説明

岩手東芝エレクトロニクス株式会社により出願された特許

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【課題】この発明は、組立時間を短縮できるカメラモジュールの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】測定装置20は、レンズユニット9を保持して光軸方向に移動させるアクチュエータ22を有する。レンズユニット9を基準撮像素子21に対向させてテストチャートTを撮像し、ジャストフォーカス位置にレンズユニット9を位置決めする。このときの基準撮像素子21とレンズユニット9との間のギャップを再現して、一体化する撮像素子と当該レンズユニット9を当該ギャップで対向させて固定する。 (もっと読む)


【課題】小型で高速動作が可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】一定の幅L1で形成された転送チャネル18を有するCCD水平転送レジスタ14の最終段に、CCD水平転送レジスタ14の転送電極19とほぼ同一幅の出力ゲート電極24を設け、この出力ゲート電極24下において、FD部16近傍に、転送チャネル18より高電位であり、CCD水平転送レジスタ14からFD部16に向かって急激に幅L4が絞り込まれた絞り込み部23bを設ける。 (もっと読む)


【課題】フレキシブルに階調電圧を生成することが可能な階調電圧出力装置を提供すること。
【解決手段】RGBデータの階調に対応したイネーブル幅が記憶されたソースバッファイネーブル調整レジスタ17と、このソースバッファイネーブル調整レジスタ17に記憶されたイネーブル幅を有する制御電圧を出力するソースバッファイネーブル制御回路21と、このソースバッファイネーブル制御回路21から出力された制御電圧によって階調電圧OUTnを生成するソースバッファ15と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】透光性基板のエッジを確実且つ容易に検出することを可能とする。
【解決手段】第1の主領域111a及び第1の周縁領域111bを有する第1の主面111と、第2の主領域112a及び第2の周縁領域112bを有する第2の主面112とを有し、第1の周縁領域の傾斜角度がθa1であり、第2の周縁領域の傾斜角度がθa2である透光性基板110を用意する工程と、第1の主面の第1の主領域に対して垂直な方向から第1の主面の第1の周縁領域に測定光310を入射させる工程と、第2の主面の第2の周縁領域から測定光が出射されない非出射領域を検出する工程と、非出射領域に基づいて透光性基板のエッジを検出する工程とを備え、透光性基板の屈折率をnとして、傾斜角度θa1及びθa2は以下の式を満たす。
n×sin(θa1+θa2−arcsin(sinθa1/n))≧1 (もっと読む)


【課題】不良品の市場への流出を減少させ、テスト時間を短縮することができるカメラモジュールのテスト装置を提供すること。
【解決手段】複数の測定基板18上にそれぞれ複数のカメラモジュール17を配置し、このカメラモジュール17が配置された各測定基板18を筐体14内に配置し、この筐体14内部に配置された各カメラモジュール17に対して均一照明系15により等しい照明光を照射すると共に、筐体14の下部に設けられた振動装置12を振動させながら、カメラモジュール17から得られる画像を観測することを特徴とするカメラモジュールのテスト装置。 (もっと読む)


【課題】信頼性が高い固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】表面に電極13が形成されたプリント基板12と、このプリント基板12上に、受光素子が配列形成された受光面がプリント基板12に対して垂直になるように実装され、受光素子の信号出力を裏面から取り出す貫通電極22を有する固体撮像素子15と、この固体撮像素子15の貫通電極22及びプリント基板12の電極13を相互に接続する半田ボール16と、を具備し、半田ボール16は、固体撮像素子15を、その裏面において、プリント基板12に固定することを特徴とする固体撮像装置。 (もっと読む)


【課題】内部にレンズホルダを有するシールドを精度よく固定することができるカメラモジュールを提供すること。
【解決手段】表面に撮像素子11が配置され、裏面に複数の半田ボール21−2を有する絶縁基板12と、この基板12上に固着され、上部径大部16−1及び下部径小部16−2からなり、内部にレンズ13を有する筒状のレンズホルダ16と、このレンズホルダの径小部16−2に嵌合し、レンズホルダの径大部16−1に接着された筒状の側部19−2および、絶縁基板12の下面と接し、導電用開口部18を有する板状の底部19−1からなる有底筒状のシールドと、絶縁基板12の下面に形成された複数の半田ボール21−2を介して接続された実装基板20と、を具備することを特徴とするカメラモジュール。 (もっと読む)


【課題】低消費電力で精度よく電荷を転送することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板11にチャネル12を形成する工程と、埋め込みチャネル12上に一定の間隔を有して複数配置された転送電極14の下部にバリア領域15を形成する工程と、転送電極14の両端部のうち、電荷17の転送方向と同じ向きの位置に、電荷17の転送方向に向かって薄くなる勾配を有するサイドウォール20を形成する工程と、転送電極14及びサイドウォール20をマスクとして用い、n型導電型の第2の不純物領域16を形成する工程と、サイドウォール20を除去する工程と、を具備し、バリア領域15によって形成されるポテンシャルは埋め込みチャネル12によって形成されるポテンシャルより浅く形成され、かつ、第2の不純物領域16によって形成されるポテンシャルは、電荷17の転送方向に向かって深くなる勾配を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】黒色フィルタを形成しても、一定の膜厚のカラーフィルタを形成することができる固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】フォトダイオード12が配列形成された半導体基板11上にベース層16を形成する工程と、このベース層16上でありかつ、各フォトダイオード12の上部に、それぞれ青色、緑色、赤色のいずれか1種類の波長帯域のみを透過させるカラーフィルタ17を形成する工程と、これらのカラーフィルタ17が形成されたベース層16上に、黒色レジスト層18´を全面塗布する工程と、カラーフィルタ17が上部に露出するように黒色レジスト層18´を除去して平坦化することで黒色フィルタ18を形成する工程と、を具備することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】1回のイオン注入で、自由な濃度プロファイルの形状を有する不純物領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板11に不純物領域である埋め込みチャネル12を形成する工程と、埋め込みチャネル12の上部に酸化膜14を介してレジスト層を一様に形成する工程と、電荷の転送方向に向かって光の透過率が変化するグレテーティングマスクを用いてレジスト層を露光する工程と、露光されたレジスト層を現像し、勾配を有するレジストマスクを形成する工程と、この工程によって形成されたレジストマスクを介して埋め込みチャネル12にイオンを注入することで、濃度勾配を有する第1の不純物領域13を形成する工程と、レジストマスクを除去後、第1の不純物領域13上の所定の位置に、酸化膜14を介して転送電極15を配置する工程と、を具備し、第1の不純物領域13を形成する工程は、この工程によって形成されるポテンシャルプロファイルが、電荷の転送方向に向かって深くなるように形成される。 (もっと読む)


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