、問題であった。
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−２０３３２５号公報
【特許文献２】特開２０００−１９５０４８号公報
【特許文献３】米国特許第７２１８４６５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、磁界を印加した際に、該磁界の印加方向に磁化が発生し、かつ、磁界を解除した際に残留磁化の発生が抑制される磁性層を有する磁気転写用マスター担体、該磁気転写用マスター担体を用いた磁気転写方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 垂直磁気記録媒体に記録すべき情報のパターンに対応して配設される凸部を表面に有する基材と、
前記凸部の先端面に少なくとも形成される磁性層と、を備え、
磁界が印加されると、前記磁性層が磁束を吸収して、磁界のパターンを形成する磁気転写用マスター担体であって、
該磁性層は、少なくとも２層の垂直磁気異方性層と、これらの垂直磁気異方性層の全ての間に介在され、隣接する２層の垂直磁気異方性層の間の反強磁性結合を誘導する反強磁性結合誘導層と、を有することを特徴とする磁気転写用マスター担体である。
該＜１＞に係る磁気転写用マスター担体は、磁性層が少なくとも２層の垂直磁気異方性層と、これらの垂直磁気異方性層の全ての間に介在され、隣接する２層の垂直磁気異方性層の間の反強磁性結合を誘導する反強磁性結合誘導層と、を有するため、隣接する２層の垂直磁気異方性層の間に反強磁性結合が形成され、残留磁化が抑制される。また、所定値以上の磁界が印加されると、反強磁性結合が解消され、該磁界の印加方向に磁化が発生する。
＜２＞ 反強磁性結合誘導層に隣接する２層の垂直磁気異方性層のうち、凸部側に配置する一方の垂直磁気異方性層の残留磁化Ｍｒｕと厚みｔｕとの積Ｍｒｕｔｕと、他方の垂直磁気異方性層の残留磁化Ｍｒｌと厚みｔｌとの積Ｍｒｌｔｌとの比（Ｍｒｕｔｕ／Ｍｒｌｔｌ）が、０．５〜２である前記＜１＞に記載の磁気転写用マスター担体である。
＜３＞ ２層の垂直磁気異方性層が同一の残留磁化を有し、
反強磁性結合誘導層に隣接する２層の垂直磁気異方性層のうち、凸部側に配置する一方の垂直磁気異方性層の厚みｗａと、他方の垂直磁気異方性層の厚みｗｂとの比（ｗｂ／ｗａ）が、２〜０．２である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体である。
＜４＞ 反強磁性結合誘導層に隣接する２層の垂直磁気異方性層のうち、凸部側に配置する一方の垂直磁気異方性層の厚みｗａと、他方の垂直磁気異方性層の厚みｗｂとの比（ｗｂ／ｗａ）が、２〜０．５である前記＜３＞に記載の磁気転写用マスター担体である。
＜５＞ 反強磁性結合誘導層に隣接する２層の垂直磁気異方性層のうち、凸部側に配置する一方の垂直磁気異方性層の厚みｗａと、他方の垂直磁気異方性層の厚みｗｂとの比（ｗｂ／ｗａ）が、１．５〜０．５である前記＜３＞から＜４＞のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体である。
＜６＞ 垂直磁気異方性層の厚みが、２ｎｍ〜６０ｎｍである前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体である。
＜７＞ 磁性層が、下記条件１の下、スパッタリング法により作製された垂直磁気異方性層と、かつ、下記条件２の下、スパッタリング法により作製された、反強磁性結合誘導層と、を有する前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体である。
＜条件１＞
ターゲット材料：ＣｏＰｔ
圧力：０．３Ｐａ
基材−ターゲット間距離：２００ｍｍ
ＤＣパワー：１，０００Ｗ
＜条件２＞
ターゲット材料：Ｒｕ
圧力：０．３Ｐａ
基材−ターゲット間距離：２００ｍｍ
ＤＣパワー：１００Ｗ
＜８＞ 磁界を印加して、垂直磁気記録媒体を初期磁化する初期磁化工程と、
初期磁化された垂直磁気記録媒体に、前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体を密着させる密着工程と、
該垂直磁気記録媒体と該磁気転写用マスター担体とを密着させた状態で、初期磁化工程において印加した磁界と逆向きの磁界を印加して、該垂直磁気記録媒体に情報を記録する磁気転写工程と、を有することを特徴とする磁気転写方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、従来における前記諸問題を解決することができ、磁界を印加した際に、該磁界の印加方向に磁化が発生し、かつ、磁界を解除した際に残留磁化の発生が抑制される磁性層を有する磁気転写用マスター担体、該磁気転写用マスター担体を用いた磁気転写方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態に係る磁気転写用マスター担体、磁気転写方法、及び磁気記録媒体について、図面を用いて説明する。
【００１４】
図１は、磁気転写用マスター担体を用いて垂直磁気記録媒体に情報を磁気転写する磁気転写方法の概略を示す説明図である。該磁気転写方法は、初期磁化工程、密着工程、及び磁気転写工程を有する。先ず、図１を用いて、該磁気転写用マスター担体を用いた磁気転写技術の概略を説明する。
【００１５】
〔磁気転写技術の概略〕
図１において、符号１０は、垂直磁気記録媒体であるスレーブディスクを表し、符合２０は、磁気転写用マスター担体であるマスターディスクを表す。
図１（ａ）は、初期磁化工程を示す説明図である。図１（ａ）に示されるように、該初期磁化工程において、スレーブディスク１０に対し直流磁界（Ｈｉ）が印加されて、該スレーブディスク１０が初期磁化される。該直流磁界（Ｈｉ）は、スレーブディスク１０の平面に対し、垂直に印加される。
図１（ｂ）は、密着工程を示す説明図である。図１（ｂ）に示されるように、該密着工程において、初期磁化後のスレーブディスク１０に該マスターディスク２０を密着させる。
図１（ｃ）は、磁気転写工程を示す説明図である。図１（ｃ）に示されるように、該磁気転写工程において、互いに密着したスレーブディスク１０及びマスターディスク２０に対し、前記直流磁界（Ｈｉ）と逆向きの磁界（Ｈｄ）（記録用磁界）が印加され、該マスターディスク２０に基づいた情報が、該スレーブディスク１０に記録される。
【００１６】
次いで、前記磁気転写用マスター担体、磁気転写方法、及び磁気記録媒体について、それぞれ図面を用いて詳細に説明する。
【００１７】
〔磁気転写用マスター担体〕
図２は、磁気転写用マスター担体（マスターディスク）２０の断面の概略を示す説明図である。図２に示されるように、該磁気転写用マスター担体２０は、基材２００と、磁性層４０と、を有する。
【００１８】
（基材）
前記基材２００の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、ガラス、ポリカーボネート等の合成樹脂、ニッケル、アルミニウム等の金属、シリコン、カーボン等の公知の材料が用いられる。
【００１９】
前記基材２００の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。図２において示される磁気転写用マスター担体２０は、円盤状である。前記基材２００は、表面に複数の凸部２０１を有する。
【００２０】
前記凸部２０１は、垂直磁気記録媒体に記録すべき情報のパターンに対応して前記基材２００の表面に配設されている。垂直磁気記録媒体に記録すべき情報としては、例えば、サーボ信号、アドレス情報信号等のトラッキングサーボ技術用のサーボ情報がある。該凸部２０１は、該基材２００の表面上で、該記録すべき情報のサイズに対応した、パターンを成している。前記基材２００の表面に配設される該凸部２０１の個数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。
【００２１】
図３は、磁気転写用マスター担体２０（マスターディスク）を上面から見た説明図である。図３に示されるように、磁気転写用マスター担体２０の表面（上面）には、サーボ情報のパターンに対応して配設される凸部からなるパターン（サーボパターン５２）が、放射状に形成されている。
【００２２】
前記凸部２０１の表面は、図２に示されるように、先端面２０２と、側面２０３とからなる。本実施形態において、先端面２０２は、平面となっている。該先端面２０２の外形形状は、特に制限は無く、目的に応じて適宜選択できる。本実施形態において、該先端面２０２は、四角形（正方形）となっている。前記凸部２０１間には、凹部２０４がある。
【００２３】
（磁性層）
前記磁性層４０は、前記凸部２０１の表面のうち、少なくとも先端面２０２に形成される。図２において示されるように、本実施形態においては、該凸部２０１の先端面２０２以外に、製造容易等の理由により、凹部２０４の表面にも磁性層４００が形成されている。なお、必要に応じて、該凸部２０１の側面２０３に該磁性層４０を形成してもよい。
【００２４】
前記磁性層４０は、垂直磁気異方性層４１と、反強磁性結合誘導層４３とを有する。該磁性層４０は、その他、必要に応じて、下地層、保護層等の他の層を含んでもよい。
【００２５】
＜垂直磁気異方性層＞
前記垂直磁気異方性層４１は、磁性層４０に、少なくとも２層含まれる。図２に示される本実施形態に係る磁気転写用マスター担体２０の磁性層４０は、２層の垂直磁気異方性層４１を有する。
２層の垂直磁気異方性層４１のうち、反強磁性結合誘導層４３の下側に配置し、凸部側に配置する一方のものを、垂直磁気異方性層４１ａと表し、反強磁性結合誘導層４３の上側に配置する他方のものを、垂直磁気異方性層４１ｂと表す。
【００２６】
他の実施形態においては、該垂直磁気異方性層４１の層数は、２層以外に、３層でもよいし、４層でもよい。該垂直磁気異方性層４１の層数は、２層等の偶数でもよいし、３層等の奇数でもよい。
【００２７】
前記垂直磁気異方性層４１は、垂直磁気異方性を有する磁性材料を含む。該垂直磁気異方性層４１の磁性材料としては、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉのうち少なくとも１つの強磁性金属と、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｂ、Ｔａ及びＯのうち少なくとも１つの非磁性物質と、から構成される合金、或いは化合物が用いられる。
前記垂直磁気異方性層４１は、該垂直磁気異方性層４１の面内方向に対し、垂直な方向において、磁気異方性を有する。つまり、磁性層４０の積層方向に、磁気異方性を有する。
【００２８】
前記垂直磁気異方性層４１の厚みｗとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜設定されるが、２ｎｍ〜６０ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜４０ｎｍがより好ましく、１５ｎｍ〜２５ｎｍが更に好ましい。
該垂直磁気異方性層４１の厚みｗが２ｎｍ未満であると、マスター担体の最表面における磁化が不足することがあり、厚みｗが６０ｎｍを超えると、反強磁性結合効果が弱まることがある。
【００２９】
前記垂直磁気異方性層４１の厚みｗは、例えば、原子間力顕微鏡（日本ビーコ社製、Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００）によって測定できる。
【００３０】
なお、該垂直磁気異方性層４１の厚みは、平均値（平均厚み）である。該厚みｗは、半径＝５ｍｍ、１０ｍｍ、２０ｍｍ、及び３０ｍｍ（９０度毎に４箇所：計１６箇所）の平均値として算出した。
【００３１】
特に、反強磁性結合誘導層４３に隣接する２層の垂直磁気異方性層４１の厚みｗにおいては、以下に示す関係がある。ここで、本実施形態に係る２層の垂直磁気異方性層４１ａ及び４１ｂを例に挙げて説明する。
【００３２】
前記垂直磁気異方性層４１ａの厚みｗａとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜設定されるが、１ｎｍ〜３０ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜２０ｎｍがより好ましく、７ｎｍ〜１３ｎｍが更に好ましい。
該垂直磁気異方性層４１ａの厚みｗａが２ｎｍ未満であると、マスター担体の最表面における磁化が不足することがあり、厚みｗａが３０ｎｍを超えると、反強磁性結合効果が弱まることがある。
【００３３】
前記垂直磁気異方性層４１ｂの厚みｗｂとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜設定されるが、２ｎｍ〜６０ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜４０ｎｍがより好ましく、１５ｎｍ〜２５ｎｍが更に好ましい。
該垂直磁気異方性層４１ｂの厚みｗｂが２ｎｍ未満であると、マスター担体の最表面における磁化が不足することがあり、厚みｗｂが６０ｎｍを超えると、反強磁性結合効果が弱まることがある。
【００３４】
前記垂直磁気異方性層４１ａの残留磁化Ｍｒｕと厚みｔｕとの積Ｍｒｕｔｕと、前記垂直磁気異方性層４１ｂの残留磁化Ｍｒｌと厚みｔｌとの積Ｍｒｌｔｌとの比（Ｍｒｕｔｕ／Ｍｒｌｔｌ）としては、０．５〜２が好ましく、０．７〜１．５がより好ましい。前記比が０．８〜１．３の時、残留磁化（残留磁束密度）を抑制する効果が最も大きくなる。
【００３５】
前記垂直磁気異方性層４１ａと前記垂直磁気異方性層４１ｂとが同一の材料で構成されている等の理由で、２層の垂直磁気異方性層が同一の残留磁化を有する場合には、前記垂直磁気異方性層４１ａの厚みｗａと、前記垂直磁気異方性層４１ｂの厚みｗｂとの比（ｗｂ／ｗａ）としては、２〜０．２が好ましく、２〜０．５がより好ましく、１．５〜０．５がさらに好ましく、１．３〜０．８が特に好ましい。前記比が１．３〜０．８の時、残留磁化（残留磁束密度）を抑制する効果が最も大きくなる。
【００３６】
前記垂直磁気異方性層４１の形成方法（成膜方法）としては、例えば、スパッタリング法がある。成膜圧力（Ｐａ）、基板−ターゲット間距離（ｍｍ）、ＤＣパワー（Ｗ）等の条件を適宜、選択することにより、スパッタリング法によって、前記垂直磁気異方性層４１を形成できる。
【００３７】
前記垂直磁気異方性層４１が、ＣｏＰｔからなる場合、主として、成膜圧力、Ｐｔ含有量（ターゲット組成比）を調節することによって、該垂直磁気異方性層４１の垂直磁気異方性を制御できる。
【００３８】
前記磁性層４０の垂直磁気異方性層４１が「垂直磁気異方性を有する」とは、以下の方法により求められる、面内磁化曲線の磁化値（Ｍｉｎ）、及び垂直磁化曲線の磁化値（Ｍｐｅ）の比（Ｍｐｅ／Ｍｉｎ）が、反磁界補正を施したヒステリシス曲線において、１以上の場合である。Ｍｉｎ及びＭｐｅを求める方法は、以下の通りである。
【００３９】
磁気転写用マスター担体の磁性層４０と同じものを、該マスター担体の製造時と同じ条件で、ガラス基板（２．５インチ）上に形成する。該ガラス基板上に形成された試料を、６ｍｍ×８ｍｍのサイズに切り出し、その切り出した試料に対し、振動試料型磁力計（東英工業社製、ＶＳＭ−Ｃ７）を用いて、面内方向及び垂直方向に磁界を印加して、その試料の磁化曲線の測定を行う。
得られた磁化曲線に基づいて、記録用磁界と同値の外部印加磁界強度での面内磁化曲線の磁化値（Ｍｉｎ）、垂直磁化曲線の磁化値（Ｍｐｅ）を算出する。
【００４０】
＜反強磁性結合誘導層＞
前記反強磁性結合誘導層４３は、前記垂直磁気異方性層４１の全ての間に介在される。例えば、垂直磁気異方性層４１が３層のとき、磁性層４０には、該反強磁性結合誘導層４３が２層含まれる。また、該垂直磁気異方性層４１が６層のとき、磁性層４０には、該反強磁性結合誘導層４３が５層含まれる。
【００４１】
前記反強磁性結合誘導層４３は、隣接する２層の垂直磁気異方性層の間に、反強磁性結合が生じるように、該反強磁性結合を誘導する層である。
該反強磁性結合誘導層４３の材料としては、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｅ及びＣｒのいずれか１つを少なくとも含む金属、合金、或いは積層結合体が用いられる。
【００４２】
前記反強磁性結合誘導層４３の厚みｘとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜設定され、０．１ｎｍ〜２ｎｍが好ましく、０．３ｎｍ〜１．５ｎｍがより好ましく、０．５ｎｍ〜１ｎｍが更に好ましい。
該反強磁性結合誘導層４３の厚みｘが０．１ｎｍ未満であると、薄膜均一性のばらつきにより、部分的に下層の垂直磁気異方性層４１ａと、上層の垂直磁気異方性層４１ｂとが接触して、一体化してしまうことがあり、厚みｘが２ｎｍを超えると、層の垂直磁気異方性層４１ａと、上層の垂直磁気異方性層４１ｂとの間における反強磁性結合効果が得られないことがある。
【００４３】
前記反強磁性結合誘導層４３の厚みｗは、例えば、前記反強磁性結合誘導層４３の断面方向の薄片を作製し、該薄片を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって測定することで、求めることができる。
【００４４】
なお、反強磁性結合誘導層４３の厚みは、平均値（平均厚み）である。該厚みは、半径＝１０ｍｍ、２０ｍｍ（１８０度毎に２箇所：計４箇所）の平均値として算出した。
【００４５】
前記反強磁性結合誘導層４３の形成方法（成膜方法）としては、例えば、前記垂直磁気異方性層４１の形成方法と同様、スパッタリング法がある。成膜圧力（Ｐａ）、基板−ターゲット間距離（ｍｍ）、ＤＣパワー（Ｗ）等の条件を適宜、選択することにより、スパッタリング法によって、前記反強磁性結合誘導層４３を形成できる。
【００４６】
ここで、磁性層４０が２層の垂直磁気異方性層４１（４１ａ、４１ｂ）と、これらの間に１層の反強磁性結合誘導層４３を有する場合を例に挙げて、本発明の磁気転写用マスター担体４０の磁性層４０の作用を説明する。
【００４７】
図４Ａは、外部から磁界が印加されていない状態の磁性層４０の概略を示す説明図である。
図４Ａにおいて符号４５で示される矢印は、該垂直磁気異方性層４１ａ中のスピンを表し、符号４６で示される矢印は、該垂直磁気異方性層４１ｂ中のスピンを表す。
図４Ａにおいて示されるように、外部から磁界が印加されていない状態の磁性層４０においては、垂直磁気異方性層４１ａ中のスピン４５と、垂直磁気異方性層４１ｂ中のスピン４６とが、逆平行の関係になろうとする。
これは、反強磁性結合誘導層４３が、垂直磁気異方性層４１ａ及び垂直磁気異方性層４１ｂとの間に、反強磁性結合（反強磁性的な結合）を誘導する機能を有するためである。
垂直磁気異方性層４１ａ及び垂直磁気異方性層４１ｂは、共に垂直磁気異方性を有している。そのため、外部から磁界が印加されていない状態の磁性層４０においては、該垂直磁気異方性層４１ａのスピン４５と、該垂直磁気異方性層４１ｂのスピン４６とが、該反強磁性結合誘導層４３を介して、面内方向に対し垂直な方向に沿って（積層方向に沿って）、逆平行の関係になろうとする。
このように、反強磁性的な結合が、垂直磁気異方性層４１ａ及び垂直磁気異方性層４１ｂの間で形成されると、垂直磁気異方性層４１ａ及び垂直磁気異方性層４１ｂの磁化が互いに打ち消し合い、磁性層４０全体の磁化が抑制される。
【００４８】
図４Ｂは、外部から磁界が印加された状態の磁性層４０の概略を示す説明図である。図４Ｂにおいて示されるように、外部から所定値以上の強度の磁界（Ｈ）４４（例えば、記録用磁界）が印加されると、垂直磁気異方性層４１ａのスピン４５は、反転して、垂直磁気異方性層４１ｂのスピン４６と同じ方向を向こうとする。
これは、外部から磁界４４が印加されると、垂直磁気異方性層４１ａ及び垂直磁気異方性層４１ｂとの間における反強磁性結合が解消され、垂直磁気異方性層４１ａのスピン４５及び垂直磁気異方性層４１ｂのスピン４６の挙動が、主として、磁界４４に支配されるためである。
垂直磁気異方性層４１ａのスピン４５及び垂直磁気異方性層４１ｂのスピン４６が、共に同じ方向を向くと、磁界を印加していない状態と比較して、磁性層４０全体としての磁化が大きくなる。
【００４９】
以上のようにして、前記磁性層４０は、外部から磁界が印加されると、磁界の印加方向に磁化を発生し、磁界が解除されると、残留磁界が抑制される。
【００５０】
（下地層）
前記磁性層４０の下（該磁性層４０と凸部２０１の先端面２０２との間）に、必要に応じて、下地層を形成してもよい。該下地層の材料としては、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔａ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｉ、Ｔｉのうち、少なくとも１つを含有する金属、合金、或いは化合物が挙げられる。該下地層の材料としては、Ｐｔ、Ｒｕ等の白金属の金属、合金が好ましい。該下地層は、単層でもよく、多層でもよい。該下地層は、スパッタリング法等の公知の方法により、形成できる。
該下地層の厚みは、１ｎｍ〜３０ｎｍの範囲が好ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲が更に好ましい。
【００５１】
（保護層等）
前記磁性層４０の上に、必要に応じて、ダイヤモンドライクカーボン等の保護層を形成してもよい。該保護層の厚みは、通常、１０ｎｍ以下である。更に、該保護層の上に、潤滑層剤層を形成してもよい。
【００５２】
〔磁気転写用マスター担体の製造方法〕
一実施形態に係る磁気転写用マスター担体の製造方法を例に挙げて、本発明の磁気転写用マスター担体の製造方法を説明する。
前記一実施形態に係る磁気転写用マスター担体の製造方法によって製造されるマスター担体は、磁性層４０が、２層の垂直磁気異方性層４１と、これらの間に１層の反強磁性結合誘導層と、を含むものである。
【００５３】
前記磁気転写用マスター担体２０の製造には、原盤が用いられる。先ず、原盤の一製造方法を、図５を用いて説明する。
【００５４】
（原盤の製造）
図５は、磁気転写用マスター担体２０の製造に用いられる原盤の製造工程を示す説明図である。
図５（ａ）に示されるように、表面が平滑なシリコンウェハ（Ｓｉ基板）からなる原板３０を用意し、この原板３０上に、電子線レジスト液をスピンコート法等により塗布して、レジスト層３２を形成する（図５（ｂ）参照）。その後、該レジスト層３２を、ベーキング処理（プレベーク）する。
【００５５】
次いで、図５（ｃ）に示されるように、高精度な回転ステージ、又はＸ−Ｙステージを備えた不図示の電子ビーム露光装置のステージ上に、前記原板３０をセットし、該原板３０を回転させながら、該レジスト層３２に対し、サーボ信号に対応させて変調した電子ビームを照射し、該レジスト層３２に、サーボ信号に対応させたパターンを描画露光した。なお、図５（ｃ）において、符号３３が露光部分を表す。
【００５６】
次いで、図５（ｄ）に示されるように、該レジスト層３２を現像処理し、露光部分（描画部分）３３を除去すると、パターン状のレジスト層３２が原板３０上に形成される。
なお、原板３０上に塗布されるレジストは、ポジ型、ネガ型のいずれも使用可能である。なお、ポジ型と、ネガ型とでは、露光（描画）パターンが反転することになる。
前記現像処理後、レジスト層３２と原板３０との密着力を高めるためのベーキング処理（ポストベーク）を行う。
【００５７】
次いで、図５（ｅ）に示されるように、該レジスト層３２をマスクとして、該レジスト層３２の開口部３４より、原板３０を、表面より所定の深さだけ除去（エッチング）する。該エッチングとしては、アンダーカット（サイドエッチ）を最小にするべく、異方性のエッチングを選択することが好ましい。該異方性のエッチングとしては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）が好ましい。
【００５８】
次いで、図５（ｆ）に示されるように、エッチング後の該レジスト層３２を除去する。該レジスト層３２の除去方法としては、アッシング等の乾式法、剥離液による除去等の湿式法のいずれも採用できる。該レジスト層３２が除去されると、原盤３６が得られる。
【００５９】
（磁気転写用マスター担体の製造）
前記原盤３６を用いた、磁気転写用マスター担体２０の一製造方法を、図６を用いて説明する。
【００６０】
図６（ｇ）に示されるように、原盤３６の表面に、厚みが均一な導電層３７を形成する。該導電層３７の形成方法としては、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の各種金属成膜法を採用できる。該導電層３７としては、例えば、Ｎｉを主成分とする膜からなる。このような、Ｎｉを主成分とする膜は、形成が容易であり、且つ、硬質であるため、該導電膜３７として好適である。該導電層３７の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、一般的に、数十ｎｍ程度が採用される。
【００６１】
次いで、図６（ｈ）に示されるように、原盤３６の表面に、電鋳により、所望の厚みの金属板３８を積層する。該金属板の材料としては、例えば、Ｎｉが挙げられる。
電鋳は、所定の電鋳装置（不図示）において行なわれる。該電解装置は、スルファミン酸Ｎｉ等の電解液の入った電解液槽を有し、該電解液槽中の電解液に原盤３６が浸される。該原盤３６を陽極とし、該陽極と、図示されない陰極との間を通電すると、該原盤３６上に金属板が積層される。電解液の濃度、電解液のｐＨ、電流値等の諸条件は、適宜、設定される。
その後、前記金属板３８を積層した原盤３６は、電鋳装置の電解液槽から取り出され、純水等からなる剥離液に浸される。該剥離液中において、金属板３８は、原盤３６から引き剥がされる。このようにして、図６（ｉ）に示されるような、原盤３６表面の凹凸形状が反転した、表面形状を有する基板２００が得られる。
【００６２】
次いで、前記基板２００表面上の凸部２０１の先端面２０２に図示しない下地層を形成する。該下地層の材料は、例えば、Ｔａから成る。該下地層は、前記材料をターゲットとして用いたスパッタリング法によって形成される。
次いで、図６（ｊ）において示されるように、前記基板２００表面上の凸部２０１の先端面２０２に垂直磁気異方性層４１ａを形成する。該垂直磁気異方性層４１ａの材料は、例えば、ＣｏＰｔからなる。該垂直磁気異方性層４１ａは、前記材料をターゲットとして用いたスパッタリング法によって形成される。
【００６３】
次いで、図６（ｋ）において示されるように、前記垂直磁気異方性層４１ａの上に、反強磁性結合誘導層４３を形成する。該反強磁性結合誘導層４３の材料は、例えば、Ｒｕからなる。該反強磁性結合誘導層４３は、前記材料をターゲットとして用いたスパッタリング法によって形成される。
【００６４】
次いで、図６（ｌ）において示されるように、前記反強磁性結合誘導層４３の上に、垂直磁気異方性層４１ｂを形成する。該垂直磁気異方性層４１ｂの材料は、例えば、ＣｏＰｔからなる。該垂直磁気異方性層４１ｂは、前記材料をターゲットとして用いたスパッタリング法によって形成される。
その後、必要に応じて、前記基板２００を所定サイズに打抜き加工等すると、磁気転写用マスター担体２０が得られる。
【００６５】
〔垂直磁気記録媒体〕
前記磁気転写用マスター担体２０を用いて磁気転写される垂直磁気記録媒体としては、特に制限はなく、目的に応じて、適宜選択される。図７は、垂直磁気記録媒体の断面の概略を示す説明図である。ここで、図７を用いて、一実施形態に係る該垂直磁気記録媒体の構成を説明する。
【００６６】
図７に示されるように、該垂直磁気記録媒体１０は、基板１２と、軟磁性層（軟磁性下地層：ＳＵＬ）１３と、非磁性層（中間層）１４と、磁性層１５と、を有する。更に、図７において示される該垂直磁気記録媒体１０は、該磁性層１６上に、保護層１６及び潤滑剤層１７を備える。
【００６７】
前記基板１２は、円盤状であり、ガラス、Ａｌ（アルミニウム）等の非磁性材料からなる。
【００６８】
前記軟磁性層１３は、該磁性層１６の垂直磁化状態を安定させ、記録再生時の感度を向上させる等の目的で設けられる。該軟磁性層１３に用いられる材料としては、ＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＳｉ合金、ＦｅＡｌ合金、パーマロイ等のＦｅＮｉ合金、パーメンジュール等のＦｅＣｏ合金等の軟磁性材料が用いられる。該軟磁性層１３は、ディスクの中心から外側に向かって半径方向に（放射状に）磁気異方性が付けられている。
【００６９】
前記非磁性層１４は、後に形成する磁性層１５の垂直方向の磁気異方性を大きくする等の目的で設けられる。該非磁性層１４に用いられる材料としては、Ｔｉ、Ｃｒ、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔ等が用いられる。
【００７０】
前記磁性層１５は、垂直磁化膜からなる。該垂直磁化膜は、膜内の磁化容易軸が基板１２に対し、主として、垂直方向に配向している。該磁性層１５に、情報が記録される。
該磁性層１５に用いられる材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ等）、Ｃｏ合金-ＳｉＯ２、Ｃｏ合金-ＴｉＯ２、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ等）等が用いられる。
【００７１】
前記保護層１６は、Ｃ（カーボン）等からなり、前記潤滑剤層１７は、ＰＦＰＥ等のフフッ素系潤滑剤等からなる。
【００７２】
なお、前記垂直磁気記録媒体１０は、前記基板１２の片面に磁性層１５が形成されているが、他の実施形態においては、該基板１２の表裏面に磁性層１５が形成されてもよい。
また、他の実施形態においては、軟磁性層１３、及び非磁性層１４が、複数層形成されてもよい。
【００７３】
〔磁気転写方法〕
以下、前記磁気転写用マスター担体を用いて、前記垂直磁気記録媒体に情報を磁気転写する方法を説明する。
該磁気転写方法は、前記磁気転写技術の概略において説明した通り、初期化工程、密着工程、及び磁気転写工程を有する。以下、図１等を用いて、一実施形態に係る磁気転写方法を説明する。
【００７４】
＜初期磁化工程＞
前記初期化工程は、垂直磁気記録媒体１０（スレーブディスク）に対し直流磁界（Ｈｉ）を印加して、該垂直磁気記録媒体１０を初期磁化する工程である。
図１（ａ）に示されるように、該初期磁化工程において、垂直磁気記録媒体１０に対し、直流磁界（Ｈｉ）が印加される。該直流磁界（初期化磁界）（Ｈｉ）は、垂直磁気記録媒体１０の表面に対し、垂直に印加される。該直流磁界（Ｈｉ）は、所定の磁界印加手段（不図示）により、印加される。該直流磁界（Ｈｉ）の強さは、垂直磁気記録媒体１０の保磁力Ｈｃ以上に設定される。
【００７５】
図８は、初期磁化後の垂直磁気記録媒体の磁性層の磁化方向を示す説明図である。図８において示されるように、初期磁化後の垂直磁気記録媒体１０の磁性層１５は、該垂直磁気記録媒体１０のディスク面と垂直な一方向に、初期磁化される。なお、図８における符号Ｐｉで示される矢印は、該磁性層の磁化方向を表す。
【００７６】
＜密着工程＞
前記密着工程は、初期磁化後の垂直磁気記録媒体１０に該磁気転写用マスター担体（
マスターディスク）２０を密着させる工程である。
図１（ｂ）に示されるように、初期磁化後の垂直磁気記録媒体１０と、磁気転写用マスター担体２０と重ね合わせ、密着させる。
該密着工程では、該磁気転写用マスター担体２０の表面の凸部２０１上の磁性層４０と、該垂直磁気記録媒体１０の磁性層（記録層）とが密着する。該磁気転写用マスター担体２０は、所定の押圧力で、該垂直磁気記録媒体１０に密着させる。
【００７７】
なお、必要に応じて、磁気転写用マスター担体２０を垂直磁気記録媒体１０に密着する前に、該垂直磁気記録媒体１０に、グライドヘッド、研磨体等によって表面の微小突起又は付着粉塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシング等）を施してもよい。
【００７８】
該密着工程は、図１（ｂ）に示されるように、本実施形態においては、垂直磁気記録媒体１０の片面のみに磁気転写用マスター担体２０を密着させているが、他の実施形態においては、両面に磁性層を有する垂直磁気記録媒体（スレーブディスク）に対し、両面から磁気転写用マスター担体２０を密着させてもよい。
【００７９】
なお、該密着工程では、外部より磁界が印加されていないため、磁気転写用マスター担体２０の磁性層４０においては、図４Ａにおいて示されるように、垂直磁気異方性層４１ａと垂直磁気異方性層４１ｂとの間に、反強磁性結合が発生している。そのため、該磁性層４０からの磁化の発生は、抑制される。
【００８０】
＜磁気転写工程＞
前記磁気転写工程は、互いに密着した垂直磁気記録媒体１０及び磁気転写用マスター担体２０に対し、前記初期磁界（Ｈｉ）と逆向きの磁界（Ｈｄ）である記録用磁界を印加することにより、該磁気転写用マスター担体２０に基づいた情報を、該垂直磁気記録媒体１０に記録する工程である。
図１（ｃ）に示されるように、互いに密着した垂直磁気記録媒体１０及び磁気転写用マスター担体２０に対し、所定の磁界印加手段（不図示）により、該初期磁界（Ｈｉ）と逆向きの磁界（Ｈｄ）を発生させる。
【００８１】
図９は、磁気転写工程における垂直磁気記録媒体１０及び磁気転写用マスター担体２０の断面の様子を示す説明図である。図９に示されるように、垂直磁気記録媒体１０及び磁気転写用マスター担体２０を密着させた状態で、記録用磁界（Ｈｄ）を印加すると、該磁界（Ｈｄ）により生じた磁束Ｇは、磁気転写用マスター担体２０に進入し、磁気転写用マスター担体２０の有する磁性層４０に吸収される。その結果、磁気転写用マスター担体２０の凸部２０１の領域で、磁界が強くなる。これに対し、磁気転写用マスター担体２０の凹部２０４の領域の磁界は、該凸部２０１の領域の磁界よりも弱くなる。このようにして、垂直磁気記録媒体１０に記録すべき情報に対応した磁界のパターンが形成される。
その結果、凸部２０１に対応する領域では、垂直磁気記録媒体１０の磁性層１５の磁化の向きが反転し、情報が記録される、なお、凹部２０４に対応する領域では、磁性層１５の磁化の向きは変化しない。
【００８２】
図１０は、磁気転写工程後の垂直磁気記録媒体の磁性層の磁化方向を示す説明図である。図１０において示されるように、垂直磁気記録媒体１０の磁性層１６には、サーボ信号等の情報が、初期磁化Ｐｉの反対向きの磁化となって記録磁化Ｐｄとして記録される。
【００８３】
前記記録用磁界（Ｈｄ）は、目的に応じて適宜選択されるが、一般に、垂直磁気記録媒体１０の磁性層１６の保磁力（Ｈｃ）の４０〜１３０％の強度の磁界が好ましく、５０〜１２０％が更に好ましい。
【００８４】
磁気転写工程において、前記記録用磁界（Ｈｄ）が印加されると、磁気転写用マスター担体２０の磁性層４０においては、図４Ｂに示されるように垂直磁気異方性層４１ａ及び垂直磁気異方性層４１ｂとの間における反強磁性的な結合は解消され、垂直磁気異方性層４１ａのスピン４５、及び垂直磁気異方性層４１ｂのスピン４６が、共に外部から印加された記録用磁界の方向を向く。
そのため、磁気転写工程において、磁気転写用マスター担体２０の磁性層４０は、それ自身、垂直磁気記録媒体の記録面（磁性層の表面）に対し、垂直な方向の磁化を有する。
【００８５】
図１１Ａは、本実施形態に係る磁気転写用マスター担体２０の磁性層４０のＭ−Ｈ曲線を模式的に示した説明図である。横軸は外部印加磁界（Ｈ）を表し、縦軸は磁化（Ｍ）を表す。
図１１Ａにおいて示されるように、該磁気転写用マスター担体２０の磁性層４０は、外部より磁界が印加されると、磁化が大きくなる。また、外部磁界をゼロにすると、該磁性層４０の磁化が最も小さくなる。この時、該磁気転写用マスター担体２０の磁性層４０であれば、残留磁化（Ｍｒ）を、０にすることも可能である。
【００８６】
図１１Ｂは、従来の磁気転写用マスター担体に用いられる磁性層のＭ−Ｈ曲線を模式的に示した説明図である。横軸は外部印加磁界（Ｈ）を表し、縦軸は磁化（Ｍ）を表す。
図１１Ｂにおいて示されるように、外部より磁界が印加されて、磁化が大きくなる従来の磁性層は、外部磁界がゼロであっても、磁化が大きく、残留磁化（Ｍｒ）を０にできない。
【００８７】
磁気転写用マスター担体２０を用いて垂直磁気記録媒体１０に情報を記録する際（磁気転写する際）、例えば、互いに密着した垂直磁気記録媒体１０及び磁気転写用マスター担体２０を、所定の回転手段（不図示）により回転させつつ、前記磁界印加手段によって記録用磁界（Ｈｄ）を印加してもよい。他の実施形態においては、該磁界印加手段に回転機構を儲け、垂直磁気記録媒体１０及び磁気転写用マスター担体２０に対し、相対的に回転させてもよい。
【００８８】
図１２は、磁気転写装置の概略を示す説明図である。該磁気転写装置は、コア６２にコイル６３が巻きつけられた電磁石からなる磁界印加手段６０を有する。該磁気転写装置は、このコイル６３に電流を流すと、ギャップ６４において、互いに密着した磁気転写用マスター担体２０及び垂直磁気記録媒体１０に対し、垂直に磁界が発生する構造になっている。発生させる磁界の向きは、コイル６３に流す電流の向きによって変えられる。従って、このような磁気転写装置によって、垂直磁気記録媒体１０の初期磁化、及び磁気転写を行なえる。
【００８９】
なお、前記磁気転写用マスター担体２０により記録された垂直磁気記録媒体は、例えば、ハードディスク装置等の磁気記録再生装置に組み込まれて、使用される。該垂直磁気記録媒体は、サーボ精度が高く、良好な記録再生特性の高記録密度磁気記録再生装置を得られる。
【００９０】
ここで、本発明の他の実施形態に係る磁気転写用マスター担体の概略を、図面を用いて説明する。図１３は、他の実施形態に係る磁気転写用マスター担体２０Ａの概略を示す説明図である。図１３に示されるように、該磁気転写用マスター担体２０Ａは、凸部２０１の先端面２０２に、磁性層４０を有し、その磁性層は、３層の垂直磁気異方性層４１（４１ａ、４１ｂ及び４１ｃ）と、２層の反強磁性結合誘導層４３（４３ａ及び４３ｂ）を有する。
反強磁性結合誘導層４３ａは、垂直磁気異方性層４１ａ及び４１ｂの間に介在し、反強磁性結合誘導層４３ｂは、垂直磁気異方性層４１ｂ及び４１ｃの間に介在している。
図１３は、外部磁界が印加されていない状態の磁性層を表している。
該反強磁性結合誘導層４３ａに隣接する垂直磁気異方性層４１ａと、垂直磁気異方性層４１ｂとの間には、反強磁性結合が形成されている。
また、反強磁性結合誘導層４３ｂに隣接する垂直磁気異方性層４１ｂと、垂直磁気異方性層４１ｃとの間にも、反強磁性結合が形成されている。
なお、該磁気転写用マスター担体２０Ａに外部磁界（例えば、記録用磁界）が印加されると、何れの垂直磁気異方性層４１の電子スピンも、外部磁界の印加方向に沿って向こうとする。
このように、本発明の磁気転写用マスター担体は、磁性層４０の垂直磁気異方性層４１が３層以上であってもよい。
【実施例】
【００９１】
以下、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は以下に示される実施例に限定されるものではない。
【００９２】
〔実施例１〕
〔磁気転写用マスター担体１〕
（原盤の作製）
【００９３】
８インチのＳｉウェハ（原板）上に、電子線レジストをスピンコート法により、１００ｎｍの厚みで塗布した。塗布後、該原板上の該レジストに対し、回転式電子線露光装置を用いて、サーボ情報等に対応させて変調した電子ビームを照射し、該レジストを露光した。その後、該レジストを現像し、未露光部分を除去して、該原板上に該レジストのパターンを形成した。
【００９４】
次いで、パターン状の該レジストをマスクとして用い、該原板に対して反応性エッチング処理を行い、該レジストでマスクされていない箇所を掘り下げた。該エッチング処理後、該原板上に残存するレジストを溶剤で洗浄し、除去した。その後、該原板を乾燥させて、磁気転写用マスター担体を作製するための原盤を得た。
【００９５】
（磁気転写用マスター担体の作製）
前記原盤上に、Ｎｉからなる導電層（厚み：６ｎｍ）をスパッタリング法により、形成した。その後、該導電層を形成した原盤を母型として用い、電鋳法により、該原盤上に、Ｎｉ層を形成した。その後、Ｎｉ層を原盤から引き剥がし、該Ｎｉ層を洗浄等して、表面に凸部を配設したＮｉ基材を得た。
【００９６】
次いで、前記Ｎｉ基材を、所定のチャンバー内にセットし、該Ｎｉ基材の凸部に、下地層としてのＴａ膜（厚み：１０ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝３００Ｗ。
前記のように下地層を形成した後、垂直磁気異方性層（磁性層１）としてのＣｏＰｔ膜（Ｃｏ８０＿Ｐｔ２０ａｔ％）（厚み：１０ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝１，０００Ｗ。
【００９７】
前記のように垂直磁気異方性層を形成した後、該垂直磁気異方性層（磁性層１）の上に、反強磁性結合誘導層としてのＲｕ膜（厚み：０．７ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝１００Ｗ。
【００９８】
前記のように反強磁性結合誘導層を形成した後、該反強磁性結合誘導層の上に、垂直磁気異方性層（磁性層２）としてのＣｏＰｔ膜（Ｃｏ８０＿Ｐｔ２０ａｔ％）（厚み：１０ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝１，０００Ｗ。
【００９９】
以上のようにして、磁気転写用マスター担体１を作製した。
【０１００】
〔垂直磁気記録媒体〕
２．５インチのガラス基板上に、以下に示す手順で各層を形成し、垂直磁気記録媒体を作製した。
作製した垂直磁気記録媒体は、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層、保護層、及び潤滑剤層が順次形成されている。
なお、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層、及び保護層は、スパッタリング法で形成し、潤滑剤層は、ディップ法で形成した。
【０１０１】
（軟磁性層の形成）
前記軟磁性層として、ＣｏＺｒＮｂ膜を、１００ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記ガラス基板を、ＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて配置し、圧力が０．６ＰａとなるようにＡｒガスを流入させ、ＤＣパワー：１，５００Ｗで放電して、成膜した。
【０１０２】
（第１の非磁性配向層の形成）
前記第１の非磁性配向層として、Ｔｉ膜を、５ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記軟磁性層を形成した後のガラス基板を、Ｔｉターゲットと対向させて配置し、圧力が０．５ＰａとなるようにＡｒガスを流入させ、ＤＣパワー：１，０００Ｗで放電して、成膜した。
【０１０３】
（第２の非磁性配向層の形成）
前記第２の非磁性配向層として、Ｒｕ膜を、６ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記第１の非磁性配向層を形成した後のガラス基板を、Ｒｕターゲットと対向させて配置し、圧力が０．８ＰａとなるようにＡｒガスを流入させ、ＤＣパワー：９００Ｗで放電して、成膜した。
【０１０４】
（磁性層の形成）
前記磁性層として、ＣｏＣｒＰｔＯ膜を、１８ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記第２の非磁性配向層を形成した後のガラス基板を、ＣｏＣｒＰｔＯターゲットと対向させて配置し、圧力が１４ＰａとなるようにＯ２を０．０６％含むＡｒガスを流入させ、ＤＣパワー：２９０Ｗで放電して、成膜した。
【０１０５】
（保護層の形成）
前記保護層として、Ｃ膜を、４ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記磁性層を形成した後のガラス基板を、Ｃターゲットと対向させて配置し、圧力が０．５ＰａとなるようにＡｒガスを流入させ、ＤＣパワー：１，０００Ｗで放電して、成膜した。
【０１０６】
（潤滑剤層の形成）
前記潤滑剤層として、ＰＦＰＥ潤滑剤からなる層を、２ｎｍの厚みで形成した。
【０１０７】
前記垂直磁気記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）であった。
【０１０８】
〔磁気転写〕
（初期磁化工程）
前記垂直磁気記録媒体に磁界を印加して、該垂直磁気記録媒体の初期磁化を行なった。印加した磁界の強度は、１０ｋＯｅである。
【０１０９】
（密着工程）
初期磁化後の垂直磁気記録媒体に対し、前記磁気転写用マスター担体を、９ｋｇ／ｃｍ２の圧力で密着させた。
【０１１０】
（磁気転写工程）
前記垂直磁気記録媒体と、前記磁気転写用マスター担体とを密着させた状態で、記録磁界を印加した。該記録磁界の強度は、４．２ｋＯｅである。
その後、該記録磁界の印加を停止し、該磁気転写用マスター担体を、該垂直磁気記録媒体から分離した。
【０１１１】
〔比較例１〕
（磁気転写用マスター担体１０１）
反強磁性結合誘導層を形成しなかったこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体１０１を作製した。該磁気転写用マスター担体１０１を用いて、前記実施例１と同様にして、前記垂直磁気記録媒体に対し、磁気転写を行なった。
【０１１２】
〔評価１〕
（磁気転写用マスター担体１の残留磁化）
記録磁界の印加を停止した後、垂直磁気記録媒体から分離した磁気転写用マスター担体１の磁性層の残留磁化（Ｍｒ）を評価した。
なお、残留磁化（Ｍｒ）の測定は、振動試料型磁力計（東英工業社製、ＶＳＭ−Ｃ７）を使用した。磁気転写用マスター担体の磁性層の構成と、同じ構成の試料を作製し、その試料より得られたＭ−Ｈカーブから、外部印加磁界がゼロの時の磁化を読み取った。
結果は、表１に示した。
【０１１３】
〔評価２〕
（垂直磁気記録媒体の転写信号Ｓ／Ｎ）
前記磁気転写用マスター担体１０１用いて磁気転写された垂直磁気記録媒体の信号Ｓ／Ｎの評価を行った。
具体的には、前記比較例１の磁気転写用マスター担体１０１を用いて磁気転写された、ビット長＝１００ｎｍに相当する連続単一信号（１５０波形分）をデジタルオシロスコープで読み取り、波形解析により算出した、垂直磁気記録媒体の信号Ｓ／Ｎを基準値とし、該基準値に対する増減値を求めた。
結果は、表１に示した。
【０１１４】
〔実施例２〕
（磁気転写用マスター担体２）
反強磁性結合誘導層の厚みを１ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２を作製した。
該磁気転写用マスター担体２を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価、及び転写信号Ｓ／Ｎの評価を行った。結果は表１に示した。
【０１１５】
〔実施例３〕
（磁気転写用マスター担体３）
反強磁性結合誘導層の厚みを２ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３を作製した。
該磁気転写用マスター担体３を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価、及び転写信号Ｓ／Ｎの評価を行った。結果は表１に示した。
【０１１６】
〔実施例４〕
（磁気転写用マスター担体４）
反強磁性結合誘導層の厚みを４ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体４を作製した。
該磁気転写用マスター担体４を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体４に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価、及び転写信号Ｓ／Ｎの評価を行った。結果は表１に示した。
【０１１７】
〔実施例５〕
（磁気転写用マスター担体５）
２層の垂直磁気異方性層のうち、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを５ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体５を作製した。
該磁気転写用マスター担体５を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体５に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価を行った。結果は表２に示した。
【０１１８】
〔実施例６〕
（磁気転写用マスター担体６）
２層の垂直磁気異方性層のうち、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを２０ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体６を作製した。
該磁気転写用マスター担体６を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体６に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価を行った。結果は表２に示した。
【０１１９】
〔実施例７〕
（磁気転写用マスター担体７）
２層の垂直磁気異方性層のうち、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを４０ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体７を作製した。
該磁気転写用マスター担体７を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体７に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価を行った。結果は表２に示した。
【０１２０】
〔実施例８〕
（磁気転写用マスター担体８）
２層の垂直磁気異方性層のうち、最初に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを４０ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体８を作製した。
該磁気転写用マスター担体８を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体８に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価を行った。結果は表２に示した。
【０１２１】
〔実施例９〕
（磁気転写用マスター担体９）
２層の垂直磁気異方性層のうち、最初に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを２０ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体９を作製した。
該磁気転写用マスター担体９を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体９に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価を行った。結果は表２に示した。
【０１２２】
〔実施例１０〕
（磁気転写用マスター担体１０）
２層の垂直磁気異方性層のうち、最初に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体１０を作製した。
該磁気転写用マスター担体１０を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１０に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価を行った。結果は表２に示した。
【０１２３】
【表１】
【０１２４】
【表２】
【０１２５】
〔実施例１１〕
（磁気転写用マスター担体１１）
実施例１と同様にして、Ｎｉ基材を作製した。
次いで、前記Ｎｉ基材を、所定のチャンバー内にセットし、該Ｎｉ基材の凸部に、下地層としてのＴａ膜（厚み：１０ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝３００Ｗ。
前記のように下地層を形成した後、垂直磁気異方性層（磁性層１）としてのＣｏＰｔ膜（Ｃｏ８０＿Ｐｔ２０ａｔ％）（厚み：１０ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝１，０００Ｗ。
【０１２６】
前記のように垂直磁気異方性層（磁性層１）を形成した後、該垂直磁気異方性層の上に、反強磁性結合誘導層（誘導層１）としてのＲｕ膜（厚み：０．７ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝１００Ｗ。
【０１２７】
前記のように反強磁性結合誘導層（誘導層１）を形成した後、該反強磁性結合誘導層の上に、垂直磁気異方性層（磁性層２）としてのＣｏＰｔ膜（Ｃｏ８０＿Ｐｔ２０ａｔ％）（厚み：１０ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝１，０００Ｗ。
【０１２８】
前記のように垂直磁気異方性層（磁性層２）を形成した後、該垂直磁気異方性層の上に、反強磁性結合誘導層（誘導層２）としてのＲｕ膜（厚み：０．７ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝１００Ｗ。
【０１２９】
前記のように反強磁性結合誘導層（誘導層２）を形成した後、該反強磁性結合誘導層の上に、垂直磁気異方性層（磁性層３）としてのＣｏＰｔ膜（Ｃｏ８０＿Ｐｔ２０ａｔ％）（厚み：１０ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝１，０００Ｗ。
【０１３０】
以上のようにして、磁気転写用マスター担体１１を作製した。
【０１３１】
該磁気転写用マスター担体１１を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１１に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価を行った。結果は表３に示した。
【０１３２】
〔実施例１２〕
（磁気転写用マスター担体１２）
実施例１１において、３層の垂直磁気異方性層うち、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを２０ｎｍに代えたこと以外は、実施例１１と同様にして、磁気転写用マスター担体１２を作製した。
該磁気転写用マスター担体１２を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１２に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価を行った。結果は表３に示した。
【０１３３】
【表３】
【０１３４】
〔実施例１３〕
（磁気転写用マスター担体１３）
前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体１３を作製した。
該磁気転写用マスター担体１３を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１３に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価を行った。
また、下記の方法により、垂直磁気異方性層の残留磁化を評価し、下記の基準により総合評価を実施した。
結果は表４に示した。
【０１３５】
〔評価３〕
（垂直磁気異方性層の残留磁化）
記録磁界の印加を停止した後、垂直磁気記録媒体から分離した垂直磁気異方性層の磁性層の残留磁化（Ｍｒｕ、Ｍｒｌ）を評価した。
なお、残留磁化（Ｍｒｕ、Ｍｒｌ）の測定は、振動試料型磁力計（東英工業社製、ＶＳＭ−Ｃ７）を使用した。磁気転写用マスター担体の磁性層の構成と、同じ構成の試料を作製し、その試料より得られたＭ−Ｈカーブから、外部印加磁界がゼロの時の磁化を読み取った。
結果は、表４に示した。
【０１３６】
（総合評価）
◎：Ｓ／Ｎが＋０．７ｄＢ以上で、且つ残留磁化Ｍｒが６０ｅｍｕ／ｃｃ未満
○：Ｓ／Ｎが＋０．１ｄＢ以上
△：Ｓ／Ｎが±０．１ｄＢ未満のもの
×：Ｓ／Ｎが±０．１ｄＢ未満のもので、且つ残留磁化Ｍｒが２００ｅｍｕ／ｃｃ以上
【０１３７】
〔実施例１４〕
（磁気転写用マスター担体１４）
反強磁性結合誘導層の厚みを０．５ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体１４を作製した。
該磁気転写用マスター担体１４を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１４に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表４に示した。
【０１３８】
〔実施例１５〕
（磁気転写用マスター担体１５）
反強磁性結合誘導層の厚みを０．６ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体１５を作製した。
該磁気転写用マスター担体１５を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１５に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表４に示した。
【０１３９】
〔実施例１６〕
（磁気転写用マスター担体１６）
反強磁性結合誘導層の厚みを０．８ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体１６を作製した。
該磁気転写用マスター担体１６を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１６に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表４に示した。
【０１４０】
〔実施例１７〕
（磁気転写用マスター担体１７）
反強磁性結合誘導層の厚みを０．９ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体１７を作製した。
該磁気転写用マスター担体１７を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１７に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表４に示した。
【０１４１】
〔実施例１８〕
（磁気転写用マスター担体１８）
前記実施例２と同様にして、磁気転写用マスター担体１８を作製した。
該磁気転写用マスター担体１８を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１８に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表４に示した。
【０１４２】
〔実施例１９〕
（磁気転写用マスター担体１９）
前記実施例３と同様にして、磁気転写用マスター担体１９を作製した。
該磁気転写用マスター担体１９を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１９に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表４に示した。
【０１４３】
〔実施例２０〕
（磁気転写用マスター担体２０）
前記実施例４と同様にして、磁気転写用マスター担体２０を作製した。
該磁気転写用マスター担体２０を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２０に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表４に示した。
【０１４４】
〔比較例２〕
（磁気転写用マスター担体１０２）
前記比較例１と同様にして、磁気転写用マスター担体１０２を作製した。
該磁気転写用マスター担体１０２を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１０２に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表４に示した。
【０１４５】
【表４】
【０１４６】
〔実施例２１〕
（磁気転写用マスター担体２１）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２１を作製した。
該磁気転写用マスター担体２１を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２１に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１４７】
〔実施例２２〕
（磁気転写用マスター担体２２）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２２を作製した。
該磁気転写用マスター担体２２を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２２に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１４８】
〔実施例２３〕
（磁気転写用マスター担体２３）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２３を作製した。
該磁気転写用マスター担体２３を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２３に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１４９】
〔実施例２４〕
（磁気転写用マスター担体２４）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２４を作製した。
該磁気転写用マスター担体２４を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２４に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１５０】
〔実施例２５〕
（磁気転写用マスター担体２５）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２５を作製した。
該磁気転写用マスター担体２５を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２５に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１５１】
〔実施例２６〕
（磁気転写用マスター担体２６）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２６を作製した。
該磁気転写用マスター担体２６を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２６に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１５２】
〔実施例２７〕
（磁気転写用マスター担体２７）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２７を作製した。
該磁気転写用マスター担体２７を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２７に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１５３】
〔実施例２８〕
（磁気転写用マスター担体２８）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２８を作製した。
該磁気転写用マスター担体２８を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２８に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１５４】
〔実施例２９〕
（磁気転写用マスター担体２９）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２９を作製した。
該磁気転写用マスター担体２９を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２９に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１５５】
〔実施例３０〕
（磁気転写用マスター担体３０）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３０を作製した。
該磁気転写用マスター担体３０を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３０に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１５６】
【表５】
【０１５７】
〔実施例３１〕
（磁気転写用マスター担体３１）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の材質をＣｏＰｔ膜（Ｃｏ７０＿Ｐｔ３０ａｔ％）に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３１を作製した。
該磁気転写用マスター担体３１を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３１に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表６に示した。
【０１５８】
〔実施例３２〕
（磁気転写用マスター担体３２）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の材質をＣｏＰｔ膜（Ｃｏ７４＿Ｐｔ２６ａｔ％）に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３２を作製した。
該磁気転写用マスター担体３２を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３２に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表６に示した。
【０１５９】
〔実施例３３〕
（磁気転写用マスター担体３３）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の材質をＣｏＰｔ膜（Ｃｏ７６＿Ｐｔ２４ａｔ％）に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３３を作製した。
該磁気転写用マスター担体３３を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３３に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表６に示した。
【０１６０】
〔実施例３４〕
（磁気転写用マスター担体３４）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の材質をＣｏＰｔ膜（Ｃｏ７８＿Ｐｔ２２ａｔ％）に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３４を作製した。
該磁気転写用マスター担体３４を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３４に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表６に示した。
【０１６１】
〔実施例３５〕
（磁気転写用マスター担体３５）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の材質をＣｏＰｔ膜（Ｃｏ７８＿Ｐｔ２２ａｔ％）に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３５を作製した。
該磁気転写用マスター担体３５を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３５に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表６に示した。
【０１６２】
〔実施例３６〕
（磁気転写用マスター担体３６）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の材質をＣｏＰｔ膜（Ｃｏ７６＿Ｐｔ２４ａｔ％）に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３６を作製した。
該磁気転写用マスター担体３６を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３６に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表６に示した。
【０１６３】
〔実施例３７〕
（磁気転写用マスター担体３７）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の材質をＣｏＰｔ膜（Ｃｏ７４＿Ｐｔ２６ａｔ％）に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３７を作製した。
該磁気転写用マスター担体３７を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３７に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表６に示した。
【０１６４】
〔実施例３８〕
（磁気転写用マスター担体３８）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の材質をＣｏＰｔ膜（Ｃｏ７０＿Ｐｔ３０ａｔ％）に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３８を作製した。
該磁気転写用マスター担体３８を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３８に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表６に示した。
【０１６５】
【表６】
【図面の簡単な説明】
【０１６６】
【図１】図１は、磁気転写方法の概略を示す説明図である。
【図２】図２は、磁気転写用マスター担体の断面の概略を示す説明図である。
【図３】図３は、磁気転写用マスター担体の上面の説明図である。
【図４Ａ】図４Ａは、磁界が印加されていない状態の磁性層の概略を示す説明図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、磁界が印加された状態の磁性層の概略を示す説明図である。
【図５】図５は、磁気転写用マスター担体の製造に用いられる原盤の製造工程を示す説明図である。
【図６】図６は、磁気転写用マスター担体の製造工程を示す説明図である。
【図７】図７は、垂直磁気記録媒体の断面の概略を示す説明図である。
【図８】図８は、初期磁化後の垂直磁気記録媒体の磁性層の磁化方向を示す説明図である。
【図９】図９は、磁気転写における垂直磁気記録媒体及び磁気転写用マスター担体の断面の様子を示す説明図である。
【図１０】図１０は、磁気転写後の垂直磁気記録媒体の磁性層の磁化方向を示す説明図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、磁気転写用マスター担体の磁性層のＭ−Ｈ曲線を模式的に示した説明図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、従来の磁気転写用マスター担体の磁性層のＭ−Ｈ曲線を模式的に示した説明図である。
【図１２】図１２は、磁気転写装置の概略を示す説明図である。
【図１３】図１３は、本発明の他の実施形態に係る磁気転写用マスター担体の磁性層の概略を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１６７】
１０ 垂直磁気記録媒体（スレーブディスク）
２０、２０Ａ 磁気転写用マスター担体（マスターディスク）
２００ 基材
２０１ 凸部
２０２ 先端面
２０３ 側面
２０４ 凹部
４０ 磁性層
４１、４１ａ、４１ｂ、４１ｃ 垂直磁気異方性層
４３、４３ａ、４３ｂ 反強磁性結合誘導層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に情報を磁気転写する磁気転写用マスター担体、該磁気転写用マスター担体を用いた磁気転写方法、及び該磁気転写マスター担体を用いて磁気転写された磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報を高密度で記録可能な磁気記録媒体として、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体（以下、垂直磁気記録媒体）が知られている。この垂直磁気記録媒体の情報記録領域は、狭トラックで構成されている。そのため、垂直磁気記録媒体では、狭いトラック幅において正確に磁気ヘッドを走査し、高いＳ／Ｎ比で信号を再生するためのトラッキングサーボ技術が重要となる。このトラッキングサーボを行うためには、トラッキング用のサーボ信号、アドレス情報信号、再生クロック信号等のサーボ情報を、所定間隔で垂直磁気記録媒体に、いわゆるプリフォーマットとして記録しておく必要がある。
【０００３】
垂直磁気記録媒体に、サーボ情報をプリフォーマットする方法としては、例えば、サーボ情報に対応した、表面に磁性層を有する複数の凸部からなるパターンが形成されたマスター担体を、該垂直磁気記録媒体に密着させた状態で、記録用磁界を印加し、該マスター担体のパターンに対応するサーボ情報を、該垂直磁気記録媒体に磁気転写する方法がある（例えば、特許文献１〜３参照）。
【０００４】
前記方法において、垂直磁気記録媒体に前記マスター担体を密着させた状態で記録用磁界が印加されると、前記マスター担体の磁化状態に基づいて、磁束がパターン状に配置する磁性層に吸収される。その結果、前記記録用磁界は、前記マスター担体のパターンに対応して強められる。このパターン状に強められた磁界によって、垂直磁気記録媒体の所定箇所のみが磁化される。このようにして、該マスター担体のパターンに対応するサーボ情報が、該垂直磁気記録媒体に磁気転写される。
なお、磁気転写後、記録用磁界は解除され、該垂直磁気記録媒体と密着している該マスター担体は、該垂直磁気記録媒体から分離される。
【０００５】
従来、この種のマスター担体の磁性層の材料としては、高飽和磁化を有する磁性材料が用いられていた。記録用磁界を印加した際に、該マスター担体の磁性層の磁化を高めて、該磁性層に磁束を吸収させ易くするためである。
【０００６】
しかしながら、該マスター担体の磁性層は、厚みが数十ナノメータ程度であり、非常に薄く、反磁界の影響を強く受ける。そのため、該磁性層の材料として高飽和磁化を有する磁性材料を使用しても、反磁界によって実効的な磁性層への印加磁界（記録用磁界）が減少し、該磁性層が未飽和状態となってしまう。その結果、該磁性層の磁化を、希望通り高くすることができず、問題であった。
【０００７】
なお、印加する磁界を強くすることも考えられるが、印加磁界が強くなると、該マスター担体のパターン状に配置する磁性層以外の箇所に存在する磁界によっても、該垂直磁気記録媒体が磁化されることがあり、問題となる。
【０００８】
更に、従来、この種のマスター担体の磁性層は、残留磁化が高く問題となることがあった。前記のように、磁気転写後、記録用磁界が解除されても、該マスター担体の磁性層には残留磁化が存在している。該残留磁化が大きいと、前記のように、該マスター担体を該垂直磁気記録媒体から分離する際、該マスター担体の位置が、該垂直磁気記録媒体の表面方向に沿って僅かにずれても、該マスター担体の磁性層の残留磁化によって、該垂直磁気記録媒体が不要に磁化されることがあり、問題であった。
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−２０３３２５号公報
【特許文献２】特開２０００−１９５０４８号公報
【特許文献３】米国特許第７２１８４６５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、磁界を印加した際に、該磁界の印加方向に磁化が発生し、かつ、磁界を解除した際に残留磁化の発生が抑制される磁性層を有する磁気転写用マスター担体、該磁気転写用マスター担体を用いた磁気転写方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 垂直磁気記録媒体に記録すべき情報のパターンに対応して配設される凸部を表面に有する基材と、
前記凸部の先端面に少なくとも形成される磁性層と、を備え、
磁界が印加されると、前記磁性層が磁束を吸収して、磁界のパターンを形成する磁気転写用マスター担体であって、
該磁性層は、少なくとも２層の垂直磁気異方性層と、これらの垂直磁気異方性層の全ての間に介在され、隣接する２層の垂直磁気異方性層の間の反強磁性結合を誘導する反強磁性結合誘導層と、を有することを特徴とする磁気転写用マスター担体である。
該＜１＞に係る磁気転写用マスター担体は、磁性層が少なくとも２層の垂直磁気異方性層と、これらの垂直磁気異方性層の全ての間に介在され、隣接する２層の垂直磁気異方性層の間の反強磁性結合を誘導する反強磁性結合誘導層と、を有するため、隣接する２層の垂直磁気異方性層の間に反強磁性結合が形成され、残留磁化が抑制される。また、所定値以上の磁界が印加されると、反強磁性結合が解消され、該磁界の印加方向に磁化が発生する。
＜２＞ 反強磁性結合誘導層に隣接する２層の垂直磁気異方性層のうち、凸部側に配置する一方の垂直磁気異方性層の残留磁化Ｍｒｕと厚みｔｕとの積Ｍｒｕｔｕと、他方の垂直磁気異方性層の残留磁化Ｍｒｌと厚みｔｌとの積Ｍｒｌｔｌとの比（Ｍｒｕｔｕ／Ｍｒｌｔｌ）が、０．５〜２である前記＜１＞に記載の磁気転写用マスター担体である。
＜３＞ ２層の垂直磁気異方性層が同一の残留磁化を有し、
反強磁性結合誘導層に隣接する２層の垂直磁気異方性層のうち、凸部側に配置する一方の垂直磁気異方性層の厚みｗａと、他方の垂直磁気異方性層の厚みｗｂとの比（ｗｂ／ｗａ）が、２〜０．２である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体である。
＜４＞ 反強磁性結合誘導層に隣接する２層の垂直磁気異方性層のうち、凸部側に配置する一方の垂直磁気異方性層の厚みｗａと、他方の垂直磁気異方性層の厚みｗｂとの比（ｗｂ／ｗａ）が、２〜０．５である前記＜３＞に記載の磁気転写用マスター担体である。
＜５＞ 反強磁性結合誘導層に隣接する２層の垂直磁気異方性層のうち、凸部側に配置する一方の垂直磁気異方性層の厚みｗａと、他方の垂直磁気異方性層の厚みｗｂとの比（ｗｂ／ｗａ）が、１．５〜０．５である前記＜３＞から＜４＞のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体である。
＜６＞ 垂直磁気異方性層の厚みが、２ｎｍ〜６０ｎｍである前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体である。
＜７＞ 磁性層が、下記条件１の下、スパッタリング法により作製された垂直磁気異方性層と、かつ、下記条件２の下、スパッタリング法により作製された、反強磁性結合誘導層と、を有する前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体である。
＜条件１＞
ターゲット材料：ＣｏＰｔ
圧力：０．３Ｐａ
基材−ターゲット間距離：２００ｍｍ
ＤＣパワー：１，０００Ｗ
＜条件２＞
ターゲット材料：Ｒｕ
圧力：０．３Ｐａ
基材−ターゲット間距離：２００ｍｍ
ＤＣパワー：１００Ｗ
＜８＞ 磁界を印加して、垂直磁気記録媒体を初期磁化する初期磁化工程と、
初期磁化された垂直磁気記録媒体に、前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体を密着させる密着工程と、
該垂直磁気記録媒体と該磁気転写用マスター担体とを密着させた状態で、初期磁化工程において印加した磁界と逆向きの磁界を印加して、該垂直磁気記録媒体に情報を記録する磁気転写工程と、を有することを特徴とする磁気転写方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、従来における前記諸問題を解決することができ、磁界を印加した際に、該磁界の印加方向に磁化が発生し、かつ、磁界を解除した際に残留磁化の発生が抑制される磁性層を有する磁気転写用マスター担体、該磁気転写用マスター担体を用いた磁気転写方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態に係る磁気転写用マスター担体、磁気転写方法、及び磁気記録媒体について、図面を用いて説明する。
【００１４】
図１は、磁気転写用マスター担体を用いて垂直磁気記録媒体に情報を磁気転写する磁気転写方法の概略を示す説明図である。該磁気転写方法は、初期磁化工程、密着工程、及び磁気転写工程を有する。先ず、図１を用いて、該磁気転写用マスター担体を用いた磁気転写技術の概略を説明する。
【００１５】
〔磁気転写技術の概略〕
図１において、符号１０は、垂直磁気記録媒体であるスレーブディスクを表し、符合２０は、磁気転写用マスター担体であるマスターディスクを表す。
図１（ａ）は、初期磁化工程を示す説明図である。図１（ａ）に示されるように、該初期磁化工程において、スレーブディスク１０に対し直流磁界（Ｈｉ）が印加されて、該スレーブディスク１０が初期磁化される。該直流磁界（Ｈｉ）は、スレーブディスク１０の平面に対し、垂直に印加される。
図１（ｂ）は、密着工程を示す説明図である。図１（ｂ）に示されるように、該密着工程において、初期磁化後のスレーブディスク１０に該マスターディスク２０を密着させる。
図１（ｃ）は、磁気転写工程を示す説明図である。図１（ｃ）に示されるように、該磁気転写工程において、互いに密着したスレーブディスク１０及びマスターディスク２０に対し、前記直流磁界（Ｈｉ）と逆向きの磁界（Ｈｄ）（記録用磁界）が印加され、該マスターディスク２０に基づいた情報が、該スレーブディスク１０に記録される。
【００１６】
次いで、前記磁気転写用マスター担体、磁気転写方法、及び磁気記録媒体について、それぞれ図面を用いて詳細に説明する。
【００１７】
〔磁気転写用マスター担体〕
図２は、磁気転写用マスター担体（マスターディスク）２０の断面の概略を示す説明図である。図２に示されるように、該磁気転写用マスター担体２０は、基材２００と、磁性層４０と、を有する。
【００１８】
（基材）
前記基材２００の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できるが、例えば、ガラス、ポリカーボネート等の合成樹脂、ニッケル、アルミニウム等の金属、シリコン、カーボン等の公知の材料が用いられる。
【００１９】
前記基材２００の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。図２において示される磁気転写用マスター担体２０は、円盤状である。前記基材２００は、表面に複数の凸部２０１を有する。
【００２０】
前記凸部２０１は、垂直磁気記録媒体に記録すべき情報のパターンに対応して前記基材２００の表面に配設されている。垂直磁気記録媒体に記録すべき情報としては、例えば、サーボ信号、アドレス情報信号等のトラッキングサーボ技術用のサーボ情報がある。該凸部２０１は、該基材２００の表面上で、該記録すべき情報のサイズに対応した、パターンを成している。前記基材２００の表面に配設される該凸部２０１の個数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。
【００２１】
図３は、磁気転写用マスター担体２０（マスターディスク）を上面から見た説明図である。図３に示されるように、磁気転写用マスター担体２０の表面（上面）には、サーボ情報のパターンに対応して配設される凸部からなるパターン（サーボパターン５２）が、放射状に形成されている。
【００２２】
前記凸部２０１の表面は、図２に示されるように、先端面２０２と、側面２０３とからなる。本実施形態において、先端面２０２は、平面となっている。該先端面２０２の外形形状は、特に制限は無く、目的に応じて適宜選択できる。本実施形態において、該先端面２０２は、四角形（正方形）となっている。前記凸部２０１間には、凹部２０４がある。
【００２３】
（磁性層）
前記磁性層４０は、前記凸部２０１の表面のうち、少なくとも先端面２０２に形成される。図２において示されるように、本実施形態においては、該凸部２０１の先端面２０２以外に、製造容易等の理由により、凹部２０４の表面にも磁性層４００が形成されている。なお、必要に応じて、該凸部２０１の側面２０３に該磁性層４０を形成してもよい。
【００２４】
前記磁性層４０は、垂直磁気異方性層４１と、反強磁性結合誘導層４３とを有する。該磁性層４０は、その他、必要に応じて、下地層、保護層等の他の層を含んでもよい。
【００２５】
＜垂直磁気異方性層＞
前記垂直磁気異方性層４１は、磁性層４０に、少なくとも２層含まれる。図２に示される本実施形態に係る磁気転写用マスター担体２０の磁性層４０は、２層の垂直磁気異方性層４１を有する。
２層の垂直磁気異方性層４１のうち、反強磁性結合誘導層４３の下側に配置し、凸部側に配置する一方のものを、垂直磁気異方性層４１ａと表し、反強磁性結合誘導層４３の上側に配置する他方のものを、垂直磁気異方性層４１ｂと表す。
【００２６】
他の実施形態においては、該垂直磁気異方性層４１の層数は、２層以外に、３層でもよいし、４層でもよい。該垂直磁気異方性層４１の層数は、２層等の偶数でもよいし、３層等の奇数でもよい。
【００２７】
前記垂直磁気異方性層４１は、垂直磁気異方性を有する磁性材料を含む。該垂直磁気異方性層４１の磁性材料としては、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉのうち少なくとも１つの強磁性金属と、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｂ、Ｔａ及びＯのうち少なくとも１つの非磁性物質と、から構成される合金、或いは化合物が用いられる。
前記垂直磁気異方性層４１は、該垂直磁気異方性層４１の面内方向に対し、垂直な方向において、磁気異方性を有する。つまり、磁性層４０の積層方向に、磁気異方性を有する。
【００２８】
前記垂直磁気異方性層４１の厚みｗとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜設定されるが、２ｎｍ〜６０ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜４０ｎｍがより好ましく、１５ｎｍ〜２５ｎｍが更に好ましい。
該垂直磁気異方性層４１の厚みｗが２ｎｍ未満であると、マスター担体の最表面における磁化が不足することがあり、厚みｗが６０ｎｍを超えると、反強磁性結合効果が弱まることがある。
【００２９】
前記垂直磁気異方性層４１の厚みｗは、例えば、原子間力顕微鏡（日本ビーコ社製、Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００）によって測定できる。
【００３０】
なお、該垂直磁気異方性層４１の厚みは、平均値（平均厚み）である。該厚みｗは、半径＝５ｍｍ、１０ｍｍ、２０ｍｍ、及び３０ｍｍ（９０度毎に４箇所：計１６箇所）の平均値として算出した。
【００３１】
特に、反強磁性結合誘導層４３に隣接する２層の垂直磁気異方性層４１の厚みｗにおいては、以下に示す関係がある。ここで、本実施形態に係る２層の垂直磁気異方性層４１ａ及び４１ｂを例に挙げて説明する。
【００３２】
前記垂直磁気異方性層４１ａの厚みｗａとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜設定されるが、１ｎｍ〜３０ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜２０ｎｍがより好ましく、７ｎｍ〜１３ｎｍが更に好ましい。
該垂直磁気異方性層４１ａの厚みｗａが２ｎｍ未満であると、マスター担体の最表面における磁化が不足することがあり、厚みｗａが３０ｎｍを超えると、反強磁性結合効果が弱まることがある。
【００３３】
前記垂直磁気異方性層４１ｂの厚みｗｂとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜設定されるが、２ｎｍ〜６０ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜４０ｎｍがより好ましく、１５ｎｍ〜２５ｎｍが更に好ましい。
該垂直磁気異方性層４１ｂの厚みｗｂが２ｎｍ未満であると、マスター担体の最表面における磁化が不足することがあり、厚みｗｂが６０ｎｍを超えると、反強磁性結合効果が弱まることがある。
【００３４】
前記垂直磁気異方性層４１ａの残留磁化Ｍｒｕと厚みｔｕとの積Ｍｒｕｔｕと、前記垂直磁気異方性層４１ｂの残留磁化Ｍｒｌと厚みｔｌとの積Ｍｒｌｔｌとの比（Ｍｒｕｔｕ／Ｍｒｌｔｌ）としては、０．５〜２が好ましく、０．７〜１．５がより好ましい。前記比が０．８〜１．３の時、残留磁化（残留磁束密度）を抑制する効果が最も大きくなる。
【００３５】
前記垂直磁気異方性層４１ａと前記垂直磁気異方性層４１ｂとが同一の材料で構成されている等の理由で、２層の垂直磁気異方性層が同一の残留磁化を有する場合には、前記垂直磁気異方性層４１ａの厚みｗａと、前記垂直磁気異方性層４１ｂの厚みｗｂとの比（ｗｂ／ｗａ）としては、２〜０．２が好ましく、２〜０．５がより好ましく、１．５〜０．５がさらに好ましく、１．３〜０．８が特に好ましい。前記比が１．３〜０．８の時、残留磁化（残留磁束密度）を抑制する効果が最も大きくなる。
【００３６】
前記垂直磁気異方性層４１の形成方法（成膜方法）としては、例えば、スパッタリング法がある。成膜圧力（Ｐａ）、基板−ターゲット間距離（ｍｍ）、ＤＣパワー（Ｗ）等の条件を適宜、選択することにより、スパッタリング法によって、前記垂直磁気異方性層４１を形成できる。
【００３７】
前記垂直磁気異方性層４１が、ＣｏＰｔからなる場合、主として、成膜圧力、Ｐｔ含有量（ターゲット組成比）を調節することによって、該垂直磁気異方性層４１の垂直磁気異方性を制御できる。
【００３８】
前記磁性層４０の垂直磁気異方性層４１が「垂直磁気異方性を有する」とは、以下の方法により求められる、面内磁化曲線の磁化値（Ｍｉｎ）、及び垂直磁化曲線の磁化値（Ｍｐｅ）の比（Ｍｐｅ／Ｍｉｎ）が、反磁界補正を施したヒステリシス曲線において、１以上の場合である。Ｍｉｎ及びＭｐｅを求める方法は、以下の通りである。
【００３９】
磁気転写用マスター担体の磁性層４０と同じものを、該マスター担体の製造時と同じ条件で、ガラス基板（２．５インチ）上に形成する。該ガラス基板上に形成された試料を、６ｍｍ×８ｍｍのサイズに切り出し、その切り出した試料に対し、振動試料型磁力計（東英工業社製、ＶＳＭ−Ｃ７）を用いて、面内方向及び垂直方向に磁界を印加して、その試料の磁化曲線の測定を行う。
得られた磁化曲線に基づいて、記録用磁界と同値の外部印加磁界強度での面内磁化曲線の磁化値（Ｍｉｎ）、垂直磁化曲線の磁化値（Ｍｐｅ）を算出する。
【００４０】
＜反強磁性結合誘導層＞
前記反強磁性結合誘導層４３は、前記垂直磁気異方性層４１の全ての間に介在される。例えば、垂直磁気異方性層４１が３層のとき、磁性層４０には、該反強磁性結合誘導層４３が２層含まれる。また、該垂直磁気異方性層４１が６層のとき、磁性層４０には、該反強磁性結合誘導層４３が５層含まれる。
【００４１】
前記反強磁性結合誘導層４３は、隣接する２層の垂直磁気異方性層の間に、反強磁性結合が生じるように、該反強磁性結合を誘導する層である。
該反強磁性結合誘導層４３の材料としては、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｅ及びＣｒのいずれか１つを少なくとも含む金属、合金、或いは積層結合体が用いられる。
【００４２】
前記反強磁性結合誘導層４３の厚みｘとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜設定され、０．１ｎｍ〜２ｎｍが好ましく、０．３ｎｍ〜１．５ｎｍがより好ましく、０．５ｎｍ〜１ｎｍが更に好ましい。
該反強磁性結合誘導層４３の厚みｘが０．１ｎｍ未満であると、薄膜均一性のばらつきにより、部分的に下層の垂直磁気異方性層４１ａと、上層の垂直磁気異方性層４１ｂとが接触して、一体化してしまうことがあり、厚みｘが２ｎｍを超えると、層の垂直磁気異方性層４１ａと、上層の垂直磁気異方性層４１ｂとの間における反強磁性結合効果が得られないことがある。
【００４３】
前記反強磁性結合誘導層４３の厚みｗは、例えば、前記反強磁性結合誘導層４３の断面方向の薄片を作製し、該薄片を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって測定することで、求めることができる。
【００４４】
なお、反強磁性結合誘導層４３の厚みは、平均値（平均厚み）である。該厚みは、半径＝１０ｍｍ、２０ｍｍ（１８０度毎に２箇所：計４箇所）の平均値として算出した。
【００４５】
前記反強磁性結合誘導層４３の形成方法（成膜方法）としては、例えば、前記垂直磁気異方性層４１の形成方法と同様、スパッタリング法がある。成膜圧力（Ｐａ）、基板−ターゲット間距離（ｍｍ）、ＤＣパワー（Ｗ）等の条件を適宜、選択することにより、スパッタリング法によって、前記反強磁性結合誘導層４３を形成できる。
【００４６】
ここで、磁性層４０が２層の垂直磁気異方性層４１（４１ａ、４１ｂ）と、これらの間に１層の反強磁性結合誘導層４３を有する場合を例に挙げて、本発明の磁気転写用マスター担体４０の磁性層４０の作用を説明する。
【００４７】
図４Ａは、外部から磁界が印加されていない状態の磁性層４０の概略を示す説明図である。
図４Ａにおいて符号４５で示される矢印は、該垂直磁気異方性層４１ａ中のスピンを表し、符号４６で示される矢印は、該垂直磁気異方性層４１ｂ中のスピンを表す。
図４Ａにおいて示されるように、外部から磁界が印加されていない状態の磁性層４０においては、垂直磁気異方性層４１ａ中のスピン４５と、垂直磁気異方性層４１ｂ中のスピン４６とが、逆平行の関係になろうとする。
これは、反強磁性結合誘導層４３が、垂直磁気異方性層４１ａ及び垂直磁気異方性層４１ｂとの間に、反強磁性結合（反強磁性的な結合）を誘導する機能を有するためである。
垂直磁気異方性層４１ａ及び垂直磁気異方性層４１ｂは、共に垂直磁気異方性を有している。そのため、外部から磁界が印加されていない状態の磁性層４０においては、該垂直磁気異方性層４１ａのスピン４５と、該垂直磁気異方性層４１ｂのスピン４６とが、該反強磁性結合誘導層４３を介して、面内方向に対し垂直な方向に沿って（積層方向に沿って）、逆平行の関係になろうとする。
このように、反強磁性的な結合が、垂直磁気異方性層４１ａ及び垂直磁気異方性層４１ｂの間で形成されると、垂直磁気異方性層４１ａ及び垂直磁気異方性層４１ｂの磁化が互いに打ち消し合い、磁性層４０全体の磁化が抑制される。
【００４８】
図４Ｂは、外部から磁界が印加された状態の磁性層４０の概略を示す説明図である。図４Ｂにおいて示されるように、外部から所定値以上の強度の磁界（Ｈ）４４（例えば、記録用磁界）が印加されると、垂直磁気異方性層４１ａのスピン４５は、反転して、垂直磁気異方性層４１ｂのスピン４６と同じ方向を向こうとする。
これは、外部から磁界４４が印加されると、垂直磁気異方性層４１ａ及び垂直磁気異方性層４１ｂとの間における反強磁性結合が解消され、垂直磁気異方性層４１ａのスピン４５及び垂直磁気異方性層４１ｂのスピン４６の挙動が、主として、磁界４４に支配されるためである。
垂直磁気異方性層４１ａのスピン４５及び垂直磁気異方性層４１ｂのスピン４６が、共に同じ方向を向くと、磁界を印加していない状態と比較して、磁性層４０全体としての磁化が大きくなる。
【００４９】
以上のようにして、前記磁性層４０は、外部から磁界が印加されると、磁界の印加方向に磁化を発生し、磁界が解除されると、残留磁界が抑制される。
【００５０】
（下地層）
前記磁性層４０の下（該磁性層４０と凸部２０１の先端面２０２との間）に、必要に応じて、下地層を形成してもよい。該下地層の材料としては、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔａ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｉ、Ｔｉのうち、少なくとも１つを含有する金属、合金、或いは化合物が挙げられる。該下地層の材料としては、Ｐｔ、Ｒｕ等の白金属の金属、合金が好ましい。該下地層は、単層でもよく、多層でもよい。該下地層は、スパッタリング法等の公知の方法により、形成できる。
該下地層の厚みは、１ｎｍ〜３０ｎｍの範囲が好ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲が更に好ましい。
【００５１】
（保護層等）
前記磁性層４０の上に、必要に応じて、ダイヤモンドライクカーボン等の保護層を形成してもよい。該保護層の厚みは、通常、１０ｎｍ以下である。更に、該保護層の上に、潤滑層剤層を形成してもよい。
【００５２】
〔磁気転写用マスター担体の製造方法〕
一実施形態に係る磁気転写用マスター担体の製造方法を例に挙げて、本発明の磁気転写用マスター担体の製造方法を説明する。
前記一実施形態に係る磁気転写用マスター担体の製造方法によって製造されるマスター担体は、磁性層４０が、２層の垂直磁気異方性層４１と、これらの間に１層の反強磁性結合誘導層と、を含むものである。
【００５３】
前記磁気転写用マスター担体２０の製造には、原盤が用いられる。先ず、原盤の一製造方法を、図５を用いて説明する。
【００５４】
（原盤の製造）
図５は、磁気転写用マスター担体２０の製造に用いられる原盤の製造工程を示す説明図である。
図５（ａ）に示されるように、表面が平滑なシリコンウェハ（Ｓｉ基板）からなる原板３０を用意し、この原板３０上に、電子線レジスト液をスピンコート法等により塗布して、レジスト層３２を形成する（図５（ｂ）参照）。その後、該レジスト層３２を、ベーキング処理（プレベーク）する。
【００５５】
次いで、図５（ｃ）に示されるように、高精度な回転ステージ、又はＸ−Ｙステージを備えた不図示の電子ビーム露光装置のステージ上に、前記原板３０をセットし、該原板３０を回転させながら、該レジスト層３２に対し、サーボ信号に対応させて変調した電子ビームを照射し、該レジスト層３２に、サーボ信号に対応させたパターンを描画露光した。なお、図５（ｃ）において、符号３３が露光部分を表す。
【００５６】
次いで、図５（ｄ）に示されるように、該レジスト層３２を現像処理し、露光部分（描画部分）３３を除去すると、パターン状のレジスト層３２が原板３０上に形成される。
なお、原板３０上に塗布されるレジストは、ポジ型、ネガ型のいずれも使用可能である。なお、ポジ型と、ネガ型とでは、露光（描画）パターンが反転することになる。
前記現像処理後、レジスト層３２と原板３０との密着力を高めるためのベーキング処理（ポストベーク）を行う。
【００５７】
次いで、図５（ｅ）に示されるように、該レジスト層３２をマスクとして、該レジスト層３２の開口部３４より、原板３０を、表面より所定の深さだけ除去（エッチング）する。該エッチングとしては、アンダーカット（サイドエッチ）を最小にするべく、異方性のエッチングを選択することが好ましい。該異方性のエッチングとしては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）が好ましい。
【００５８】
次いで、図５（ｆ）に示されるように、エッチング後の該レジスト層３２を除去する。該レジスト層３２の除去方法としては、アッシング等の乾式法、剥離液による除去等の湿式法のいずれも採用できる。該レジスト層３２が除去されると、原盤３６が得られる。
【００５９】
（磁気転写用マスター担体の製造）
前記原盤３６を用いた、磁気転写用マスター担体２０の一製造方法を、図６を用いて説明する。
【００６０】
図６（ｇ）に示されるように、原盤３６の表面に、厚みが均一な導電層３７を形成する。該導電層３７の形成方法としては、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の各種金属成膜法を採用できる。該導電層３７としては、例えば、Ｎｉを主成分とする膜からなる。このような、Ｎｉを主成分とする膜は、形成が容易であり、且つ、硬質であるため、該導電膜３７として好適である。該導電層３７の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、一般的に、数十ｎｍ程度が採用される。
【００６１】
次いで、図６（ｈ）に示されるように、原盤３６の表面に、電鋳により、所望の厚みの金属板３８を積層する。該金属板の材料としては、例えば、Ｎｉが挙げられる。
電鋳は、所定の電鋳装置（不図示）において行なわれる。該電解装置は、スルファミン酸Ｎｉ等の電解液の入った電解液槽を有し、該電解液槽中の電解液に原盤３６が浸される。該原盤３６を陽極とし、該陽極と、図示されない陰極との間を通電すると、該原盤３６上に金属板が積層される。電解液の濃度、電解液のｐＨ、電流値等の諸条件は、適宜、設定される。
その後、前記金属板３８を積層した原盤３６は、電鋳装置の電解液槽から取り出され、純水等からなる剥離液に浸される。該剥離液中において、金属板３８は、原盤３６から引き剥がされる。このようにして、図６（ｉ）に示されるような、原盤３６表面の凹凸形状が反転した、表面形状を有する基板２００が得られる。
【００６２】
次いで、前記基板２００表面上の凸部２０１の先端面２０２に図示しない下地層を形成する。該下地層の材料は、例えば、Ｔａから成る。該下地層は、前記材料をターゲットとして用いたスパッタリング法によって形成される。
次いで、図６（ｊ）において示されるように、前記基板２００表面上の凸部２０１の先端面２０２に垂直磁気異方性層４１ａを形成する。該垂直磁気異方性層４１ａの材料は、例えば、ＣｏＰｔからなる。該垂直磁気異方性層４１ａは、前記材料をターゲットとして用いたスパッタリング法によって形成される。
【００６３】
次いで、図６（ｋ）において示されるように、前記垂直磁気異方性層４１ａの上に、反強磁性結合誘導層４３を形成する。該反強磁性結合誘導層４３の材料は、例えば、Ｒｕからなる。該反強磁性結合誘導層４３は、前記材料をターゲットとして用いたスパッタリング法によって形成される。
【００６４】
次いで、図６（ｌ）において示されるように、前記反強磁性結合誘導層４３の上に、垂直磁気異方性層４１ｂを形成する。該垂直磁気異方性層４１ｂの材料は、例えば、ＣｏＰｔからなる。該垂直磁気異方性層４１ｂは、前記材料をターゲットとして用いたスパッタリング法によって形成される。
その後、必要に応じて、前記基板２００を所定サイズに打抜き加工等すると、磁気転写用マスター担体２０が得られる。
【００６５】
〔垂直磁気記録媒体〕
前記磁気転写用マスター担体２０を用いて磁気転写される垂直磁気記録媒体としては、特に制限はなく、目的に応じて、適宜選択される。図７は、垂直磁気記録媒体の断面の概略を示す説明図である。ここで、図７を用いて、一実施形態に係る該垂直磁気記録媒体の構成を説明する。
【００６６】
図７に示されるように、該垂直磁気記録媒体１０は、基板１２と、軟磁性層（軟磁性下地層：ＳＵＬ）１３と、非磁性層（中間層）１４と、磁性層１５と、を有する。更に、図７において示される該垂直磁気記録媒体１０は、該磁性層１６上に、保護層１６及び潤滑剤層１７を備える。
【００６７】
前記基板１２は、円盤状であり、ガラス、Ａｌ（アルミニウム）等の非磁性材料からなる。
【００６８】
前記軟磁性層１３は、該磁性層１６の垂直磁化状態を安定させ、記録再生時の感度を向上させる等の目的で設けられる。該軟磁性層１３に用いられる材料としては、ＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＳｉ合金、ＦｅＡｌ合金、パーマロイ等のＦｅＮｉ合金、パーメンジュール等のＦｅＣｏ合金等の軟磁性材料が用いられる。該軟磁性層１３は、ディスクの中心から外側に向かって半径方向に（放射状に）磁気異方性が付けられている。
【００６９】
前記非磁性層１４は、後に形成する磁性層１５の垂直方向の磁気異方性を大きくする等の目的で設けられる。該非磁性層１４に用いられる材料としては、Ｔｉ、Ｃｒ、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔ等が用いられる。
【００７０】
前記磁性層１５は、垂直磁化膜からなる。該垂直磁化膜は、膜内の磁化容易軸が基板１２に対し、主として、垂直方向に配向している。該磁性層１５に、情報が記録される。
該磁性層１５に用いられる材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ等）、Ｃｏ合金-ＳｉＯ２、Ｃｏ合金-ＴｉＯ２、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ等）等が用いられる。
【００７１】
前記保護層１６は、Ｃ（カーボン）等からなり、前記潤滑剤層１７は、ＰＦＰＥ等のフフッ素系潤滑剤等からなる。
【００７２】
なお、前記垂直磁気記録媒体１０は、前記基板１２の片面に磁性層１５が形成されているが、他の実施形態においては、該基板１２の表裏面に磁性層１５が形成されてもよい。
また、他の実施形態においては、軟磁性層１３、及び非磁性層１４が、複数層形成されてもよい。
【００７３】
〔磁気転写方法〕
以下、前記磁気転写用マスター担体を用いて、前記垂直磁気記録媒体に情報を磁気転写する方法を説明する。
該磁気転写方法は、前記磁気転写技術の概略において説明した通り、初期化工程、密着工程、及び磁気転写工程を有する。以下、図１等を用いて、一実施形態に係る磁気転写方法を説明する。
【００７４】
＜初期磁化工程＞
前記初期化工程は、垂直磁気記録媒体１０（スレーブディスク）に対し直流磁界（Ｈｉ）を印加して、該垂直磁気記録媒体１０を初期磁化する工程である。
図１（ａ）に示されるように、該初期磁化工程において、垂直磁気記録媒体１０に対し、直流磁界（Ｈｉ）が印加される。該直流磁界（初期化磁界）（Ｈｉ）は、垂直磁気記録媒体１０の表面に対し、垂直に印加される。該直流磁界（Ｈｉ）は、所定の磁界印加手段（不図示）により、印加される。該直流磁界（Ｈｉ）の強さは、垂直磁気記録媒体１０の保磁力Ｈｃ以上に設定される。
【００７５】
図８は、初期磁化後の垂直磁気記録媒体の磁性層の磁化方向を示す説明図である。図８において示されるように、初期磁化後の垂直磁気記録媒体１０の磁性層１５は、該垂直磁気記録媒体１０のディスク面と垂直な一方向に、初期磁化される。なお、図８における符号Ｐｉで示される矢印は、該磁性層の磁化方向を表す。
【００７６】
＜密着工程＞
前記密着工程は、初期磁化後の垂直磁気記録媒体１０に該磁気転写用マスター担体（
マスターディスク）２０を密着させる工程である。
図１（ｂ）に示されるように、初期磁化後の垂直磁気記録媒体１０と、磁気転写用マスター担体２０と重ね合わせ、密着させる。
該密着工程では、該磁気転写用マスター担体２０の表面の凸部２０１上の磁性層４０と、該垂直磁気記録媒体１０の磁性層（記録層）とが密着する。該磁気転写用マスター担体２０は、所定の押圧力で、該垂直磁気記録媒体１０に密着させる。
【００７７】
なお、必要に応じて、磁気転写用マスター担体２０を垂直磁気記録媒体１０に密着する前に、該垂直磁気記録媒体１０に、グライドヘッド、研磨体等によって表面の微小突起又は付着粉塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシング等）を施してもよい。
【００７８】
該密着工程は、図１（ｂ）に示されるように、本実施形態においては、垂直磁気記録媒体１０の片面のみに磁気転写用マスター担体２０を密着させているが、他の実施形態においては、両面に磁性層を有する垂直磁気記録媒体（スレーブディスク）に対し、両面から磁気転写用マスター担体２０を密着させてもよい。
【００７９】
なお、該密着工程では、外部より磁界が印加されていないため、磁気転写用マスター担体２０の磁性層４０においては、図４Ａにおいて示されるように、垂直磁気異方性層４１ａと垂直磁気異方性層４１ｂとの間に、反強磁性結合が発生している。そのため、該磁性層４０からの磁化の発生は、抑制される。
【００８０】
＜磁気転写工程＞
前記磁気転写工程は、互いに密着した垂直磁気記録媒体１０及び磁気転写用マスター担体２０に対し、前記初期磁界（Ｈｉ）と逆向きの磁界（Ｈｄ）である記録用磁界を印加することにより、該磁気転写用マスター担体２０に基づいた情報を、該垂直磁気記録媒体１０に記録する工程である。
図１（ｃ）に示されるように、互いに密着した垂直磁気記録媒体１０及び磁気転写用マスター担体２０に対し、所定の磁界印加手段（不図示）により、該初期磁界（Ｈｉ）と逆向きの磁界（Ｈｄ）を発生させる。
【００８１】
図９は、磁気転写工程における垂直磁気記録媒体１０及び磁気転写用マスター担体２０の断面の様子を示す説明図である。図９に示されるように、垂直磁気記録媒体１０及び磁気転写用マスター担体２０を密着させた状態で、記録用磁界（Ｈｄ）を印加すると、該磁界（Ｈｄ）により生じた磁束Ｇは、磁気転写用マスター担体２０に進入し、磁気転写用マスター担体２０の有する磁性層４０に吸収される。その結果、磁気転写用マスター担体２０の凸部２０１の領域で、磁界が強くなる。これに対し、磁気転写用マスター担体２０の凹部２０４の領域の磁界は、該凸部２０１の領域の磁界よりも弱くなる。このようにして、垂直磁気記録媒体１０に記録すべき情報に対応した磁界のパターンが形成される。
その結果、凸部２０１に対応する領域では、垂直磁気記録媒体１０の磁性層１５の磁化の向きが反転し、情報が記録される、なお、凹部２０４に対応する領域では、磁性層１５の磁化の向きは変化しない。
【００８２】
図１０は、磁気転写工程後の垂直磁気記録媒体の磁性層の磁化方向を示す説明図である。図１０において示されるように、垂直磁気記録媒体１０の磁性層１６には、サーボ信号等の情報が、初期磁化Ｐｉの反対向きの磁化となって記録磁化Ｐｄとして記録される。
【００８３】
前記記録用磁界（Ｈｄ）は、目的に応じて適宜選択されるが、一般に、垂直磁気記録媒体１０の磁性層１６の保磁力（Ｈｃ）の４０〜１３０％の強度の磁界が好ましく、５０〜１２０％が更に好ましい。
【００８４】
磁気転写工程において、前記記録用磁界（Ｈｄ）が印加されると、磁気転写用マスター担体２０の磁性層４０においては、図４Ｂに示されるように垂直磁気異方性層４１ａ及び垂直磁気異方性層４１ｂとの間における反強磁性的な結合は解消され、垂直磁気異方性層４１ａのスピン４５、及び垂直磁気異方性層４１ｂのスピン４６が、共に外部から印加された記録用磁界の方向を向く。
そのため、磁気転写工程において、磁気転写用マスター担体２０の磁性層４０は、それ自身、垂直磁気記録媒体の記録面（磁性層の表面）に対し、垂直な方向の磁化を有する。
【００８５】
図１１Ａは、本実施形態に係る磁気転写用マスター担体２０の磁性層４０のＭ−Ｈ曲線を模式的に示した説明図である。横軸は外部印加磁界（Ｈ）を表し、縦軸は磁化（Ｍ）を表す。
図１１Ａにおいて示されるように、該磁気転写用マスター担体２０の磁性層４０は、外部より磁界が印加されると、磁化が大きくなる。また、外部磁界をゼロにすると、該磁性層４０の磁化が最も小さくなる。この時、該磁気転写用マスター担体２０の磁性層４０であれば、残留磁化（Ｍｒ）を、０にすることも可能である。
【００８６】
図１１Ｂは、従来の磁気転写用マスター担体に用いられる磁性層のＭ−Ｈ曲線を模式的に示した説明図である。横軸は外部印加磁界（Ｈ）を表し、縦軸は磁化（Ｍ）を表す。
図１１Ｂにおいて示されるように、外部より磁界が印加されて、磁化が大きくなる従来の磁性層は、外部磁界がゼロであっても、磁化が大きく、残留磁化（Ｍｒ）を０にできない。
【００８７】
磁気転写用マスター担体２０を用いて垂直磁気記録媒体１０に情報を記録する際（磁気転写する際）、例えば、互いに密着した垂直磁気記録媒体１０及び磁気転写用マスター担体２０を、所定の回転手段（不図示）により回転させつつ、前記磁界印加手段によって記録用磁界（Ｈｄ）を印加してもよい。他の実施形態においては、該磁界印加手段に回転機構を儲け、垂直磁気記録媒体１０及び磁気転写用マスター担体２０に対し、相対的に回転させてもよい。
【００８８】
図１２は、磁気転写装置の概略を示す説明図である。該磁気転写装置は、コア６２にコイル６３が巻きつけられた電磁石からなる磁界印加手段６０を有する。該磁気転写装置は、このコイル６３に電流を流すと、ギャップ６４において、互いに密着した磁気転写用マスター担体２０及び垂直磁気記録媒体１０に対し、垂直に磁界が発生する構造になっている。発生させる磁界の向きは、コイル６３に流す電流の向きによって変えられる。従って、このような磁気転写装置によって、垂直磁気記録媒体１０の初期磁化、及び磁気転写を行なえる。
【００８９】
なお、前記磁気転写用マスター担体２０により記録された垂直磁気記録媒体は、例えば、ハードディスク装置等の磁気記録再生装置に組み込まれて、使用される。該垂直磁気記録媒体は、サーボ精度が高く、良好な記録再生特性の高記録密度磁気記録再生装置を得られる。
【００９０】
ここで、本発明の他の実施形態に係る磁気転写用マスター担体の概略を、図面を用いて説明する。図１３は、他の実施形態に係る磁気転写用マスター担体２０Ａの概略を示す説明図である。図１３に示されるように、該磁気転写用マスター担体２０Ａは、凸部２０１の先端面２０２に、磁性層４０を有し、その磁性層は、３層の垂直磁気異方性層４１（４１ａ、４１ｂ及び４１ｃ）と、２層の反強磁性結合誘導層４３（４３ａ及び４３ｂ）を有する。
反強磁性結合誘導層４３ａは、垂直磁気異方性層４１ａ及び４１ｂの間に介在し、反強磁性結合誘導層４３ｂは、垂直磁気異方性層４１ｂ及び４１ｃの間に介在している。
図１３は、外部磁界が印加されていない状態の磁性層を表している。
該反強磁性結合誘導層４３ａに隣接する垂直磁気異方性層４１ａと、垂直磁気異方性層４１ｂとの間には、反強磁性結合が形成されている。
また、反強磁性結合誘導層４３ｂに隣接する垂直磁気異方性層４１ｂと、垂直磁気異方性層４１ｃとの間にも、反強磁性結合が形成されている。
なお、該磁気転写用マスター担体２０Ａに外部磁界（例えば、記録用磁界）が印加されると、何れの垂直磁気異方性層４１の電子スピンも、外部磁界の印加方向に沿って向こうとする。
このように、本発明の磁気転写用マスター担体は、磁性層４０の垂直磁気異方性層４１が３層以上であってもよい。
【実施例】
【００９１】
以下、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は以下に示される実施例に限定されるものではない。
【００９２】
〔実施例１〕
〔磁気転写用マスター担体１〕
（原盤の作製）
【００９３】
８インチのＳｉウェハ（原板）上に、電子線レジストをスピンコート法により、１００ｎｍの厚みで塗布した。塗布後、該原板上の該レジストに対し、回転式電子線露光装置を用いて、サーボ情報等に対応させて変調した電子ビームを照射し、該レジストを露光した。その後、該レジストを現像し、未露光部分を除去して、該原板上に該レジストのパターンを形成した。
【００９４】
次いで、パターン状の該レジストをマスクとして用い、該原板に対して反応性エッチング処理を行い、該レジストでマスクされていない箇所を掘り下げた。該エッチング処理後、該原板上に残存するレジストを溶剤で洗浄し、除去した。その後、該原板を乾燥させて、磁気転写用マスター担体を作製するための原盤を得た。
【００９５】
（磁気転写用マスター担体の作製）
前記原盤上に、Ｎｉからなる導電層（厚み：６ｎｍ）をスパッタリング法により、形成した。その後、該導電層を形成した原盤を母型として用い、電鋳法により、該原盤上に、Ｎｉ層を形成した。その後、Ｎｉ層を原盤から引き剥がし、該Ｎｉ層を洗浄等して、表面に凸部を配設したＮｉ基材を得た。
【００９６】
次いで、前記Ｎｉ基材を、所定のチャンバー内にセットし、該Ｎｉ基材の凸部に、下地層としてのＴａ膜（厚み：１０ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝３００Ｗ。
前記のように下地層を形成した後、垂直磁気異方性層（磁性層１）としてのＣｏＰｔ膜（Ｃｏ８０＿Ｐｔ２０ａｔ％）（厚み：１０ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝１，０００Ｗ。
【００９７】
前記のように垂直磁気異方性層を形成した後、該垂直磁気異方性層（磁性層１）の上に、反強磁性結合誘導層としてのＲｕ膜（厚み：０．７ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝１００Ｗ。
【００９８】
前記のように反強磁性結合誘導層を形成した後、該反強磁性結合誘導層の上に、垂直磁気異方性層（磁性層２）としてのＣｏＰｔ膜（Ｃｏ８０＿Ｐｔ２０ａｔ％）（厚み：１０ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝１，０００Ｗ。
【００９９】
以上のようにして、磁気転写用マスター担体１を作製した。
【０１００】
〔垂直磁気記録媒体〕
２．５インチのガラス基板上に、以下に示す手順で各層を形成し、垂直磁気記録媒体を作製した。
作製した垂直磁気記録媒体は、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層、保護層、及び潤滑剤層が順次形成されている。
なお、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層、及び保護層は、スパッタリング法で形成し、潤滑剤層は、ディップ法で形成した。
【０１０１】
（軟磁性層の形成）
前記軟磁性層として、ＣｏＺｒＮｂ膜を、１００ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記ガラス基板を、ＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて配置し、圧力が０．６ＰａとなるようにＡｒガスを流入させ、ＤＣパワー：１，５００Ｗで放電して、成膜した。
【０１０２】
（第１の非磁性配向層の形成）
前記第１の非磁性配向層として、Ｔｉ膜を、５ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記軟磁性層を形成した後のガラス基板を、Ｔｉターゲットと対向させて配置し、圧力が０．５ＰａとなるようにＡｒガスを流入させ、ＤＣパワー：１，０００Ｗで放電して、成膜した。
【０１０３】
（第２の非磁性配向層の形成）
前記第２の非磁性配向層として、Ｒｕ膜を、６ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記第１の非磁性配向層を形成した後のガラス基板を、Ｒｕターゲットと対向させて配置し、圧力が０．８ＰａとなるようにＡｒガスを流入させ、ＤＣパワー：９００Ｗで放電して、成膜した。
【０１０４】
（磁性層の形成）
前記磁性層として、ＣｏＣｒＰｔＯ膜を、１８ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記第２の非磁性配向層を形成した後のガラス基板を、ＣｏＣｒＰｔＯターゲットと対向させて配置し、圧力が１４ＰａとなるようにＯ２を０．０６％含むＡｒガスを流入させ、ＤＣパワー：２９０Ｗで放電して、成膜した。
【０１０５】
（保護層の形成）
前記保護層として、Ｃ膜を、４ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記磁性層を形成した後のガラス基板を、Ｃターゲットと対向させて配置し、圧力が０．５ＰａとなるようにＡｒガスを流入させ、ＤＣパワー：１，０００Ｗで放電して、成膜した。
【０１０６】
（潤滑剤層の形成）
前記潤滑剤層として、ＰＦＰＥ潤滑剤からなる層を、２ｎｍの厚みで形成した。
【０１０７】
前記垂直磁気記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）であった。
【０１０８】
〔磁気転写〕
（初期磁化工程）
前記垂直磁気記録媒体に磁界を印加して、該垂直磁気記録媒体の初期磁化を行なった。印加した磁界の強度は、１０ｋＯｅである。
【０１０９】
（密着工程）
初期磁化後の垂直磁気記録媒体に対し、前記磁気転写用マスター担体を、９ｋｇ／ｃｍ２の圧力で密着させた。
【０１１０】
（磁気転写工程）
前記垂直磁気記録媒体と、前記磁気転写用マスター担体とを密着させた状態で、記録磁界を印加した。該記録磁界の強度は、４．２ｋＯｅである。
その後、該記録磁界の印加を停止し、該磁気転写用マスター担体を、該垂直磁気記録媒体から分離した。
【０１１１】
〔比較例１〕
（磁気転写用マスター担体１０１）
反強磁性結合誘導層を形成しなかったこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体１０１を作製した。該磁気転写用マスター担体１０１を用いて、前記実施例１と同様にして、前記垂直磁気記録媒体に対し、磁気転写を行なった。
【０１１２】
〔評価１〕
（磁気転写用マスター担体１の残留磁化）
記録磁界の印加を停止した後、垂直磁気記録媒体から分離した磁気転写用マスター担体１の磁性層の残留磁化（Ｍｒ）を評価した。
なお、残留磁化（Ｍｒ）の測定は、振動試料型磁力計（東英工業社製、ＶＳＭ−Ｃ７）を使用した。磁気転写用マスター担体の磁性層の構成と、同じ構成の試料を作製し、その試料より得られたＭ−Ｈカーブから、外部印加磁界がゼロの時の磁化を読み取った。
結果は、表１に示した。
【０１１３】
〔評価２〕
（垂直磁気記録媒体の転写信号Ｓ／Ｎ）
前記磁気転写用マスター担体１０１用いて磁気転写された垂直磁気記録媒体の信号Ｓ／Ｎの評価を行った。
具体的には、前記比較例１の磁気転写用マスター担体１０１を用いて磁気転写された、ビット長＝１００ｎｍに相当する連続単一信号（１５０波形分）をデジタルオシロスコープで読み取り、波形解析により算出した、垂直磁気記録媒体の信号Ｓ／Ｎを基準値とし、該基準値に対する増減値を求めた。
結果は、表１に示した。
【０１１４】
〔実施例２〕
（磁気転写用マスター担体２）
反強磁性結合誘導層の厚みを１ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２を作製した。
該磁気転写用マスター担体２を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価、及び転写信号Ｓ／Ｎの評価を行った。結果は表１に示した。
【０１１５】
〔実施例３〕
（磁気転写用マスター担体３）
反強磁性結合誘導層の厚みを２ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３を作製した。
該磁気転写用マスター担体３を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価、及び転写信号Ｓ／Ｎの評価を行った。結果は表１に示した。
【０１１６】
〔実施例４〕
（磁気転写用マスター担体４）
反強磁性結合誘導層の厚みを４ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体４を作製した。
該磁気転写用マスター担体４を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体４に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価、及び転写信号Ｓ／Ｎの評価を行った。結果は表１に示した。
【０１１７】
〔実施例５〕
（磁気転写用マスター担体５）
２層の垂直磁気異方性層のうち、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを５ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体５を作製した。
該磁気転写用マスター担体５を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体５に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価を行った。結果は表２に示した。
【０１１８】
〔実施例６〕
（磁気転写用マスター担体６）
２層の垂直磁気異方性層のうち、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを２０ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体６を作製した。
該磁気転写用マスター担体６を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体６に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価を行った。結果は表２に示した。
【０１１９】
〔実施例７〕
（磁気転写用マスター担体７）
２層の垂直磁気異方性層のうち、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを４０ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体７を作製した。
該磁気転写用マスター担体７を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体７に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価を行った。結果は表２に示した。
【０１２０】
〔実施例８〕
（磁気転写用マスター担体８）
２層の垂直磁気異方性層のうち、最初に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを４０ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体８を作製した。
該磁気転写用マスター担体８を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体８に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価を行った。結果は表２に示した。
【０１２１】
〔実施例９〕
（磁気転写用マスター担体９）
２層の垂直磁気異方性層のうち、最初に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを２０ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体９を作製した。
該磁気転写用マスター担体９を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体９に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価を行った。結果は表２に示した。
【０１２２】
〔実施例１０〕
（磁気転写用マスター担体１０）
２層の垂直磁気異方性層のうち、最初に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体１０を作製した。
該磁気転写用マスター担体１０を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１０に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価を行った。結果は表２に示した。
【０１２３】
【表１】
【０１２４】
【表２】
【０１２５】
〔実施例１１〕
（磁気転写用マスター担体１１）
実施例１と同様にして、Ｎｉ基材を作製した。
次いで、前記Ｎｉ基材を、所定のチャンバー内にセットし、該Ｎｉ基材の凸部に、下地層としてのＴａ膜（厚み：１０ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝３００Ｗ。
前記のように下地層を形成した後、垂直磁気異方性層（磁性層１）としてのＣｏＰｔ膜（Ｃｏ８０＿Ｐｔ２０ａｔ％）（厚み：１０ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝１，０００Ｗ。
【０１２６】
前記のように垂直磁気異方性層（磁性層１）を形成した後、該垂直磁気異方性層の上に、反強磁性結合誘導層（誘導層１）としてのＲｕ膜（厚み：０．７ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝１００Ｗ。
【０１２７】
前記のように反強磁性結合誘導層（誘導層１）を形成した後、該反強磁性結合誘導層の上に、垂直磁気異方性層（磁性層２）としてのＣｏＰｔ膜（Ｃｏ８０＿Ｐｔ２０ａｔ％）（厚み：１０ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝１，０００Ｗ。
【０１２８】
前記のように垂直磁気異方性層（磁性層２）を形成した後、該垂直磁気異方性層の上に、反強磁性結合誘導層（誘導層２）としてのＲｕ膜（厚み：０．７ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝１００Ｗ。
【０１２９】
前記のように反強磁性結合誘導層（誘導層２）を形成した後、該反強磁性結合誘導層の上に、垂直磁気異方性層（磁性層３）としてのＣｏＰｔ膜（Ｃｏ８０＿Ｐｔ２０ａｔ％）（厚み：１０ｎｍ）を、スパッタリング法により、形成した。成膜条件は、以下の通りである。
＜成膜条件＞
成膜圧力＝０．３Ｐａ、Ｎｉ基材−ターゲット間距離＝２００ｍｍ、ＤＣパワー＝１，０００Ｗ。
【０１３０】
以上のようにして、磁気転写用マスター担体１１を作製した。
【０１３１】
該磁気転写用マスター担体１１を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１１に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価を行った。結果は表３に示した。
【０１３２】
〔実施例１２〕
（磁気転写用マスター担体１２）
実施例１１において、３層の垂直磁気異方性層うち、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを２０ｎｍに代えたこと以外は、実施例１１と同様にして、磁気転写用マスター担体１２を作製した。
該磁気転写用マスター担体１２を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１２に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価を行った。結果は表３に示した。
【０１３３】
【表３】
【０１３４】
〔実施例１３〕
（磁気転写用マスター担体１３）
前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体１３を作製した。
該磁気転写用マスター担体１３を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１３に関し、前記実施例１と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価を行った。
また、下記の方法により、垂直磁気異方性層の残留磁化を評価し、下記の基準により総合評価を実施した。
結果は表４に示した。
【０１３５】
〔評価３〕
（垂直磁気異方性層の残留磁化）
記録磁界の印加を停止した後、垂直磁気記録媒体から分離した垂直磁気異方性層の磁性層の残留磁化（Ｍｒｕ、Ｍｒｌ）を評価した。
なお、残留磁化（Ｍｒｕ、Ｍｒｌ）の測定は、振動試料型磁力計（東英工業社製、ＶＳＭ−Ｃ７）を使用した。磁気転写用マスター担体の磁性層の構成と、同じ構成の試料を作製し、その試料より得られたＭ−Ｈカーブから、外部印加磁界がゼロの時の磁化を読み取った。
結果は、表４に示した。
【０１３６】
（総合評価）
◎：Ｓ／Ｎが＋０．７ｄＢ以上で、且つ残留磁化Ｍｒが６０ｅｍｕ／ｃｃ未満
○：Ｓ／Ｎが＋０．１ｄＢ以上
△：Ｓ／Ｎが±０．１ｄＢ未満のもの
×：Ｓ／Ｎが±０．１ｄＢ未満のもので、且つ残留磁化Ｍｒが２００ｅｍｕ／ｃｃ以上
【０１３７】
〔実施例１４〕
（磁気転写用マスター担体１４）
反強磁性結合誘導層の厚みを０．５ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体１４を作製した。
該磁気転写用マスター担体１４を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１４に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表４に示した。
【０１３８】
〔実施例１５〕
（磁気転写用マスター担体１５）
反強磁性結合誘導層の厚みを０．６ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体１５を作製した。
該磁気転写用マスター担体１５を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１５に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表４に示した。
【０１３９】
〔実施例１６〕
（磁気転写用マスター担体１６）
反強磁性結合誘導層の厚みを０．８ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体１６を作製した。
該磁気転写用マスター担体１６を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１６に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表４に示した。
【０１４０】
〔実施例１７〕
（磁気転写用マスター担体１７）
反強磁性結合誘導層の厚みを０．９ｎｍに代えたこと以外は、前記実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体１７を作製した。
該磁気転写用マスター担体１７を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１７に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表４に示した。
【０１４１】
〔実施例１８〕
（磁気転写用マスター担体１８）
前記実施例２と同様にして、磁気転写用マスター担体１８を作製した。
該磁気転写用マスター担体１８を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１８に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表４に示した。
【０１４２】
〔実施例１９〕
（磁気転写用マスター担体１９）
前記実施例３と同様にして、磁気転写用マスター担体１９を作製した。
該磁気転写用マスター担体１９を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１９に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表４に示した。
【０１４３】
〔実施例２０〕
（磁気転写用マスター担体２０）
前記実施例４と同様にして、磁気転写用マスター担体２０を作製した。
該磁気転写用マスター担体２０を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２０に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表４に示した。
【０１４４】
〔比較例２〕
（磁気転写用マスター担体１０２）
前記比較例１と同様にして、磁気転写用マスター担体１０２を作製した。
該磁気転写用マスター担体１０２を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体１０２に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表４に示した。
【０１４５】
【表４】
【０１４６】
〔実施例２１〕
（磁気転写用マスター担体２１）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２１を作製した。
該磁気転写用マスター担体２１を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２１に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１４７】
〔実施例２２〕
（磁気転写用マスター担体２２）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２２を作製した。
該磁気転写用マスター担体２２を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２２に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１４８】
〔実施例２３〕
（磁気転写用マスター担体２３）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２３を作製した。
該磁気転写用マスター担体２３を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２３に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１４９】
〔実施例２４〕
（磁気転写用マスター担体２４）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２４を作製した。
該磁気転写用マスター担体２４を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２４に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１５０】
〔実施例２５〕
（磁気転写用マスター担体２５）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２５を作製した。
該磁気転写用マスター担体２５を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２５に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１５１】
〔実施例２６〕
（磁気転写用マスター担体２６）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２６を作製した。
該磁気転写用マスター担体２６を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２６に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１５２】
〔実施例２７〕
（磁気転写用マスター担体２７）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２７を作製した。
該磁気転写用マスター担体２７を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２７に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１５３】
〔実施例２８〕
（磁気転写用マスター担体２８）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２８を作製した。
該磁気転写用マスター担体２８を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２８に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１５４】
〔実施例２９〕
（磁気転写用マスター担体２９）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体２９を作製した。
該磁気転写用マスター担体２９を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体２９に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１５５】
〔実施例３０〕
（磁気転写用マスター担体３０）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の厚みを５ｎｍに変え、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の厚みを１５ｎｍに変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３０を作製した。
該磁気転写用マスター担体３０を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３０に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表５に示した。
【０１５６】
【表５】
【０１５７】
〔実施例３１〕
（磁気転写用マスター担体３１）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の材質をＣｏＰｔ膜（Ｃｏ７０＿Ｐｔ３０ａｔ％）に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３１を作製した。
該磁気転写用マスター担体３１を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３１に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表６に示した。
【０１５８】
〔実施例３２〕
（磁気転写用マスター担体３２）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の材質をＣｏＰｔ膜（Ｃｏ７４＿Ｐｔ２６ａｔ％）に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３２を作製した。
該磁気転写用マスター担体３２を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３２に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表６に示した。
【０１５９】
〔実施例３３〕
（磁気転写用マスター担体３３）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の材質をＣｏＰｔ膜（Ｃｏ７６＿Ｐｔ２４ａｔ％）に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３３を作製した。
該磁気転写用マスター担体３３を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３３に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表６に示した。
【０１６０】
〔実施例３４〕
（磁気転写用マスター担体３４）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、２番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層２）の材質をＣｏＰｔ膜（Ｃｏ７８＿Ｐｔ２２ａｔ％）に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３４を作製した。
該磁気転写用マスター担体３４を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３４に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表６に示した。
【０１６１】
〔実施例３５〕
（磁気転写用マスター担体３５）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の材質をＣｏＰｔ膜（Ｃｏ７８＿Ｐｔ２２ａｔ％）に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３５を作製した。
該磁気転写用マスター担体３５を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３５に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表６に示した。
【０１６２】
〔実施例３６〕
（磁気転写用マスター担体３６）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の材質をＣｏＰｔ膜（Ｃｏ７６＿Ｐｔ２４ａｔ％）に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３６を作製した。
該磁気転写用マスター担体３６を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３６に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表６に示した。
【０１６３】
〔実施例３７〕
（磁気転写用マスター担体３７）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の材質をＣｏＰｔ膜（Ｃｏ７４＿Ｐｔ２６ａｔ％）に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３７を作製した。
該磁気転写用マスター担体３７を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３７に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表６に示した。
【０１６４】
〔実施例３８〕
（磁気転写用マスター担体３８）
実施例１において、２層の垂直磁気異方性層うち、１番目に形成した垂直磁気異方性層（磁性層１）の材質をＣｏＰｔ膜（Ｃｏ７０＿Ｐｔ３０ａｔ％）に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、磁気転写用マスター担体３８を作製した。
該磁気転写用マスター担体３８を用いて、前記実施例１と同様にして、磁気転写を行なった。
更に、該磁気転写用マスター担体３８に関し、前記実施例１３と同様にして、残留磁化の評価、転写信号Ｓ／Ｎの評価、総合評価を行った。結果は表６に示した。
【０１６５】
【表６】
【図面の簡単な説明】
【０１６６】
【図１】図１は、磁気転写方法の概略を示す説明図である。
【図２】図２は、磁気転写用マスター担体の断面の概略を示す説明図である。
【図３】図３は、磁気転写用マスター担体の上面の説明図である。
【図４Ａ】図４Ａは、磁界が印加されていない状態の磁性層の概略を示す説明図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、磁界が印加された状態の磁性層の概略を示す説明図である。
【図５】図５は、磁気転写用マスター担体の製造に用いられる原盤の製造工程を示す説明図である。
【図６】図６は、磁気転写用マスター担体の製造工程を示す説明図である。
【図７】図７は、垂直磁気記録媒体の断面の概略を示す説明図である。
【図８】図８は、初期磁化後の垂直磁気記録媒体の磁性層の磁化方向を示す説明図である。
【図９】図９は、磁気転写における垂直磁気記録媒体及び磁気転写用マスター担体の断面の様子を示す説明図である。
【図１０】図１０は、磁気転写後の垂直磁気記録媒体の磁性層の磁化方向を示す説明図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、磁気転写用マスター担体の磁性層のＭ−Ｈ曲線を模式的に示した説明図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、従来の磁気転写用マスター担体の磁性層のＭ−Ｈ曲線を模式的に示した説明図である。
【図１２】図１２は、磁気転写装置の概略を示す説明図である。
【図１３】図１３は、本発明の他の実施形態に係る磁気転写用マスター担体の磁性層の概略を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１６７】
１０ 垂直磁気記録媒体（スレーブディスク）
２０、２０Ａ 磁気転写用マスター担体（マスターディスク）
２００ 基材
２０１ 凸部
２０２ 先端面
２０３ 側面
２０４ 凹部
４０ 磁性層
４１、４１ａ、４１ｂ、４１ｃ 垂直磁気異方性層
４３、４３ａ、４３ｂ 反強磁性結合誘導層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直磁気記録媒体に記録すべき情報のパターンに対応して配設される凸部を表面に有する基材と、
前記凸部の先端面に少なくとも形成される磁性層と、を備え、
磁界が印加されると、前記磁性層が磁束を吸収して、磁界のパターンを形成する磁気転写用マスター担体であって、
該磁性層は、少なくとも２層の垂直磁気異方性層と、これらの垂直磁気異方性層の全ての間に介在され、隣接する２層の垂直磁気異方性層の間の反強磁性結合を誘導する反強磁性結合誘導層と、を有することを特徴とする磁気転写用マスター担体。
【請求項２】
反強磁性結合誘導層に隣接する２層の垂直磁気異方性層のうち、凸部側に配置する一方の垂直磁気異方性層の残留磁化Ｍｒｕと厚みｔｕとの積Ｍｒｕｔｕと、他方の垂直磁気異方性層の残留磁化Ｍｒｌと厚みｔｌとの積Ｍｒｌｔｌとの比（Ｍｒｕｔｕ／Ｍｒｌｔｌ）が、０．５〜２である請求項１に記載の磁気転写用マスター担体。
【請求項３】
２層の垂直磁気異方性層が同一の残留磁化を有し、
反強磁性結合誘導層に隣接する２層の垂直磁気異方性層のうち、凸部側に配置する一方の垂直磁気異方性層の厚みｗａと、他方の垂直磁気異方性層の厚みｗｂとの比（ｗｂ／ｗａ）が、２〜０．２である請求項１から２のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体。
【請求項４】
反強磁性結合誘導層に隣接する２層の垂直磁気異方性層のうち、凸部側に配置する一方の垂直磁気異方性層の厚みｗａと、他方の垂直磁気異方性層の厚みｗｂとの比（ｗｂ／ｗａ）が、２〜０．５である請求項３に記載の磁気転写用マスター担体。
【請求項５】
磁界を印加して、垂直磁気記録媒体を初期磁化する初期磁化工程と、
初期磁化された垂直磁気記録媒体に、請求項１から４のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体を密着させる密着工程と、
該垂直磁気記録媒体と該磁気転写用マスター担体とを密着させた状態で、初期磁化工程において印加した磁界と逆向きの磁界を印加して、該垂直磁気記録媒体に情報を記録する磁気転写工程と、を有することを特徴とする磁気転写方法。
【請求項１】
垂直磁気記録媒体に記録すべき情報のパターンに対応して配設される凸部を表面に有する基材と、
前記凸部の先端面に少なくとも形成される磁性層と、を備え、
磁界が印加されると、前記磁性層が磁束を吸収して、磁界のパターンを形成する磁気転写用マスター担体であって、
該磁性層は、少なくとも２層の垂直磁気異方性層と、これらの垂直磁気異方性層の全ての間に介在され、隣接する２層の垂直磁気異方性層の間の反強磁性結合を誘導する反強磁性結合誘導層と、を有することを特徴とする磁気転写用マスター担体。
【請求項２】
反強磁性結合誘導層に隣接する２層の垂直磁気異方性層のうち、凸部側に配置する一方の垂直磁気異方性層の残留磁化Ｍｒｕと厚みｔｕとの積Ｍｒｕｔｕと、他方の垂直磁気異方性層の残留磁化Ｍｒｌと厚みｔｌとの積Ｍｒｌｔｌとの比（Ｍｒｕｔｕ／Ｍｒｌｔｌ）が、０．５〜２である請求項１に記載の磁気転写用マスター担体。
【請求項３】
２層の垂直磁気異方性層が同一の残留磁化を有し、
反強磁性結合誘導層に隣接する２層の垂直磁気異方性層のうち、凸部側に配置する一方の垂直磁気異方性層の厚みｗａと、他方の垂直磁気異方性層の厚みｗｂとの比（ｗｂ／ｗａ）が、２〜０．２である請求項１から２のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体。
【請求項４】
反強磁性結合誘導層に隣接する２層の垂直磁気異方性層のうち、凸部側に配置する一方の垂直磁気異方性層の厚みｗａと、他方の垂直磁気異方性層の厚みｗｂとの比（ｗｂ／ｗａ）が、２〜０．５である請求項３に記載の磁気転写用マスター担体。
【請求項５】
磁界を印加して、垂直磁気記録媒体を初期磁化する初期磁化工程と、
初期磁化された垂直磁気記録媒体に、請求項１から４のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体を密着させる密着工程と、
該垂直磁気記録媒体と該磁気転写用マスター担体とを密着させた状態で、初期磁化工程において印加した磁界と逆向きの磁界を印加して、該垂直磁気記録媒体に情報を記録する磁気転写工程と、を有することを特徴とする磁気転写方法。
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１２】
【図１３】
【図１１Ｂ】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００９−２５９３７２（Ｐ２００９−２５９３７２Ａ）
【公開日】平成２１年１１月５日（２００９．１１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２５５０７５（Ｐ２００８−２５５０７５）
【出願日】平成２０年９月３０日（２００８．９．３０）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【公開日】平成２１年１１月５日（２００９．１１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年９月３０日（２００８．９．３０）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
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