株式会社ティーディーワイにより出願された特許
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SiOx膜を形成する方法及びSiOx膜形成装置
【課題】基板の透明性を制御でき、低温成膜が可能で、PET等の基板に適し、緻密性、基板との付着力に優れ、密着性が向上するSiO2コーティング技術を提供すること
【解決手段】エンドホール型イオン源で発生したアルゴンプラズマと、このプラズマを発生させるに用いる電子の一部をヘキサメチルジシロキサンガス又はヘキサメチルシロキサンと酸素の混合ガスに作用させると同時に、イオン源から発生された低エネルギーアルゴンイオンを基板上に照射することを特徴とするSiOx膜を形成する方法。上記において、電子をアルゴンガスに照射してアルゴンガスプラズマを生成させると共に、基板上に一部の電子を照射して帯電を防止することが好ましい。装置としては、少なくとも排気機構と、アルゴンガス導入機構と、ヘキサメチルジシロキサンガス導入機構と、好ましくは酸素ガス導入機構と、エンドホール型イオン源と、基板のホルダーを具備する装置
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