半導体ウエハ等の製造過程のミクロ電子加工物における凹設された微細構造体を金属化により充填する電気鍍金組成物及び方法を開示する。電気鍍金組成物は銅及び硫酸の混合物を含むことができ、銅濃度と硫酸濃度の比が約０.３〜約０.８である。また、開示された電気鍍金組成物は、硫酸濃度が約６５〜約１５０ｇ/L（溶液１リットル当たりのグラム数）であるとき、銅濃度がその溶解度の限界近くにある銅及び硫酸の混合物を含むことができる。かかる電気鍍金組成物は、また、促進剤、抑制剤、ハライド及び／又は平滑剤等の慣用の添加剤を含むことができる。製造過程の半導体加工物に形成された溝及び／又はコンタクトホール等の要点内に、導電性材料を電気化学的に析出させる方法が開示され、開示された電気鍍金溶液を使用する複数の陽極反応器の利用に適した方法を含む。 （もっと読む）