【課題】線形加速器工程を使用した材料の自立層を製造する方法およびシステムを提供する。
【解決手段】劈開領域内に複数のゲッタリングサイト領域を形成するために線形加速器を用いて生成され第１の注入角度で提供される第１の複数の高エネルギー粒子に半導体基板の表面領域をさらすことを含み、劈開領域は分離される材料の層を画定するよう表面領域の下に設けられ、半導体基板は第１の温度に維持される。線形加速器を用いて生成された第２の複数の高エネルギー粒子に第２の角度で半導体基板の表面領域をさらすことを含み、第２の複数の高エネルギー粒子は第１の応力レベルから第２の応力レベルに劈開領域の応力レベルを上昇させるようにする。第２の複数の高エネルギー粒子は、第２の注入角度で提供される。半導体基板は、第１の温度より高い第２の温度に維持される。次に劈開工程を用いて分離可能な材料の層を取り除く。 （もっと読む）

連続プラズマ浸漬プロセスを使用した基板の製造方法。本方法は移動可能な軌道体を提供することを含む。移動可能な軌道体はチャンバに備えられている。チャンバは導入口と排出口を有する。特定の実施態様では、移動可能な軌道体は、一以上の基板を走査プロセスに供するために、一以上のローラー、エアベアリング、ベルト部材、そして／または可動ビーム部材を含む。本方法は又第一の基板を提供することを含む。第一の基板は第一の複数のタイルを含む。本方法は第一の複数のタイルを含む第一の基板を真空に保持する。本方法は第一の複数のタイルを含む第一の基板を導入口から移動可能な軌道体上に移送することを含む。第一の複数のタイルは走査注入プロセスを受ける。本方法はまた第二の複数のタイルを含む第二の基板を真空に保持することを含む。本方法は第二の複数のタイルを含む第二の基板を導入口から移動可能な軌道体上に移送することを含む。本方法は第二の複数のタイルが走査注入プロセスを受けることを含む。代替の実施態様ではタイル基板構造を形成するために再利用可能な転写基板体が提供される。基板体は表面領域を有する転写基板を含む。表面領域は複数のドナー基板領域からなる。各ドナー基板領域はドナー基板の厚みとドナー基板表面領域で特徴付けられる。各ドナー基板領域は転写基板の表面に重畳するように空間的に配置される。各ドナー基板領域はドナー基板の厚みを有するが定義できる劈開領域は有しない。
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１つまたは複数のデバイス、たとえば光エレクトロニクス、集積回路を含むマルチレイヤ基板構造。この構造は、ハンドル基板を有し、このハンドル基板は、所定の層と約１ＭＰａから約１３０ＧＰａまでの範囲のヤング率の特徴がある。この構造は、ハンドル基板に連結された実質的に結晶材料の層をも有する。好ましくは、実質的に結晶材料の層は、約１００μから約５ｍｍまでの範囲にわたる。この構造は、実質的に結晶材料の層上の劈開される表面と、２００Å未満の劈開された膜の特徴を表す表面粗さとを有する。少なくとも１つまたは複数の光エレクトロニクス・デバイスが、材料の層に設けられる。
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