【課題】本発明は、マスク表面のクロムパターンにダメージを与えることなく、マスクの表面及び端面のレジストを剥離洗浄することができるプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、ヘリコン波プラズマを発生させる石英ベルジャーを連設した真空チャンバーと、石英ベルジャーに高周波電圧を印加する高周波発振器と、ヘリコン波プラズマを制御する磁界を発生させるために石英ベルジャーの周囲に配置した電磁コイルと、真空チャンバー内に設けた酸素ガス及び水蒸気ガスを導入するための導入口と、真空チャンバーの下部に設けたマスクを載置するためのステージと、石英ベルジャー及び真空チャンバー内を真空にする真空ポンプとからなることを特徴とするプラズマアッシャーによるマスクレジスト剥離装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、オゾン水による剥離及び洗浄方法において、感光性フォトレジストの剥離速度及び剥離後の基板表面の清浄度の両項目において、従来のオゾン水による剥離及び洗浄方法を著しく改善する方法を提供するものである。
【解決手段】本発明は、石英基板、半導体基板、ガラス基板、金属基板等に塗布された感光性フォトレジストに対し、紫外光を照射しつつ、加温された高濃度オゾン水をかけることを特徴とするフォトレジストの剥離及び洗浄方法の構成とした。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体デバイス製造時において接合領域又は表面領域に発生するシリコン結晶質の欠陥又は重金属等による汚染などの結晶の乱れを回復することができる半導体デバイスの結晶質改善方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、半導体デバイスの接合領域、若しくは半導体デバイスの接合領域及び前記接合領域の近傍に対し、又は半導体デバイスの表面領域、又は半導体デバイスの表面領域及び前記表面領域の近傍に対し、真空減圧下においてシアンイオンをイオン注入する工程と、前記イオン注入した半導体デバイスを高温下で熱処理する工程とからなり、結晶質の欠陥又は汚染を回復することができることを特徴とする半導体デバイスの結晶質改善方法の構成とした。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、フォトマスクの端面のレジストを効率良く洗浄するためのマスク端面のブラシ式洗浄装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、上記の課題を解決するために、回転軸によりファイバーを回転させてマスクの端面からレジストを除去する円柱状のブラシと、前記マスクの表面に被せ、中心に空けた純水供給口に表面側からホースにより純水を供給し、裏面の前端及び後端に設けたサイドフィン及び前記サイドフィンの間に左右に複数設けた流れ調整フィンにより純水の流れを調整しつつ、前記マスクの表面との間に純水を保持して前記マスクの表面をオゾン水から保護する板状のカバーと、前記マスクの上方に管を通し、前記管の穴から前記マスクの端面とブラシとの間に高濃度のオゾン水を噴射するオゾン水噴射口とからなることを特徴とするマスク端面のブラシ式洗浄装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】機能水の洗浄能力を飛躍的に向上させて、薬液を使用したマスク・ウエハ等の被処理体の洗浄と同等若しくはそれ以上の洗浄効果を実現し、薬液の使用量を削減して環境対策にも貢献し得る経済性にも優れた被処理体の洗浄処理装置と洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】装置本体内１００に洗浄ユニット２０１を設け、この洗浄ユニット２０１は、被処理体１０２を保持して回転洗浄するスピン回転機構と、このスピン回転機構に保持した被処理体１０２上にメガソニック波を印加した高濃度オゾン水を供給する機能水供給機構１０３と、前記高濃度オゾン水が供給された被処理体１０２上を照射するエキシマランプ１０１から構成される被処理体の洗浄処理装置である。 （もっと読む）