【課題】常温で効率よく大量の水素を生成することのできる水素発生剤、及び水素ガスの製造方法を供給する。
【解決手段】Ａｌ金属及び水酸化カルシウムを主成分として構成され、Ａｌ金属、アルカリ土類化合物の重量比率が８０／２０から９８／２である水素発生剤であり、アルカリ土類金属化合物が水酸化カルシウム、Ａｌ金属、水酸化カルシウムの粒径比が１０／１から２００／１である水素発生剤。水素発生剤添加後の水のｐＨが７以上に保持する事で、外部過熱なしで水素を製造方法であり、カトアイトを形成することにより効率的に水素の形成を行う事が可能な製造方法。 （もっと読む）

【課題】個々のニーズに合った波長の光を検出、測定可能であると共に、高Ｓ／Ｎ比を実現可能な受光素子を提供する。
【解決手段】半導体受光素子１であって、導電性を示すＳｉ系半導体からなる結晶基板２と、その一方側の面上に形成されたバッファ層３と、さらにその上方において、ＡｌＮ層からなる第１の光感受層１１とＧａＮ層からなる第２の光感受層１２とを少なくとも１層づつ交互に積層させることにより形成した第１の光感受層１１と第２の光感受層１２との超格子構造よりなる光感受層１０と、受光面４ａとなる上記光感受層４の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たるショットキー電極５と、結晶基板２の他方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する他方側の電極７とからなる受光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】温度制御や放射線損傷の問題を解決することができ、しかも従来よりも検出感度が高く、作製が容易な荷電粒子検出器を提供する。
【解決手段】本発明に係る荷電粒子検出器１は、ｎ型のＳｉＣ基板２と、ＳｉＣ基板２の検出面５ａ側の面にバッファ層３、４を介して設けられ、バッファ層４に接していない面が検出面５ａであるアンドープのＧａＮ層５と、ＧａＮ層５の検出面５ａに設けられ、ＧａＮ層５とショットキー接触する第１金属電極６と、ＳｉＣ基板２の、バッファ層３に接していない面に設けられ、ＳｉＣ基板２とオーミック接触する第２金属電極８とを備える。また、ＧａＮ層５の厚さは、９００ｎｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ安価な構成で、特定波長の光のみを高精度に選択し、強度を検知することができる受光センサを提供する。
【解決手段】本発明に係る受光センサ１は、波長選択フィルタ２０を透過してきた光の強度が受光素子１０によって検知されるようになっており、受光素子１０は第１の化合物半導体材料からなる受光層１３を含み、波長選択フィルタ２０は第２の化合物半導体材料からなる吸収層２３を含み、波長選択フィルタ２０のバンドギャップは、受光素子１０のバンドギャップと同一であるか、または受光素子１０のバンドギャップよりも大きいこと特徴とする。また、第１及び第２の化合物半導体材料は、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮまたはＺｎ_xＭｇ_yＣｄ_1-x-yＯであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】素子形成された複数の半導体層を積層し、集積可能な素子数を飛躍的に高めることができる積層型半導体集積装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層型半導体集積装置は、基板上に直接、または緩衝層を介して積層されたＧａＮ層と、前記ＧａＮ層の表面近傍に形成された複数のトランジスタと、前記トランジスタの表面及び側面を被覆する酸化膜または窒化膜と、前記酸化膜または窒化膜を含む前記ＧａＮ層上に、ＥＬＯによって積層されたＡｌＧａＮ層と、を集積すべきトランジスタの数量に応じて繰り返し積層して形成される。 （もっと読む）

【課題】受光面積を最大限に取ることが出来、しかも安価に製造出来る、簡素で信頼性に優れた受光素子を提供する。
【解決手段】半導体受光素子１であって、導電性を示すＳｉ系半導体からなる結晶基板２と、その一方側の面上に形成されたバッファ層３と、さらにその上方に少なくとも１層形成された、絶縁性のＧａＮ系材料からなる光感受層４と、受光面４ａとなる上記光感受層４の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たるショットキー電極５と、結晶基板２の他方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する他方側の電極７とからなる受光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】受光面積を最大限に取ることが可能であり、しかも、従来よりもＳ／Ｎ比その他の諸特性が良好な半導体受光素子を提供する。
【解決手段】半導体受光素子１であって、結晶基板２と、その上方に少なくとも１層形成されたｎ型のＩＩＩ族窒化物半導体層４と、その上に形成され、上記結晶基板表面の一部を被覆する、任意のパターンの導電性材料からなる埋込電極３と、上記埋込電極３、及び前記埋込電極で被覆されていない上記ｎ型のＩＩＩ族窒化物半導体層４の露出部を被覆する、絶縁性のＩＩＩ族窒化物材料からなる光感受層５と、受光面５ａとなる上記光感受層５の一方側の面に備え設けられた、上記埋込電極３と対になって受光素子１を構成するショットキー電極６と、からなる受光素子１とする。 （もっと読む）