説明

縦型焼成炉

【目的】高温焼成室内で排ガス処理を行い得る構成の縦型焼成炉を提供する。
【構成】炉体1の上下位置に配置されて連続した高温焼成室2及び低温脱脂室3と、仕切り板4を介して高温焼成室2を囲むヒータ室5と、低温脱脂室3内に装入され、かつ、低温脱脂室3及び高温焼成室2間を移動動作する移動部材7とを備えた縦型焼成炉であって、仕切り板4には高温焼成室2とヒータ室5とを連通させる通気路20が設けられており、高温焼成室2には焼成用ガスG1及び焼却用ガスG3を切り換えて供給する第1ガス供給配管21が遮断弁22を介して接続され、ヒータ室5には脱脂用ガスG2を排出する第1ガス排出配管23が遮断弁24を介して接続されていると共に、低温脱脂室3には脱脂用ガスG2を供給する第2ガス供給配管25と焼成用ガスG1を排出する第2ガス排出配管26とが遮断弁27,28を介して接続されている。

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック素体などの被処理物を焼成する際に用いられる縦型焼成炉に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、積層コンデンサなどのような電子部品を製造するに際しては、バッチ式やトンネル式といわれる焼成炉(いずれについても図示省略している)を用いて被処理物であるセラミック素体の焼成作業を行うのが一般的となっている。ところが、バッチ式焼成炉にはきめ細かな温度制御及び雰囲気制御を行えるという利点があるにも拘わらず、焼成作業の度ごとに昇温・降温操作を行う必要があるため、エネルギーの浪費を招きやすくて生産効率の向上を図りにくいという欠点がある。また、トンネル式焼成炉には省エネルギー化及び生産効率の向上を図りやすいという利点がある反面、炉体の入口及び出口が開放されているのが普通であるため、炉内雰囲気の制御が行いにくいという欠点がある。さらにまた、いずれの焼成炉においても、常温状態で投入されたセラミック素体を短時間のうちに高温状態まで昇温するには無理があり、被処理物の急速加熱を実現するのは困難なのが実情であった。
【0003】そこで、本願発明の出願人は、これらの不都合を解消すべく、焼成作業に要する時間及びエネルギーの無駄を省くことができ、しかも、セラミック素体の急速な焼成作業を実現して生産効率の向上を図ることが可能な縦型焼成炉を、特願平4−154977号などの先行出願によって提案している。
【0004】この提案に係る縦型焼成炉は、図5で示すように、所要厚みの断熱材料からなる炉体1内の上下位置それぞれに配置されて互いに連続した高温焼成室2及び低温脱脂室3と、仕切り板4を介して高温焼成室2を囲むヒータ室5とを備えたものであり、このヒータ室5内には高温焼成室2を1000℃以上の高温状態まで加熱するためのヒータ6が配設されている。また、この縦型焼成炉は垂直棒状の移動部材7、すなわち、炉体1の下側に形成された開口部から上向きとして低温脱脂室3内に装入されたうえで低温脱脂室3及び上側に位置する高温焼成室2間を移動動作する移動部材7を具備しており、この移動部材7の上端部には被処理物としてのセラミック素体(図示していない)を載置するための載置台8が取り付けられている。
【0005】さらに、炉体1内に配置された高温焼成室2の上部には、セラミック素体の焼成を行う際に必要な焼成用ガスG1を供給する焼成用ガス供給配管9と、高温焼成室2内において使用済みとなった排ガスを炉外に引き出すためのガス排出配管10とが接続される一方、低温脱脂室3の側部には、セラミック素体の脱脂を行う際に必要となる脱脂用ガスG2を供給する脱脂用ガス供給配管11が接続されている。そして、これら配管9〜11の途中部には、開閉操作される遮断弁12〜14がそれぞれ介装されている。なお、ここで、図中の符号15は移動部材7を上下方向に沿って移動動作させるための駆動装置であり、16は低温脱脂室3の開口部を開放もしくは閉塞するために設けられた開閉扉を示している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、セラミック素体の焼成作業においては、有機バインダなどを含むセラミック原料からなるセラミック素体の脱脂、すなわち、セラミック素体を低温状態下で加熱することによって有機バインダなどを除去した後、脱脂済みとなったセラミック素体を高温状態下でさらに加熱して本焼成することが行われる。
【0007】そこで、前記従来構成の縦型焼成炉においては、まず、焼成すべきセラミック素体を移動部材7の載置台8上に載置したうえで低温脱脂室3内における所定位置まで移動部材7を上昇させた後、焼成用ガス供給配管9中の遮断弁12を閉操作したうえ、脱脂用ガス供給配管11を通じて低温脱脂室3内に脱脂用ガスG2を供給しながらセラミック素体を加熱して脱脂する。そして、脱脂済みとなったセラミック素体は再度の移動部材7の上昇に伴って高温焼成室2内の所定位置まで移動動作させられた後、脱脂用ガス供給配管11中の遮断弁14を閉操作したうえ、焼成用ガス供給配管9を通じて焼成用ガスG1が供給される高温焼成室2内において本焼成される。なお、この本焼成及び脱脂いずれの際においても、使用済みとなった焼成用ガスG1及び脱脂用ガスG2は高温焼成室2からガス排出配管10を通ったうえで炉外へと排出されてしまう。
【0008】一方、セラミック素体の脱脂時には、加熱されたセラミック素体から酢酸やアセトアルデヒドなどを含む臭気性ガスが発生することになり、脱脂時の発生ガスである臭気性ガスは使用済みの脱脂用ガスG2とともに高温焼成室2内に流入したうえでガス排出配管10を通って炉外へと排出されることになる。ところが、このような臭気性ガスをそのままの状態で大気中に放散したのでは環境汚染などの不都合を招くことが起こるため、予めガス排出配管10の途中部に排ガス処理装置17を設置しておき、この排ガス処理装置17での燃焼などによって臭気性ガスを無害化する必要がある。しかしながら、この種の排ガス処理装置17をわざわざ設置するのでは、設備コストが増大するのは勿論のこと、縦型焼成炉の全体構造の複雑化を招くことになってしまう。
【0009】本発明は、これらの不都合に鑑みて創案されたものであって、臭気性ガスを無害化するための排ガス処理装置を設置する必要がなく、自らの高温焼成室内において臭気性ガスの無害化処理、すなわち、脱脂時における被処理物からの発生ガスを燃焼させて無害化し得る構成とされた縦型焼成炉の提供を目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に係る縦型焼成炉は、このような目的を達成するために、炉体内の上下位置それぞれに配置されて互いに連続した高温焼成室及び低温脱脂室と、仕切り板を介して高温焼成室を囲むヒータ室と、被処理物を載置したうえで下側に位置する低温脱脂室内に装入され、かつ、この低温脱脂室及び上側に位置する高温焼成室間を移動動作する移動部材とを備えたものであって、仕切り板の下側には高温焼成室とヒータ室とを連通させる通気路が設けられており、高温焼成室には被処理物の焼成用ガス及び脱脂時における被処理物からの発生ガスを燃焼させる焼却用ガスを切り換えて供給する第1ガス供給配管が遮断弁を介して接続され、ヒータ室には低温脱脂室内に供給されて使用済みとなった脱脂用ガスを排出する第1ガス排出配管が遮断弁を介して接続されていると共に、低温脱脂室には、被処理物の脱脂用ガスを供給する第2ガス供給配管と、高温焼成室内に供給されて使用済みとなった焼成用ガスを排出する第2ガス排出配管とが遮断弁を介して接続されている。なお、この際、第1ガス供給配管と第1ガス排出配管とは、互いに接触した状態で並列配置されていることが好ましい。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【0012】図1は本実施例に係る縦型焼成炉の脱脂時における概略構造を示す断面図、図2はその焼成時における概略構造を示す断面図であり、図3及び図4のそれぞれは第1及び第2の変形例に係る縦型焼成炉の概略構造を示す断面図である。なお、これら縦型焼成炉の全体構成は従来例と基本的に異ならないので、図1ないし図4R>4において図5と互いに同一もしくは相当する部品、部分には同一符号を付している。
【0013】本実施例に係る縦型焼成炉は、図1及び図2R>2で示すように、炉体1内の上下位置それぞれに配置されて互いに連続した高温焼成室2及び低温脱脂室3と、所定厚みの耐熱金属などからなる仕切り板4を介して高温焼成室2を囲むヒータ室5とを備えたものであり、このヒータ室5内には高温焼成室2を1000℃以上の高温状態まで加熱して所要の温度勾配を実現するためのヒータ6が上下方向に沿うようにして配設されている。そこで、この高温焼成室2と連続する低温脱脂室3は炉体1を介しての伝導熱と高温焼成室2からの放射熱とによって加熱され、その内部温度は高温焼成室2側ほど高温となった温度勾配を示すことになる。そして、高温焼成室2とヒータ室5との間に介装された仕切り板4の下側、すなわち、その低温脱脂室3寄りとなる位置には隙間状の通気路20が連続あるいは断続した状態で設けられており、高温焼成室2及びヒータ室5の双方は通気路20を通じて連通させられている。
【0014】また、この縦型焼成炉は、セラミック素体を載置したうえで下側に位置する低温脱脂室3内に装入され、かつ、この低温脱脂室3及び上側に位置する高温焼成室2間を移動動作する垂直棒状の移動部材7を備えている。そして、この移動部材7の上端部にはセラミック素体を載置するための載置台8が設けられる一方、その下端部は移動部材7全体を上下方向に沿って移動動作させるシリンダ機構などからなる駆動装置15に連結されている。さらに、この載置台8上にはセラミック素体付近の温度を検出する熱電対などの温度センサ(図示していない)が配設されており、この温度センサによる温度情報は炉外に設置されたマイクロ・コンピュータなどの制御手段(図示していない)に対して伝達されるようになっている。すなわち、この制御手段は温度センサからの出力信号に基づいて駆動装置15の動作を制御し、駆動装置15を介して移動部材7の移動速度や停止位置などを制御することになる。なお、図中の符号16は低温脱脂室3の開口部を開放もしくは閉塞するための開閉扉であり、この開閉扉16は空気圧シリンダなどの駆動機構(図示していない)を用い操作されるようになっている。
【0015】一方、この高温焼成室2の上部における所定位置、例えば、炉体1の中心軸上には、セラミック素体の焼成を行う際に必要な焼成用ガスG1と、脱脂時におけるセラミック素体からの発生ガス、すなわち、酢酸やアセトアルデヒドなどを含んで発生した臭気性ガスを燃焼させる際に必要となる焼却用ガスG3とを切り換えて供給する第1ガス供給配管21が垂直方向に沿うようにして炉体1を貫通したうえで接続されており、この第1ガス供給配管21の途中部には開閉操作される遮断弁22が介装されている。すなわち、図示していないが、この第1ガス供給配管21には、焼成用ガス供給配管及び焼却用ガス供給配管の各々が流路切換弁を介装したうえで共通に接続されている。なお、焼却用ガスG3としては、酸素分が富裕となるように調整された空気などを用いるのが一般的である。
【0016】また、この際、高温焼成室2を囲んで配置されたヒータ室5の側部における所定位置には、低温脱脂室3内に供給されて使用済みとなった脱脂用ガスG2を炉外に引き出すための第1ガス排出配管23が水平方向に沿って接続されており、この第1ガス排出配管23の途中部にも開閉操作される遮断弁24が介装されている。なお、第1ガス排出配管23の接続本数が単一本に限られることはなく、炉体1の中心軸に対して放射状となる所定位置ごとに第1ガス排出配管23をそれぞれ接続しておいてもよく、このようにした場合にはヒータ室5内における排ガスの流れを均一化することが可能となる。
【0017】さらにまた、低温脱脂室3の側部における所定位置には、セラミック素体の脱脂を行う際に必要となる脱脂用ガスG2を供給する第2ガス供給配管25と、高温焼成室2内に供給されて使用済みとなった焼成用ガスG1を排出する第2ガス排出配管26とのそれぞれが水平方向に沿いながら炉体1を貫通した状態で接続されている。そして、これら配管25,26それぞれの途中部にも遮断弁27,28が各別に介装されており、これらの遮断弁27,28も開閉操作されるようになっている。なお、脱脂用ガスG2としては、窒素分が富裕となるように調整された空気などが利用されることになる。
【0018】ところで、図1及び図2に示した構造では、垂直方向に沿う第1ガス供給配管21が炉体1を貫通したうえで高温焼成室2に接続されるとしているが、第1ガス供給配管21を炉体1の中心軸に対して放射状となる所定位置ごとに接続してもよい。そして、この際、図3の変形例で示すように、第1ガス供給配管21それぞれを第1ガス排出配管23の各々と互いに接触する状態で並列配置しておけば、炉外へ排出される排ガスを利用しながら高温焼成室2内に供給される焼却用ガスG3の予熱を行い得ることになる。あるいはまた、図4の変形例で示すように、透孔の形成などによって通気性を有する耐熱金属もしくはセラミック製のマッフル29と、ヒータ30が配設された上部ヒータ室31とを高温焼成室2の上部に設けておいてもよく、このような構造を採用した場合には、高温焼成室2内における焼成用ガスG1及び焼却用ガスG3の流れを均一化し得ることになる。つぎに、本実施例に係る縦型焼成炉の動作及び作用について説明する。
【0019】まず、この縦型焼成炉におけるセラミック素体の脱脂は、従来例同様、脱脂用ガスG2が供給される低温脱脂室3内で行われることになり、この際、第1ガス供給配管21,第1ガス排出配管23及び第2ガス供給配管25の導通は遮断弁22,24,27の開操作によって確保される一方、第2ガス排出配管26の導通は遮断弁28の閉操作によって遮断される。そして、図1R>1で示しているように、脱脂用ガスG2を供給しながらセラミック素体の脱脂を行うと、これらセラミック素体からは臭気性ガスが発生することになり、発生した臭気性ガスは使用済みの脱脂用ガスG2と共に高温状態となった高温焼成室2内に流入する。
【0020】そこで、第1ガス供給配管21を通じて焼却用ガスG3、例えば、酸素分が富裕な空気などを高温焼成室2内に供給しつつ、第1ガス排出配管23を通じての吸引を行えば、脱脂用ガスG2及び焼却用ガスG3と混ざりあった臭気性ガスは仕切り板4の通気路20を通ったうえで1000〜1500℃の高温状態にあるヒータ室5内に流入してくる。そして、このヒータ室5内に流入した臭気性ガスはヒータ6のそれぞれと直接的に接触して完全に燃焼させられることになり、無害化されてしまう。その後、無害化された臭気性ガスは、使用済みとなった脱脂用ガスG2及び焼却用ガスG3と共に第1ガス排出配管23を通ったうえで炉外へと排出されることになる。なお、このようにした場合には、臭気性ガスの燃焼がヒータ室5内でのみ行われる結果、高温焼成室2内の汚染を防止して清浄状態の維持を図れるという利点がある。
【0021】さらに、脱脂済みとなったセラミック素体は高温焼成室2内の所定位置まで移動させられたうえで本焼成されることになり、この際、第1ガス供給配管21及び第2ガス排出配管26の導通は遮断弁22,28の開操作によって確保される一方、第1ガス排出配管23及び第2ガス供給配管25の導通は遮断弁24,27の閉操作によって遮断される。そして、図2で示すように、セラミック素体の本焼成時に必要な焼成用ガスG1は第1ガス供給配管21を通じて高温焼成室2内に供給されることになり、供給された焼成用ガスG1はセラミック素体の周囲を流れながら高温焼成室2から低温脱脂室3へと流入した後、第2ガス排出配管26を通ったうえで炉外へ排出されてしまう。そして、この際、第1ガス供給配管21が高温焼成室2の上部に接続されており、かつ、第2ガス排出配管26が低温脱脂室3の側部の下側に接続されているので、移動部材7の載置台8上に載置されたセラミック素体に対しては焼成用ガスG1が均一な状態で流れることになって均一なガス雰囲気を確保し得ることになる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る縦型焼成炉によれば、被処理物であるセラミック素体から脱脂時に発生する臭気性ガスをヒータ室内で燃焼させることによって無害化することが可能となる結果、縦型焼成炉のみを用いながらセラミック素体の脱脂及び本焼成は勿論のこと、排ガス処理まで行い得る。その結果、従来例におけるような排ガス処理装置をわざわざ設置する必要はなくなり、設備コストの低減と共に、全体構造の簡素化を図ることができるという効果が得られる。また、同時に、高温焼成室内における焼成用ガスの流れを均一化し得ることになる結果、セラミック素体の品質向上を図ることができるという効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施例に係る縦型焼成炉の脱脂時における概略構造を示す断面図である。
【図2】本実施例に係る縦型焼成炉の焼成時における概略構造を示す断面図である。
【図3】第1の変形例に係る縦型焼成炉の概略構造を示す断面図である。
【図4】第2の変形例に係る縦型焼成炉の概略構造を示す断面図である。
【図5】従来例に係る縦型焼成炉の概略構造を示す断面図である。
【符号の説明】
1 炉体
2 高温焼成室
3 低温脱脂室
4 仕切り板
5 ヒータ室
7 移動部材
20 通気路
21 第1ガス供給配管
22 遮断弁
23 第1ガス排出配管
24 遮断弁
25 第2ガス供給配管
26 第2ガス排出配管
27 遮断弁
28 遮断弁
G1 焼成用ガス
G2 脱脂用ガス
G3 焼却用ガス

【特許請求の範囲】
【請求項1】 炉体(1)内の上下位置それぞれに配置されて互いに連続した高温焼成室(2)及び低温脱脂室(3)と、仕切り板(4)を介して高温焼成室(2)を囲むヒータ室(5)と、被処理物を載置したうえで下側に位置する低温脱脂室(3)内に装入され、かつ、この低温脱脂室(3)及び上側に位置する高温焼成室(2)間を移動動作する移動部材(7)とを備えてなる縦型焼成炉であって、仕切り板(4)の下側には高温焼成室(2)とヒータ室(5)とを連通させる通気路(20)が設けられており、高温焼成室(2)には被処理物の焼成用ガス(G1)及び脱脂時における被処理物からの発生ガスを燃焼させる焼却用ガス(G3)を切り換えて供給する第1ガス供給配管(21)が遮断弁(22)を介して接続され、ヒータ室(5)には低温脱脂室(3)内に供給されて使用済みとなった脱脂用ガス(G2)を排出する第1ガス排出配管(23)が遮断弁(24)を介して接続されていると共に、低温脱脂室(3)には、被処理物の脱脂用ガス(G2)を供給する第2ガス供給配管(25)と、高温焼成室(2)内に供給されて使用済みとなった焼成用ガス(G1)を排出する第2ガス排出配管(26)とが遮断弁(27,28)を介して接続されていることを特徴とする縦型焼成炉。
【請求項2】 第1ガス供給配管(21)と第1ガス排出配管(23)とは、互いに接触した状態で並列配置されていることを特徴とする請求項1記載の縦型焼成炉。

【図1】
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【図2】
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【図4】
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【図3】
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【図5】
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【公開番号】特開平7−91847
【公開日】平成7年(1995)4月7日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平5−239801
【出願日】平成5年(1993)9月27日
【出願人】(000006231)株式会社村田製作所 (3,635)