【課題】製造時における金属接触部の劣化や金属の窒化物半導体層への拡散を防止してコンタクト抵抗の低減を図る。
【解決手段】基板、第１接触部、前記基板上に蒸着したドープ半導体材料第１層、前記第１層に蒸着した半導体接合領域、前記接合領域に蒸着したドープ半導体材料を有する第２層（この第２層は前記第１層と逆極性にドープした半導体を有する）、及び第２接触部を含んでなり、前記第２接触部は前記第２層と電気的に導通し、前記第１接触部は前記基板と前記接合領域との間で前記半導体デバイス内に包埋されて前記第１層と電気的に導通する半導体材料、並びに埋め込み接触半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

遠隔プラズマ増強化学気相成長法によってIII族金属窒化膜を成長させるための方法および装置が説明されている。この方法は、基板と、バッファ層を含む基板とからなる群より選択されるオブジェクトを成長チャンバにおいて約400℃〜約750℃の範囲の温度に加熱する工程、成長チャンバから離れて配置された窒素プラズマで活性化中性窒素種を産生する工程、および活性化中性窒素種を成長チャンバに転送する工程を含む。反応混合物が成長チャンバで形成され、この反応混合物は、III族金属窒化膜を形成するために窒素種と反応可能なIII族金属の一種を含有し、膜がデバイス用途に適合する条件下で、III族金属窒化物の膜が加熱されたオブジェクト上に形成される。1.6原子％未満の酸素濃度を示すIII族金属窒化膜も説明されている。

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