電子写真画像形成装置
【課題】感光体上での結像スポット径の小径化が図れると共に、スポットピッチの小ピッチ化を図ることが可能となる、ＬＥＤアレイ光源に代わる新規なアレイ光源を用いた電子写真画像形成装置を提供する。
【解決手段】光源と、該光源によって露光される電子写真感光体と、を有する電子写真画像形成装置であって、
前記電子写真感光体を露光する光源が、
先端部に発生する近接場光によって前記電子写真感光体に電位分布を形成するための複数の表面プラズモン導波路と、
前記複数のそれぞれの表面プラズモン導波路に、表面プラズモンを励起するための励起機構と、
を備えた、アレイ化された表面プラズモン導波路によって構成されていることを特徴とする。
【解決手段】光源と、該光源によって露光される電子写真感光体と、を有する電子写真画像形成装置であって、
前記電子写真感光体を露光する光源が、
先端部に発生する近接場光によって前記電子写真感光体に電位分布を形成するための複数の表面プラズモン導波路と、
前記複数のそれぞれの表面プラズモン導波路に、表面プラズモンを励起するための励起機構と、
を備えた、アレイ化された表面プラズモン導波路によって構成されていることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
複写機やプリンタなどの電子写真形成プロセスを用いて記録媒体に画像を形成する電子写真画像形成装置では、現在においてはレーザ光を走査光学系によってスキャンし感光体を感光させ潜像を形成するものが主流である。
一方、近年においては、特許文献１のようにＬＥＤアレイ光源を用いた電子写真技術による発光素子アレイプリンタが提案されている。
このようなＬＥＤアレイ光源を用いた電子写真画像形成装置は、走査系（たとえばポリゴンミラーやＭＥＭＳミラー）が不要であるために、装置の騒音が小さく、また装置を小型化できるというメリットがある。
また、一般に走査系には走査速度に制限があり、これが画像形成の速度を律速することになることが多が、走査系がない上記ＬＥＤアレイ光源を用いた電子写真画像形成装置では走査速度に制限がなくなることから、より高速化できるというメリットがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２４０３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記した電子写真形成プロセスを用い複合機やプリンタに対しては、近年においては、その画像形成が高速であると共に、高解像度であることへの要求がより一層高まっている。
そのため、ＬＥＤアレイ光源を用いた電子写真画像形成装置に対しても、そのＬＥＤアレイ光源につき、結像スポット径が小さいこと、そのスポットのピッチを狭くすること、等が求められている。
ここで、結像スポットを小さくすることとは、電子写真の現像時に用いられるトナー径によるが、現状において一般的には１μｍ〜１００μｍ程度とすることを意味している。
また、スポットのピッチを狭くすることとは、感光体の結像位置にて、結像スポット径と同程度、あるいはスポット径以下のピッチとすることを意味している。
【０００５】
しかし、ＬＥＤアレイ光源において、スポットのピッチを狭くすることは、つぎのような理由により容易ではない。
すなわち、ＬＥＤアレイからの出射光を一様に感光ドラムに結像するには、レンズアレイが必要である。
しかし、ＬＥＤアレイからの出射光はある程度の遠視野広がりがあるから、あるＬＥＤ素子から出た光と、その隣のＬＥＤ素子から出た光を切り分けるためには、ＬＥＤ素子間の距離を離さなければいけない。
なお、アパーチャによって各ＬＥＤの出射光を個々に切り分けた場合は、アパーチャでの回折によってスポット径がより広がってしまう。
このようなことから、ＬＥＤアレイ光源を用いた場合には、スポットピッチを狭くすることは困難である。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑み、感光体上での結像スポット径の小径化が図れると共に、スポットピッチの小ピッチ化を図ることが可能となる、ＬＥＤアレイ光源に代わる新規なアレイ光源を用いた電子写真画像形成装置の提供を目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電子写真画像形成装置は、光源と、該光源によって露光される電子写真感光体と、を有する電子写真画像形成装置であって、
前記電子写真感光体を露光する光源が、
先端部に発生する近接場光によって前記電子写真感光体に電位分布を形成するための複数の表面プラズモン導波路と、
前記複数のそれぞれの表面プラズモン導波路に、表面プラズモンを励起するための励起機構と、
を備えた、アレイ化された表面プラズモン導波路によって構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、感光体上での結像スポット径の小径化が図れると共に、スポットピッチの小ピッチ化を図ることが可能となる、ＬＥＤアレイ光源に代わる新規なアレイ光源を用いた電子写真画像形成装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例１の表面プラズモン導波路による近接場光源の基本的な構成を示す模式図。
【図２】実施例１の表面プラズモン導波路および励起機構の一例を説明する断面模式図。
【図３】実施例１の表面プラズモン導波路および励起機構の他の例を説明する断面模式図。
【図４】実施例１の近接場光源を用いた電子写真記録方式の画像形成装置の構造側面図。
【図５】実施例２の表面プラズモン導波路による近接場光源の基本的な構成を示す模式図。
【図６】実施例３の表面プラズモン導波路による近接場光源の基本的な構成を示す模式図。
【図７】その他の構成例における基板以外の他の誘電体中に金属が埋め込まれているそれらの界面をプラズモン導波路とする構造を示す模式図。
【図８】その他の構成例における先端が尖った誘電体が金属中にある表面プラズモン導波路の構成を示す模式図。
【図９】その他の構成例における多層に積層された構造の表面プラズモン導波路のアレイの構成を示す模式図。
【図１０】表面プラズモン導波路の動作原理を説明する模式図。
【図１１】表面プラズモン導波路の先端部の形状の例を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
つぎに、本発明の実施形態における電子写真画像形成装置について説明する。本実施形態の電子写真画像形成装置は、光源として、アレイ化された表面プラズモン導波路が用いられるが、その具体的構成を説明する前に、まず、表面プラズモンの動作原理について説明する。
ここで、表面プラズモンとは、表面プラズモンポラリトンのことを意味している。
表面プラズモンとは、金属または高ドープ半導体のように自由電子で充たされた物質と、誘電体との界面における励起状態であり、該界面における前記物質内の自由電子の振動励起状態（プラズモン）と、
誘電体中に染み出した電磁場（近接場光）との混合状態（ポラリトン）と、によるものである。
【００１１】
図１０に、表面プラズモン導波路の一例を示す。
表面プラズモン導波路１２０としては、例えば、薄膜形状、または細針形状の金属（または高ドープされた半導体）１２１と誘電体２１０とが隣接した界面が想定される。
表面プラズモン導波路は、例えば、誘電体中の金属の薄膜形状の厚さが薄い場合や細針形状の太さが小さい場合でも、表面プラズモン伝播モードが存在することが知られている。
表面プラズモンが励起された表面プラズモン導波路アレイの先端部（例えば該金属部材１２１のエッジ部分２５０）には、近接場光のエネルギーが集中する。
本発明では、このエネルギーが電子写真電子写真感光体１３０の露光に用いられる。
これにより、上記した電子写真画像形成装置に求められる、感光体上での結像スポット径の小径化と、そのスポットピッチの小ピッチ化が達成される。
それは、上記したように、近接場光を用いて感光体を露光するため、アレイ光源にレーザやＬＥＤを用いた際に必要であったレンズなどの結像光学系を必要とせず、回折作用による光の広がりなどを考える必要がないことによる。
すなわち、近接場光の集光スポットサイズは表面プラズモン導波路の先端形状に依存し、いわゆる回折限界による制限を受けない。
このため、同じ周波数の伝播光を光源として使用した場合に比べ、結像スポット径を小さくすることができる。
また、露光ポイントまでエネルギーを導く導波路が、光導波路と異なり、表面波である表面プラズモンを導く導波路である。
このため、同じ周波数の伝播光を光源として使用した場合に比べて、導波路形状を薄くし、あるいは細くすることができる。
また、導波路外へエネルギーが染み出す領域の体積も抑えることができる。
これらにより、表面プラズモン導波路は、光導波路に比べて導波路アレイを高密度配置できることから、結果的に結像スポットのピッチを十分に狭くすることができる。
【００１２】
ところで、結像スポット径はいくらでも小さいほうが良い、というわけではなく、１０μｍ以下である必要がない場合もある。
画像の現像に使われるトナーの直径は数μｍ程度であり、また人間の視感度の空間分解能にも限界があるからである。
表面プラズモン導波路の先端部の形状としては、求める近接場光のプロファイルが得られるように設計する。
例えば、図１１（ａ）に示すように、表面プラズモン導波路の先鋭部を１つにすると、鋭いドットの潜像が感光体上に得られる。
これに対して、図１１（ｂ）に示すように、表面プラズモン導波路の先鋭部を複数個にすると、なだらかなドットの潜像が感光体上に得られる。前者は文字に、後者は写真などの画像に適することが多い。
アレイ化された表面プラズモン導波路における導波路の数は、例えば１００００本以上とする。
また、例えば前記アレイ化された表面プラズモン導波路の各先端のピッチを２０μｍ以下とする。
これを適切に配置することで、たとえば感光体上でＡ４サイズの一辺の距離（２１０ｍｍ）に１２００ｄｐｉ以上の解像度で画像を形成することができる。
【００１３】
また、ＬＥＤアレイにおいては、ＬＥＤから出射された光をある程度小さいスポットに結像するためには、回折作用を考慮すると使用できる光源の光振動数は近赤外帯以上に限られているのが実情である。
一方、近接場光のスポット径は表面プラズモン導波路の幾何形状に依存し、レーザやＬＥＤなどの伝播光における回折限界のような概念はない。
本発明では感光体の露光に近接場光を用いることで、近赤外以上の周波数帯だけでなく、テラヘルツ、遠赤外、などの周波数帯の光によっても、結像スポット径をある程度小さくした露光を行うことは可能である。
例えば、周波数が３０ＴＨｚ以上４００ＴＨｚ以下の光（いわゆる赤外光）が利用できる。
長波長の周波数帯を用いる場合、感光体などに冷却機構を備えたほうが形成する画像のＳ／Ｎ（信号雑音比）が向上する場合がある。
なお、電子写真の露光において、感光体は光子数によって帯電量すなわち電位分布が変化し、それが形成画像の濃淡に影響する。
光源の光振動数を下げることができれば、同じ濃度の画像を得るために必要な同じ光子数で比較した際に、露光に必要な光エネルギーを減らせることになるから、結果的に装置の発熱を低減できることになる。
これは、装置の低発熱化、省エネルギー化につなげることができる。
実際には、求められるスポット径と、求められるスポットピッチを考慮し、表面プラズモン導波路間の距離、導波路先端部形状、導波路と感光体との距離、表面プラズモンの周波数を選ぶことができる。
周波数としては、例えば１ＴＨｚから１ＰＨｚの間で選ぶことができる。
感光体としては、たとえばＯＰＣ（有機光導電体）、アモルファスＳｉなどが利用できる。
また、感光体の帯電機構には非線形過程（多光子吸収により電荷が発生する）を利用することもできる。
【００１４】
本発明実施形態では、以上のような表面プラズモン導波路をアレイ化して光源として用い、電子写真画像形成装置を構成したものである。
その際、本実施形態で用いられる表面プラズモンアレイでは、その近接場光で露光する際に画像に濃淡をつける必要があることから、表面プラズモンアレイを構成するそれぞれの表面プラズモン導波路毎に、個別に強度変調をかけるように構成することができる。
ここで変調とは、いわゆるｏｎ／ｏｆｆの二段階の変調、多段階の変調が含まれる。
変調のかけ方には、表面プラズモンの励起機構に変調をかける方法と、該励起機構とは別に各導波路に変調機構を設ける方法とがある。また、それらを組み合わせた方法も可能である。
【実施例】
【００１５】
以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
実施例１として、表面プラズモン導波路による近接場光源を光源とする電子写真画像形成装置の構成例について説明する。
まず、図１の模式図を用いて、本実施例における表面プラズモン導波路による近接場光源の基本的な構成について説明する。
本実施例では、表面プラズモン導波路に対し、個別に励起強度を変調できる励起源が設けられている。
図１に示すように、１００は本実施例の電子写真画像形成装置であり、近接場光源１０５において、表面プラズモン導波路１２０が、基板１１０上に複数配されている。
ここでは、表面プラズモン導波路１２０は、金属細線１２１と誘電体基板１１０との界面で構成される表面にプラズモンが励起され伝播するようにされている。
また、表面プラズモン導波路１２０の先端部付近に、電子写真感光体１３０が設けられている。
表面プラズモン導波路１２０ごとに個別に設けられた励起源（励起機構）１４０によって、表面プラズモン導波路１２０に表面プラズモンが励起されると、各表面プラズモン導波路１２０の先端にエネルギーが局所的に集中した近接場光スポット２５０が発生する。
この近接場光によって、電子写真感光体１３０を感光させ電位分布を形成させる。
励起源１４０は駆動回路１５０と配線１５５で接続されている。駆動回路１５０によって、各々の励起源１４０の励起強度に個別に変調がかけることができる。したがってこれらは前記の近接場光スポットの強度に変調をかけることができる機構を構成している。
励起源１４０が表面プラズモン導波路１２０に表面プラズモンを励起する方法としては、例えば光による励起方法、電子ビームによる励起方法がある。光としては例えばレーザやＬＥＤの出力光を用いることができる。
表面プラズモンの励起方法には、例えば減衰全反射法（Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ Ｔｏｔａｌ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ：ＡＴＲ法）として知られる全反射のエバネッセント光により励起する方法がある。
【００１６】
つぎに、本実施例における表面プラズモン導波路および励起機構の一例について説明する。
図２は、ＡＴＲ法でＯｔｔｏ配置として知られている配置を利用した、表面プラズモン導波路および励起機構の断面模式図である。
本実施例の励起機構は、図２に示されるように、基板１１０と、該基板１１０上に形成された例えば金からなる金属細線１２１と、その上に覆うように配された例えばＳｉＯ2からなる誘電体膜２１０との界面からなる表面プラズモン導波路１２０を備える。
そして、誘電体膜２１０の上に、例えばガラス製の全反射プリズム２２０が配される。
金属細線の幅は例えば数μｍである。金属細線や誘電体の厚さは数１０ｎｍ程度である。
このプリズム２２０側から誘電体と導波路の界面に向かって全反射角を超える所定の入射角で励起光２３０を入射すると、その励起光の周波数に対応した表面プラズモン２４０が励起される。
ここで、励起光２３０の強度に変調をかけることで、励起される表面プラズモン２４０の強度に変調をかけることができる。
励起された表面プラズモン２４０が表面プラズモン導波路１２０を伝播し、電子写真感光体１３０を露光する。
表面プラズモン導波路１２０の先端形状は、そこでエネルギーが集中する近接場光スポット２５０が電子写真感光体１３０を露光しやすいように加工されており、例えば先鋭化してある。
なお、実施例１では、図２に示される金属細線１２１と誘電体膜２１０との位置を入れ替え、表面プラズモン導波路１２０をプリズム２２０と誘電体膜２１０とで挟んだいわゆるＫｒｅｔｓｃｈｍａｎｎ配置を取ることも可能である。
【００１７】
つぎに、図３を用いて、本実施例における表面プラズモン導波路および励起機構の他の例について説明する。
表面プラズモン導波路に回折格子を形成し、表面プラズモン導波路の導波モードと表面プラズモン導波路外の輻射モードとを結合させ、その輻射モードに励起光を入力することで表面プラズモンを励起するように構成される。
本実施例の励起機構は、図３に示されるように、基板１１０と、該基板上に形成された例えばＳｉＯ2からなる誘電体膜２１０とを備える。
そして、その上に配された例えば金による金属細線１２１からなる表面プラズモン導波路１２０と、その上に配された保護膜３２０と、を備える。
表面プラズモン導波路１２０（金属細線１２１）には、回折格子３１０が形成されている。
この回折格子に励起光２３０を所定の角度で入射したときに表面プラズモン導波路１２０と誘電体膜２１０に表面プラズモン２４０が励起される。
ここで、所定の角度とは、励起光２３０の波長、金属細線１２１や誘電体膜２１０の材料に加え、回折格子３１０の構造によって決まる角度であり、例えば０°となるよう回折格子３１０は設計される。
【００１８】
つぎに、図４を用いて、本実施例の近接場光源１０５を用いた電子写真画像形成装置１００の一例について説明する。
図４において、１３０は感光体（円筒形状の感光ドラム）、４０２は帯電器、４０４は現像器、４０６は転写帯電器、４０８は定着器である。
近接場光源１０５は、記録用光源となるものであり、励起源１４０（図示せず）により画像信号に応じて点灯または消灯するように構成されている。
こうして強度変調された近接場光２５０は、感光ドラム１３０に照射される。
近接場光源は、円筒軸方向にアレイ化されている。
本実施例の近接場光源１０５においては、１００００以上の表面プラズモン導波路からなる表面プラズモン導波路アレイがあり、同時に１００００個以上の画素を形成することができる。表面プラズモン導波路アレイのアレイピッチは例えば数μｍである。
なお、近接場光源１０５は複数配置することも可能である。この場合、ある近接場光源の表面プラズモン導波路アレイが露光するドラム上のスポットの間を、別の近接場光源の表面プラズモン導波路アレイが露光するように配置するとより高精細な画像が得られることになる。
感光ドラム１３０は、予め帯電器４０２により帯電されており、近接場光源１０５の近接場光により露光され、静電潜像が形成される。
また、感光ドラム１３０は矢印方向に回転していて、形成された静電潜像は、現像器４０４により現像され、現像された可視像は転写帯電器４０６により、転写紙（図示せず）に転写される。
可視像が転写された転写紙は、定着器４０８に搬送され、定着を行った後に機外に排出される。
【００１９】
以上説明したように、本発明による表面プラズモン導波路アレイによる近接場光源を用いて電子写真画像形成装置を構成することによって、高速、高精細で印刷を可能とする電子写真画像形成装置を実現することが可能となる。
なお、本実施例における上記説明では、近接場光源１０５は感光ドラム１３０の外部に配置されていたが、内部に置く配置も可能である。
【００２０】
［実施例２］
実施例２として、図５の模式図を用いて、励起源が実施例１とは別の形態の構成例について説明する。
本実施例は、表面プラズモン導波路に対し共通の一つの励起源によって、複数の表面プラズモン導波路を個別に励起するようにした点が実施例１と異なるだけで、他の構成は基本的に実施例１と同じである。
すなわち、本実施例では、図５に示すように、表面プラズモン導波路１２０が基板１１０上に配されている。
また、表面プラズモン導波路１２０の先端部付近に発生する近接場光スポット２５０を以って露光される電子写真感光体１３０が設けられている点は実施例１と同様である。
本実施例では、実施例１とは異なり、１つの励起源５４０が、複数の表面プラズモン導波路１２０を個別に励起するように構成されている。
励起源５４０は、例えば、レーザスキャナで構成することができる。
【００２１】
［実施例３］
実施例３として、図６の模式図を用いて、表面プラズモン導波路１２０に対し、導波路に表面プラズモンを励起する励起源６４０とは別の変調機構６５０が設けられた構成例について説明する。
ここで、変調機構としては、以下のようなものが挙げられる。
例えば、熱によってプラズモン導波路またはその周囲の媒質の誘電率を変化させることにより、プラズモン導波路の導波損失に変調を与える機構が挙げられる。また、例えば、プラズモン導波路または周囲の媒質への機械的な変調によって、導波損失に変調を与える機構が挙げられる。
これは、例えば、導波路付近での物質の空間的な移動によりプラズモン導波モードに変調を与える機構を用いることができる。
または、プラズモン導波路または周囲の媒質を機械的に変形または歪ませることにより屈折率分布を変化させプラズモン導波モードに変調を与える機構を用いることができる。
また、例えば電気的または磁気的な変調によって、導波損失に変調を与える機構が挙げられる。
このようなものとして、例えばプラズモン導波路または周囲の媒質に電場または磁場を付加することにより導波路中の電子分布を変化させ、プラズモン導波モードの導波損失に変調をかける機構を用いることができる。
また、例えば、光学的な変調によって、導波損失に変調を与える機構が挙げられる。
このようなものとして、例えばプラズモン導波路の周囲の一部に光学利得媒質を設け、その利得に変調をかける機構を用いることができる。
光学利得媒質としては、例えば半導体のｐｎ接合による量子井戸構造を用いることができる。
上記光学利得は、プラズモン導波路に励起される表面プラズモンの周波数において利得を持つように設定される。
例えば、量子井戸構造の場合、量子井戸へのキャリアの注入量に変調をかけることにより、光学利得に変調がかかり、表面プラズモン導波路の導波損失に変調をかけることができる。この際に誘導放出現象を利用することが好ましい。
これらの変調機構６５０を用いることで、励起源６４０が必ずしも表面プラズモン導波路の励起を個別変調をかけて行わなくとも、各表面プラズモン導波路先端部における近接場スポットのエネルギー強度に変調をかけることが可能になる。
【００２２】
［その他の構成例］
なお、表面プラズモン導波路を構成する金属細線１２１は、基板１１０上にある実施例を示したが、表面プラズモンの導波路として機能する限り、基板中に埋め込まれていても良い。
また、基板または誘電体と、その上部の金属間の界面をプラズモン導波路とするだけでなく、図７（ａ）（ｂ）に示すように、基板以外の他の誘電体２１０中に金属１２１が埋め込まれており、それらの界面をプラズモン導波路とする構造でも良い。ここで図７（ｂ）は図７（ａ）の構造の破線Ａにおける断面を表したものである。
また、基板面とアレイ出射面が垂直とは限らず、例えば平行であるようにしてもよい。
なお、表面プラズモン導波路としては先端が尖った金属１２１が誘電体基板１１０中にあるもののほかに、図８に示すように、先端が尖った誘電体４１０が金属４２０中にあるようにしてもよい。
また、表面プラズモン導波路１２０のアレイは、図９のように多層に積層された構造でもよい。ここで、図９（ｂ）は、図９（ａ）の構造の破線Ｂにおける断面を表したものである。
また、前記感光体は円筒状の形状であり、前記プラズモン導波路が該円筒の外部でなく内部に備えられていてもよい。
この場合、前記感光体のトナー付着面とプラズモン導波路により露光される面とが反対側となるため、プラズモン導波路にトナーが付着しにくいというメリットがある。
また、画像形成装置には、前記プラズモン導波路に励起された表面プラズモンの強度をモニタし、前記変調機構にフィードバックできる機構が備えられていてもよい。
【符号の説明】
【００２３】
１００：電子写真画像形成装置
１０５：近接場光源
１１０：誘電体基板
１２０：表面プラズモン導波路
１２１：金属細線
１３０：電子写真感光体
１４０：励起源
１５０：駆動回路
１５５：配線
２５０：近接場光スポット
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
複写機やプリンタなどの電子写真形成プロセスを用いて記録媒体に画像を形成する電子写真画像形成装置では、現在においてはレーザ光を走査光学系によってスキャンし感光体を感光させ潜像を形成するものが主流である。
一方、近年においては、特許文献１のようにＬＥＤアレイ光源を用いた電子写真技術による発光素子アレイプリンタが提案されている。
このようなＬＥＤアレイ光源を用いた電子写真画像形成装置は、走査系（たとえばポリゴンミラーやＭＥＭＳミラー）が不要であるために、装置の騒音が小さく、また装置を小型化できるというメリットがある。
また、一般に走査系には走査速度に制限があり、これが画像形成の速度を律速することになることが多が、走査系がない上記ＬＥＤアレイ光源を用いた電子写真画像形成装置では走査速度に制限がなくなることから、より高速化できるというメリットがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２４０３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記した電子写真形成プロセスを用い複合機やプリンタに対しては、近年においては、その画像形成が高速であると共に、高解像度であることへの要求がより一層高まっている。
そのため、ＬＥＤアレイ光源を用いた電子写真画像形成装置に対しても、そのＬＥＤアレイ光源につき、結像スポット径が小さいこと、そのスポットのピッチを狭くすること、等が求められている。
ここで、結像スポットを小さくすることとは、電子写真の現像時に用いられるトナー径によるが、現状において一般的には１μｍ〜１００μｍ程度とすることを意味している。
また、スポットのピッチを狭くすることとは、感光体の結像位置にて、結像スポット径と同程度、あるいはスポット径以下のピッチとすることを意味している。
【０００５】
しかし、ＬＥＤアレイ光源において、スポットのピッチを狭くすることは、つぎのような理由により容易ではない。
すなわち、ＬＥＤアレイからの出射光を一様に感光ドラムに結像するには、レンズアレイが必要である。
しかし、ＬＥＤアレイからの出射光はある程度の遠視野広がりがあるから、あるＬＥＤ素子から出た光と、その隣のＬＥＤ素子から出た光を切り分けるためには、ＬＥＤ素子間の距離を離さなければいけない。
なお、アパーチャによって各ＬＥＤの出射光を個々に切り分けた場合は、アパーチャでの回折によってスポット径がより広がってしまう。
このようなことから、ＬＥＤアレイ光源を用いた場合には、スポットピッチを狭くすることは困難である。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑み、感光体上での結像スポット径の小径化が図れると共に、スポットピッチの小ピッチ化を図ることが可能となる、ＬＥＤアレイ光源に代わる新規なアレイ光源を用いた電子写真画像形成装置の提供を目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電子写真画像形成装置は、光源と、該光源によって露光される電子写真感光体と、を有する電子写真画像形成装置であって、
前記電子写真感光体を露光する光源が、
先端部に発生する近接場光によって前記電子写真感光体に電位分布を形成するための複数の表面プラズモン導波路と、
前記複数のそれぞれの表面プラズモン導波路に、表面プラズモンを励起するための励起機構と、
を備えた、アレイ化された表面プラズモン導波路によって構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、感光体上での結像スポット径の小径化が図れると共に、スポットピッチの小ピッチ化を図ることが可能となる、ＬＥＤアレイ光源に代わる新規なアレイ光源を用いた電子写真画像形成装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例１の表面プラズモン導波路による近接場光源の基本的な構成を示す模式図。
【図２】実施例１の表面プラズモン導波路および励起機構の一例を説明する断面模式図。
【図３】実施例１の表面プラズモン導波路および励起機構の他の例を説明する断面模式図。
【図４】実施例１の近接場光源を用いた電子写真記録方式の画像形成装置の構造側面図。
【図５】実施例２の表面プラズモン導波路による近接場光源の基本的な構成を示す模式図。
【図６】実施例３の表面プラズモン導波路による近接場光源の基本的な構成を示す模式図。
【図７】その他の構成例における基板以外の他の誘電体中に金属が埋め込まれているそれらの界面をプラズモン導波路とする構造を示す模式図。
【図８】その他の構成例における先端が尖った誘電体が金属中にある表面プラズモン導波路の構成を示す模式図。
【図９】その他の構成例における多層に積層された構造の表面プラズモン導波路のアレイの構成を示す模式図。
【図１０】表面プラズモン導波路の動作原理を説明する模式図。
【図１１】表面プラズモン導波路の先端部の形状の例を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
つぎに、本発明の実施形態における電子写真画像形成装置について説明する。本実施形態の電子写真画像形成装置は、光源として、アレイ化された表面プラズモン導波路が用いられるが、その具体的構成を説明する前に、まず、表面プラズモンの動作原理について説明する。
ここで、表面プラズモンとは、表面プラズモンポラリトンのことを意味している。
表面プラズモンとは、金属または高ドープ半導体のように自由電子で充たされた物質と、誘電体との界面における励起状態であり、該界面における前記物質内の自由電子の振動励起状態（プラズモン）と、
誘電体中に染み出した電磁場（近接場光）との混合状態（ポラリトン）と、によるものである。
【００１１】
図１０に、表面プラズモン導波路の一例を示す。
表面プラズモン導波路１２０としては、例えば、薄膜形状、または細針形状の金属（または高ドープされた半導体）１２１と誘電体２１０とが隣接した界面が想定される。
表面プラズモン導波路は、例えば、誘電体中の金属の薄膜形状の厚さが薄い場合や細針形状の太さが小さい場合でも、表面プラズモン伝播モードが存在することが知られている。
表面プラズモンが励起された表面プラズモン導波路アレイの先端部（例えば該金属部材１２１のエッジ部分２５０）には、近接場光のエネルギーが集中する。
本発明では、このエネルギーが電子写真電子写真感光体１３０の露光に用いられる。
これにより、上記した電子写真画像形成装置に求められる、感光体上での結像スポット径の小径化と、そのスポットピッチの小ピッチ化が達成される。
それは、上記したように、近接場光を用いて感光体を露光するため、アレイ光源にレーザやＬＥＤを用いた際に必要であったレンズなどの結像光学系を必要とせず、回折作用による光の広がりなどを考える必要がないことによる。
すなわち、近接場光の集光スポットサイズは表面プラズモン導波路の先端形状に依存し、いわゆる回折限界による制限を受けない。
このため、同じ周波数の伝播光を光源として使用した場合に比べ、結像スポット径を小さくすることができる。
また、露光ポイントまでエネルギーを導く導波路が、光導波路と異なり、表面波である表面プラズモンを導く導波路である。
このため、同じ周波数の伝播光を光源として使用した場合に比べて、導波路形状を薄くし、あるいは細くすることができる。
また、導波路外へエネルギーが染み出す領域の体積も抑えることができる。
これらにより、表面プラズモン導波路は、光導波路に比べて導波路アレイを高密度配置できることから、結果的に結像スポットのピッチを十分に狭くすることができる。
【００１２】
ところで、結像スポット径はいくらでも小さいほうが良い、というわけではなく、１０μｍ以下である必要がない場合もある。
画像の現像に使われるトナーの直径は数μｍ程度であり、また人間の視感度の空間分解能にも限界があるからである。
表面プラズモン導波路の先端部の形状としては、求める近接場光のプロファイルが得られるように設計する。
例えば、図１１（ａ）に示すように、表面プラズモン導波路の先鋭部を１つにすると、鋭いドットの潜像が感光体上に得られる。
これに対して、図１１（ｂ）に示すように、表面プラズモン導波路の先鋭部を複数個にすると、なだらかなドットの潜像が感光体上に得られる。前者は文字に、後者は写真などの画像に適することが多い。
アレイ化された表面プラズモン導波路における導波路の数は、例えば１００００本以上とする。
また、例えば前記アレイ化された表面プラズモン導波路の各先端のピッチを２０μｍ以下とする。
これを適切に配置することで、たとえば感光体上でＡ４サイズの一辺の距離（２１０ｍｍ）に１２００ｄｐｉ以上の解像度で画像を形成することができる。
【００１３】
また、ＬＥＤアレイにおいては、ＬＥＤから出射された光をある程度小さいスポットに結像するためには、回折作用を考慮すると使用できる光源の光振動数は近赤外帯以上に限られているのが実情である。
一方、近接場光のスポット径は表面プラズモン導波路の幾何形状に依存し、レーザやＬＥＤなどの伝播光における回折限界のような概念はない。
本発明では感光体の露光に近接場光を用いることで、近赤外以上の周波数帯だけでなく、テラヘルツ、遠赤外、などの周波数帯の光によっても、結像スポット径をある程度小さくした露光を行うことは可能である。
例えば、周波数が３０ＴＨｚ以上４００ＴＨｚ以下の光（いわゆる赤外光）が利用できる。
長波長の周波数帯を用いる場合、感光体などに冷却機構を備えたほうが形成する画像のＳ／Ｎ（信号雑音比）が向上する場合がある。
なお、電子写真の露光において、感光体は光子数によって帯電量すなわち電位分布が変化し、それが形成画像の濃淡に影響する。
光源の光振動数を下げることができれば、同じ濃度の画像を得るために必要な同じ光子数で比較した際に、露光に必要な光エネルギーを減らせることになるから、結果的に装置の発熱を低減できることになる。
これは、装置の低発熱化、省エネルギー化につなげることができる。
実際には、求められるスポット径と、求められるスポットピッチを考慮し、表面プラズモン導波路間の距離、導波路先端部形状、導波路と感光体との距離、表面プラズモンの周波数を選ぶことができる。
周波数としては、例えば１ＴＨｚから１ＰＨｚの間で選ぶことができる。
感光体としては、たとえばＯＰＣ（有機光導電体）、アモルファスＳｉなどが利用できる。
また、感光体の帯電機構には非線形過程（多光子吸収により電荷が発生する）を利用することもできる。
【００１４】
本発明実施形態では、以上のような表面プラズモン導波路をアレイ化して光源として用い、電子写真画像形成装置を構成したものである。
その際、本実施形態で用いられる表面プラズモンアレイでは、その近接場光で露光する際に画像に濃淡をつける必要があることから、表面プラズモンアレイを構成するそれぞれの表面プラズモン導波路毎に、個別に強度変調をかけるように構成することができる。
ここで変調とは、いわゆるｏｎ／ｏｆｆの二段階の変調、多段階の変調が含まれる。
変調のかけ方には、表面プラズモンの励起機構に変調をかける方法と、該励起機構とは別に各導波路に変調機構を設ける方法とがある。また、それらを組み合わせた方法も可能である。
【実施例】
【００１５】
以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
実施例１として、表面プラズモン導波路による近接場光源を光源とする電子写真画像形成装置の構成例について説明する。
まず、図１の模式図を用いて、本実施例における表面プラズモン導波路による近接場光源の基本的な構成について説明する。
本実施例では、表面プラズモン導波路に対し、個別に励起強度を変調できる励起源が設けられている。
図１に示すように、１００は本実施例の電子写真画像形成装置であり、近接場光源１０５において、表面プラズモン導波路１２０が、基板１１０上に複数配されている。
ここでは、表面プラズモン導波路１２０は、金属細線１２１と誘電体基板１１０との界面で構成される表面にプラズモンが励起され伝播するようにされている。
また、表面プラズモン導波路１２０の先端部付近に、電子写真感光体１３０が設けられている。
表面プラズモン導波路１２０ごとに個別に設けられた励起源（励起機構）１４０によって、表面プラズモン導波路１２０に表面プラズモンが励起されると、各表面プラズモン導波路１２０の先端にエネルギーが局所的に集中した近接場光スポット２５０が発生する。
この近接場光によって、電子写真感光体１３０を感光させ電位分布を形成させる。
励起源１４０は駆動回路１５０と配線１５５で接続されている。駆動回路１５０によって、各々の励起源１４０の励起強度に個別に変調がかけることができる。したがってこれらは前記の近接場光スポットの強度に変調をかけることができる機構を構成している。
励起源１４０が表面プラズモン導波路１２０に表面プラズモンを励起する方法としては、例えば光による励起方法、電子ビームによる励起方法がある。光としては例えばレーザやＬＥＤの出力光を用いることができる。
表面プラズモンの励起方法には、例えば減衰全反射法（Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ Ｔｏｔａｌ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ：ＡＴＲ法）として知られる全反射のエバネッセント光により励起する方法がある。
【００１６】
つぎに、本実施例における表面プラズモン導波路および励起機構の一例について説明する。
図２は、ＡＴＲ法でＯｔｔｏ配置として知られている配置を利用した、表面プラズモン導波路および励起機構の断面模式図である。
本実施例の励起機構は、図２に示されるように、基板１１０と、該基板１１０上に形成された例えば金からなる金属細線１２１と、その上に覆うように配された例えばＳｉＯ2からなる誘電体膜２１０との界面からなる表面プラズモン導波路１２０を備える。
そして、誘電体膜２１０の上に、例えばガラス製の全反射プリズム２２０が配される。
金属細線の幅は例えば数μｍである。金属細線や誘電体の厚さは数１０ｎｍ程度である。
このプリズム２２０側から誘電体と導波路の界面に向かって全反射角を超える所定の入射角で励起光２３０を入射すると、その励起光の周波数に対応した表面プラズモン２４０が励起される。
ここで、励起光２３０の強度に変調をかけることで、励起される表面プラズモン２４０の強度に変調をかけることができる。
励起された表面プラズモン２４０が表面プラズモン導波路１２０を伝播し、電子写真感光体１３０を露光する。
表面プラズモン導波路１２０の先端形状は、そこでエネルギーが集中する近接場光スポット２５０が電子写真感光体１３０を露光しやすいように加工されており、例えば先鋭化してある。
なお、実施例１では、図２に示される金属細線１２１と誘電体膜２１０との位置を入れ替え、表面プラズモン導波路１２０をプリズム２２０と誘電体膜２１０とで挟んだいわゆるＫｒｅｔｓｃｈｍａｎｎ配置を取ることも可能である。
【００１７】
つぎに、図３を用いて、本実施例における表面プラズモン導波路および励起機構の他の例について説明する。
表面プラズモン導波路に回折格子を形成し、表面プラズモン導波路の導波モードと表面プラズモン導波路外の輻射モードとを結合させ、その輻射モードに励起光を入力することで表面プラズモンを励起するように構成される。
本実施例の励起機構は、図３に示されるように、基板１１０と、該基板上に形成された例えばＳｉＯ2からなる誘電体膜２１０とを備える。
そして、その上に配された例えば金による金属細線１２１からなる表面プラズモン導波路１２０と、その上に配された保護膜３２０と、を備える。
表面プラズモン導波路１２０（金属細線１２１）には、回折格子３１０が形成されている。
この回折格子に励起光２３０を所定の角度で入射したときに表面プラズモン導波路１２０と誘電体膜２１０に表面プラズモン２４０が励起される。
ここで、所定の角度とは、励起光２３０の波長、金属細線１２１や誘電体膜２１０の材料に加え、回折格子３１０の構造によって決まる角度であり、例えば０°となるよう回折格子３１０は設計される。
【００１８】
つぎに、図４を用いて、本実施例の近接場光源１０５を用いた電子写真画像形成装置１００の一例について説明する。
図４において、１３０は感光体（円筒形状の感光ドラム）、４０２は帯電器、４０４は現像器、４０６は転写帯電器、４０８は定着器である。
近接場光源１０５は、記録用光源となるものであり、励起源１４０（図示せず）により画像信号に応じて点灯または消灯するように構成されている。
こうして強度変調された近接場光２５０は、感光ドラム１３０に照射される。
近接場光源は、円筒軸方向にアレイ化されている。
本実施例の近接場光源１０５においては、１００００以上の表面プラズモン導波路からなる表面プラズモン導波路アレイがあり、同時に１００００個以上の画素を形成することができる。表面プラズモン導波路アレイのアレイピッチは例えば数μｍである。
なお、近接場光源１０５は複数配置することも可能である。この場合、ある近接場光源の表面プラズモン導波路アレイが露光するドラム上のスポットの間を、別の近接場光源の表面プラズモン導波路アレイが露光するように配置するとより高精細な画像が得られることになる。
感光ドラム１３０は、予め帯電器４０２により帯電されており、近接場光源１０５の近接場光により露光され、静電潜像が形成される。
また、感光ドラム１３０は矢印方向に回転していて、形成された静電潜像は、現像器４０４により現像され、現像された可視像は転写帯電器４０６により、転写紙（図示せず）に転写される。
可視像が転写された転写紙は、定着器４０８に搬送され、定着を行った後に機外に排出される。
【００１９】
以上説明したように、本発明による表面プラズモン導波路アレイによる近接場光源を用いて電子写真画像形成装置を構成することによって、高速、高精細で印刷を可能とする電子写真画像形成装置を実現することが可能となる。
なお、本実施例における上記説明では、近接場光源１０５は感光ドラム１３０の外部に配置されていたが、内部に置く配置も可能である。
【００２０】
［実施例２］
実施例２として、図５の模式図を用いて、励起源が実施例１とは別の形態の構成例について説明する。
本実施例は、表面プラズモン導波路に対し共通の一つの励起源によって、複数の表面プラズモン導波路を個別に励起するようにした点が実施例１と異なるだけで、他の構成は基本的に実施例１と同じである。
すなわち、本実施例では、図５に示すように、表面プラズモン導波路１２０が基板１１０上に配されている。
また、表面プラズモン導波路１２０の先端部付近に発生する近接場光スポット２５０を以って露光される電子写真感光体１３０が設けられている点は実施例１と同様である。
本実施例では、実施例１とは異なり、１つの励起源５４０が、複数の表面プラズモン導波路１２０を個別に励起するように構成されている。
励起源５４０は、例えば、レーザスキャナで構成することができる。
【００２１】
［実施例３］
実施例３として、図６の模式図を用いて、表面プラズモン導波路１２０に対し、導波路に表面プラズモンを励起する励起源６４０とは別の変調機構６５０が設けられた構成例について説明する。
ここで、変調機構としては、以下のようなものが挙げられる。
例えば、熱によってプラズモン導波路またはその周囲の媒質の誘電率を変化させることにより、プラズモン導波路の導波損失に変調を与える機構が挙げられる。また、例えば、プラズモン導波路または周囲の媒質への機械的な変調によって、導波損失に変調を与える機構が挙げられる。
これは、例えば、導波路付近での物質の空間的な移動によりプラズモン導波モードに変調を与える機構を用いることができる。
または、プラズモン導波路または周囲の媒質を機械的に変形または歪ませることにより屈折率分布を変化させプラズモン導波モードに変調を与える機構を用いることができる。
また、例えば電気的または磁気的な変調によって、導波損失に変調を与える機構が挙げられる。
このようなものとして、例えばプラズモン導波路または周囲の媒質に電場または磁場を付加することにより導波路中の電子分布を変化させ、プラズモン導波モードの導波損失に変調をかける機構を用いることができる。
また、例えば、光学的な変調によって、導波損失に変調を与える機構が挙げられる。
このようなものとして、例えばプラズモン導波路の周囲の一部に光学利得媒質を設け、その利得に変調をかける機構を用いることができる。
光学利得媒質としては、例えば半導体のｐｎ接合による量子井戸構造を用いることができる。
上記光学利得は、プラズモン導波路に励起される表面プラズモンの周波数において利得を持つように設定される。
例えば、量子井戸構造の場合、量子井戸へのキャリアの注入量に変調をかけることにより、光学利得に変調がかかり、表面プラズモン導波路の導波損失に変調をかけることができる。この際に誘導放出現象を利用することが好ましい。
これらの変調機構６５０を用いることで、励起源６４０が必ずしも表面プラズモン導波路の励起を個別変調をかけて行わなくとも、各表面プラズモン導波路先端部における近接場スポットのエネルギー強度に変調をかけることが可能になる。
【００２２】
［その他の構成例］
なお、表面プラズモン導波路を構成する金属細線１２１は、基板１１０上にある実施例を示したが、表面プラズモンの導波路として機能する限り、基板中に埋め込まれていても良い。
また、基板または誘電体と、その上部の金属間の界面をプラズモン導波路とするだけでなく、図７（ａ）（ｂ）に示すように、基板以外の他の誘電体２１０中に金属１２１が埋め込まれており、それらの界面をプラズモン導波路とする構造でも良い。ここで図７（ｂ）は図７（ａ）の構造の破線Ａにおける断面を表したものである。
また、基板面とアレイ出射面が垂直とは限らず、例えば平行であるようにしてもよい。
なお、表面プラズモン導波路としては先端が尖った金属１２１が誘電体基板１１０中にあるもののほかに、図８に示すように、先端が尖った誘電体４１０が金属４２０中にあるようにしてもよい。
また、表面プラズモン導波路１２０のアレイは、図９のように多層に積層された構造でもよい。ここで、図９（ｂ）は、図９（ａ）の構造の破線Ｂにおける断面を表したものである。
また、前記感光体は円筒状の形状であり、前記プラズモン導波路が該円筒の外部でなく内部に備えられていてもよい。
この場合、前記感光体のトナー付着面とプラズモン導波路により露光される面とが反対側となるため、プラズモン導波路にトナーが付着しにくいというメリットがある。
また、画像形成装置には、前記プラズモン導波路に励起された表面プラズモンの強度をモニタし、前記変調機構にフィードバックできる機構が備えられていてもよい。
【符号の説明】
【００２３】
１００：電子写真画像形成装置
１０５：近接場光源
１１０：誘電体基板
１２０：表面プラズモン導波路
１２１：金属細線
１３０：電子写真感光体
１４０：励起源
１５０：駆動回路
１５５：配線
２５０：近接場光スポット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、該光源によって露光される電子写真感光体と、を有する電子写真画像形成装置であって、
前記電子写真感光体を露光する光源が、
先端部に発生する近接場光によって前記電子写真感光体に電位分布を形成するための複数の表面プラズモン導波路と、
前記複数のそれぞれの表面プラズモン導波路に、表面プラズモンを励起するための励起機構と、
を備えた、アレイ化された表面プラズモン導波路によって構成されていることを特徴とする電子写真画像形成装置。
【請求項２】
前記複数の表面プラズモン導波路は、それぞれ金属または半導体と、誘電体と、によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項３】
前記複数の表面プラズモン導波路は、それぞれの先端のピッチが２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項４】
前記複数の表面プラズモン導波路は、１００００本以上の表面プラズモン導波路で構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項５】
前記複数の表面プラズモン導波路は、それぞれの先端が複数個の先鋭部によって構成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項６】
前記励起機構は、光により表面プラズモンを励起する励起機構であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項７】
前記励起機構は、複数の表面プラズモン導波路毎に設けられ、あるいは該複数の表面プラズモン導波路に対し共通の一つの励起機構が設けられていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項８】
前記励起機構は、前記複数の表面プラズモン導波路の励起強度を個別に変調する機構を備えていることを特徴とする請求項７に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項９】
前記励起強度を個別に変調する機構が、前記励起機構に構成された、前記表面プラズモン導波路の屈折率分布を変化させプラズモン導波モードに変調を与える機構によって構成されていることを特徴とする請求項８に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項１０】
前記励起強度を個別に変調する機構が、前記励起機構とは別に前記複数の表面プラズモン導波路毎に設けられた、該表面プラズモン導波路毎の導波損失に対して変調をかける機構によって構成されていることを特徴とする請求項８に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項１１】
前記感光体は円筒状の形状であり、前記プラズモン導波路が該円筒の内部に備えられていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項１２】
前記プラズモン導波路に励起された表面プラズモンの強度をモニタし、前記変調機構にフィードバックする機構が備えられていることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項１】
光源と、該光源によって露光される電子写真感光体と、を有する電子写真画像形成装置であって、
前記電子写真感光体を露光する光源が、
先端部に発生する近接場光によって前記電子写真感光体に電位分布を形成するための複数の表面プラズモン導波路と、
前記複数のそれぞれの表面プラズモン導波路に、表面プラズモンを励起するための励起機構と、
を備えた、アレイ化された表面プラズモン導波路によって構成されていることを特徴とする電子写真画像形成装置。
【請求項２】
前記複数の表面プラズモン導波路は、それぞれ金属または半導体と、誘電体と、によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項３】
前記複数の表面プラズモン導波路は、それぞれの先端のピッチが２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項４】
前記複数の表面プラズモン導波路は、１００００本以上の表面プラズモン導波路で構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項５】
前記複数の表面プラズモン導波路は、それぞれの先端が複数個の先鋭部によって構成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項６】
前記励起機構は、光により表面プラズモンを励起する励起機構であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項７】
前記励起機構は、複数の表面プラズモン導波路毎に設けられ、あるいは該複数の表面プラズモン導波路に対し共通の一つの励起機構が設けられていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項８】
前記励起機構は、前記複数の表面プラズモン導波路の励起強度を個別に変調する機構を備えていることを特徴とする請求項７に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項９】
前記励起強度を個別に変調する機構が、前記励起機構に構成された、前記表面プラズモン導波路の屈折率分布を変化させプラズモン導波モードに変調を与える機構によって構成されていることを特徴とする請求項８に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項１０】
前記励起強度を個別に変調する機構が、前記励起機構とは別に前記複数の表面プラズモン導波路毎に設けられた、該表面プラズモン導波路毎の導波損失に対して変調をかける機構によって構成されていることを特徴とする請求項８に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項１１】
前記感光体は円筒状の形状であり、前記プラズモン導波路が該円筒の内部に備えられていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の電子写真画像形成装置。
【請求項１２】
前記プラズモン導波路に励起された表面プラズモンの強度をモニタし、前記変調機構にフィードバックする機構が備えられていることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の電子写真画像形成装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１１−１０７４２６（Ｐ２０１１−１０７４２６Ａ）
【公開日】平成２３年６月２日（２０１１．６．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２６２５５６（Ｐ２００９−２６２５５６）
【出願日】平成２１年１１月１８日（２００９．１１．１８）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月２日（２０１１．６．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１１月１８日（２００９．１１．１８）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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