【課題】本発明は、データの読み出しを行うメモリセル周辺のセルデータやチップ上の位置によってセンスアンプの電圧マージンが低下することを防止することを特徴とする。
【解決手段】メモリ回路の１つのブロック内には複数の本体セルアレイ２１、ダミーセルアレイ２２、バイアス回路１６、行デコーダ１８、データ検出回路を構成するセンスアンプ２３、基準電圧回路２４が設けられる。上記本体セルアレイ２１及びダミーセルアレイ２２にはバイアス回路１６で発生される直流バイアス電圧ＰＲが供給される。データ検出回路を構成するセンスアンプ２３は、データの読み出し時に本体セルアレイ２１内の列線に対して所定のバイアス電圧ＳＡＩＮを供給してデータを検出する。基準電圧回路２４は、ダミーセルアレイ２２に所定のバイアス電圧ＲＥＦＩＮを供給することによって、上記センスアンプ２３でデータを検出する際に使用される比較用基準電圧ＶＲＥＦを発生する。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像装置の水平方向の解像度を向上させる。
【解決手段】 受光素子群２ａ、２ｂ、２ｃから画像成分の信号を受け取り、この画像成分とスミア成分とからなる混合信号と、スミア成分のみからなるスミア信号とを垂直に転送する垂直レジスタ群１４ａ、１４ｂ、１４ｃを設ける。この垂直レジスタ群１４ａ、１４ｂ、１４ｃの転送先に、転送されてくる混合信号を水平に転送する第１水平レジスタ群１８と、同じく垂直レジスタ群１４ａ、１４ｂ、１４ｃから転送されてくるスミア信号を水平に転送する第２水平レジスタ群２０を設ける。信号処理装置１０の信号処理部１０ａでは、第２水平レジスタ群２０から転送されてくるスミア信号を用いて、第１水平レジスタ群１８から転送されてくる混合信号からスミア成分を除去し、本来の画像成分のみを取り出す。 （もっと読む）

【目的】相異なる出力電圧特性を有する複数個の演算増幅回路の出力電圧を切換え選択して出力する時間が短くなる電圧切換回路を提供する。
【構成】相異なる出力電圧特性を有し、電源電圧が与えられることにより常に動作状態になる複数個の演算増幅回路１０ｉと、各演算増幅回路の出力電圧が対応して入力し、それぞれ電圧入力を電流出力に変換する複数個の電流変換回路２０ｉと、各電流変換回路の出力電流ノードに対応して接続され、複数の制御信号Ｓｉにより対応して制御される複数個の電流選択回路３０ｉと、この複数個の電流選択回路のうちの選択された電流選択回路からの電流入力を電圧出力に変換する１個の電圧変換回路４０とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】強誘電体キャパシタの絶縁膜に対してスクリーニングを行う場合に、スクリーニング時間の短縮、スクリーニングコストの低減を図り得る強誘電体メモリを提供する。
【構成】通常動作モードおよびスクリーニングモードを有する強誘電体メモリにおいて、スクリーニングモード時に通常動作モード時に選択されるメモリセルＭＣより多数のメモリセルを同時に選択し、その強誘電体キャパシタＣの絶縁膜の両端間に極性が交互に反転するパルス電圧を任意の回数印加するスクリーニング回路（２１、２２、２３）を具備することを特徴とする。 （もっと読む）